SE500333C2 - Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor - Google Patents
Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivorInfo
- Publication number
- SE500333C2 SE500333C2 SE9300881A SE9300881A SE500333C2 SE 500333 C2 SE500333 C2 SE 500333C2 SE 9300881 A SE9300881 A SE 9300881A SE 9300881 A SE9300881 A SE 9300881A SE 500333 C2 SE500333 C2 SE 500333C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- cathode
- anode
- silicon wafer
- electrolyte
- pct
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/32—Anodisation of semiconducting materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
500 10 15 20 25 30 35 333 2 jämnheten hos oxidskikttjockleken inom intervallet i5Å inom tjockleksintervallet på kiselskivan på 200-2000 Å, vilket område är ett för närvarande tekniskt acceptabelt tjockleksområde för s k högintegrationkretsar. Nyssnämnda intervaller bestäms enligt föredragna utföringsformer av uppfinningen av parametrar som framgår av patentkraven och av exemplen nedan.
Uppfinningen beskrivs närmare i det följande under hänvisning till bifogade ritningar, där fig 1 visar en föredragen anordning enligt uppfinningen delvis i sektion och fig 2 och 3 visar karakteristik hos en med anordningen framställd kiseloxidskiva.
Mellan en katod 1 och en anod 6 är anordnad en kisel- skiva 4 (blott dess ena yta skall oxideras, vilken yta är vänd mot katoden 1). skiva är horisontellt anordnade.
Komponenterna katod, anod och kisel- Katodrummet 2 definieras av en till cirkelform formad silikonsträng 3, anordnad mellan och i direkt anliggning mot katoden och kiselski- van. Ett likadant arrangemang kan föreligga på anodsidan, men i exemplet föredrages, som anodmediumbärare, ett paket av cirkulära filterpappersskivor 5. Elektroderna 1 och 6 är fästa på metalliska bärstycken 9 resp 7 medelst bultar 8 och är väsentligt större än kiselskivan 4. Katoden 1 och dess bärare 9 är dessutom väsentligt tunga, så att aggre- 5 och 6 till god fysisk och elektrisk kontakt med varandra. Katod- gatet förmår att pressa ihop detaljerna 1, 3, 4, och anodanslutningarna till en likströmskälla (ej visad) har hänvisningsbeteckningarna 10 och ll. Anodanslutningen 11 visas här ha förbindelse 12 med bulten 8.
EXEMPEL I följande exempel var parametrarna vid anodoxidering Elektrod- startspänning: 30 V; oxidationstid: av kiselskivor följande, om inget annat anges. avstånd: 25 mm, 10 min; elektrolyt i såväl katod- som anodkammare - :50 mM natriumfosfat - 2,17l5 g Na HPO + 0,9358 g NaH P0 i 2 4 2 4 400 ml destillerat vatten - med pH 7,0. 10 15 20 25 30 35 500 333 3 Elektroderna bestod av 170 x 175 x 5 mm grafitplat- tor, och katoden 1 med sitt bärstycke vägde 1,5 kg (varav katoden 0,73 kg). Kiselskivan var en 3 tum cirkulär skiva med tjockleken 330 um och ledningsförmàgan 10 Q.
Temperaturen var rumstemperatur (20-25°C). Filter- pappret var Munktell nr 3, A 3-90-700 cirkulära skivor med 1,75 tum diameter. Silikonsträngen var 4 mm i diameter och den var formad till en cirkel med 30 mm diameter.
Kiseloxidtjockleken uppmättes med en ellipsometer, AutoEl III, Exempel l-4, Rudolph Research Inc,. N.J. jonstyrka Anodoxidation utfördes med nämnd elektrolyt med jon- 50; 100; och 200 mM. Strömstyrkan var 40 mA.
Kiseloxidskikttjockleken uppmättes till 354; 332; 291 resp 279 Å med spridningen t1,5; 1,8; 2,0; resp 8,0. Exemplet 4 styrkorna 25; fyllde ej det föredragna kvalitetskravet och högre jon- styrkor ger tunnare oxidskikt och större spridning.
Exempel 5-9, pH Anodoxidation utfördes med nämnd elektrolyt, dock med pH-värdena 1,9; 4,5; 7,0; 9,0; och 11,6. Strömstyrkan var 40mA. Kiseloxidtjockleken uppmättes till 120; 371; 332; 296 resp 222 Å, med spridningen högst 110,5; 1,5; 0,9; 2,0 resp 15,0 Å, där de första och sista resultaten ej upp- fyller det föredragna kvalitetskravet.
Exempel 10-14, Anodoxidation utfördes med strömstyrkorna 10; 20; 40; strömstyrka 60 och 80 mA. Spänningen varierade 28-65V. Kiseloxidtjock- leken uppmättes till 79; 155; 319; 473 resp 615 Å. Sprid- ningen var i alla dessa försök högst t5 Å. Mätvärdena anger ett linjärt samband. De första två resultaten upp- fyller ej det föredragna kvalitetskravet.
Exempel 15-18, avstånd Anodoxidation utfördes med ett avstånd mellan elek- troderna 1 och 6 pà 6; 25; 50 och 100 mm, varvid denna avståndsvariation àstadkommes med silikonsträng och distansring mellan katod och kiselskiva. Strömstyrkan var l0mA. Ungefär samma oxidskikttjocklek på 100-1l0Å erhölls för alla avstånd, och tjockleksvariationen var högst 15 Å.
U1 CD CD 10- 15 20 25 30 35 3153 Exempel 19, elektrolyt Anodoxidation utföres med Tris som elektrolyt. Snar- lika resultat som ovan i exemplen 1-18 erhölls, dvs kisel- oxidtjockleken och den spridning låg inom de föredragna intervallen.
I fig 2 visas en ström-spänningskarakteristik och i fig 3 en kapacitans-spänningskarakteristik för en med anordningen ovan framställd kiseloxidskiva med oxidtjock- lek på 35OÅ. Karakteristikorna bestämdes över olika punk- ter på kiseloxidskivan, och de visade karakteristikorna är representativa för den erhållna skaran, dvs oxidtjockleken var väsentligen konstant över skivan. Genombrottsspän- ningen var mycket högre än 1OV, strömmen i backriktningen vid rumstemperatur var vid l0V ca l0_6A. mättes vid 1 mHz; flatbandsspänningen bestämdes till -o,91v. För övrigt gällde bulkdoping 2,9x1o12 3 cm , fällor, CV-kurvan uppmät- oxid- kapacitans 1029 pF, oxidladdning (fasta, 11 3,6x1O cm. rörliga)
Claims (5)
1. Anordning för elektrolytisk oxidation av kisel- skivor, vilken anordning innefattar plattformig anod (6) och katod (1) och arrangemang för hållande av en kisel- skiva (4) mellan och med avstånd till nämnda anod och katod, att anod, katod och kiselskiva är horisontellt anordnade, att anoden och k ä n n e t e c k n a d därav, katoden är större än kiselskivan och att hållararrange- manget utgörs av lösa distanser (3, 5) mellan kiselskiva och resp elektrod, vilka distanser innesluter elektrolyt, varvid stapeln av elektroder, kiselskiva och distanser är sammanhållna endast av tyngdkraften, och att elektrolyten i åtminstone katodrummet (2) är en buffertlösning.
2. Anordning enligt kravet 1, k ä n n e t e c k - n a d därav, att den övre distansen bildas av en ring av inert material.
3. Anordning enligt kravet 1 eller 2, k ä n n e - t e c k n a d därav, att den undre distansen bildas av ett eller flera skikt av poröst material.
4. Anordning enligt något av kraven 1-3, k ä n n e - t e c k n a d därav, att elektrolyten i såväl anodrum som katodrum innefattar dinatriumvätefosfat och natriumdiväte- fosfat.
5. Anordning enligt något av kraven 1-4, att elektrolytens pH är 4-10. k ä n n e - t e c k n a d därav,
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9300881A SE500333C2 (sv) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor |
AT94910635T ATE160181T1 (de) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Vorrichtung zur elektrolytischen oxidation von silizium-wafern |
JP6520940A JPH08507829A (ja) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | シリコンウェーハの電解酸化のための装置 |
PCT/SE1994/000237 WO1994021845A1 (en) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Device for electrolytic oxidation of silicon wafers |
EP94910635A EP0689621B1 (en) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Device for electrolytic oxidation of silicon wafers |
DE69406777T DE69406777T2 (de) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Vorrichtung zur elektrolytischen oxidation von silizium-wafern |
US08/522,406 US5725742A (en) | 1993-03-17 | 1994-03-17 | Device for electrolytic oxidation of silicon wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE9300881A SE500333C2 (sv) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE9300881D0 SE9300881D0 (sv) | 1993-03-17 |
SE9300881L SE9300881L (sv) | 1994-06-06 |
SE500333C2 true SE500333C2 (sv) | 1994-06-06 |
Family
ID=20389257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE9300881A SE500333C2 (sv) | 1993-03-17 | 1993-03-17 | Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5725742A (sv) |
EP (1) | EP0689621B1 (sv) |
JP (1) | JPH08507829A (sv) |
AT (1) | ATE160181T1 (sv) |
DE (1) | DE69406777T2 (sv) |
SE (1) | SE500333C2 (sv) |
WO (1) | WO1994021845A1 (sv) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19914905A1 (de) * | 1999-04-01 | 2000-10-05 | Bosch Gmbh Robert | Elektrochemische Ätzanlage und Verfahren zur Ätzung eines Ätzkörpers |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3324015A (en) * | 1963-12-03 | 1967-06-06 | Hughes Aircraft Co | Electroplating process for semiconductor devices |
US3419480A (en) * | 1965-03-12 | 1968-12-31 | Westinghouse Electric Corp | Anodic oxidation |
DE1496883A1 (de) * | 1965-09-20 | 1969-08-14 | Licentia Gmbh | Anordnung zur elektrolytischen Oxydation von Siliciumscheiben unter Einbau von Dotierungsmitteln |
US4043894A (en) * | 1976-05-20 | 1977-08-23 | Burroughs Corporation | Electrochemical anodization fixture for semiconductor wafers |
FR2444500A1 (fr) * | 1978-12-20 | 1980-07-18 | Ecopol | Dispositif d'electrolyse |
JP2737416B2 (ja) * | 1991-01-31 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | めっき処理装置 |
JP2734269B2 (ja) * | 1991-12-26 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
JP3200468B2 (ja) * | 1992-05-21 | 2001-08-20 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | ウエーハ用めっき装置 |
EP0597428B1 (en) * | 1992-11-09 | 1997-07-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Anodization apparatus with supporting device for substrate to be treated |
-
1993
- 1993-03-17 SE SE9300881A patent/SE500333C2/sv unknown
-
1994
- 1994-03-17 EP EP94910635A patent/EP0689621B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-17 JP JP6520940A patent/JPH08507829A/ja active Pending
- 1994-03-17 AT AT94910635T patent/ATE160181T1/de active
- 1994-03-17 DE DE69406777T patent/DE69406777T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-17 WO PCT/SE1994/000237 patent/WO1994021845A1/en active IP Right Grant
- 1994-03-17 US US08/522,406 patent/US5725742A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ATE160181T1 (de) | 1997-11-15 |
US5725742A (en) | 1998-03-10 |
WO1994021845A1 (en) | 1994-09-29 |
SE9300881L (sv) | 1994-06-06 |
SE9300881D0 (sv) | 1993-03-17 |
DE69406777D1 (de) | 1997-12-18 |
EP0689621B1 (en) | 1997-11-12 |
JPH08507829A (ja) | 1996-08-20 |
DE69406777T2 (de) | 1998-05-28 |
EP0689621A1 (en) | 1996-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4547852B2 (ja) | 電気部品の製造方法 | |
US5384682A (en) | Electrostatic chuck | |
US20020135967A1 (en) | Chuck equipment | |
US7983017B2 (en) | Electrostatic chuck and method of forming | |
US5748436A (en) | Ceramic electrostatic chuck and method | |
KR960026961A (ko) | 박막 트랜지스터를 포함하는 아티클 및 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
US8345910B2 (en) | Microphone devices and methods for tuning microphone devices | |
WO2003021697A3 (de) | Elektrischer separator, verfahren zu dessen herstellung und verwendung | |
CN101802998A (zh) | 静电夹具 | |
US6067222A (en) | Substrate support apparatus and method for fabricating same | |
US20090242544A1 (en) | Wafer heating apparatus having electrostatic attraction function | |
EP0806834A3 (en) | Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck | |
WO2003073534A3 (de) | Elektrischer separator, verfahren zu dessen herstellung und verwendung | |
US6754062B2 (en) | Hybrid ceramic electrostatic clamp | |
KR20010080637A (ko) | 정전척의 표면 전위를 제어하는 장치 및 방법 | |
US20020094655A1 (en) | Electric double layer capacitor and method of forming the same | |
Nagasubramanian et al. | Semiconductor Electrodes: XLVII. A‐C Impedance Technique for Evaluating Surface State Properties of in Acetonitrile Solutions Containing Various Redox Couples | |
SE500333C2 (sv) | Anordning för elektrolytisk oxidation av kiselskivor | |
JP2976861B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
KR101256878B1 (ko) | 정전척용 질화 알루미늄 소결체 | |
JP2756944B2 (ja) | セラミックス静電チャック | |
US7943237B2 (en) | Polyether-based film material | |
JP2006157032A (ja) | 静電チャック、静電吸着方法、加熱冷却処理装置、静電吸着処理装置 | |
US20200279764A1 (en) | Wafer supporting device | |
JP4302428B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置 |