Изобретение относитс к радиотехнике и предназначено дл использовани в радиотехнической аппаратуре , в частности в усилител х мощности на транзисторах. Известен усилитель мощности, содержащий усилительный элемент и блок защиты D3 Наиболее близким к предложенному вл етс усилитель мощности, содержащий выходной змиттерный повторитель , выполненный на транзисторе Г -р-п-структуры, первый транзистор защиты ц-| -П-структуры, эмиттер которого соединен с вьп;одом выходного эмиттерного повторител , база - с первым выводом первого резистора, Коллектор - с первым выводом второг резистора, и второй транзистор защи ты р-П-р-структуры f2J. Однако известные усилители мощности имеют недостаточную надежност работы, так как в них перегрузка усилительного элемента устран етс только при коротком замыкании нагрузки ., Цель изобретени - повьшение надежности работы при перегрузке по току Дл этого в усилитель мощности, содержащий выхо дной эмиттерный повторитель j выполненный на транзисторе п -р-Л-структ гры, первьй транзистор защиты R- p-31-структуры, эмиттер которого соединен с выходом выходно го эмиттерногб повторител , база с первым выводом первого резистора, а коллектор - с первым -выводом второго резистора,, и второй транзистор защиты р-И-р-структуры, введены тре тий резистор и пороговый элемент, причем коллектор первого транзистор защиты fj-р- -структуры соединен с входом выходного эмиттерного повтор тел и первым выводом третьего резистора , второй вьгеод которого вл етс входом усилител мощности и соединен через пороговьй элемент с эмиттером второго транзистора защиты р-п-р-структуры база которого соединена с вторым выводом второго резистора, а коллектор - с вторым выводом первого резистора. На чертеже представлена электрическа принципиальна схема предлагаемого усилител мощности. Усилитель мощности содержит выходной эмиттерный повторитель 1 на .транзисторе 41-р-п-структуры, первый транзистор защиты 2 п-pfl-структуры , первый резистор 3, второй резистор 4, третий резистор 5, пороговый элемент 6,. второй транзистор защиты 7 р-П-р-структуры. Усилитель мощности работает следующим образом. В исходном состо нии первьгй и второй транзисторы защиты 2, 7 заперты . При увеличении тока нагрузкИ через выходной эмиттерный- повторитель 1 увеличиваетс падение напр жени на третьем резисторе 5. Когда это падение напр жени превысит порог срабатывани порогового э-лемента 6,в качестве которого может быть использован, например, стабилитрон , открываетс первый и второй транзисторы защиты 2 и 7, что приводит к закрыванию выходного эмиттерного повторител 1, При срабатывании схемы защиты через выходную цепь усилител мощности протекает лишь малый ток схемы защиты, определ ющийс; величинами сопротивлений первого, второго и третьего резисторов 3, 4 и 5. -При устранении перегрузки по току выходного эмиттерного повторител 1 падение напр жени на третьем резисторе 5 уменьшаетс , что приводит к закрыванию первого и второго транзисторов з.ащиты 2,. 7 ик нормальной работе выходного эмиттерного повторител 1, Таким образом, предложенное выполнение схемы защиты выходного эмиттерного повторител от перегрузки по току повышает надежность работы усилител мощности.The invention relates to radio engineering and is intended for use in radio equipment, in particular in transistor power amplifiers. Known power amplifier, containing an amplifying element and a D3 protection unit. The closest to the proposed is a power amplifier containing an output emitter follower made on the transistor G-p-n-structure, the first protection transistor tc- | -P-structure, the emitter of which is connected to the top; ohm of the output emitter follower, the base - with the first output of the first resistor, the Collector - with the first output of the second resistor, and the second transistor of protection ppn-structure f2J. However, the known power amplifiers have insufficient reliability of operation, since in them the overload of the amplifying element is eliminated only when a load is short-circuited. The purpose of the invention is to increase the reliability of the overcurrent. For this, the power amplifier containing the output emitter follower j performed on the transistor n-p-L-struktry, first protection transistor of r-p-31 structure, the emitter of which is connected to the output of the emitter-output repeater, the base with the first output of the first resistor, and the collector with The first output of the second resistor, and the second transistor of protection of the p-and-p structure, introduced a third resistor and a threshold element, and the collector of the first transistor of protection of the fj-p-structure is connected to the input of the output emitter repetition of the bodies and the first output of the third resistor The second port of which is the input of the power amplifier and is connected via a threshold element to the emitter of the second transistor of the pnp structure, whose base is connected to the second terminal of the second resistor, and the collector to the second terminal of the first resistor. The drawing shows an electrical schematic diagram of the proposed power amplifier. The power amplifier has an output emitter follower 1 on a 41-p-p transistor, a first protection transistor 2 and a p-pfl structure, the first resistor 3, the second resistor 4, the third resistor 5, the threshold element 6 ,. The second protection transistor is 7 ppn structures. The power amplifier works as follows. In the initial state, the first and second protection transistors 2, 7 are locked. An increase in the load current through the output emitter-follower 1 increases the voltage drop across the third resistor 5. When this voltage drop exceeds the threshold of the threshold element 6, which can be used, for example, a zener diode, the first and second protection transistors 2 and 7, which closes the output emitter follower 1. When the protection circuit is triggered, only a small current of the protection circuit is detected through the output circuit of the power amplifier, which is determined; the resistance values of the first, second, and third resistors 3, 4, and 5. When the output emitter follower overload is eliminated, the voltage drop across the third resistor 5 decreases, which causes the first and second transistors z. 2 to close. 7, the normal operation of the output emitter follower 1. Thus, the proposed implementation of the protection circuit of the output emitter follower against overcurrent improves the reliability of the power amplifier.