SE521882C2 - Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall - Google Patents

Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall

Info

Publication number
SE521882C2
SE521882C2 SE0102214A SE0102214A SE521882C2 SE 521882 C2 SE521882 C2 SE 521882C2 SE 0102214 A SE0102214 A SE 0102214A SE 0102214 A SE0102214 A SE 0102214A SE 521882 C2 SE521882 C2 SE 521882C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
metal
single phase
compound
reacted
components
Prior art date
Application number
SE0102214A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0102214D0 (sv
SE0102214L (sv
Inventor
Mats Sundberg
Tamer El-Raghy
Kjell Lindgren
Michel Barsoum
Original Assignee
Sandvik Ab
Univ Drexel
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sandvik Ab, Univ Drexel filed Critical Sandvik Ab
Priority to SE0102214A priority Critical patent/SE521882C2/sv
Publication of SE0102214D0 publication Critical patent/SE0102214D0/sv
Priority to EP02736342A priority patent/EP1397325B1/en
Priority to JP2003506827A priority patent/JP4045239B2/ja
Priority to DE60234177T priority patent/DE60234177D1/de
Priority to ES02736342T priority patent/ES2335088T3/es
Priority to KR1020037016519A priority patent/KR100831244B1/ko
Priority to PCT/SE2002/000984 priority patent/WO2003000618A1/en
Priority to US10/481,859 priority patent/US6986873B2/en
Priority to CNB028123174A priority patent/CN1295190C/zh
Priority to AT02736342T priority patent/ATE446944T1/de
Priority to TW091111293A priority patent/TW567168B/zh
Publication of SE0102214L publication Critical patent/SE0102214L/sv
Publication of SE521882C2 publication Critical patent/SE521882C2/sv

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0602—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90—Carbides
    • C01B32/907—Oxycarbides; Sulfocarbides; Mixture of carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
    • C04B35/5611—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
    • C04B35/5611—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides
    • C04B35/5615—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides based on titanium silicon carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/5607—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides
    • C04B35/5611—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides
    • C04B35/5618—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on refractory metal carbides based on titanium carbides based on titanium aluminium carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/65—Reaction sintering of free metal- or free silicon-containing compositions
    • C04B35/651—Thermite type sintering, e.g. combustion sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3826—Silicon carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/38—Non-oxide ceramic constituents or additives
    • C04B2235/3817—Carbides
    • C04B2235/3839—Refractory metal carbides
    • C04B2235/3843—Titanium carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/422—Carbon
    • C04B2235/425—Graphite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

70 75 20 25 30 521 882 en övervägande enkel fas bestående av Ti3SiC2 därför att av- gasning av metalliskt kisel på grund av den mycket höga tem- peraturen hos reaktionen, över 2000 °C. Goesmann startade med en blandning av Ti och SiC med en kemisk sammansättning av Ti3SiC2 + 12.5 vikts% överskottskisel. Han använde en elek- tronstràle för att antända blandningen. Blandningen behandla- tändning des i tre steg, nämligen värmebehandling vid 800 °C, vid 900 °C och därefter en värmebehandling vid 1600 °C för att få överskottskisel att avgasa. Denna metod resulterade i mindre än 8% sekundärfaser i provet.
I vår egen amerikanska patentansökan nr 09/469,893 från de- cember 1999 har vi visat att syreinnehållet i atmosfären på- verkar den termiska stabiliteten hos Ti3SiC2 vid bildandet liksom vid den efterföljande sintringen genom att gasformig SiO bildas, vilket är något fundamentalt annorlunda än kisel- avdunstning på grund av hög temperatur.
Det har således visat sig svårt att tillverka titankiselkar- bid pà nämnt sätt utan att erhålla andra reaktionsprodukter.
Ovan angavs att uppfinningen också avser sammansättningar i samma familj. Familjen kan tecknas som en enfassammansättning där M är åtminstone en metall, Z är åtminstone en av (Kol) M3SiZ2, grundämnena C och N (kväve).
Föreliggande uppfinning löser problemet med höga tillverk- ningskostnader för titankiselkarbid.
Föreliggande uppfinning hänför sig således till ett förfaran- de för framställning av en enfassammansättning MnHA1Xn, enligt ett SHS-förfarande, där n ligger inom ett intervall 0.8 - 3.2 och där z ligger inom ett intervall 0.8 - 1.2, där vidare M (titan), Sc (scandi- är åtminstone en metall utav gruppen Ti K:\Patent\01005 lseßlutfiåreläggandejnl O3-09-26.doc 10 75 20 25 30 521 882 um), V (vanadin), Cr (krom), Zr (zirkonium), Nb (niob) och Ta av metaller och där X är åtminstone en av icke me- (Kol) (tantal) och N samt där A är åtminstone ett (kisel), Al tallerna C (kväve) av grundämnena Si (aluminium) och Sn (tenn) eller en förening av nämnda ämnen så att den slutliga önskade före- ningens komponenter MWHAQQ föreligger, där förfarandet vidare innefattar att bilda en pulverformig blandning av nämnda me- tall, icke metall och sistnämnda grundämne eller förening av nämnda ämnen samt antända nämnda pulverformiga blandning un- der inert atmosfär så att dissociation inte främjas, varvid ingående komponenter reagerar och utmärkes av, att reaktions- temperaturen bringas att hållas vid eller över den vid vilken ingående komponenter bringas att reagera men under den tempe- ratur vid vilken enfassammansättningen dissocierar genom att den önskade föreningen Mm¿AQQ tillsätts i förreagerat skick, vilket material därvid uppträder som en värmesänka.
Nedan beskrives uppfinningen närmare, delvis i samband med tre exempel.
Förfarande för framställning av en enfassammansättning MnHA¶Xm där n ligger inom ett intervall 0.8 - 3.2 och där z ligger inom ett intervall 0.8 - 1.2, där vidare M är åtmin- stone en metall utav gruppen Ti (titan), Sc (scandium), V (vanadin), Cr (krom), Zr (zirkonium), Nb (niob) och Ta (tan- tal) av metaller och där X är åtminstone en av icke metaller- na C (Kol) och N (kväve) samt där A är åtminstone ett av grundämnena Si (kisel), Al (aluminium) och Sn (tenn) eller en förening därav, så att den slutliga önskade föreningens kom- ponenter Mm(AQ% föreligger. En pulverformig blandning av nämnda metall, icke metall och sistnämnda grundämne eller förening bildas samt antändes nämnda pulverformiga blandning så att denna reagerar under inert atmosfär. Inert atmosfär K:\Patent\01005 lseßlutfóreläggandeinl 03-09 -26.doc 70 75 20 25 30 35 521 882 innefattar en atmosfär med tillräckligt lågt partiellt sy- retryck för att dissociation inte skall främjas.
Enligt uppfinningen bringas reaktionstemperaturen att hållas vid eller över den vid vilken ingående komponenter bringas att reagera men under den temperatur vid vilken enfassamman- sättningen dissocierar.
Det väsentliga steget för uppfinningen är således att inse att temperaturen skall hållas nere, men ändå over en viss nivå, under reaktionen.
Det är föredraget att tillverka enfassammansättningen Ti3SiC2 på detta sätt.
Enligt en mycket föredragen utföringsform hålls temperaturen nere genom att förreagerad Ti3SiC2 tillsätts, vilket material därvid uppträder som en värmesänka.
Det är föredraget att upp till omkring 25 vikts% Ti3SiC; används som värmesänka.
Det är även möjligt att använda andra metoder för att hålla temperaturen nere under reaktionen, nämligen exempelvis en kontrollerad kylning av ingående material.
Nedan redogöres för några exempel.
Exempel l.
Ti, SiC och grafitpulver blandades för att åstadkomma en stökiometrisk blandning för Ti3SiC2. Denna blandning blandades med 12 vikts% förreagerad Ti3SiC¿ Blandningen placerades i ett reaktionskärl under ett argon- flöde av 0.5 l/min. Pulverbädden var ungefär 20 cm tjock.
K: \Palent\0 1005 1 seßlutfóreläggande. inl 03-09-26.doc 70 75 20 25 30 35 521 882 Bädden antändes av ett molybdendisilicid-element placerat vid reaktionskärlets botten. Bäddens komponenter reagerade.
Efter kylning togs pulvret ur kärlet. Bädden var lätt att krossa.
Prover från bädden analyserades medelst röntgendiffraktion.
Det konstaterades att bädden innehöll ungefär 2-4 vikts% TiC.
Exempel 2.
Samma exempel som exempel 1, men där i stället 25 vikts% för- reagerad Ti3SiC2tillsattes blandningen.
Det visade sig att efter antändning och nedsvalning innehöll bädden 15 - 20 vikts% TiC.
Exempel 2 visar bl.a. att för stor utspädning av förreagerat material leder till en icke komplett reaktion, där bädden kräver värmebehandling vid 1400 °C under 8 timmar för att åstadkomma ett enfasmaterial.
Exempel 3.
Samma exempel som exempel 2, där Ti, Si och grafitpulver blandades tillsammans med 25 vikts% förreagerad Ti3SiC2till- sattes blandningen.
Det visade sig att efter antändning och nedsvalning innehöll bädden 25 - 30 viktS% TiC.
Efter det att bädden värmebehandlats vid 1400 °C under 8 tim- mar innehöll bädden mindre än 2 vikts% TiC.
Detta exempel visar att Si kan användas i stället för SiC.
K:\Patent\01005 lseßlutföreläggandejnl 03-09-26.doc 521 882 Ovan har ett antal utföringsformer beskrivits. Det är dock uppenbart att andra sätt att hålla temperaturen inom det beskrivna intervallet, än de beskrivna sätten, innefattas uppfinningen.
Föreliggande uppfinning skall således inte anses begränsad till de ovan angivna utforingsformerna utan kan varieras inom dess av bifogade patentkrav angivna ram.
K:\Patent\0100 5 1 seßlutföreläggande. inl 03-09 -26.doc

Claims (5)

70 75 20 25 30 521 882 Patentkrav
1. Förfarande för framställning av en enfassammansättning Mw¿AQg,enligt ett SHS-förfarande, där n ligger inom ett in- tervall 0.8 - 1.2, (titan), Sc 3.2 och där z ligger inom ett intervall 0.8 - där vidare M är åtminstone en metall utav gruppen Ti (scandium), V (vanadin), Cr (krom), Zr (zirkoni- um), Nb (niob) och Ta (tantal) av metaller och där X är åt- minstone en av icke metallerna C (Kol) och N (kväve) samt där A är åtminstone ett av grundämnena Si (kisel), A1 (aluminium) och Sn (tenn) eller en förening av nämnda ämnen så att den slutliga önskade föreningens komponenter l%+d§Xn föreligger, där förfarandet vidare innefattar att bilda en pulverformig blandning av nämnda metall, icke metall och sistnämnda grund- ämne eller förening av nämnda ämnen samt antända nämnda pul- verformiga blandning under inert atmosfär så att dissociation k ä n - inte främjas, varvid ingående komponenter reagerar, n e t e c k n a t a v, att reaktionstemperaturen bringas att hållas vid eller över den vid vilken ingående komponenter bringas att reagera men under den temperatur vid vilken en- fassammansättningen dissocierar genom att den önskade före- ningen MWHAQQ tillsätts i förreagerat skick, vilket material därvid uppträder som en värmesänka.
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t a v, att n = 1, 2 eller 3.
3. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t a v, att enfasmaterialet är Ti3SiC2
4. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t a v, att enfasmaterialet är Ti2AlC eller Ti2SnC. K:\Patent\01005lseßlutfóreläggandejnl 03-09-26.doc 521 882
5. Förfarande enligt krav l, 2, 3 eller 4, k ä n n e - t e c k n a d av, att upp till omkring 25 vikts% av förrea- gerat material används som värmesänka. K:\Patent\01005lseßlutföreläggandeinl O3-09-26.doc
SE0102214A 2001-06-21 2001-06-21 Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall SE521882C2 (sv)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0102214A SE521882C2 (sv) 2001-06-21 2001-06-21 Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall
AT02736342T ATE446944T1 (de) 2001-06-21 2002-05-23 Verfahren zur herstellung einer metallhaltigen zusammensetzung
ES02736342T ES2335088T3 (es) 2001-06-21 2002-05-23 Metodo para producir una composicion que contiene metales..
JP2003506827A JP4045239B2 (ja) 2001-06-21 2002-05-23 金属含有単一相組成物の製造方法
DE60234177T DE60234177D1 (de) 2001-06-21 2002-05-23 Verfahren zur herstellung einer metallhaltigen zusammensetzung
EP02736342A EP1397325B1 (en) 2001-06-21 2002-05-23 A method of producing a metal-containing composition.
KR1020037016519A KR100831244B1 (ko) 2001-06-21 2002-05-23 금속 함유 단상 조성물 제조 방법
PCT/SE2002/000984 WO2003000618A1 (en) 2001-06-21 2002-05-23 A method of producing a metal-containing single-phase composition.
US10/481,859 US6986873B2 (en) 2001-06-21 2002-05-23 Method of producing a metal-containing single-phase composition
CNB028123174A CN1295190C (zh) 2001-06-21 2002-05-23 一种生产含金属的单一相组合物的方法
TW091111293A TW567168B (en) 2001-06-21 2002-05-28 A method of producing a metal-containing single-phase composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0102214A SE521882C2 (sv) 2001-06-21 2001-06-21 Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0102214D0 SE0102214D0 (sv) 2001-06-21
SE0102214L SE0102214L (sv) 2002-12-22
SE521882C2 true SE521882C2 (sv) 2003-12-16

Family

ID=20284568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0102214A SE521882C2 (sv) 2001-06-21 2001-06-21 Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6986873B2 (sv)
EP (1) EP1397325B1 (sv)
JP (1) JP4045239B2 (sv)
KR (1) KR100831244B1 (sv)
CN (1) CN1295190C (sv)
AT (1) ATE446944T1 (sv)
DE (1) DE60234177D1 (sv)
ES (1) ES2335088T3 (sv)
SE (1) SE521882C2 (sv)
TW (1) TW567168B (sv)
WO (1) WO2003000618A1 (sv)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10233222B4 (de) * 2001-07-23 2007-03-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.), Kobe Harte verschleissfeste Schicht, Verfahren zum Bilden derselben und Verwendung
SE521794C2 (sv) * 2002-04-05 2003-12-09 Sandvik Ab Tillverkningsförfarande för ett värmeelement av molybdensilicidtyp, jämte ett värmeelement
SE521796C2 (sv) * 2002-04-05 2003-12-09 Sandvik Ab Förfarande för tillverkning av ett värmeelement av molybdensilicidtyp jämte ett värmeelement
DE60316133T2 (de) * 2002-04-05 2008-05-29 Sandvik Intellectual Property Ab Verfahren zur herstellung eines heizelements vom molybdänsilizid-typ
SE527199C2 (sv) 2003-02-07 2006-01-17 Sandvik Intellectual Property Användning av ett material i oxiderande miljö vid hög temperatur
US7553564B2 (en) * 2004-05-26 2009-06-30 Honeywell International Inc. Ternary carbide and nitride materials having tribological applications and methods of making same
SE0402904L (sv) * 2004-11-26 2006-05-27 Sandvik Intellectual Property Belagd produkt och produktionsmetod för denna
CN100429326C (zh) * 2005-09-29 2008-10-29 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铝碳二铬块体材料的制备方法
CN1331759C (zh) * 2006-03-21 2007-08-15 北京交通大学 一种低温合成碳化锡钛的方法
JP4836263B2 (ja) * 2007-01-04 2011-12-14 独立行政法人産業技術総合研究所 高強度チタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法
JP5220353B2 (ja) * 2007-04-12 2013-06-26 独立行政法人科学技術振興機構 自己伝播高温合成方法
KR100882923B1 (ko) * 2007-12-07 2009-02-10 한국과학기술연구원 기계가공성을 갖는 Ｃｒ₂ＡｌＣ 소결체의 저가 제조방법
US8349759B2 (en) * 2010-02-04 2013-01-08 Third Millennium Metals, Llc Metal-carbon compositions
KR101542607B1 (ko) 2013-06-28 2015-08-06 (주) 빛과환경 자전연소반응을 이용한 티타늄 합금의 제조방법
US10913129B2 (en) * 2014-01-24 2021-02-09 Raytheon Technologies Corporation Additive manufacturing an object from material with a selective diffusion barrier
CN104557045B (zh) * 2015-02-05 2016-06-15 安徽工程大学 一种碳化锡钛材料常压低温制备方法
CN106119593A (zh) * 2016-08-05 2016-11-16 东南大学 一种Ti2SnC增强Ag基电触头材料的制备方法
CN110041075B (zh) * 2019-05-21 2021-05-28 哈尔滨师范大学 一种高纯Nb2SnC陶瓷粉体的快速制备方法
CN113044842B (zh) * 2021-01-12 2022-05-17 辽宁中色新材科技有限公司 一种高纯碳化铝钛的生产工艺

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961529A (en) * 1987-12-24 1990-10-09 Kernforschungsanlage Julich Gmbh Method and components for bonding a silicon carbide molded part to another such part or to a metallic part
US4909842A (en) * 1988-10-21 1990-03-20 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Grained composite materials prepared by combustion synthesis under mechanical pressure
US4946643A (en) * 1988-10-21 1990-08-07 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Dense, finely, grained composite materials
US5330701A (en) * 1992-02-28 1994-07-19 Xform, Inc. Process for making finely divided intermetallic
WO1997011803A1 (fr) * 1995-09-27 1997-04-03 The Ishizuka Research Institute, Ltd. Materiau composite granuleux extremement abrasif
JP2003535969A (ja) * 1997-07-11 2003-12-02 ジョンソン マッティー エレクトロニクス インコーポレイテッド 金属間アルミニド及びシリサイドスパッタリングターゲット、及びその製造方法
US6231969B1 (en) * 1997-08-11 2001-05-15 Drexel University Corrosion, oxidation and/or wear-resistant coatings
CN1120816C (zh) * 1998-08-19 2003-09-10 中国科学院金属研究所 一种钛碳化硅粉末的制备方法
CN1120817C (zh) * 1998-10-07 2003-09-10 中国科学院金属研究所 一种原位热压固－液相反应制备钛碳化硅体材料的方法
US6461989B1 (en) * 1999-12-22 2002-10-08 Drexel University Process for forming 312 phase materials and process for sintering the same
SE516644C2 (sv) * 2000-12-21 2002-02-05 Sandvik Ab Motståndselement för extrema temperaturer

Also Published As

Publication number Publication date
CN1295190C (zh) 2007-01-17
US6986873B2 (en) 2006-01-17
JP4045239B2 (ja) 2008-02-13
CN1538944A (zh) 2004-10-20
ATE446944T1 (de) 2009-11-15
DE60234177D1 (de) 2009-12-10
SE0102214D0 (sv) 2001-06-21
JP2004532788A (ja) 2004-10-28
EP1397325B1 (en) 2009-10-28
ES2335088T3 (es) 2010-03-22
EP1397325A1 (en) 2004-03-17
TW567168B (en) 2003-12-21
KR20040030683A (ko) 2004-04-09
WO2003000618A1 (en) 2003-01-03
KR100831244B1 (ko) 2008-05-22
SE0102214L (sv) 2002-12-22
US20040156772A1 (en) 2004-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE521882C2 (sv) Förfarande för framställning av en enfassammansättning innefattande metall
US5312494A (en) High strength and high toughness aluminum alloy
US20090126529A1 (en) Highly Pure Hafnium Material, Target and Thin Film Comprising the Same and Method for Producing Highly Pure Hafnium
US6685906B2 (en) Silicon oxide containing active silicon and its evaluation
US4145224A (en) Method for enhancing the crystallization rate of high purity amorphous Si3 N4 powder, powders produced thereby and products therefrom
US4406699A (en) High-temperature electrically conductive ceramic composite and method for making same
EP2367963B1 (en) Aluminium oxide forming nickel based alloy
Shemet et al. Synthesis of the cubic Z-phase in the Ti Al O system by a powder metallurgical method
US2937939A (en) Method of producing niobium metal
Lenguaer et al. Investigations of phase equilibria in the Ti N and Ti Mo N systems
CA2142254A1 (en) Preparation from metal alkoxides of high purity metal powder
RU2699620C2 (ru) Новый способ и продукт
CN113597407A (zh) 六氟化钨的制造方法、其纯化方法和六氟化钨
EP2520690A1 (en) Ruthenium complex mixture, method for producing same, composition for forming film, ruthenium-containing film and method for producing same
JPH01263240A (ja) スキッドボタン用超耐熱粉末焼結合金
Tripathy On the thermal decomposition of vanadium nitride
JPH08119743A (ja) 高温強度に優れた窒化珪素質焼結体及びその製造方法及び金属溶湯用部材
SU1171416A1 (ru) Способ получени нитрида алюмини
Fukuhara et al. The Phase Relationship and Denitrification during the Sintering Process of TiN–Ni Mixed Powder Compacts
TH60699A (th) วิธีการของการผลิตส่วนประกอบเฟสเดียวที่มี โลหะผสม
Kim et al. On the stabilization of Zr5Al3 in the Mn5Si3-type structure by interstitial oxygen
Palenzona et al. The phase diagram of the Sc Cd system
RU2023656C1 (ru) Способ получения сложного карбонитрида
US2917393A (en) Production of metal compositions
US6787103B2 (en) Hydrogen storage alloy having laves phase and production method therefor

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed