SU1238005A1 - Curve tracer - Google Patents
Curve tracer Download PDFInfo
- Publication number
- SU1238005A1 SU1238005A1 SU843726903A SU3726903A SU1238005A1 SU 1238005 A1 SU1238005 A1 SU 1238005A1 SU 843726903 A SU843726903 A SU 843726903A SU 3726903 A SU3726903 A SU 3726903A SU 1238005 A1 SU1238005 A1 SU 1238005A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- transistor
- potentiometer
- oscilloscope
- switch
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области автоматики и измерительной техники. Цель изобретени - расширение функциональных возможностей. Устройство содержит генератор 1, клеммы 2, 3 и , 7 дл подключени исследуемого тран- зистора, осциллограф 5,. генератор 6 развертки, потенциометр 8 к коммутатор 9. Введение в устройство потенциометра 8 и коммутатора 9, выполненного в виде электронного ключа на транзисторе и автоколебательного мультивибратора, позвол ет наблюдать на экране Осциллографа одновременно статические и нагрузочные характеристики . Кроме того, производ градуировку осей на экране осцшшографа , характермограф позвол ет определ ть не только статические, но и динамические параметры транзистора. 3 ил. (Л с:The invention relates to the field of automation and measurement technology. The purpose of the invention is to expand the functionality. The device contains a generator 1, terminals 2, 3 and, 7 for connecting the transistor under study, an oscilloscope 5 ,. sweep generator 6, potentiometer 8 to switch 9. Introduction to the device of potentiometer 8 and switch 9, made in the form of an electronic switch on a transistor and a self-oscillating multivibrator, makes it possible to observe static and load characteristics simultaneously on the oscilloscope screen. In addition, the graduation of the axes on the screen of the x-ray scanner is performed, and the temperograph allows determining not only static, but also dynamic parameters of the transistor. 3 il. (L with:
Description
I 1I 1
Изобретение относитс к автоматике и измерительной технике и может быть использовано дл исследовани характеристик транзисторов.The invention relates to automation and measurement technology and can be used to study the characteristics of transistors.
Цель изобретени - расширение функциональных возможностей путем обеспечени сн ти семейства характеристик исследуемых полупроводниковых приборов, т.е. в статическом и нагрузочном режиме работы исследуемого транзистора.The purpose of the invention is to expand the functionality by ensuring the removal of the family of characteristics of the semiconductor devices under study, i.e. in the static and load mode of the investigated transistor.
На фиг.1 представлена блок-схема предлагаемого устройства; на фиг.2 - структурна схема коммутатора режимов работы транзистора; на фиг.З - временные диаграммы, по сн юа1ие работу характериографа.Figure 1 presents the block diagram of the proposed device; figure 2 - block diagram of the switch modes of the transistor; Fig. 3 shows time diagrams, according to the work of the characterographer.
Характериограф (фиг.1) содержит генератор 1 ступенчатого напр жени , первый выход которого соединен с клеммой 2 дл подключени базы исследуемого транзистора, клемма 3 дл подключени эмиттера которого соединена соответственно с вторым выходом генератора 1 ступенчатого напр жени , общей шиной, первым выводом резистора 4 и первым входом осциллографа 5, второй вход которого подключен к второму выводу резистора 4 и первому выходу генератора 6 развертки, третий вход осциллографа соединен с клеммой 7 дл подключени коллектора исследуемого транзистора, потенциометр 8, коммутатор 9, выполненный в виде (фиг.2) электронного ключа на транзисторе 10, и автоколебательного мультивибратора 11, причем вход автоколебательного мультивибратора 11 соединен с первым выводом резистора 4, а первый выход - с базой транзистора 10, эмиттер которого соединен с вторым выходом автоколебательного мультивибратора 11, клеммой 7 подключени коллектора испытуемого транзистора и первым выводом потенциометра 8, второй вьшод которого подключен к второму выходу генератора 6 развертки и коммутатору транзисторного ключа 10. При этом второй вход осциллографа 5 соединен его вертикально-отклон ющими пластинами, а третий вход - с горизонтально отклон ющими пластинами осциллографа 5.The characteristic graph (FIG. 1) contains a 1-stage voltage generator, the first output of which is connected to terminal 2 for connecting the base of the transistor under investigation, a terminal 3 for connecting the emitter of which is connected to the second output of the 1-stage voltage generator 1, common busbar, first output of resistor 4 and the first input of the oscilloscope 5, the second input of which is connected to the second output of the resistor 4 and the first output of the sweep generator 6, the third input of the oscilloscope is connected to terminal 7 for connecting the collector of the test transistor, potentiometer 8, switch 9, made in the form (Fig.2) of an electronic key on transistor 10, and self-oscillating multivibrator 11, the input of the self-oscillating multivibrator 11 connected to the first output of the resistor 4, and the first output to the base of the transistor 10, the emitter of which connected to the second output of the self-oscillating multivibrator 11, the terminal 7 connecting the collector of the test transistor and the first terminal of the potentiometer 8, the second pin of which is connected to the second output of the sweep generator 6 and the switch transistor key 10. The second input of the oscilloscope 5 is connected by its vertical deflection plates, and the third input is connected to the horizontal deflection plates of the oscilloscope 5.
Работа устройства осуществл етс следующим образом.The operation of the device is as follows.
Пример. Исследование выходных характеристик бипол рного транзистора в схеме с общим эмиттеромExample. Study of the output characteristics of a bipolar transistor in a common emitter circuit
3800538005
(фиг.1). Исследуемый транзистор подключаетс к соответствующим клеммам дл подключени эмиттера, коллектора и базы исследуемого транзистора. Ког5 да коммутатор 9 щунтирует резистор 8 (сопротивление нагрузки Ец), напр жение развертки с генератора 6 развертки подаетс непосредственно на коллектор исследуемого транзисто10 ра и одновременно на третий вход осциллографа 5. Форма напр жени развертки существенного значени не имеет , поскольку она вли ет лишь на равномерность ркости осциллограммы.(figure 1). The test transistor is connected to the appropriate terminals for connecting the emitter, collector and base of the test transistor. If switch 9 is bypassing resistor 8 (load impedance Ец), the sweep voltage from sweep generator 6 is fed directly to the collector of the transistor 10 being investigated and simultaneously to the third input of the oscilloscope 5. The sweep voltage form is not significant, as it affects only waveform uniformity.
15 Поэтому в генераторе 6 развертки можно использовать импульсы, пoлyчae вJe из напр жени сети, причем использовать как пр мой так и обратный ход луча осциллографа 5. При изменении15 Therefore, in the sweep generator 6, pulses can be used, which are possible within the network voltage, and both the forward and reverse oscilloscope beam 5 can be used. When changing
20 коллекторного напр жени , которое обеспечивает генератор 6 развертки, и посто нном токе базы исследуемого транзистора соответственно измен етс ток коллектора. В коллекторную20 of the collector voltage, which is provided by the sweep generator 6, and the direct current of the base of the transistor under investigation, respectively, the collector current varies. In the collector
2S цепь исследуемого транзистора BKJHO- чен резистор 4, сопротивление R которого много меньше выходного сопротивлени исследуемого транзистора (например, R 100 Ом), падение нап30 р жени на котором пропорционально коллекторному току. Подава это напр жение на второй вход осциллографа 5, получают осциллограмму одной вы- . ходкой статической характеристикиThe 2S circuit of the investigated transistor BKJHO is a resistor 4, the resistance R of which is much less than the output resistance of the investigated transistor (for example, R 100 Ohms), the voltage drop on which is proportional to the collector current. Applying this voltage to the second input of the oscilloscope 5, get an oscillogram of one of you. best static response
j исследуемого транзистора. Если с каждым ходом развертки (пр мым или обратным ) обеспечить посто нное значение тока базы., но разное значение тока (в виде ступеней) с каждой даерткой получают семейство статических выходных характеристик исследуемого транзистора. Ступенчатый ток базы обеспечивает генератор 1 ступенчатого напр жени . Синхронизаци генера45 торов 1 и 6 осуществл етс напр жением сети. Временные диаграммы (фиг.З, лева половина) показывают напр жение сети U,, напр жение код- лектора Цц, ступенчатый ток базы, паJQ дение напр жени U на измерительном резисторе 4 при исследовании статических характеристик, когда нагрузочное сопротивление R (потенциометр 8) зашунтировано коммутатором 9.j of the transistor under study. If with each sweep stroke (forward or reverse) to provide a constant base current value, but a different current value (in steps) with each test loop, a family of static output characteristics of the transistor under study is obtained. A stepped base current is provided by a 1-step voltage generator. The synchronization of the generators 1 and 6 is carried out by the mains voltage. Timing diagrams (fig. 3, left half) show the voltage U, of the network, the voltage of the codec Q, the stepped base current, the voltage J U on the measuring resistor 4 in the study of static characteristics when the load resistance R (potentiometer 8) shunted by switch 9.
55 Дл исследовани нагрузочной характеристики коммутатор 9 подключает нагрузочное сопротивление R (потен- .циометр 8) в цепь коллектора, и напр жение развертки с генератора 6 развертки подаетс на коллектор исследуемого транзистора через потенциометр 8, При этом напр жение на коллекторе и ток коллектора измен ютс в соотве ствии с нагрузочной характеристикой исследуемого транзистора, т.е. с уче том подключенного сопрот 1влени потенциометра 8. Ток базы как и прежде имеет ступенчатый характер. Времен- ные диаграммы (фиг.З, права половина ) показывают характер изменени тех же токов и напр жений устройства при исследовании нагрузочной характеристики . Осциллограмма нагрузочной характеристики представл ет вид укороченных статических характеристик. Кажда из характеристик укорачиваетс на соответствующую величину падени напр жени на сопротивлении потенциометра 8, а само ограничение выдел етс на экране подсвеченный точкой. При изменении сопротивлени потенциометра 8 измен етс местоположение точек ограничени , а значит и наклон пр мой, соедин ющей эти точки. Коммутатор 9 периодически подключает или шунтирует потенциометр 8 с периодом переключени , равным периоду генератора 1 ступенчатого напр жени . Пос- леднее условие вьтолн етс синхронизацией генератора 1 коммутатора 9 и генератора 6 одним и тем же сетевьм напр жением. При этом на экране осциллографа периодически высвечива- ютс статические и нагрузочные характеристики . Использу эффект подсвечивани , эти характеристики наблюдаютс одновременно.55 To study the load characteristic, the switch 9 connects the load resistance R (potentiometer 8) to the collector circuit, and the sweep voltage from the sweep generator 6 is supplied to the collector of the transistor under investigation through a potentiometer 8. At the same time, the voltage on the collector and the collector current change in accordance with the load characteristic of the transistor under study, i.e. taking into account the connected resistance of the potentiometer 8. The base current, as before, is stepwise. The time diagrams (Fig. 3, right half) show the nature of the change of the same currents and voltages of the device when studying the load characteristics. The stress-waveform is a type of shortened static characteristic. Each of the characteristics is shortened by an appropriate amount of voltage drop across the resistance of the potentiometer 8, and the limitation itself is highlighted on the screen highlighted by a dot. When the resistance of the potentiometer 8 changes, the location of the points of limitation changes, and hence the inclination of the straight line connecting these points. Switch 9 periodically connects or shunts potentiometer 8 with a switching period equal to the period of the 1-stage voltage generator. The last condition is satisfied by the synchronization of the generator 1 of the switch 9 and the generator 6 with the same mains voltage. At the same time, static and load characteristics are periodically displayed on the oscilloscope screen. Using the highlight effect, these characteristics are observed simultaneously.
Таким образом, дополнительно вве- денные элементы расшир ют .функциональные возможности характериографа, заключающиес в возможности одновре менного наблюдени на экране осциллографа статических и нагрузочных харатеристик . Кроме того, произвед градуировку осей на экране осциллографа предлагаемый характериограф позвол е определить не только статические, но и динамические параметры транзисторовThus, the additionally introduced elements expand the functional capabilities of the characterograph, which consist in the possibility of simultaneous observation on the oscilloscope screen of static and load characteristics. In addition, the proposed characterizer allows to determine not only static, but also dynamic parameters of transistors by calibrating the axes on the oscilloscope screen.
Ф о р м у л а из обр е те н и Formula of the sample
Характериограф, содержащий генератор ступенчатого напр жени , первый выход которого соединен с клеммой дл подключени базы исследуемого транзистора, клемма дл подключени эмиттера которого соединена соответственно с вторым выходом генератора ступенчатого напр жени , общей шиной, первым выводом резистора и первым входом осциллографа, второй вход которого подключён к второму выводу резистора и первому выходу генератора развертки, третий вход осциллографа соединен с клеммой дл подключени коллектора исследуемого транзистора, отличающийс тем, что, с целью расширени функциональных . возможностей, он снабжен потенциометром и коммутатором, вьшолненным в виде электронного ключа на транзисторе и автоколебательного мультивибратора, вход которого соединен с первым выводом резистора, а первый выход автоколебательного мультивибратора соединен с базой транзистора, эмиттер которого соединен со вторым выходом автоколебательного мультивибратора, клеммой дл подключени коллектора исследуемого транзистора и первым выводом Потенциометра, второй вывод которого Подключен к второму выходу генератора развертки и коллектору транзисторного ключа.A characteristic graph containing a step voltage generator, the first output of which is connected to a terminal for connecting the base of the transistor under study, a terminal for connecting the emitter of which is connected respectively to the second output of a step voltage generator, a common bus, the first output of the resistor and the first input of the oscilloscope, the second input of which is connected to the second output of the resistor and the first output of the sweep generator, the third input of the oscilloscope is connected to the terminal for connecting the collector of the transistor under study, lichayuschiys in that, in order to expand functionality. capabilities, it is equipped with a potentiometer and a switch made in the form of an electronic switch on a transistor and a self-oscillating multivibrator, the input of which is connected to the first output of a resistor, and the first output of an oscillatory multivibrator is connected to the base of the transistor, the emitter of which is connected to the second output of an oscillatory multivibrator, terminal for connecting a collector the investigated transistor and the first output of the Potentiometer, the second output of which is connected to the second output of the sweep generator and the collector in the transistor switch.
v,v. v, v.
(pue.Z Cfnomut/ecf t/t/ //aspt/sov / psjH-u(pue.Z Cfnomut / ecf t / t / // aspt / sov / psjH-u
-/- /
Составитель Т.Иванова Редактор С.Лисина Техред Л.Олейник Корректор А.ОбручарCompiled by T.Ivanova Editor S.Lisina Tehred L.Oleinik Proofreader A.Obruchar
Заказ 3285/46 Тираж 728ПодписноеOrder 3285/46 Circulation 728 Subscription
ВНИИПИ Государственного комитета СССРVNIIPI USSR State Committee
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушска наб., Ду /5for inventions and discoveries 113035, Moscow, Zh-35, Raushsk nab., Du / 5
л, lt
Производственно-полиграфическое предпри тие, г.Ужгород, ул.Проектна , 4Production and printing company, Uzhgorod, Projecto st., 4
Фиг. 3FIG. 3
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843726903A SU1238005A1 (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | Curve tracer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU843726903A SU1238005A1 (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | Curve tracer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1238005A1 true SU1238005A1 (en) | 1986-06-15 |
Family
ID=21113697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843726903A SU1238005A1 (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | Curve tracer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1238005A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105548936A (en) * | 2016-01-11 | 2016-05-04 | 无锡市计量检定测试中心 | Transistor curve tracer calibration device |
-
1984
- 1984-04-12 SU SU843726903A patent/SU1238005A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Андрианов В., Квашнин Е., Фрост В. Универсальный характерно граф. В помооць радиолюбителю. Вып.58. М.: ДОСААФ, 1977, с,53, рие.1. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105548936A (en) * | 2016-01-11 | 2016-05-04 | 无锡市计量检定测试中心 | Transistor curve tracer calibration device |
CN105548936B (en) * | 2016-01-11 | 2018-06-08 | 无锡市计量检定测试中心 | Transistor curve tracer calibrating installation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4034291A (en) | Electronic measuring instrument combining an oscilloscope and a digital multimeter | |
US3676777A (en) | Apparatus for automatically testing integrated circuit devices | |
US4544879A (en) | Stimulus/measuring unit for DC characteristics measuring | |
US5508607A (en) | Electronic test instrument for component test | |
SU1238005A1 (en) | Curve tracer | |
US3478264A (en) | Scr,diode and transistor analyzer | |
JP3475822B2 (en) | Method for measuring on-resistance of power MOSFET, apparatus for measuring on-resistance of power MOSFET, and power MOSFET | |
US4090132A (en) | Measurement of excess carrier lifetime in semiconductor devices | |
US2615934A (en) | High voltage measuring apparatus | |
RU226679U1 (en) | FAULT LOCALIZER | |
US3076140A (en) | Transistor test set | |
US3783382A (en) | Apparatus and a method for employing said apparatus to determine the low field resistance of dc-biased gunn diodes | |
US3950706A (en) | Voltage sweep generator with bistable current source providing linear sweep voltages | |
SU998967A1 (en) | Electric bridge | |
KR100506969B1 (en) | How to test the leakage of semiconductor devices | |
US4041374A (en) | Interelectrode open and short circuit tester | |
US4091312A (en) | Cathode ray display intensity modulator | |
JPS6122292Y2 (en) | ||
JPH05149999A (en) | Latch-up testing apparatus | |
SU697903A1 (en) | Device for testing polarographic instruments | |
SU1190320A1 (en) | Ohmmeter tester | |
SU1129572A1 (en) | Device for checking parameters of analog electronic circuits | |
US3436659A (en) | Meter circuit including synchronized switching means for measuring the "off" current in a train of pulses | |
SU1239651A1 (en) | Device for measuring current noises of reactive structures | |
JP2650974B2 (en) | Inspection method for semiconductor integrated circuit |