SE449666B - Fibre=optic temp. sensor - Google Patents
Fibre=optic temp. sensorInfo
- Publication number
- SE449666B SE449666B SE8504306A SE8504306A SE449666B SE 449666 B SE449666 B SE 449666B SE 8504306 A SE8504306 A SE 8504306A SE 8504306 A SE8504306 A SE 8504306A SE 449666 B SE449666 B SE 449666B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- sensor material
- energy
- fiber
- fiber optic
- temperature sensor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/20—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using thermoluminescent materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
Description
'G1 15 20 25 30 35 449 666 2 har minst en tillåten mellanliggande energinivå mellan sitt vilotillstånd och det exciterade tillståndet, samt att de därvid uppkomna energigapen korre- sponderar med den maximalt tillåtna fononenergin i sensormaerialet så att energirelaxation via fluorescens respektive fononemission i det aktuella temperaturområdet har jämförbar sannolikhet. Lösningen enligt ovan möjlig- görs genom att en hittills i sammanhanget outnyttjad fysikalisk mekanism användes, vilken i sin tur medger en betydligt bredare bas vid sökande efter sensormaterial med lämpliga egenskaper. Energiövergångarna enligt ovan krä- ver medverkan av fononer, vilket orsakar en kraftigt temperaturberoende övergångssannolikhet. Där blir ocksådet experimentellt observerbara avkling- ningsförloppet hos fluorescensen temperaturberoende. G1 15 20 25 30 35 449 666 2 has at least one permissible intermediate energy level between its quiescent state and the excited state, and that the resulting energy gaps correspond to the maximum permissible phonon energy in the sensor material so that energy relaxation via fluorescence and phonon emission in the current the temperature range has a comparable probability. The solution as above is made possible by using a hitherto unused physical mechanism, which in turn allows a much broader base when searching for sensor material with suitable properties. The energy transitions as above require the participation of phonons, which causes a strongly temperature-dependent transition probability. There, too, the experimentally observable decay process of the fluorescence becomes temperature-dependent.
Ett material med ovan nämnda önskvärda egenskaper är yttrium-litium-fluorid dopad med erbiumjoner. Detta material uppvisar dessutom andra goda egen- skaper av betydelse, t ex god resistens mot mekaniska och kemiska angrepp, hög smältpunkt, goda optiska egenskaper.A material with the above-mentioned desirable properties is yttrium lithium fluoride doped with erbium ions. This material also exhibits other good properties of importance, such as good resistance to mechanical and chemical attack, high melting point, good optical properties.
Uppfinningen är närmare exemplífierad i bifogade figurer, av vilka figur 1a visar ett energínivådiagram, figur lb en utförandeform av temperatursensorn enligt uppfinningen. Figur 1c visar ett energi-nivådiagram. Figur 2a visar en utförandeform, där sensormaterialet utgöres av en tunn skiva, och figur 2b visar ytterligare en utförandeform, där sensormaterialet finfördelats i pul- verform.The invention is further exemplified in the accompanying figures, of which figure 1a shows an energy level diagram, figure 1b an embodiment of the temperature sensor according to the invention. Figure 1c shows an energy level diagram. Figure 2a shows an embodiment, where the sensor material consists of a thin disc, and Figure 2b shows a further embodiment, where the sensor material is comminuted in powder form.
Den utnyttjade fysikaliska mekanismen illustreras lämpligen i form av ett energinivådiagram, se figur 1a. Sensormaterialet befinner sig normalt i ett energetiskt grundtillstånd, nivån 7_i figur 1a. Vid absorption av optisk energi eller fotoner 3 exciteras sensormaterialet till ett högre energitillstånd 8. Övergången från grundtillståndet 7 till det exciterade tillståndet 8 kan antingen ske direkt eller i flera steg, varigenom andra tillåtna energitillstånd temporärt besättes. Genom olika slag av energi- överförande processer kan materialet ändå hamna i det metastabila excite- rade tillståndet 8.The physical mechanism used is suitably illustrated in the form of an energy level diagram, see Figure 1a. The sensor material is normally in an energetic ground state, level 7 in Figure 1a. Upon absorption of optical energy or photons 3, the sensor material is excited to a higher energy state 8. The transition from the ground state 7 to the excited state 8 can take place either directly or in several steps, whereby other permissible energy states are temporarily occupied. Through various types of energy transfer processes, the material can still end up in the metastable excited state 8.
De figur 1a inritade pilarna avser elektronrörelse från olika energitill- stånd. I elektriskt isolerande material är energitillstånden lokala, dvs elektronernas, och därmed energin, är lokaliserad på atomär'nívå. L ledande och halvledande material däremot, kan energinivåerna utsträckas över makro- ' skopiska avstånd; u 20 f\) uu 449 666 Det kännetecknande för det fluorescerande materialet är att energiövergångar från det exciterade tillståndet 8 till grundtíllståndet 7 (eller annat till- stånd med lägre energi än nivån 8) kan äga rum under utsändande av optisk energi, fotoner H. Sannolikheten för en sådan övergång bestäms av ofta rela- tivt komplicerade kvantmekaniska samband. Dessa bestäms bl a av de i sensor- materialet ingående atomernas eller jonernas egenskaper, de atomära bind- ningarnas natur samt kristallsymmetrin.The arrows drawn in Figure 1a refer to electron movement from different energy states. In electrically insulating materials, the energy states are local, ie the electrons, and thus the energy, are located at the atomic level. In conductive and semiconducting materials, on the other hand, energy levels can be extended over macroscopic distances; 449 666 The characteristic of the fluorescent material is that energy transitions from the excited state 8 to the ground state 7 (or other state with energy lower than level 8) can take place during the emission of optical energy, photons H. The probability of such a transition is determined by often relatively complicated quantum mechanical relationships. These are determined, among other things, by the properties of the atoms or ions contained in the sensor material, the nature of the atomic bonds and the crystal symmetry.
Utöver den fluorescerande energiövergången mellan tíllstånden 8 och 7 kan även icke-strålande processer äga rum. Energin överföres då till termisk energi i form av vibrationstillstånd i kristallgittret. Liksom optisk energi är kvantiserad i fotoner är vibrationsenergin kvantiserad is k fononer. En introduktion till fononteorin återfinns t ex i C. Kittel "Introduction to Solid State Physics", 3rd ed., Wiley, New York 1968, sid 131 f. Av denna framgår att det i varje material finns en maximalt tillåten fononenergi, som bestäms bl a av de i materialet ingående atomernas masstal. I allmänhet är denna maximalenergi betydligt lägre än de optiska energier som utnyttjas 1 fiberoptiska sensorer. För en direkt övergång från tillståndet 8 till till- ståndet 7 måste energin sålunda uppdelas i ett antal delkvanta. Enligt teo- rin för dessa energiövergångar minskar sannolikheten för en potensfunktion, där potensen ges av antalet delkvanta. I realiteten innebär detta att di- rekta övergångar från tillståndet 8 till 7 med fononemission är synnerligen osannolika.In addition to the fluorescent energy transition between states 8 and 7, non-radiating processes can also take place. The energy is then transferred to thermal energy in the form of vibrational states in the crystal lattice. Just as optical energy is quantized in photons, vibrational energy is quantized in phonons. An introduction to phonon theory can be found, for example, in C. Kittel "Introduction to Solid State Physics", 3rd ed., Wiley, New York 1968, page 131 f. From this it appears that in each material there is a maximum permissible phonon energy, which is determined e.g. a of the mass numbers of the atoms included in the material. In general, this maximum energy is significantly lower than the optical energies used in fiber optic sensors. For a direct transition from state 8 to state 7, the energy must thus be divided into a number of subquanta. According to the theory of these energy transitions, the probability of a power function decreases, where the power is given by the number of subquanta. In reality, this means that direct transitions from state 8 to 7 with phonon emission are extremely unlikely.
Situationen förändras emellertid, om det finns ett eller flera tillåtna energitillstånd 5, 6, belägna mellan grundtillståndet 7 och det exciterade tillståndet 8. Då kan fononemissionen delas upp i mindre steg 9, 10, 11, med färre antal inblandade fononer per steg. Därigenom blir processens sannolikhet större.However, the situation changes if there is one or more permissible energy states 5, 6, located between the ground state 7 and the excited state 8. Then the phonon emission can be divided into smaller stages 9, 10, 11, with fewer numbers of phonons involved per stage. This increases the probability of the process.
Sannolikheten för att en viss energiövergång äger rum under en viss tid är omvänt proportionellt mot energiövergångens s k livstid. I fluoresce- rande material är den totala livstiden för det exciterade tillståndet 8 lätt att experimentellt observera genom att studera fluorescensens avkling- ningsförlopp. Med de ovan beskrivna två processerna får vi_ 1/1 + 1/I tot = 1/Tfoton fonon 30 35 449 see _ H 1/:tot är den experimentellt observerbara livstiden, 1/tfoton är övergangs- sannolikheten för den fotonemitterande (fluorescerande) processen och 1/1 övergångssannolikheten för den fononemitterande processen. fonon Eftersom kristallvibrationer (fononer) även_är ett uttryck för termisk J) energi i en kristall, kommer kristalltemperaturen att ha inflytande på fononprocessens sannolikhet, dvs 1 Om 1 och är av samma fonon' foton Tfonon storleksordning, blir den observerade livstiden rtot då temperaturberoende.The probability that a certain energy transition takes place during a certain time is inversely proportional to the so-called lifetime of the energy transition. In fluorescent materials, the total lifetime of the excited state 8 is easy to observe experimentally by studying the decay process of fluorescence. With the two processes described above, we get 1/1 + 1 / I tot = 1 / Tphoton phonon 30 35 449 see _ H 1 /: tot is the experimentally observable lifetime, 1 / tphoton is the transition probability of the photon emitting (fluorescent) process and the 1/1 transition probability of the phonon emitting process. phonon Since crystal vibrations (phonons) are also an expression of thermal J) energy in a crystal, the crystal temperature will have an influence on the probability of the phonon process, ie 1 If 1 and is of the same phonon 'photon Tfonon order of magnitude, the observed lifetime will then be temperature dependent.
'Ir I den ovan beskrivna principiella mekanismen saknar koncentrationen av den fluorescerande jonen betydelse för förloppet. Vid höga koncentrationer eller närvaro av andra joner med energinivåer i eller kring det aktuella energi- intervallet kan temperaturens inverkan på livstiden styras av andra faktorer.In the principle mechanism described above, the concentration of the fluorescent ion is irrelevant to the process. At high concentrations or the presence of other ions with energy levels in or around the current energy range, the effect of temperature on life can be controlled by other factors.
I figur 1c visas ett energínivådiagram, där en exciterad jon (figurens vänstra del) överför energi till en grannjon (figurens högra del) via ett fenomen, som brukar kallas "cross-relaxation". Jonerna har i detta fall även en ovanför liggande energinivå 21, till vilken elektroner kan excite- ras via optisk absorption 3 till excitationsnivån 8 och termisk excitation 22, vilket kräver medverkan av gittervibrationer (fononer). Om energiavstån- det mellan nivån 21 och grundtillståndet 7 delas i tvâ relativt lika stora energigap av en mellanliggande nivå 5, kan energiurladdning ske genom att den exciterade jonen deexciteras till nivån 5 samtidigt som grannjonen exci- teras till denna nivå. Ätergång sker därefter till grundtillståndet 7 i båda jonerna. Sannolikheten för det ovan beskrivna förloppet är beroende dels av energiavståndet mellan nivåerna 8 och 21, temperaturen, eller annorlunda ut- tryckt, tillgången på fononer av tillräcklig energi för övergången 22, samt jonkoncentrationen.Figure 1c shows an energy level diagram, where an excited ion (the left part of the figure) transfers energy to a neighbor ion (the right part of the figure) via a phenomenon, which is usually called "cross-relaxation". In this case, the ions also have an above-mentioned energy level 21, to which electrons can be excited via optical absorption 3 to the excitation level 8 and thermal excitation 22, which requires the participation of lattice vibrations (phonons). If the energy distance between level 21 and the ground state 7 is divided into two relatively equal energy gaps of an intermediate level 5, energy discharge can take place by de-exciting the excited ion to level 5 at the same time as the neighboring ion is excited to this level. Return then takes place to the basic state 7 in both ions. The probability of the process described above depends partly on the energy distance between levels 8 and 21, the temperature, or in other words, the availability of phonons of sufficient energy for the transition 22, and the ion concentration.
Det finns en mångfald fluorescerande material och kombinationer av material som kan ges det principiella energidiagrammet enligt figur Ia och 10. Den fluorescerande övergången och de mellanliggande nivåerna 5, 6 behöver inte härröra från samma delkomponent i materialet. Man kan sålunda dopa en värd- kristall dels med en fluorescerande jon, dels med en eller flera joner eller komplex, som bildar de mellanliggande nivåerna.There are a variety of fluorescent materials and combinations of materials that can be given the principal energy diagram of Figures 1a and 10. The fluorescent transition and the intermediate levels 5, 6 need not be derived from the same subcomponent of the material. One can thus dop a host crystal partly with a fluorescent ion, partly with one or more ions or complexes, which form the intermediate levels.
Den ovan beskrivna, grundläggande mekanismen ger stor frihet i val av senscrmaterial. Värdkristallen kan väljas utifrån krav på god mekanisk, 19 termisk och kemisk beständighet samt formbarhet. De erforderliga fluore- scensegenskaperna tillhandahålls genom dopning med måttliga koncentratio- ner av joner av sällsynta jordartsmetaller, vilka har väl dokumenterade energidiagram. En lämplig materialkombination har visat sig vara yttrium- litíum-fluorid med erbium som fluorescerande jon.The basic mechanism described above provides great freedom in the selection of sensor materials. The host crystal can be selected based on requirements for good mechanical, thermal and chemical resistance and formability. The required fluorescence properties are provided by doping with moderate concentrations of ions of rare earth metals, which have well-documented energy diagrams. A suitable material combination has been found to be yttrium lithium fluoride with erbium as the fluorescent ion.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8504306A SE449666B (en) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | Fibre=optic temp. sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8504306A SE449666B (en) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | Fibre=optic temp. sensor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE8504306D0 SE8504306D0 (en) | 1985-09-17 |
SE8504306L SE8504306L (en) | 1987-03-18 |
SE449666B true SE449666B (en) | 1987-05-11 |
Family
ID=20361426
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE8504306A SE449666B (en) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | Fibre=optic temp. sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SE (1) | SE449666B (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3902001A1 (en) * | 1989-01-24 | 1990-07-26 | Degussa | FLUORESCENCE MATERIAL |
-
1985
- 1985-09-17 SE SE8504306A patent/SE449666B/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3902001A1 (en) * | 1989-01-24 | 1990-07-26 | Degussa | FLUORESCENCE MATERIAL |
US5035513A (en) * | 1989-01-24 | 1991-07-30 | Degussa Ag | Fluorescent material temperature sensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE8504306D0 (en) | 1985-09-17 |
SE8504306L (en) | 1987-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Dos Santos et al. | Optical temperature sensing using upconversion fluorescence emission in Er 3+/Yb 3+-codoped chalcogenide glass | |
Dos Santos et al. | Optical thermometry through infrared excited upconversion fluorescence emission in Er/sup 3+/-and Er/sup 3+/-Yb/sup 3+/-doped chalcogenide glasses | |
Wolff et al. | OPTICAL MASER ACTION IN An Eu+ 3‐CONTAINING ORGANIC MATRIX | |
RU2211812C2 (en) | Optic fiber for optical amplifier | |
Heo et al. | Sensitizing effect of Tm3+ on 2.9 μm emission from Dy3+-doped Ge25Ga5S70 glass | |
KR950006543B1 (en) | Optical functioning glass and fiber | |
US5030834A (en) | Fiber optic dosimeter system using electron trapping materials | |
Fox et al. | Gamma radiation effects in Yb-doped optical fiber | |
Sun et al. | Erbium/ytterbium fluorescence based fiber optic temperature sensor system | |
Young | Continuous glass laser | |
Denker et al. | Composite laser fiber with Yb, Er co-doped phosphate glass core and silica cladding | |
SE449666B (en) | Fibre=optic temp. sensor | |
JP2005525699A (en) | Optical fiber for optical amplifier and manufacturing method thereof | |
Pearson et al. | Laser Oscillations at 0.918, 1.057, and 1.401 Microns in Nd3+‐Doped Borate Glasses | |
Shinn et al. | Optical transitions of Er 3+ ions in RbMg F 3 and RbMg F 3: Mn | |
Tomashuk et al. | Light absorption induced in undoped-silica-core Panda-type birefringent optical fiber by pulsed action of ionizing radiation | |
Meng et al. | Improvement of fluorescence characteristics of Er3+-doped fluoride glass by Ce3+ codoping | |
KR20070004016A (en) | Waveguide structure for upconversion of ir wavelength laser radiation | |
Baxter et al. | Rare-earth-doped optical fibers for point temperature sensing | |
Farries et al. | Temperature sensing by thermally-induced absorption in a neodymium doped optical Fibre | |
Loiacono et al. | Tunable single pass gain in titanium‐activated lithium germanium oxide | |
Grattan et al. | Luminescent optical fibers in sensing | |
KR102022975B1 (en) | Fluorophosphate Glasses for Active Device with high emission cross section | |
KR102022976B1 (en) | Fluorophosphate Glasses for Active Device with Long Luminescence Lifetime | |
Vanhoutte et al. | Direct demonstration of sensitization at 980nm optical excitation in erbium-ytterbium silicates |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8504306-5 Effective date: 19891006 Format of ref document f/p: F |