SU1250997A1 - Способ контрол интегральных микросхем - Google Patents
Способ контрол интегральных микросхем Download PDFInfo
- Publication number
- SU1250997A1 SU1250997A1 SU843795714A SU3795714A SU1250997A1 SU 1250997 A1 SU1250997 A1 SU 1250997A1 SU 843795714 A SU843795714 A SU 843795714A SU 3795714 A SU3795714 A SU 3795714A SU 1250997 A1 SU1250997 A1 SU 1250997A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- frequency
- integrated circuit
- controlled
- signals
- sequence
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к конт- рольно-измерительной технике. Может быть использовано дл совмещенного по времени контрол интегральных микросхем на функционирование и по тепловым параметрам. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей способа. По предлагаемому способу в процессе выходного и вход-, кого контрол интегральной микросхе- мы на предельной рабочей частоте измер ют значение потребл емого интегральной микросхемой тока. Эти измерени производ тс за врем , значительно меньшее посто нной вре (Л с: ГС ел о со со |
Description
мени t кристалл-корпус„ По мере нагрева кристалла поддерживаетс посто нный потребл емый ток путем снижени частоты переключени ,. Через фиксированное врем , соизмеримое с L ; измер ют частоту .генератора и сравнивают ее с заданным минимально допустимым значением,, полученным по результатам Статистической обработки В случае, если частота меньше допустимой , интегральна схема признаетс негоднойg Заданное значение результирующей частоты определ ют как минимальное значение результирующих частот, измеренных дл пред-
1
Изобретение относитс к контрольно-измерительной технике и может быть использовано дл совмещенного по времени контрол интегральных микросхем на функционирование и по тепловым параметрам.
Цель изобретени - расшире}1ие функциональных возможностей способа, путем совмещени по времени функционального контрол и тепловых параметров интегральных микросхем.
На фиг. 1 приведена схема, устройства , реализующего способ;на фиг.2 - зависимость результирующей частоты синхроимпульсов от времени, по сн юща способ.
Устройство (фиг. 1) ,цл контрол нтегральных микросхем 1 содержит сточник 2 напр жени , измерительный езистор 3, источник 4 питани , ключ 5, источник 6 опорного напр жени , аналоговый сумматор 7, первый 8 и второй 9 суммирующие резисторы, операционный усилитель 10, резистор 11 обратной св зи, инвертор 12, аналого- цифровой преобразователь 13, цифровой сумматор 14, первый 15 и второй 16 регистры, вычитающий блок 17 генератор 18 синхроимпульсов, измеритель 19 частоты, блок 20 функционального контрол и блок 21 управлени и синхронизации.
Сущность способа заключаетс в 1:шедующем.
ставительной выборки из партии годных микросхеме Устройство дл контрол интегральных микросхем 1 содержит источник 2 напр жени , источник 4 питани , ключ 5, источник 6 опорного напр жени , аналоговый сумматор 7, операционный усилитель 10, инвертор 12, аналого-цифровой преобразователь 13, цифровой сумматор 14, регистры 15, 16, вычитающий блок 17, генератор 18 синхроимпульсов, измеритель 19 частоты, блок 20 функцио- нального контрол , блок 21 управле- нн и синхронизации. 1 з.п. ф-лы 2 ил.
Одновременно с функциональным контролем интегральной микросхемы 1 осуществл ют ее контроль по тепловому сопротивлению кристалл-корпус.
Контроль тепловых параметров основан на зависимости потребл емого интегральной микросхемой 1 тока от -частоты ее переключени и от температуры кристалла. Эти зависимости про вл ютс в интегральных микросхемах с КМОП-структурой, которые в статическом режиме потребл ют ток в доли микроампера, тогда как в динамическом режиме на рабочей частоте ток
потреблени достигает единиц и дес тков миллиампер, причем ток потреблени зависит от температуры кристал- ,ла (при увеличении температуры ток
возрастает),
Указанные особенности практически исключают внутренний разогрев микросхем в статическом режиме (например, при входном контроле статических параметров ), что не позвол ет контролировать тепловые характеристики микросхем при входном контроле статистических параметров.
По предлагаемому способу контрол
в процессе выходного или входного
функционального контрол интегральной микросхемы 1 на предельной рабочей частоте f g (0,1-10 мГц) в момент начала функционального контрол в течение нескольких тактов переключ.ени (t близко к нулю), пока кpиcтaл интегральной микросхемы 1 не разог- релс (за врем значительно меньшее чем посто нна времени 7 кристалл- корпус,- составл юща примерно 50- 100 мс), измер ют значение потребл мого интегральной микросхемой 1 тока. Затем путем снижени частоты переключени по мере нагрева кристалла интегральной микросхемы 1 под держиваетс посто нным потребл емый ток.
Через фиксированное врем t., прр дка Т измер етс частота переключени интегральной микросхемы 1, и по этой частоте суд т о тепловом сопротивлении кристалл-корпус, причем непосредственно величина теплового сопротивлени не определ етс .
.Способ реализуетс с помощью уст ройства, показанного на фиг. 1.
Блок 20 контрол совместно с генратором 18 синхроимпульсов обеспечивает функциональный контроль интегральной микросхемы 1 путем подачи на ее входы последовательности тестовых (блок 20) и синхронизирующих (генератор 18) сигналов приема выходной последовательности сигналов, сравнени ее с эталонной и прин тие решени о годности интегральной микросхемы 1 (блок 20).
Блок 21 обеспечивает управление и синхронизацию работы блоков уст- ройства, в частности, подключа через ключ 5 источник 6 опорного напржени к источнику 4 питани , в котором источник 2 напр жени питани вырабатывает и за.дает через измери- тельный резистор 3 напр жение питат ни на интегральную микросхемз 1,
В начальный момент функционально го контрол измер ют потребл емый- интегральной микросхемой 1 на часто те ток следующим образом: из- мер ют напр жение на измерительном |резисторе 3 источника 4 питани с помощью сумматора 7, инвертора 12-и АЦП 13о В сумматоре 7 с помощью суммирующих резисторов 8 и 9 и операционного усилител 10 с резисторо 11 в цепи обратной св зи формируют на выходе сигнал, пропорциональный разности напр жений на выводах ре- зистора 3. Инвертор 12 инвертирует пол рность сигнала с резистора 3 дл обеспечени возможности вычитани
его из напр жени , имеющегос на выхо- де источника 2..
Получаемый на выходе АЦП 13 результирующий сигнал запоминают в регистрах 15 и 16 цифрового сумматора 14 и подают на входы вычитающего блока 17, который вырабатьшает сигнал управлени дл генератора 18. В начапьный момент сигнал на выходе вычитающего блока 17 равен нулю. Затем регистр 15 перевод т в режим хранени , а регистр 16 оставл ют в режиме приема информации из АЦП 13. По мере разогрева кристалла ток, потребл емый ин- .тегральной микросхемой 1, нарастает и на выходе цифрового сумматора 14 по вл етс код, соответствующий изменению потребл емого тока, который записываетс в регистр 15. Разность кодов, записанных в регистры 16 и 15, формируетс на выходе блока 17 и уменьшает частоту генератора 18 частоты пока сигнал с выхода, цифрового сумматора 14 не уменьшитс до нул . В результате осуществл етс автоматическое поддержание посто нного тока потреблени микросхемой 1 без изменени напр жени ее питани .
Через фиксированное врем t (фиг« 2) измер ют частоту генератора 18 измерителем 19 частоты. Врем из- мерени (t,, ) задаетс блоком 21 задани управл ющих кодов и синхронизации .
Врем t,M выбираетс примерно равным по величине Г , чтобы не учитывать тепловую посто нную времени корпус-среда и чтобы обеспечить достаточную точность измерений, поскольку при измерении в начальньш момент времени ( ) кристалл не успевает нагретьс и частота не может быть измерена с необходимой точностью.
Измеренное измерителем 19 частоты значение результирующей частоты ( fpg.) синхроимпульсов генератора 18 сравнивают (фиг, 2) с заданным минимально допустимым значением частоты синхроимпульсов f , определенным предварительно дл каждого возможног значени t . Заданное минимально допустимое значение частоты определ ют по результатам статистической обработки результатов измерений f дл партии годных микросхем.
-рез
Если fpj контролируемой интегральной микросхемы меньше ,аэ. , считаю
ее негодной, в противном случае - годной.
Таким образом, путем компенсации увеличени тока потреблени интег- ральйЪй микросхемы в результате разогрева кристалла и уменьшени рабочей частоты синхроимпульсов определ ют результирующую частоту синхрбим- пульсов и, сравнива ее с заданной (дл годных интегральных микросхем), определ ют косвенно годность или не- . годность контролируемой интегрально, микросхемы 1 по тепловому сопротивлению кристалл-корпус, осл,тдес.твл Помимо контрол функционировани еще и одновременный контроль теплового сопротивлени кристалл-корпус, что расшир ет функциональные возможности способа по сравнению с инвестI-uM .
Claims (2)
- Формула изобретени1, Способ контрол интегральных микросхем, состо щий в том, что одновременно и синхронно по времени подают синхроимпульсы и последовательность провер ющих сигналов на синхронизирзпоищй вход и информацион- ные входы контролируемой интегральной микросхемы соответственноJ сравнивают получаемую на вькодах контролируемой интегральной схемы последовательность сигналов с эталонной последовательностью сигналов и в случае совпадени получаемой после0505одовательности с эталонной считают , контролируемую микросхему годной, а в противном случае - негодной, . отличающийс тем, что, с целью расширени функционалыгых : возможностей путем совмещени во времени функционального контрол интегральной схемы с контролем тепловых napaMeiJpoB, одновременно со сравнением получаемой на выходах контролируемой интегральной схемы последовательности сигналов с эта- , лонной последовательностью сигналов измер ют потребл емый интегральной микросхемой ток на рабочей частоте следовани синхроимпульсов при фиксированном напр жении питани и поддерживают его посто нньм, уменьша частоту следовани синхроимпульсов, измер ют результирующую частоту следовани синхроимпульсов через интервал времени, равный тепловой посто нной времени кристалл-корпус после начала их подачи, сравнивают результирующую частоту с заданной и в случае превышени заданной частоты результирующей считают контролируемую микросхему негодной, в противном случае - годной,
- 2. Способ поп, 1, отлича ю- щ и и с тем,что заданное значение . результирующей частоты определ ют как минимальное значение результирующих частот, измеренных дл представительной выборки из партии годных микросхем.Редактор Л ПчелинскаСоставитель В.ДворкинТехред В.Кадар Корректор С.Шекмар4406/42Тираж 728ПодписноеВНИШИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-355 Раушска наб., д, 4/5Производственно-полиграфическое предпри тие, г. Ужгород, ул. Проектна , 4
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (ru) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Способ контрол интегральных микросхем |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (ru) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Способ контрол интегральных микросхем |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1250997A1 true SU1250997A1 (ru) | 1986-08-15 |
Family
ID=21140404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843795714A SU1250997A1 (ru) | 1984-10-01 | 1984-10-01 | Способ контрол интегральных микросхем |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1250997A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5233161A (en) * | 1991-10-31 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Method for self regulating CMOS digital microcircuit burn-in without ovens |
US5294776A (en) * | 1989-06-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of burning in a semiconductor device |
-
1984
- 1984-10-01 SU SU843795714A patent/SU1250997A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 873167, ют, G 01 R 31/26, 1981. Эйдукас Д.10. и др. Измерение параметров цифровых интегральных мик- робхем. М..: Радио и св зь, 1982, с. 249-256. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294776A (en) * | 1989-06-30 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of burning in a semiconductor device |
US5233161A (en) * | 1991-10-31 | 1993-08-03 | Hughes Aircraft Company | Method for self regulating CMOS digital microcircuit burn-in without ovens |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5712582A (en) | Test signal generator having timing calibration circuit | |
US5473259A (en) | Semiconductor device tester capable of simultaneously testing a plurality of integrated circuits at the same temperature | |
GB2090666A (en) | Determining the state of discharge of an electric battery | |
WO1997017829B1 (en) | Variable voltage component tester | |
SU1250997A1 (ru) | Способ контрол интегральных микросхем | |
US4449830A (en) | Method and apparatus for measuring elapsed time between an initiating event and a dependent event | |
GB2316493A (en) | Delay time measuring method and pulse generator for measuring delay time for use in said measuring method | |
US4527907A (en) | Method and apparatus for measuring the settling time of an analog signal | |
JPH05149977A (ja) | 熱電型交直流変換器の交直差比較装置 | |
SU1281926A1 (ru) | Устройство дл контрол исправности термоэлектрических преобразователей | |
SU773451A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
US5233307A (en) | Process and apparatus for the qualification of a capacitive system | |
SU1295346A1 (ru) | Устройство дл измерени коэффициента гармоник усилителей мощности | |
RU2041511C1 (ru) | Устройство для лазерной подгонки резисторов | |
SU1506297A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры | |
SU1649474A1 (ru) | Устройство дл автоматического контрол параметров интегральных схем | |
SU1739211A1 (ru) | Устройство дл измерени разности температур | |
KR0184893B1 (ko) | 직류정전류원을 이용한 저항 측정회로 | |
SU1548776A1 (ru) | Устройство дл нагрева | |
JPH06148264A (ja) | リーク電流の測定方法 | |
SU1307405A1 (ru) | Способ измерени теплового сопротивлени интегральных схем | |
SU798650A1 (ru) | Устройство дл измерени макси-МАльНО дОпуСТиМыХ пР МыХ и ОбРАТНыХНАпР жЕНий СилОВыХ пОлупРОВОдНиКОВыХпРибОРОВ | |
SU1352398A2 (ru) | Фазометр дл исследовани систем автоматического управлени | |
SU1166003A1 (ru) | Устройство дл измерени мощности импульсного СВЧ-генератора | |
JPH022954A (ja) | Ic試験装置 |