SU120610A1 - Method for detecting electron-hole transition in semiconductors - Google Patents

Description

Известные способы обнаружени  электронно-дырочного нерехода в полупроводниках по те)моэлектродвиж щей силе, возникающей в месте перехода под действием теплового возбдладеии , не позвол ют определ ть тип проводимости в очень малых област х полупроводника.The known methods for detecting an electron-hole non-transition in semiconductors according to the electromotive force arising at the transition point under the action of thermal excitation do not allow the type of conductivity in very small areas of the semiconductor to be determined.

Дл  устранени  этого недостатка предлагаетс  осуществл ть импульсное тепловое полупрово.чннка и отредел ть об.частп с различным типом проводимостн по измененпю зна;:а термоэлектродвижущей силы при прохождении фр01;та тепла последовательно через эти области.In order to eliminate this drawback, it is proposed to carry out a pulsed thermal semi-conductor of the device and determine the parts with different types of conductivity by changing the thermoelectromotive force during the passage of FR01; that heat is consistently through these areas.

К проволочному электроду / (см. ;схему) точечного твердого выпр мител  присоедин етс  (привариваетс ) проволока 2. котора  накал етс  электрическим током, поступающим от источника 3. Вознг1кающн1 1 при замыкании ключа 4 тепловой фронт распростран етс  по направлению к кристаллу и создает разно оть температур между верхним краем р-области 5 и / -п-переходом 6. При этом на экране оспиллографа фиксируетс  термоэлектродвижуща  сила знака, соответствующего дырочному полупроводнику . По мере своего продвижени  тепловой фронт проходит через р-область 5 и доходит до р-л-псрехода 6. При этом возникает разность температур между р- -переходом и базовым контактом 7. Знак термоэлектродвижущей силы при этом будет соответствовать электронному полупроводнику.The wire / electrode (see; scheme) of a point solid rectifier is connected (welded) by wire 2. which is poured by electric current coming from source 3. When the key 4 is closed, the thermal front propagates towards the crystal and creates From the temperatures between the upper edge of the p-region 5 and the jn-junction 6. At the same time, the thermoelectromotive force of the sign corresponding to the hole semiconductor is fixed on the screen of the oscillograph. As it progresses, the thermal front passes through the p-region 5 and reaches the p-l-junction 6. Thus, a temperature difference arises between the p-junction and the base contact 7. The sign of the thermoelectromotive force will correspond to the electronic semiconductor.

Описываемый способ позвол ет вы снить вли ние технологической обработки твердых выпр мителей, в частности формовки импульсами тока , на изменени  в приконтактной области.The described method makes it possible to determine the effect of the processing of solid rectifiers, in particular, forming by current pulses, on changes in the contact area.

Предмет изобретени Subject invention

Способ обнаружени  электронно-дырочного перехода в полугфоводыиках по термоэлектродвижущей силе, возникающей в ме-сте переходаThe method of detecting the electron-hole transition in semi-thermograms by thermo-electromotive force arising in the place of transition

№ 120610- 2 -No. 120610- 2 -

под действием теплового возбуждени , отличающийс  тем, что, с целью определени  типа проводимости в очень малых област х полупроводника , осуществл ют импульсное тепловое возбуждение и наличие области с различным типом проводимости определ ют по изменению знака термоэлектродвижущей силы при прохождении фронта тепла последовательно через указанные области.under the action of thermal excitation, characterized in that, in order to determine the type of conductivity in very small areas of the semiconductor, pulsed thermal excitation is carried out and the presence of a region with a different type of conductivity is determined by changing the sign of the thermoelectromotive force when the heat front passes successively through the specified areas.

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРCommittee for Inventions and Discoveries at the Council of Ministers of the USSR

Редактор Л. А. БлатоваГр. 97Editor L. A. BlatovaGr. 97

Информационно-издательский отдел.Подп. к печ. 18.V-59 г.Information and Publishing Department. Sub. to pec. 18.V-59

Объем 0,17 п. л.Зак. 3404Тирах 1120Цена 25 коп.Volume 0.17 p. L. Zak. 3404Tierah 1120Price 25 kopecks

Типографи  Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРPrinting houses of the Committee on Inventions and Discoveries at the Council of Ministers of the USSR

Москва. Петровка, 14.Moscow. Petrovka, 14.