SU1202493A1 - Method of manufacturing integrated circuit - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий нанесение сло  двуокиси кремни  на доменосодержащую структуру,нанесение сло  из сплава алюминий-медь,первую фотолитографию дл  формировани  схемы проводников, оксидирование незащищенных участков сдо  алюминий-медь на всю глубину. последовательное нанесение пассивирующего сло  из двуокиси кремни  и сло  пермалло , вторую фотолитографию дл  формировани  схемы магнитопленочньпс аппликаций из пермалло  и удаление маски фоторезиста, отличающийс  тем, что, : целью упрощени  технологического процесса, после нанесени  сло  из сплава алюминий-медь выполн ют его оксидирование на глубину 0,1-0,15 первоначальной его толщины с последующей термообработкой сло  при температуре 130-150 С в течение 15 20 мин, а после оксидировани  на всю глубину незащищенных участков сло  алюминий-медь провод т дополни (Л тельную термообработку при температуре 200-300С в течение 1,5-2 ч.A METHOD FOR MAKING AN INTEGRAL SCHEME, including applying a layer of silicon dioxide on a domain-containing structure, applying a layer of aluminum-copper alloy, the first photolithography to form a circuit of conductors, oxidizing unprotected areas of aluminum-copper to the full depth. sequential deposition of a silicon dioxide and permallo layer of a passivation layer, a second photolithography to form a circuit of magnetic film applications of permallo and removal of a photoresist mask, characterized in that: in order to simplify the process, after applying an aluminum-copper alloy layer, it is depth-oxidized 0.1-0.15 of its initial thickness, followed by heat treatment of the layer at a temperature of 130-150 C for 15–20 minutes, and after oxidation to the entire depth of the unprotected areas of the layer of aluminum iny-copper conducted additional (A Tel'nykh 200-300S heat treatment at a temperature within 1,5-2 hours.

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике, в частности, к способам изготовлени  интегральных схем запоминающего устройства на цилиндрических магнитньпс доменах.The invention relates to computing, in particular, to methods for manufacturing integrated circuits of a storage device on cylindrical magnetic domains.

Целью изобретени   вл етс  упрощение технологического процесса, что позвол ет повысить процент выхода годных схем за счет упрощени  процесса формировани  гшанарной поверхности при изготовлении интегральной схемы с доменосодержащей структурой.The aim of the invention is to simplify the technological process, which allows to increase the percentage of usable circuit output by simplifying the process of forming a gyroscopic surface in the manufacture of an integrated circuit with a domain-containing structure.

На фиг.1-8 показана последовательность выполнени  операций при изготовлении интегральной схемы, где изображены подложка 1 схемы с доменосодержащей структурой, на которую поiMtFigures 1-8 show the sequence of operations in the manufacture of an integrated circuit, which shows the substrate 1 of the circuit with a domain-containing structure, on which iMt

следовательно нанесены слой 2 двуокиси кремни , слой 3 разводки из сплава алюминий-медь, на -поверхности которого сформирован слой 4 окиси алюмини , маска 5 из фоторезиста, маска 6 из окиси алюмини , схема 7 разводки, слой 8 двуокиси кремни , магнитоготеночные аппликации 9 из i пермалло .Consequently, a layer of silicon dioxide 2, an aluminum-copper alloy layer 3 are deposited, on the surface of which an alumina layer 4 is formed, a photoresist mask 5, an alumina mask 6, a wiring scheme 7, a silicon dioxide layer 8, magnetic-shading applications 9 of i permallo.

Пример. На подложку 1 с доменосодержащей структурой нанос т ; слой 2 двуокиси кремни  плазмохими- ; ческим осаждением в ВЧ разр де. Напыл ют слой 3 разводки из сплава алкуминий-медь . Провод т пассивирование этого сло  в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности токExample. On a substrate 1 with a domain-containing structure is applied; silicon dioxide layer 2 plasma-chemical; co-deposition in high-frequency discharge. A layer of alcuminium-copper alloy 3 was sprayed. This layer is passivated in a solution of 2–3% oxalic acid at a current density of

0,3-0,5 мА/см методом анодного оксидировани  в течение времени, когда напр жение (3-5 В) между анодом и катодом достигнет установившегос  значени . Глубина пассивированного сло , то есть сло  4 окиси алюмини , Составл ет ,15 первоначальной толщины сло  разводки (фиг,1-3), Выполн ют термообработку сло  окиси алюмини  при температуре 130150 С в течение 15-20 мин. Формируют маску 5 из фоторезиста и провод т анодное оксидирование незащищенньк участков сло  алюминий-медь на всю .З0.3-0.5 mA / cm by the method of anodic oxidation during the time when the voltage (3-5 V) between the anode and cathode reaches a steady-state value. The depth of the passivated layer, i.e., the 4 alumina layer, is 15 of the original thickness of the wiring layer (Figs 1-3). The alumina layer is heat treated at a temperature of 130150 ° C for 15-20 minutes. A mask 5 of photoresist is formed and anodic oxidation of the unprotected areas of the aluminum-copper layer to the whole is carried out.

глубину в растворе 2-3%-ной щавелевой кислоты при плотности тока 0,30 ,5 мА/см при напр жении между электродами 3-5 В в течение времени, пока ток в цепи не примет нулевое значение (фиг. 4-5).the depth in the solution of 2-3% oxalic acid at a current density of 0.30, 5 mA / cm with a voltage between 3-5 V electrodes for a time until the current in the circuit takes a zero value (Fig. 4-5) .

Удал ют маску из фоторезиста.-Провод т дополнительную термообработку при температуре 200-300С в течение 1,5-2 ч, напыл ют слой 8 из двуокисикремни , на который нанос т слой 9 пермалло , выполн ют вторую фотолитографию и формируют магнитопленочные аппликации. S У S /У / / У Фаг &The mask is removed from the photoresist. Additional heat treatment is carried out at a temperature of 200-300 ° C for 1.5-2 hours, a layer 8 of silicon dioxide is sprayed onto which permallo layer 9 is applied, the second photolithography is performed and magnetic film applications are formed. S U S / U / / U Phage &

фиг. 7FIG. 7

Ш.Sh.

fn-|l-|ln.H iiJJi,n V-r-TH-L .ЦИ 1 « «liiT .уЛ-цД|.||Л .t .-Г-..J -fTjpl j . Г fn- | l- | ln.H iiJJi, n V-r-TH-L. QI 1 «« liiT. UL-CD |. || L .t. -G - .. J-fTjpl j. R

и. лand. l

Claims (2)

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, включающий нанесение слоя двуокиси кремния на доменосодержащую структуру, нанесение слоя из сплава алюминий-медь,первую фотолитографию для формирования схемы проводников, оксидирование незащищенных участков слоя алюминий-медь на всю глубину.METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRAL SCHEME, including the deposition of a layer of silicon dioxide on a domain-containing structure, the deposition of a layer of aluminum-copper alloy, the first photolithography to form a conductor circuit, the oxidation of unprotected sections of the aluminum-copper layer to the entire depth. 2 •последовательное нанесение пассивирующего слоя из двуокиси кремния и слоя пермаллоя, вторую фотолитографию для формирования схемы магнитоппеночных аппликаций из пермаллоя и удаление маски фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, после нанесения слоя из сплава алюминий-медь выполняют его оксидирование на глубину 0,1-0,15 первоначальной его толщины с последующей термообработкой слоя при температуре 130-150'С в течение 15 20 мин, а после оксидирования на всю глубину незащищенных участков слоя алюмйний-медь проводят дополнительную термообработку при температуре 200-300^РС в течение 1,5-2 ч.2 • sequential deposition of a passivating layer of silicon dioxide and a permalloy layer, a second photolithography to form a magneto-foam application pattern from permalloy and removing the photoresist mask, characterized in that, in order to simplify the process, after applying the layer of aluminum-copper alloy, it is oxidized to the depth of 0.1-0.15 of its initial thickness, followed by heat treatment of the layer at a temperature of 130-150 ° C for 15 to 20 minutes, and after oxidation to the entire depth of the unprotected sections of the aluminum-m layer food carry out additional heat treatment at a temperature of 200-300 ^R C for 1.5-2 hours