SU1282767A1 - Способ создания подзатворного диэлектрика - Google Patents
Способ создания подзатворного диэлектрикаInfo
- Publication number
- SU1282767A1 SU1282767A1 SU3786841/25A SU3786841A SU1282767A1 SU 1282767 A1 SU1282767 A1 SU 1282767A1 SU 3786841/25 A SU3786841/25 A SU 3786841/25A SU 3786841 A SU3786841 A SU 3786841A SU 1282767 A1 SU1282767 A1 SU 1282767A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- hcl
- creating
- oxidation
- oxygen
- volume
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O= 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3786841/25A SU1282767A1 (ru) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | Способ создания подзатворного диэлектрика |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU3786841/25A SU1282767A1 (ru) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | Способ создания подзатворного диэлектрика |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU1282767A1 true SU1282767A1 (ru) | 2012-06-20 |
Family
ID=60519293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU3786841/25A SU1282767A1 (ru) | 1984-09-08 | 1984-09-08 | Способ создания подзатворного диэлектрика |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU1282767A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2654960C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
-
1984
- 1984-09-08 SU SU3786841/25A patent/SU1282767A1/ru active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2654960C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-23 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3371582D1 (en) | Method of making silicon oxide layers | |
| JPS5530846A (en) | Method for manufacturing fixed memory | |
| JPS56161646A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| EP0177894A3 (en) | Method of producing metallic silicon particularly for use in the photovoltaic industry | |
| EP0471845A4 (en) | Method of forming oxide film | |
| SU1282767A1 (ru) | Способ создания подзатворного диэлектрика | |
| JPS6459866A (en) | Manufacture of mos transistor | |
| JPS6428876A (en) | Manufacture of superconducting 3-terminal element | |
| SU1225430A1 (ru) | Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика | |
| JPS56105652A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| SU1371456A1 (ru) | Способ создания тонких слоев оксида кремния | |
| JPS6411378A (en) | Formation of josephson element | |
| ES460242A1 (es) | Procedimiento para estabilizar la resistencia de contactos electricos chapados en oro. | |
| JPS5756942A (en) | Manufacture of silicon semiconductor device | |
| SU1147205A1 (ru) | Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика | |
| JPS56146254A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5617023A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS6411379A (en) | Superconducting film structure | |
| JPS57204174A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5650573A (en) | Mis tunnel diode type mosfet | |
| SU1229193A1 (ru) | Стекло дл спаивани стекла с алюминием | |
| JPS54157799A (en) | Production of silicon nitride layer | |
| JPS57199270A (en) | Photoelectric converter | |
| JPS53105975A (en) | Heat treatment for silicon oxide film | |
| GB2015742A (en) | Ion concentration measuring and reference electrodes |