1 Изобретение относитс к аналитическому приборостроению и может использоватьс в газовой, химической и других от-расл х промышленности дл определени содержани различных газов , например , в газовых смес х. Целью изобретени вл етс повышение надежности работы и расширение функциональных возможностей датчика . На чертеже представлена принципиальна схема конструкции датчика газа . Датчик газа содержит герметичный корпус 1, с которым соединен прижим 2 съемного чувствительного элемента 3, содержащего полупроводниковый чувствительньй слой 4 на инертной подложке 5, помещенную в корпус сиетему электрических выводов 6 в виде электродов 7 с контактами 8. Один электрод снабжен резистивным нагревателем 9 и термистором 10. Контакты 8, установленные на торцах электродов 7, выведены из корпуса и уста новлены в прижиме 2 с возможностью теплового и электрического контактов с чувствительным слоем чувствительного элемента 3. К контактам 11 резистивного нагревател 9 подключен терморегул тор 12. Далее привод тс особенности конструкции датчика на H,S. Подложкой может быть любой материал со стабильными свойствами в области 130-200°С, обладающий необходимой теплопроводностью и к которому тонка пленка полупроводника обладает адгезией (керамика,. фарфор окись алюмини и пр.).Чувствительный слой 4 изготавливаетс , например, в 86 виде пленки из полупроводника типа п (SnOj+Al), который при контакте с HjS увеличивает электропроводность пропорционально концентрации сероводорода . Оптимальна рабоча температура , чувствительного сло 4, составл ет 130-150 С. Электроды 7 выполн ютс из токопровод щего материала, имеющего необходимую теплопроводность , например, меди. Контакты 8 изготавливаютс из того же материала , что и чувствительный слой 4 или другого токопровод щего материала , исключающего загр знение полупроводника (например Sn и др.).Корпус обеспечивает герметизацию системы , электрических выводов (больую часть электродов. Нагреватель 9, термистор to), предохран ет их от воздействи агрессивной среды H,S. Часть электродов с нанесенными на нее контактами 8, вытесненна за пределы корпуса, защищена покрытием, стойким к разрушающему воздействию . Датчик газа, например ,работает следующим образом. Чувствительный элемент 3 датчика нагреваетс до в свободной от H,S атмосфере. Сопротивление пленки измер етс между электродами 7 с помощью регистрирующего устройства (не показано). При приведении чувствительного элемента 3 датчика в контакт с сероводородом чувствительный слой 4 измен ет свое сопротивление пропорционально концентрации сероводорода в газовой смеси. Сигнал Изменени сопротивлени через электроды 7 подаетс на регистрирующее устройство.1 The invention relates to analytical instrumentation and can be used in gas, chemical and other industries to determine the content of various gases, for example, in gas mixtures. The aim of the invention is to increase the reliability and enhance the functionality of the sensor. The drawing shows a schematic diagram of the design of the gas sensor. The gas sensor contains a sealed housing 1, which is connected to the clamp 2 removable sensitive element 3 containing a semiconductor sensitive layer 4 on an inert substrate 5, placed in the case of the electrical leads 6 in the form of electrodes 7 with contacts 8. One electrode is equipped with a resistive heater 9 and a thermistor 10. Contacts 8, mounted on the ends of the electrodes 7, are removed from the housing and installed in clamp 2 with the possibility of thermal and electrical contacts with the sensitive layer of the sensing element 3. Contact Contac s 11 of the resistive heater 9 is connected thermoregulatory torus 12. The following are design features sensor H, S. The substrate can be any material with stable properties in the range of 130-200 ° C, which has the necessary thermal conductivity and to which a thin semiconductor film has adhesion (ceramics, porcelain alumina, etc.). Sensitive layer 4 is made, for example, in 86 film form from a semiconductor of type n (SnOj + Al), which, in contact with HjS, increases the electrical conductivity in proportion to the concentration of hydrogen sulfide. The optimum operating temperature of the sensitive layer 4 is 130-150 ° C. Electrodes 7 are made of conductive material having the necessary thermal conductivity, for example copper. Contacts 8 are made of the same material as the sensitive layer 4 or another conductive material that excludes contamination of the semiconductor (for example, Sn, etc.). The housing provides sealing of the system, electrical leads (most of the electrodes. Heater 9, thermistor to), protects them from exposure to aggressive environments H, S. A part of electrodes with contacts 8 deposited on it, displaced out of the case, is protected by a coating resistant to destructive influence. The gas sensor, for example, works as follows. The sensor element 3 is heated to an atmosphere free from H, S. The film resistance is measured between the electrodes 7 using a recording device (not shown). When the sensor element 3 is brought into contact with hydrogen sulfide, the sensitive layer 4 changes its resistance in proportion to the concentration of hydrogen sulfide in the gas mixture. The resistance change signal through the electrodes 7 is fed to a recording device.