SE529315C2 - Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor - Google Patents

Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor

Info

Publication number
SE529315C2
SE529315C2 SE0601150A SE0601150A SE529315C2 SE 529315 C2 SE529315 C2 SE 529315C2 SE 0601150 A SE0601150 A SE 0601150A SE 0601150 A SE0601150 A SE 0601150A SE 529315 C2 SE529315 C2 SE 529315C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
carrier
silicon wafers
silicon wafer
carriers
wafers
Prior art date
Application number
SE0601150A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0601150L (sv
Inventor
Goeran Fajerson
Original Assignee
Goeran Fajerson
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goeran Fajerson filed Critical Goeran Fajerson
Priority to SE0601150A priority Critical patent/SE529315C2/sv
Priority to PCT/SE2007/000472 priority patent/WO2007136318A1/en
Priority to EP07748136A priority patent/EP2022086A4/en
Publication of SE0601150L publication Critical patent/SE0601150L/sv
Publication of SE529315C2 publication Critical patent/SE529315C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

25 30 529 315 2 Beskrivning av uppfinningen Råkisel sågas till skivor med önskad tjocklek och med lämplig tolerans.
En kiselskiva med en tjocklek från 0,03 till 0,25 mm, företrädesvis från 0,05 till 0,1 mm fästs på en bärare. Kiselskivan kan vara tillverkad av mono- såväl som av multikristallint kisel. Bäraren tillverkas av ett material med god stabilitet även vid de temperaturer, som används vid fosforiseringsprocessen, 7 00-1000°C. Ett exem- pel på lämpligt material är rostfritt stål, som kan tåla alla kemikalier, som används i processerna. Andra exempel är keramiska material eller kompositer av metaller och oorganiska material.
I Figurema 1-4 visas olika sätt att fästa en kiselskiva till en bärare. En bärare kan enligt Figurema 1 och 2 ha en kiselskiva på sin ena sida eller en kisel- skiva på vardera sidan. I Figur 3 visas hur ett antal bärare kan fästas bredvid var- andra på en skena och därmed skapa ett bärarställ. Ett bärarställ för ett antal ki- selskivor kan tillverkas i ett stycke, vilket visas i Figur 4. Ett bärarställ enligt Figu- rema 3 och 4 kan på samma sätt som i Figurema l och 2 ha kiselskivor på den ena sidan eller på båda sidoma. Den fortsatta beskrivningen av uppfinningen avser ett bärarställ enligt Figur 4. Beskrivningen avser mutatis mutandis också de andra ovan beskrivna sätten.
Kiselskivoma monteras på bärarstället så att de sitter ordentligt fast un- der processtegen. Det finns olika metoder att fästa kiselskivoma på bärarstället, såsom med vakuum, med fästämne, med stark värme och med ram. För upp- finningen är att fästa med vakuum och med fästämne speciellt intressant.
Kiselskivan kan placeras på bärarstället för hand. Vid detta moment kan bärarstället, som visas i Figur 5 befinna sig i vertikalt, horisontellt eller lutande läge. Det är viktigt att kiselskivoma placeras noggrant på bärarstället. En linjal kan byggas in i bärarstället. Denna linjal bör kunna föras in i bärarstället, då en kraft läggs an mot den. Detta kan åstadkommas genom att linjalen monteras på en fjäder, som tvingar den att vara framskjuten, då den ej pressar mot något, men trycks till- baka då den pressar mot en yta. Det är möjligt att helt eller delvis automatisera pla- ceringen av kiselskivoma på bärarstället. 10 15 20 25 30 529 315 3 Om vakuum används för att fästa kiselskivorna på bäraistället, an- bringas vakuumet genom ett antal hål i bärarstället, som visas i Figur 6. I ett exem- pel med fem kiselskivor placeras bärarstället i 45 graders lutning och alla fem kisel- skivorna står på linjalen. Avståndet mellan kiselskivoma justeras exakt till det av- stånd, som fordras i de följande processtegen. Nu anbringas vakuum, så att kiselski- voma fästs ordentligt på bärarstället. Om ett bärarställ används, som har kiselskivor på båda sidorna, så har det en vägg inuti stället, vilken gör det möjligt att anbringa vakuum på båda sidoma var för sig. För att fästa kiselskivor på båda sidorna vrids bärarstället efter det att forsta sidan är färdig varefter samma förfarande utförs på andra sidan. Bärarstället är nu färdigt för nästa processteg.
Som ett altemativ till att använda vakuum kan kiselskivorna fästas på bärarstället med fästämne. Fästämnet, som används är företrädesvis en metall eller ett oorganiskt ämne. Kiselskivan kan fästas på bärarstället på olika sätt, t ex föl- jande: - Fästämnet fästs genom att man använde tryck. Trycket måste vara mindre än det tryck, som skadar kiselskivan.
- Fästämnet fästs genom att en liten yta upphettas.
- Fästämnet fästs med en liten kvantitet organiskt lim. Limmet förstörs och förångas under fosforiseringsprocessen, vilket innebär att limmet endast utgör ett tillfälligt fästämne. Det permanenta fästet erhålles med metall eller oorganiskt material enligt ovan.
Fästämnet kan anbringas på olika sätt. Det är viktigt att kiselskivan sit- ter så väl fast, att den ej går sönder under processema. I Figur 7 visas hur fästämnet har appliccrats på en liten yta. Fästärnnet kan läggas på bärarställets yta. Det kan också läggas i ytliga fördjupningar på bärarställets yta. Antalet anbringningsställen kan variera beroende på kiselskivans storlek. För mindre kiselskivor kan fem ställen vara ett lämpligt antal. Om fördjupningarna i bärarstället är svagt koniska, se Figur 4, kan kiselskivans fäste på bärarstället bli starkare. En möjlighet för att säkerställa att kiselskivan kan lossas från bärarstället i en senare process är att i mitten av varje fördjupning utforma ett genomgående hål, i vilket ett övertryck kan anbringas. De koniska fördj upningarna måste vara precis så dimensionerade att fästämnet lätt 10 15 20 25 30 529 315 4 lossnar utan att kiselskivan skadas. När kiselskivan i ett senare processteg fästs på en glasskiva kan fástämnet tas bort t ex genom slipning. Om fästämnet, som sitter kvar på kiselskivan, ej skadar de påföljande processtegen kan det sitta kvar på kisel- skivan. I Figur 8 visas ett annat sätt att utnyttja fästämne. Här appliceras íästämnet i åtminstone två strängar, båda med rektangulärt tvärsnitt. I bärarstället finns vid detta sätt ett hålrum, som passar strängama, så att de i huvudsak passar in i bärarställets yta. Även vid detta sätt kan ett övertryck användas för att lossa kiselskivan. Fäst- ärrmet kan vid detta sätt eventuellt användas som en elektrisk ledare.
Bärarstället med skivor fästa enligt vakuummetoden eller enligt fäst- ämnesmetoden är nu färdigt att processas i olika i sig kända steg och steg, som i fiamtiden tas fram för att öka cellemas hållbarhet och åstadkomma högre effektivi- tet. Bärarstället hanteras med lämplig transportteknik och eventuellt med robotar.
Ett av de sista processtegen är ofta screentryckning, under vilket en silver- och/eller aluminiumpasta trycks på skivan. I detta processteg befirmer sig bärarstället ofiast i ett horisontellt läge så att tryckningen kan ske genom att använda kända metoder.
För att förbinda kiselskivoma elektriskt är en möjlighet att en andra screentryckning görs. En kort ledare av känd typ kan också fästas mellan kiselski- voma, som ett alternativ eller komplement till en andra screentryckning. Process- stegen med skivorna fästa på bärarstället är nu genomförda och skivoma är nu elektriskt parallellkopplade.
Uppfinningen är särskilt lämpad för parallellkoppling av skivor. Om man i stället önskar seriekoppla skivoma kan följande metod användas. Figur 9 vi- sar schematiskt denna metod. Korta elektriska ledare fästs på kiselskivorna innan dessa placeras på bärarstället. En del av dessa ledare vinklas ut från kiselskivan och förblir utvinklade under alla processtegen. Detta betyder att ledarna måste motstå fosforiseringsprocesstemperaturen. Screentryckningen måste modifieras så att den kan hantera dessa ledare.
Innan skivorna fästs på glasskivan är det lärnpligt att utföra ett test för att säkerställa att den elektriska kontakten mellan kiselskivoma är god. Detta test indikerar mellan vilka kiselskivor kontakten är dålig. Den dåliga kontakten repare- ras innan kiselskivoma fästs på glasskivan. 10 15 20 25 30 529 315 5 Kiselskivorna placeras nu på en glasskiva. Den yta, som trycks mot glasskivan blir fiamsidan i den färdiga modulen, som är en solpanel. Glasskivan kan altemativt utgöras av en skiva av ett annat hållbart och genomskinligt material, t ex karbonatplast. Ett lämpligt harts, som ej påverkar solarmodulens verkningsgrad an- bringas i ett tunt lager på glasskivan eller på kiselskivans framsida. Bärarstället pla- ceras så att raden med fårdigprocessade kiselskivor sätts i ett noga definierat läge över den horisontellt placerade glasskivan. Bärarstället sänks nu och trycks med en noga förutbestämd kraft mot glasskivan, där hartset direkt fäster kiselskivoma på glasskivan. Värme kan användas för att minska hartsets härdningstid. Om vakuum använts, upphävs detta nu. Då ett fástärnne används, kan en tryckstöt användas för att lossa kiselskivan från bärarstället. Bärarstället rengörs och används på nytt, var- vid nya kiselskivor placeras på detsamma. Varje rad kiselskivor på bärarstället kommer normalt att bilda en färdig rad i modulen. Flera bärarställ tillför nya rader till glasskivan så att modulen får önskat antal rader. Nu är glasskivan med raderna av kiselskivor färdig för att processa kiselskivomas baksida. Exempel på sådana processer är: - Plasmaetsning eller etsning med kaliumhydroxid för att isolera emit- terskiktet från p-skiktet. Detta kan alternativt göras när kiselskivan sitter fäst på bä- rarställets framsida.
- Kiselskivans baksida behandlas fór att erhålla önskad elektrisk led- ning. Detta kan göras med olika metoder. Exempel på användbara metoder är Al- BSF (Aluminium Back Surface Field) metoden och LFC (Laser Fired Contact) metoden. Om metoden kräver uppvärmning, görs denna så att glasskivan ej skadas.
En möjlighet är att glasskivan upphettas försiktigt för att ej skapa för mycket spän- ning i glaset.
- Om radema är parallellkopplade på framsidan, skall nu även baksi- dorna parallellkopplas med kända typer av ledare.
- Sista steget är att koppla radema i parallell eller i serie. Denna kopp- ling sker företrädesvis på ena sidan av glasskivan, där ett fritt utrymme har skapats.
Detta kan göras manuellt eller automatiserat. 10 15 20 529 315 6 Solarmodulen är nu aktiv och elektriskt kopplad. Den testas nu for att säkerställa funktionaliteten. Efter testningen larnineras modulen med polymerfilmer med kända metoder. Därefter monteras elektriska kontakter. Efter sluttestzning är modulen färdig för leverans.
Denna uppfinning har följande fördelar i förhållande till hitintills an- vända metoder: - Kiselskivoma med en tjocklek från 0,03 mm till 0,25 mm fästs på ett bärarställ enligt de beskrivna vakuum- och fåstämnesmetoderna.
- Kiselskivoma processas så att den aktiva frarnsidan blir färdig medan skivorna är fästa på bärarstället.
- Elektrisk kontakt etableras mellan kiselskivoma i den rad, som sitter fäst på bärarstället.
- Den rad kiselskivor, som har elektrisk kontakt på framsidan fästs på en horisontell glasskiva, vilken kommer att bilda framsidan i den färdiga modulen.
- Glasskivan med flera rader kiselskivor processas så att baksidorna hos varje kiselskiva isoleras från framsidan och ett ledande skikt skapas på bak- sidan.
- Vid parallellkoppling förbinds baksidorna med varandra medan de sitter pennanent fästa på glasskivan.
- Alla raderna forbinds elektriskt på ena sidan av glasskivan medan de sitter permanent fästa på glasskivan.

Claims (21)

10 15 20 25 30 529 315 i* NYA PATENTKRAVi
1. Metod för tillverkning av fotovoltaiska moduler från mono- eller multikristal- linakiselskivor,kännetecknadav att varje kiselskiva fästs vid en bärare med hjälp av vakuum eller ett fästärnne, att kiselskivorna förblir fästade vid sina respektive bärare under alla tillverkningssteg, att skivorna lösgöres från sina bärare och placeras på genomskinliga och hållbara skivor, företrädesvis glasskivor, efter det att det sista tillverkningssteget har genomförts, att varje bärare bär en kiselskiva endast på den ena av sina sidor eller på var och en av sina sidor, att ett antal bärare anbringas på ett gemensamt ställ varvid åstadkoms ett bärarställ, och att kiselskivoma på ett bärarställ elektriskt parallell- eller seriekopplas, att dessa skivor därefler fästs mot en hållbar och genomskinlig skiva, företrädesvis gjord av glas, vilken kommer att bilda framsidan på en solpanel.
2.. Metod enligtkrav 1, kännetec knadav attbärarnaärgjordaav ett material som tål 1000 °C och som har god kemisk stabilitet.
3. Metod enligt krav 2, k ä n n e t e c k n a d av att materialet utgörs av rostfritt stål eller av kompositmaterial.
4. Metod enligt vilket som helst föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att kiselskivoma har en tjocklek av från 0.03 mm till 0.25 mm, företrädesvis från 0.05 mm till 0.1 mm.
5. Metod enligt vilket som helst föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att kiselskivorna fästs vid bäraren med hjälp av ett fästärnne som väljs bland fästärnnen vilka tål upp till 1000 °C, såsom keramiska fästärnnen.
6. Metod enligt krav 5, k ä n n e t e c k n a d av att fästärnnet anbringas i små för- djupningar på bäraren, varvid nänmda fördjupningar är väsentligen placerade i en cirkel.
7. Metod enligt krav 6, k ä n n e t e c k n a d av att fästämnet är placerat i strängar på bäraren, varvid var och en av närrmda strängar företrädesvis har ett rektangulärt tvärsnitt.
8. Metod enligt vilket som helst föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att båtarna är försedda med ett hål under varje kiselskiva att användas för inflöde av trycksatt gas för lossande av kiselskivoma efter det att det slutliga tillverkningssteget har utförts. 10 15 20 25 30 529 315 8
9. Metod enligt vilket som helst föregående krav, k ä n n e t e c k n a d av att nämnda tillverkning innefattar ett eller flera av stegen rengöring, ytetsning, fosforisering, nitrering och screentryckning.
10. Metod för tillverkning av fotovoltaiska moduler från mono- eller multikristal- linakiselskivor,kännetecknadav att varje kiselskiva fästs vid en bärare med hjälp av vakuum eller ett fästärnne, att kiselskivoma förblir fästade vid sina respektive bärare under alla tillverkningssteg, att skivorna lösgöres från sina bärare och placeras på genomskinliga och hållbara skivor, företrädesvis glasskivor, efier det att det sista tillverkningssteget har genomförts, och att nämnda tillverkning innefattar ett eller flera av stegen rengöring, ytetsning, fosforisering, nitrering och screentryckning. ,
11. ll. Metod enligt krav 10, k ännetecknadav attvarje bärare bär en kiselskiva endast på den ena av sina sidor.
12. Metod enligt krav 10, kännetecknadav attvarje bärare bären kiselskiva på var och en av sina sidor.
13. Metod enligt vilket som helst av kraven 10 - 12, k ä n n e t e c k n a d av att ett antal bärare är anbringade på ett gemensamt ställ varvid åstadkoms ett bärarställ.
14. Metod enligt vilket som helst av kraven 10 - 13, k ä n n e t e c k n a d av att bärarna är gjorda av ett material som tål 1000 °C och som har god kemisk stabilitet.
15. Metod enligt krav 14, k ä n n e t e c k n a d av att materialet utgörs av rostfifitt stål eller av kompositrnaterial.
16. Metod enligt vilket som helst av kraven 10 - 15, k ä n n e t e c k n a d av att kiselskivoma har en tjocklek av från 0.03 mm till 0.25 mm, företrädesvis från 0.05 mm till 0.1 mm.
17. Metod enligt vilket som helst av kraven 10 - 16, k ä n n e t e c k n a d av att kiselskivorna fästs vid bäraren med hjälp av ett fästämne som väljs bland fästärnnen vilka tål upp till 1000 °C, såsom keramiska fästämnen.
18. Metod enligt krav 17, k ä n n e t e c k n a d av att fästärrmet anbringas i små fördjupningar på bäraren, varvid nämnda fördjupningar är väsentligen placerade i en cirkel.
19. Metod enligt krav 18, k änne t e ck nadav att fästärnnet är placerati strängar på bäraren, varvid var och en av nämnda strängar företrädesvis har ett rektangulärt tvärsnitt. 529 315 “l
20. Metod enligt vilket som helst av kraven 10 - 19, k ä n n e t e c k n a d av att bärarna är försedda med ett hål under varje kiselskiva att användas för inflöde av trycksatt gas för lossande av kiselskivorna efter det att det slutliga tillverkningssteget har utförts.
21. Metod enligt något av kraven 13 - 20, k än n e t e c k n a d av att kiselskivoma på ett bärarställ elektriskt parallell- eller seriekopplas, att nämnda skivor därefter fästs mot en hållbar och genomskinlig skiva, företrädesvis gjord av glas, vilken kommer att bilda framsidan på en solpanel.
SE0601150A 2006-05-24 2006-05-24 Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor SE529315C2 (sv)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0601150A SE529315C2 (sv) 2006-05-24 2006-05-24 Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor
PCT/SE2007/000472 WO2007136318A1 (en) 2006-05-24 2007-05-16 Method for producing photovoltaic cells and modules from silicon wafers
EP07748136A EP2022086A4 (en) 2006-05-24 2007-05-16 PROCESS FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC CELLS AND MODULES FROM SILICON PADS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0601150A SE529315C2 (sv) 2006-05-24 2006-05-24 Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE0601150L SE0601150L (sv) 2007-07-03
SE529315C2 true SE529315C2 (sv) 2007-07-03

Family

ID=38229520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0601150A SE529315C2 (sv) 2006-05-24 2006-05-24 Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2022086A4 (sv)
SE (1) SE529315C2 (sv)
WO (1) WO2007136318A1 (sv)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007038240A1 (de) * 2007-08-13 2009-02-26 Institut für Kunststofftechnologie und -recycling eV Verfahren und Anlage zur Herstellung eines Solarmoduls

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008046328A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Schmid Technology Systems Gmbh Träger für Solarzellen und Verfahren zur Bearbeitung von Solarzellen
DE102008046327A1 (de) * 2008-08-29 2010-03-04 Schmid Technology Systems Gmbh Anordnung mehrerer Produktionsvorrichtungen und Verfahren zur Verwendung der Anordnung bei der Herstellung von Solarzellen
DE202008012449U1 (de) 2008-09-18 2010-02-25 Kuka Systems Gmbh Herstellvorrichtung für Strings
US8922972B2 (en) 2011-08-12 2014-12-30 General Electric Company Integral module power conditioning system

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4219926A (en) * 1979-02-23 1980-09-02 Nasa Method and apparatus for fabricating improved solar cell modules
US4561541A (en) * 1983-09-26 1985-12-31 Spectrolab, Incorporated Carrier system for photovoltaic cells
US4602417A (en) * 1983-10-24 1986-07-29 Trw Inc. Interconnector attachment machine
US4617722A (en) * 1984-12-04 1986-10-21 Mobil Solar Energy Corporation Method for electrically interconnecting solar cells
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
DE19928799A1 (de) * 1999-06-23 2001-01-04 Siemens Ag Mobiler Werkstückträger und Verfahren zu dessen Verwendung
US6423565B1 (en) * 2000-05-30 2002-07-23 Kurt L. Barth Apparatus and processes for the massproduction of photovotaic modules
US7259321B2 (en) * 2002-01-07 2007-08-21 Bp Corporation North America Inc. Method of manufacturing thin film photovoltaic modules
DE10348542A1 (de) * 2002-11-28 2004-06-17 Brose, Ursula Kontaktierungs- und Befestigungsverfahren von Zellen sowie Photovoltaikmodul

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007038240A1 (de) * 2007-08-13 2009-02-26 Institut für Kunststofftechnologie und -recycling eV Verfahren und Anlage zur Herstellung eines Solarmoduls

Also Published As

Publication number Publication date
EP2022086A1 (en) 2009-02-11
WO2007136318A1 (en) 2007-11-29
SE0601150L (sv) 2007-07-03
EP2022086A4 (en) 2010-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI610388B (zh) 撓性載體座、裝置及用於拆卸載體基板之方法
JP5148876B2 (ja) スクリーン印刷機
CN1156919C (zh) 生产薄膜单晶器件的方法
KR100639587B1 (ko) 보호테이프의 접착방법 및 그것을 사용한 장치 및보호테이프의 박리방법 및 그것을 사용한 장치
SE529315C2 (sv) Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor
CN102005365B (zh) 保护带剥离方法及其装置
CN101529575A (zh) 芯片的拾取方法及拾取装置
KR20140138817A (ko) 고효율 화합물 반도체 태양 전지를 위한 구조 및 방법
CN101529577A (zh) 固定夹具及芯片的拾取方法以及拾取装置
TW200409272A (en) Apparatus and method for thin die detachment
TWI552205B (zh) 用以形成薄層體之方法與裝置
WO2012135395A2 (en) Active backplane for thin silicon solar cells
CN101133483A (zh) 半导体条带的模块子组件
TW201100238A (en) A stamp separating apparatus
CN112289734A (zh) 一种有机溶剂渗透解键合超薄晶圆解离玻璃载板的工艺
JP5113599B2 (ja) シート貼付装置及び貼付方法
CN213139417U (zh) 粘合卡盘部件以及基板卡紧***
CN114038782A (zh) 柔性显示器件剥离装置及其剥离方法
WO2017172646A1 (en) Gripper for semiconductor devices
JP4134774B2 (ja) 電子部品供給方法
US20150129017A1 (en) Thin film solar cell lamination stack for high volume manufacturing
JP2016106416A (ja) キャリア基板を外すための屈曲可能なキャリア台、デバイス、および方法
JP6492570B2 (ja) 結晶系太陽電池モジュール及びその製造方法
CN217740479U (zh) 一种脱胶架及脱胶机
JP5611665B2 (ja) 基板搬送用冶具