Изобретение относитс к способам контрол параметров полупроводников и может быть использовано дл исследовани однородности и качества материалов , примен емых в полупроводниковом приборостроении, а также дл научных исследований. Известен способ определени концентрации носителей зар да в полупроводниках , основанный на эффекте Холла , заключающийс в том, что образец полупроводникового материала помещают в ортогональные магнитное и электрическое пол , измер ют проводимость образца и холловскую разность потенциалов , по которым с помощью расчетных формул определ ют параметры материала СОНедостатками известного способа вл ютс невысока точность измерений , обусловленна паразитными эффектами , например эффектом Эттингаузена зависимость результатов от формы образца , а также невозможность локаль- ного определени концентрации. Известен также способ определени , концентрации носителей зар да в полупроводниках , основанный на измерении вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки, заключающийс в том, что на участке поверхности полупроводника создают барьер Шоттки, к нему прикладывают обратное измен ющеес напр жение и измер ют зависимость емкости барьера от приложенного напр жени , в результате обработки -которой по расчетной формуле определ ют концентрацию примесей на заданной глубине полупроводника С2 . Недостатком этого способа также вл етс невысока точность измерений, обусловленна неточностью измерений площади контакта, величин емкости и напр жени на барьере, а также-ошибками дифференцировани зависимости емкости барьера от приложенного напl правило, произ р жени , которое, как вод т графически. Применимость метода вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки ограничена также и тем, что не дл всех полупроводников при изготовлении кон такта металл-полупроводник образуетс барьер Шоттки, в частности дл таких материалов, как п - InAs, п - РЬТе, име ющих на поверхности обогащенный носи тел ми слой. Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ определени концентрации свободных носителей зар да в вырожденных полупроводниках, основан ный на эффекте Шубникова-де Гааза и заключающийс в том, что помещают об разец в магнитное поле, регистрируют осцилл ции поперечного магнитосопротивле-ни образца при изменении магнитного пол , измен ют их период по величине, обратной напр женности маг нитного пол , и с помощью расчетной формулы определ ют параметр. В случае изотропного закона дисПерсии концентрации свободных носите лей зар да рассчитывают согласно это V по формуле му спсгс 1 Г 2Р 13/2 ftr/ 1 гзр д электрона; скорости сзета в вакууме; посто нна Диоака; период осцигцт ций мзг-;-||1То™ сопротивлений по величине,, обратной напр женное Г;--, мзг нитного пол , Этот способ вл етс значьгге.пьио гогзее -с-;ным, чек указанные вуше йк гсак дл определени концеитрдции наобхо.ачмо измер ть всего одну величину период осци.-пл ций по ве мчмне обратной -напр женности .магнитного по л . Кроме гого. ос лнесталекию cncr;D ба не сопутствуют какие-либо существенные паразитные эффекты влужкщиа на период осцилл ции Гз. Основным недостат ом известного способа вл етс то, что он дает усредненное по объему образца эначенне концентрации и не может быть использо взн дл определени локальной приповер ностной концентрации носителей зар да ,.т.е. не дает возможности измерени концентрационного профил . Цель изобретени - обеспечение ло кального определени концентрации но iS сителеи и повышение точности измерений . Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу определени концентрации свободных носителей зар да в вырожденных полупроводниках, зак.лючающемус в том, что помещают образец в магнитное поле, регистрируют осцилл ции поперечного магнитосопротивлени образца при изменении магнитного пол , измер ют их период по величине, обратной напр женности магнитного пол , и с помощью расчетной формулы определ ют параметр, к исследуемому образцу осуществл ют туннельный контакт и дополнительно измер ют период осцилл ции дифференциального магнитосопротивлени туннельного контакта при нулевом напр жении смещени на нем. Поскольку в данном случае регистрируютс осцилл ции дифференциального магнитосопротивлени образца с туннельным контактом в магнитном поле, в нем определ етс средн концентраци свободных носителей зар да в малом объеме , где S - площадь туннельного контакта, В - длина свободного пробега, т.е. обеспечиваетс высока .локальность измерений. Физическа. сущность способа по сн .летс следунлдим образом. Дифференциальное сопротивление туннельного контакта при посто нном нап .р. жв.мии смещени V обратно пропорцио|-;ально п/,отности состо ний полупроводник ..: при энергии p+eV (р - энерги Фар.... полупроводника, знак смещени соответствует знаку потенциала на полупроводниковом электроде). Если конT3s-r помещают а магнитное поле, в плотности состо ний полупроводника ;|,о ег; ,-о-гс максимумы, св занные с уровн ми Ландау. Это приводит к возникновению осцилл ции типа де Гаазаван .ъпьфена в зависимости дифференциального сопротивлени от магнитного по/г . Осцилл ции периодичны по величине 5 обратной величине напр женности магнитного пол , и при нулевом смеидении на контакте их период определ ют квазиимпульс электронов в полупроводнике при энергии, равной энергии Ферми, который в случае изотропного закона дисперсии однозначно сз зан с концентрацией носителей зар да в полупроводнике. Пример. Согласно предлагаемому способу определ ют концентрацию злектронов 8 различных точках образца n - InAs. с ,25- Туннельные контакты n- InASxf.Px окисел Pb изготавливают по известной методике. При этом образец п- InAs-.yPx после механической шлифовки и полировки трав т в полирующем травителе и обезгаживают при в вакууме (2-5) рт. ст. в течение двух часов. Окисление провод т в атмосфере сухого кислорода при давлении 750 мм рт. ст.О и 120°С в течение ч. Свинец нанос т термическим распылением через маску в вакууме (1-2)-10 мм рт. ст. Туннельный контакт может быть осуществлен с помощью прижимного электрода 5 из свинца. В обоих случа х туннельный контакт легко удал етс с образца после эксперимента. При изготовлении туннельного контакта образец имел при ОмическиеЗО этом комнатную температуру контакты к п- 1лА5.Р изготавливают вплавлением инди . Во врем измерений образец помеща ют в жидкий гелий в рабочий объем сверхпровод щего соленоида. Осцилл ции дифференциального магнитосопротивлени измер ют с помощью устройст ва дл исследовани малых нелинейнос тей вольт-амперных характеристик тун нельных структур, позвол ющего осуществл ть запись зависимости дифференциального магнитосопротивленил от напр женности магнитного пол в диапазоне 0-60 кЭ на двухкоординатном самописце. Концентрацию свободных носителей определ ют в двух точках поверхности образца, отсто щих одна от другой на 3 мм. Исследуемый объем вблизи каждой точки составл ет (О ,05О ,051 О ) ,5-10-3 см Результаты приведены на чертеже, из которого видно, что периоды осцил л ций дл двух кривых существенно отличаютс . Кривой 1 соответствует концентраци ,08-1 О см ; кривой 2 - 9,0710 . Из данных, представленных на чертеже, очевидно, что с помощью предлагаемого метода можно регистрировать и меньшую рааницу в концентрации электронов, в то врем как другие методы уже в приведенном примере не позвол ли бы с достоверностью различить концентрации носителей в двух точках образца.The invention relates to methods for monitoring parameters of semiconductors and can be used to study the uniformity and quality of materials used in semiconductor instrument making, as well as for scientific research. A known method for determining the concentration of charge carriers in semiconductors, based on the Hall effect, is that a sample of a semiconductor material is placed in an orthogonal magnetic and electric field, the sample conductivity and the Hall potential difference are measured, by which the parameters of the material are determined using design formulas The residues of the known method are low measurement accuracy due to parasitic effects, for example, the Ettingausen effect sample shape, as well as the impossibility of local concentration determination. There is also known a method for determining the concentration of charge carriers in semiconductors based on measuring the capacitance-voltage characteristics of the Schottky barrier, which means that a Schottky barrier is created on the surface area of the semiconductor, the reverse voltage is applied to it and the dependence of the barrier capacitance on it is measured the applied voltage, as a result of processing by which the impurity concentration at a predetermined depth of semiconductor C2 is determined by the calculated formula. The disadvantage of this method is also low measurement accuracy due to inaccurate measurements of the contact area, capacitance values and voltage on the barrier, as well as errors in differentiating the dependence of the barrier capacitance on the applied rule, which can be used graphically. The applicability of the capacitance-voltage characteristics of the Schottky barrier is also limited by the fact that not all semiconductors form a Schottky barrier for the manufacture of a metal-semiconductor contact, in particular for materials such as n-InAs, n-PbTe, which have an enriched nose on the surface tel mi layer. The closest to the present invention is a method for determining the concentration of free charge carriers in degenerate semiconductors, based on the Shubnikov-de Haas effect and consisting in placing a sample in a magnetic field, register the oscillations of the transverse magnetoresistance of the sample when the magnetic field changes , their period is changed by the magnitude, inverse of the magnetic field strength, and the parameter is determined using the calculation formula. In the case of an isotropic dysperse law, the concentration of free charge carriers is calculated according to this V by the formula ssgsc 1 G 2P 13/2 ftr / 1 gsr d electron; szeta speed in vacuum; Permanent Dioac; The oscillating period of the bcg -; - || 1To ™ resistance by the magnitude of, the inverse stress G; -, of the magnetic field, This method is significant, the check indicated in the test On a single scale, measure only one value the period of oscillations by the reverse magnitude of the magnetic field. Except gogo. The osteoporosis cncr; D ba does not have any significant parasitic effects due to the Gz oscillation period. The main disadvantage of the known method is that it gives the value of the concentration averaged over the volume of the sample and cannot be used to determine the local solitary concentration of charge carriers, i.e. does not allow measurement of the concentration profile. The purpose of the invention is to provide a local determination of the concentration of the iS system and increase the accuracy of measurements. The goal is achieved by the fact that, according to the method of determining the concentration of free charge carriers in degenerate semiconductors, which consists in placing the sample in a magnetic field, transverse magnetoresistance oscillations of the sample are recorded when the magnetic field is changed, their period is measured by the reciprocal magnetic field strengths, and a parameter is determined using a calculation formula, a tunnel contact is made to the sample under study, and the oscillation period is additionally measured th magnetoresistance tunnel junction at zero voltage bias thereon. Since in this case oscillations of the differential magnetoresistance of a sample with a tunnel junction in a magnetic field are recorded, it determines the average concentration of free charge carriers in a small volume, where S is the area of the tunnel junction, B is the mean free path, i.e. high measurement locality is provided. Physical The essence of the method according to years. In the following way. Differential resistance of a tunnel junction at a constant voltage. The displacements of the displacement V are inversely proportional to | -; Scale p /, of the semiconductor state: .. at an energy p + eV (p is the Far ... energy of a semiconductor, the sign of the displacement corresponds to the sign of the potential on the semiconductor electrode). If conT3s-r is placed a magnetic field in the density of states of a semiconductor; |, o er; , -o-gs maxima associated with Landau levels. This leads to the appearance of a de Ha'Azavan-é ьpfen type oscillation depending on the magnetic-magnetic resistance of the differential resistance. The oscillations are periodic in magnitude 5 to the inverse of the magnetic field strength, and at zero contact on their contact, the quasi-momentum of electrons in a semiconductor is determined at an energy equal to the Fermi energy, which in the case of an isotropic dispersion law is uniquely related to the concentration of charge carriers in the semiconductor . Example. According to the proposed method, the electron concentration is determined at 8 different points of the n-InAs sample. c, 25-tunnel contacts of n-InASxf.Px Pb oxide are made according to a known technique. At the same time, after mechanical grinding and polishing, the p-InAs-.yPx sample is etched in a polishing etchant and out-dusted at a vacuum (2–5) Hg. Art. in two hours. The oxidation is carried out in a dry oxygen atmosphere at a pressure of 750 mm Hg. O and 120 ° C for hours. Lead is applied by thermal spraying through a mask in a vacuum (1-2) -10 mm Hg. Art. The tunnel contact can be made with a lead clamp 5. In both cases, the tunnel contact is easily removed from the sample after the experiment. In the manufacture of the tunnel contact, the sample had room temperature for ohmic ZOE, with a contact temperature of n-1A5A. It is made by fusing indium. During measurements, the sample is placed in liquid helium in the working volume of a superconducting solenoid. Differential magnetoresistance oscillations are measured using a device for studying small nonlinearities of the current – voltage characteristics of tunnel structures, which allow recording the dependence of the differential magnetoresistance on the magnetic field strength in the range of 0–60 kOe on a two-coordinate recorder. The concentration of free carriers is determined at two points on the surface of the sample, 3 mm apart. The volume under study near each point is (O, 05O, 051 O), 5-10-3 cm. The results are shown in the drawing, from which it can be seen that the oscillation periods for the two curves are significantly different. Curve 1 corresponds to concentration, 08-1 O cm; curve 2 is 9.0710. From the data presented in the drawing, it is obvious that using the proposed method, it is possible to register a smaller amount of electron concentration, while other methods in the given example would not be able to reliably distinguish carrier concentrations at two points of the sample.