SU1035678A1 - Receiving crt optronic system - Google Patents
Receiving crt optronic system Download PDFInfo
- Publication number
- SU1035678A1 SU1035678A1 SU823384133A SU3384133A SU1035678A1 SU 1035678 A1 SU1035678 A1 SU 1035678A1 SU 823384133 A SU823384133 A SU 823384133A SU 3384133 A SU3384133 A SU 3384133A SU 1035678 A1 SU1035678 A1 SU 1035678A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- electrode
- anode
- lens
- diaphragm
- electron beam
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
ЭЛЕКТРОННО-ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ДЛЯ ПРИЕМНЫХ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫХ ТРУБОК, содержаща соосно pacnwio , же иные катод, модул тор ускор квднй электрод, анод и фокусирующую линзу, о т ли ч а ю ц а с тем, что, с целью повыоеии разроаающей способности при увеличении плотности тока пучка и снижении анодного «апр жени , между ускор ющим электродом и анодом последовательно устаноблетг вырезающа диафрагма и электрод коррекции, имеющие самосто тельные выводы, и дополнительнай диафрагма, электрически соединенна с ускор югайм электродсм. (Л Г// // f 00 СП СХ)ELECTRON-OPTICAL SYSTEM FOR RECEPTION ELECTRON-BEAM TUBES, containing coaxially pacnwio, other cathodes, the accelerator modulator, the cdnn electrode, the anode and the focusing lens, so that, in order to develop a spreading lens, it is possible that, in order to develop a spreading lens, it develops an extension and a focusing lens so that, in order to develop a spreading lens, it will develop a spreading lens with a spreading lens. beam current density and anode reduction, between the accelerating electrode and the anode there is a series of cutting diaphragm and correction electrode, which have independent leads, and an additional diaphragm electrically connected to the acceleration yugtime electrode cm. (L g // // f 00 SP CX)
Description
i Изобретение относитс к электрон ной технике, а именно к конструкци м электроннооптических систем .(ЭОС) электроннолучевых трубок (ЭЛТ) работающих при низких напр жени х на аноде.i The invention relates to electronic engineering, in particular, to structures of electron-optical systems. (EOS) of electron-beam tubes (CRT) operating at low anode voltages.
Известна ЭОС, работающа при относительно невысоких ( кВ) анодных напр жени х,, содержаща катод, модул тор, ускор ющий электрод и выполненные в виде аквгщажного покрыти фокусирующий электрод и -i ; анод Г1 3.A known EOS operating at relatively low (kV) anodic voltages, containing a cathode, a modulator, an accelerating electrode, and a focusing electrode and -i made in the form of an aqueous coating; anode G1 3.
Недостатком известной ЭОС вл етс невысока разрешающа способность при больших плотност х тока.A disadvantage of the known EOS is the low resolution at high current densities.
Наиболее близкой к предлагаемой по технической сущности вл етс ЭОС, содержаща соосно расположенные катод, модул тор, ускор ющий электрод, анод и фокусируЮ1цую линзу 23.Closest to the proposed technical entity is an EOS containing a coaxially arranged cathode, a modulator, an accelerating electrode, an anode, and a focusing lens 23.
Такие систе1Ф1 хорошо работают при высоких (15-25 KB) анодных напр жени х , при низких (3-5 кВ) напр жени х и больших плотност х тока разрешающа способность на экране ЭЛТ невысока , что обусловлено большой апертурой электронного пучка в области главной фокусирующей. линзы. Из-за аберраций отклонени , вызванных большим углом схождени электронного пучка у экрана ЭЛТ, наблюдаетс значительна неравномерность разрешающей способности по экрану ЭЛТ. Аберрацию электронного пучка уменьшить путем введе-ни в анод в эквипотенциальное пространство высоковольтной вырезающей диафрагкы, т.е. ограничением а пертуры электронного пучка. При этом значительно уменьшаетс плотность тока из-за уменьшени величины тока луча, так как линейн&е изменение размеров вырезающей диафрагмы приводит к квадратичному изменению тока луча.Such systems work well at high (15-25 KB) anode voltages, at low (3-5 kV) voltages and high current densities; the resolution on the CRT screen is low due to the large aperture of the electron beam in the main focusing region . lenses. Due to the aberrations of the deviation caused by the large angle of convergence of the electron beam at the CRT screen, there is a significant unevenness of resolution over the CRT screen. The aberration of the electron beam is reduced by introducing into the anode into the equipotential space of the high-voltage cutting diaphragm, i.e. the limitation of the aperture electron beam. In this case, the current density is significantly reduced due to a decrease in the beam current, since a linear & e change in the dimensions of the cutting diaphragm leads to a quadratic change in the beam current.
Цель изобретени - повышение разрешающей способности при увеличении плотности тока электронного пучка и снижении анодного напр жени .The purpose of the invention is to increase the resolution with an increase in the current density of the electron beam and a decrease in the anode voltage.
Указанна цель достигаетс тем, что в ЭОС дл приемных ЭЛТ, содержащей соосно расположенные катод,модул тор , ускор ющий электрод, анод и , фокусирующую линзу, между ускор ющим электродом и анодом последова- . тельно установлены вырезающа диафрагма и электрод коррекции, имеющие .самосто тельные; выводы и дополйительнай диафра гма, электрически соединенна с ускор кицим электродом.This goal is achieved by the fact that in an EOS for receiving CRTs containing a coaxially arranged cathode, a modulator, an accelerating electrode, an anode, and a focusing lens, between the accelerating electrode and the anode in sequence. a cutting diaphragm and a correction electrode are installed; they are self-contained; leads and an additional diaphragm electrically connected to the acceleration by an electrode.
На чертеже показана схема ЭОС.The drawing shows the scheme of EOS.
Система состоит из катода 1,модул тора 2 и ускор ющего электрода 3 с отверсти ми 4 и 5, низковольтной вырезающей диафрагмой б с отверстиек| 7, Икйющей самосто тельный вывод.The system consists of cathode 1, modulator 2 and accelerating electrode 3 with holes 4 and 5, low-voltage cutting diaphragm b with holes | 7, The self-validating conclusion.
электрода 8 коррекции апертуры электронного пучка с отверстием 9, дополнительной диафрагмы 10 с отверстием 11, электрически соединенной с ускор ющим электродом 3, анода 12an electron beam aperture correction electrode 8 with a hole 9, an additional diaphragm 10 with a hole 11 electrically connected to the accelerating electrode 3, an anode 12
с отверстием 13 и фокусирующей линзн 14. На чертеже обозначены: кроссовер 15, электронный пучок 1б, прошедша часть 17 электронного пучка после вЕлрезающей диафрагма б,электронное п тно 18 на экране 19. Вместо магнитной фокусирующей линзы 14 может быть использована электростатическа фокусирующа система, например одиночна линза.with a hole 13 and a focusing lens 14. In the drawing, there are: a crossover 15, an electron beam 1b, the last part 17 of the electron beam after the electrolyte diaphragm b, the electron spot 18 on the screen 19. Instead of a magnetic focusing lens 14, an electrostatic focusing system can be used, for example single lens.
ЭОС работает следующим образом.EOS works as follows.
Иммерсионный объектив, образованный катодом 1, модул тором 2 и электродом 3 формирует электронный пучок 1€, котоЕ«й после образовани An immersion lens formed by the cathode 1, the modulator 2 and the electrode 3 forms an electron beam of € 1, which after forming
кроссовера 15 попадает в Линзу, образованную ускор ющим электродом 3 с отверстием 5 и вырезающей диафрагмой 6 с отверстием 7, имеющей самосто тельный вывод. В зависимости ,от ,the crossover 15 enters the Lens formed by the accelerating electrode 3 with a hole 5 and a cutting diaphragm 6 with a hole 7 having a self-contained outlet. Depending on the ,
соотношени диаметров отверстий 5 и 7 изменением потенцигша На вырезающей диафрагме б. устанавливаетс требye мй ток пучка без изменени потенциала на модул торе 2, т.е. путемthe ratios of the diameters of the holes 5 and 7 by changing the potentiogram on the cutting diaphragm b. The required beam current is established without changing the potential at modulator 2, i.e. by
изменени крутизны модул ционной характери-стики за счет; увеличени или уменьшени апертуры электронного пучка 16.перед отверстием 7 вырезающей диафрагмы б. Кроме того, можно регулировать ток пучка изменениемchanges in the slope of the modulation characteristic due to; increase or decrease the electron beam aperture 16. in front of the opening 7 of the cutting diaphragm b. In addition, the beam current can be adjusted by changing
напр жени на модул торе 2. После ограничени электронного пучка 16 по току и апертуре отверстием 7 вырезающей диафрагмы 6 прешедша часть 17 электронного пучка попадает в линзы,the voltage on the modulator 2. After the electron beam 16 is limited by the current and aperture by the opening 7 of the cutting diaphragm 6, the transient part 17 of the electron beam enters the lenses,
образованные диафрагмой 6 и электродом 8 с отверсти ми 7 и 9 и электродом 8 и дополнительной диафрагмой 10 с отверсти ми 9 и 11. Линза, образованна диафрагмой 10 и анодом 12,formed by diaphragm 6 and electrode 8 with holes 7 and 9 and electrode 8 and additional diaphragm 10 with holes 9 and 11. A lens formed by a diaphragm 10 and an anode 12,
имеет посто нную оптическую силу,при этом уменьшить апертуру прешедшей части 17 электронного пучка в области главной фокусирующей линзы, образованной фокусирующей линзой 14, можно изменением потенциала на электроде 8. Одновременно при величине потенцисша на электроде 8, меньшем величины потенциала вырезающей диафраг№1 Ь дл вторичных электродов, выбитых с краев отверсти 7, создаетс has a constant optical power, while reducing the aperture of the previous part 17 of the electron beam in the region of the main focusing lens formed by the focusing lens 14 can be done by changing the potential on the electrode 8. At the same time, when the potential of the electrode 8 is less than the cut-off diaphragm # 1 b secondary electrodes, knocked from the edges of the hole 7, creates
тормоз щее поле, т.е. электрод 8 дополнительно работает .как антидинатронный и преп тствует попаданию вторичных электронов на экран 19.Когда потенциал на электроде 8 вышеbrake field, i.e. electrode 8 additionally works. as antidinatron and prevents secondary electrons from entering the screen 19. When the potential at electrode 8 is higher
или равен потенциалу на вырезающей диафрагме 6, то перехват вторичных электронов осуществл етс дополнительной диафрагмой 10, котора одновременно вл етс фоновой. Линза-14or equal to the potential at the cutting diaphragm 6, the secondary electrons are intercepted by an additional diaphragm 10, which is also the background one. Lens-14
фокусирует часть 17 электронного пучНfocuses part 17 of electron beam
,ка на экран 19 и формирует электронйое п тно 18. Изменением потенциала на электроде 8 коррекции достигаетс уменьшение апертуры прошедшей част.и 17 электронного пучка и угла схождени у экрана. Мала апертура прошедшей части 17 электронного пучка в области главной фокусирующей линзы позвол ет уменьшить аберрацин электронного пучка и достигнуть высокого раэрешени в центре экрана ЭЛТ. Изменением напр жени на вырезающей диафрагме 6 или модул торе 2 достигаетс требуемой ток пучка, т.е. нисока плотность электронного тока. Малый угол схождени электронного пучка у экрана при высокой плотности тока электронного пучка позвол ет достичь высокой равномерности по полю экрана.As it appears on the screen 19, it forms an electron spot 18. By changing the potential at the correction electrode 8, the aperture of the transmitted part 17 of the electron beam and the angle of convergence at the screen decrease. The small aperture of the transmitted part 17 of the electron beam in the region of the main focusing lens makes it possible to reduce the aberration of the electron beam and achieve high resolution in the center of the CRT screen. By varying the voltage on the cutting diaphragm 6 or modulator 2, the required beam current is achieved, i.e. Low density electron current. The small angle of convergence of the electron beam at the screen at a high density of the electron beam current makes it possible to achieve high uniformity over the screen field.
Таким образом, предлагаема схема ЭОС позвол ет достичь высокойThus, the proposed EOS scheme allows achieving high
разрешающей способности при больших плотност х тока электронного пучка и низких напр жени х на аноде. Она может работать не только прн низких, но и при высоких .( кВ) анодных напр жени х, однако оптимгшьными вл ютс напр жени анода 2-4 кВ. (Конструкци ЭОС с низким напр жением анода позвол ет получить удельную разрешающую способность на экране ЭЛТ (диаметр 13 см, обща длина resolution at high electron beam current densities and low anode voltages. It can work not only at low but also at high (kV) anode voltages, however, the anode voltages of 2-4 kV are optimal. (The low-voltage anode EOS design allows for a specific resolution on a CRT screen (diameter 13 cm, total length
0 54 см. магнитна фокусирующа Линза) до 20 линий/мм-при-контрасте мелких деталей 50%.-кроме того, уменьшение напр жени на анОде до 1.3 кВ позвол ет существенно уменьшить 0 54 cm. Magnetic Focusing Lens) up to 20 lines / mm with fine details of 50% .- in addition, reducing the voltage on the anode to 1.3 kV makes it possible to significantly reduce
5 мощность, потребл емую отклон ющей системой. ЭОС может быть использована в осциллографических ЭЛТ и трубках с накоплением зар да ..5 power consumed by the diverting system. EOS can be used in oscillographic CRTs and tubes with charge accumulation.
00
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823384133A SU1035678A1 (en) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | Receiving crt optronic system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823384133A SU1035678A1 (en) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | Receiving crt optronic system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1035678A1 true SU1035678A1 (en) | 1983-08-15 |
Family
ID=20993147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823384133A SU1035678A1 (en) | 1982-01-06 | 1982-01-06 | Receiving crt optronic system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1035678A1 (en) |
-
1982
- 1982-01-06 SU SU823384133A patent/SU1035678A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Авторское св детельство СССР 364260, кл. Н 01 J 29/48, 1976. 2. Шерстнев Л.Г. Электронна оптика и электронНолучеиле приборы. ,М., энерги , 1971, с. 198-199 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA1105542A (en) | Box-shaped scan expansion lens for cathode ray tube | |
SU1035678A1 (en) | Receiving crt optronic system | |
KR19990083106A (en) | Color cathode tube with a reduced dynamic focus voltage for an electrostatic quadrupole lens thereof | |
US5034654A (en) | Beam focusing means for a CRT electron gun assembly | |
ES8406793A1 (en) | Cathode-ray tube | |
US4334170A (en) | Means and method for providing optimum resolution of T.V. cathode ray tube electron guns | |
KR910001400B1 (en) | Electron gun with-improved beam forming region | |
CA1177971A (en) | Electron gun for cathode-ray tube | |
US4498028A (en) | Ultra-short LoBi electron gun for very short cathode ray tubes | |
US4368405A (en) | Electron gun for a cathode ray tube | |
US4885505A (en) | Electron gun assembly | |
SU999125A1 (en) | Optronic system with electrostatic focusing | |
SU888752A1 (en) | Optronic system for receiving and projecting crt with double crossover | |
US5633567A (en) | Display device and cathode ray tube | |
US3036238A (en) | High resolution c.r. tube | |
KR920010660B1 (en) | Electron gun for color cathode ray tube | |
US4201933A (en) | Electron gun structure for a pickup tube | |
US4806821A (en) | Cathode ray tube having an electron gun with bipotential focusing lens | |
Schlesinger | Focus reflex modulation of electron guns | |
SU902104A1 (en) | Optronic system | |
SU900346A1 (en) | Electron projector of cathode-ray device | |
SU776371A1 (en) | Multielectrode vacuum valve | |
SU762057A1 (en) | Electron gun | |
JPH0118536B2 (en) | ||
RU2005322C1 (en) | Method of operation of cathode ray tube of high resolution with electron-optical system with two crossovers |