SA519402469B1 - ملاط كربونات كالسيوم - Google Patents

ملاط كربونات كالسيوم Download PDF

Info

Publication number
SA519402469B1
SA519402469B1 SA519402469A SA519402469A SA519402469B1 SA 519402469 B1 SA519402469 B1 SA 519402469B1 SA 519402469 A SA519402469 A SA 519402469A SA 519402469 A SA519402469 A SA 519402469A SA 519402469 B1 SA519402469 B1 SA 519402469B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
slurry
calcium carbonate
aaa
sodium
particles
Prior art date
Application number
SA519402469A
Other languages
English (en)
Inventor
ام تساى جيمس
يانج روبيرت
كيه. بيريتيل سامانثا
ويليام بالى سكوت
جونج شينج يو-
Original Assignee
.الومينا، إنك
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by .الومينا، إنك filed Critical .الومينا، إنك
Publication of SA519402469B1 publication Critical patent/SA519402469B1/ar

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24CABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/08Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for polishing surfaces, e.g. smoothing a surface by making use of liquid-borne abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/04Aqueous dispersions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/06Other polishing compositions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Coloring Foods And Improving Nutritive Qualities (AREA)
  • Disintegrating Or Milling (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بتوفير تركيبة تشتمل على ملاط كربونات كالسيوم calcium carbonate slurry. ويشتمل ملاط كربونات الكالسيوم على مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم معلقة في محلول، حيث يشتمل المحلول على مشتت dispersant وخافض توتر سطحي أنيوني anionic surfactant. ويكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في ملاط كربونات الكالسيوم مساوي أو أقل من حوالي ٢.٠٪ بالوزن. شكل11

Description

ملاط كربونات كالسيوم ‎CALCIUM CARBONATE SLURRY‏ الوصف الكامل
خلفية الاختراع
في صناعة شبه الموصلات ‎semiconductor‏ يوجد العديد من أنواع الملاط ‎slurries‏ التجارية
المختلفة من أجل الصقل الميكانيكي الكيمياثتي ‎(CMP) chemical mechanical polishing‏ للركائز
‎La csubstrates‏ يشمل ملاط الصقل ‎polishing slurries‏ من مادة السيليكا ‎silica‏ ومادة السيريا
‎ceria 5‏ إن هذه الأنواع التجارية من الملاط قد تكون مفيدة في صقل أغشية من أكسيد ‎oxide films‏
‏ومعادن على ركيزة ؛ ولكنها قد تكون غير مرغوب فيها فيما يتعلق بصقل مواد مرنة ؛ بما يشمل
‏أغشية بوتيمر ‎Jie polymer films‏ أنواع جل مائي بوليمري ‎hydrogels‏ :0017006 والتي قد تكون
‏معرضة للخدش بسهولة. وقد يتم تغليف الركائز بمواد مرنة وقد تتضمن سمات مقاييس نووية
‎nanoscale‏ على ‎dass‏ المثال» يمكن استخدام ركيزة زجاجية ‎glass substrate‏ مغلفة بمادة مرنة في 0 أنظمة وسيلة تتابع جيني ‎gene sequencer systems‏ وفي أنظمة تحليل كيميائي ‎chemical analysis‏
‎systems‏ وبيولوجي أخرى.
‏ولتجنب أو الحد من خدش المواد المرنة؛ تم استخدام جسيمات بدون محاليل من أجل صقل المواد
‏المرنة. على سبيل المثال؛ تم استخدام محلول خالي من الجسيمات ‎particle-free solution‏ يحتوي
‏على الماء وسلفات دوديسيل الصوديوم ‎(SDS) sodium dodecyl sulfate‏ لصفل مواد مرنة. ومع ذلك؛ قد تختلف هذه العمليات من أجل التحكم الدقيق؛ عادة ما يتضمن وقت تشغيل طويل و/أو
‏ضغط عالي يسهم في كسر وضغط الركيزة على مادة الصقل.
‏كشفت براءة الاختراع الأمريكية رقم 58801771 عن طريقة لتحضير مادة جسيمية غير عضوية
‎inorganic particulate material‏ ملائمة للاندماج بتركيبة تشتمل على مادة بوليمرية غير آلفة للماء
‎hydrophobic polymeric material‏ تتضمن الخطوات 0( معالجة معلق مائي من مادة جسيمية 0 غير عضوية في وجود عامل تشتيت ‎dispersing agent‏ ذواب بالماء؛ (ب) اضافة عامل خفض
‏توتر سطحي ‎surfactant‏ إلى المادة الجسيمية؛ و (ج) تجفيف المادة الجسيمية. قد يتم معالجة المادة
‏الجسيمية غير العضوية بشكل اضافي التي تم اضافة عامل خفض التوتر السطحي اليها باضافته
‏اليها لمعالجة سطح اضافية والذي هو عامل ‎dallas‏ سطح غير آلف للماء ‎hydrophobising‏
‎surface treatment agent‏ وقد يتم اضافته إلى المادة الجسيمية بينما يكون في صورة مُعلق مائي مشتت. قد يتم اضافة عامل معالجة السطح الاضافي إلى المادة الجسيمية أثناء أو بعد خطوة التجفيف )2( الوصف العام للاختراع من خلال الأشكال المرفقة والوصف الوارد أدناه؛ تم توضيح تفاصيل واحد أو أكثر من تنفيذات
موضوع الاختراع الواردة في هذا الوصف. وسوف تتضح سمات وجوانب ومميزات أخرى من خلال الوصف والأشكال وعناصر الحماية. وجدير بالذكر أن الأبعاد النسبية للأشكال التالية قد لا تكون مرسومة بالحجم الطبيعي ما لم يتم توضيح خلاف ذلك وأنها مرسومة بالحجم الطبيعي. في بعض التنفيذات؛ تم تقديم تركيبة. تشتمل التركيبة على ملاط كربونات كالسيوم الذي يشتمل على
0 مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم معلقة في محلول؛ حيث يشتمل المحلول على مشتت وخافض توتر سطحي أنيوني ‎Cua canionic surfactant‏ يكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في ملاط كربونات الكالسيوم مساوي أو أقل من حوالي 7730 بالوزن. في بعض التنفيذات؛ واحد من المشتت وخافض التوتر السطحي الأنيوني؛ أو كلاهماء على اختزال جهد ‎zeta potential Ww)‏ في الملاط. وفي بعض التنفيذات؛ يكون جهد زيتا في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎eon‏ فولط. وفي
5 بعض التنفيذات؛ حيث يشتمل المشتت على صوديوم بولي أكريلات ‎csodium polyacrylate‏ صوديوم «-سيليكات ‎sodium n-silicate‏ صوديوم ‎gyn i‏ فوسفات ‎«sodium tetrapyrophosphate‏ صوديوم هيكسا ميتا فوسفات ‎sodium hexametaphosphate‏ صوديوم بولي ألومينات ‎sodium‏ ‎¢polyalluminate‏ صوديوم تترا بورات ‎sodium tetraborate‏ صوديوم تراي فوسفات ‎sodium‏ ‎triphosphate‏ صوديوم سيترات ‎«sodium citrate‏ أو توليفات منهم. وفي بعض التنفيذات؛ حيث
0 يشتمل خافض التوتر السطحي الأنيوني على سلفات دوديسيل الصوديوم؛ بولي ‎Close‏ ‏ع1 0101م أوكتيل فينول إيثوكسيلات ‎coctylphenol ethoxylate‏ أو توليفات منهم. وفي بعض التتفيذات؛ يبلغ متوسط قطر مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم من حوالي ‎٠١‏ نانومتر إلى حوالي ¥ ميكرومتر. ‎By‏ بعض التنفيذات» فإن أقل من حوالي 75 من إجمالي عدد جسيمات كريونات الكالسيوم يكون له قطر أكبر من حوالي 4 ميكرومتر.
5 وفي بعض التنفيذات» تم تقديم تركيبة. وتشتمل الطريقة على صقل سطح ركيزة بملاط كريونات الكالسيوم» حيث يتم تغليف الركيزة بمادة ‎(diye‏ حيث يشتمل ملاط كريونات الكالسيوم على مشتت؛
خافض توتر سطحي ‎gil‏ ومجموعة جسيمات كربونات كالسيوم معلقة في محلول. وفي بعض
التنفيذات؛ يكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في ملاط كربونات الكالسيوم مساوي أو أقل من
حوالي ل بالوزن. وفي بعض التنفيذات؛ تشتمل المادة المرنة على جل مائي بوليمري عضوي
‎organic polymeric hydrogel‏ وفي بعض التنفيذات» تشتمل الطريقة على خلط» قبل صقل الركيزة؛
‏5 مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم في المحلول مع المشتت وخافض التوتر السطحي الأنيوني
‏باستخدام واحد أو أكثر من خلاط من نوع قضيب تقليب ممغنط ‎cmagnetic stir bar‏ خلاط من نوع
‎«slurry pump ‏مضخة ملاط‎ diaphragm pump ‏مضخة بحاجز‎ dmpeller type mixer ‏دفاع‎
‏مضخة تمعجية ‎«peristaltic pump‏ ومضخة مرتفعة الضغط ‎high pressure pump‏ وفي بعض
‏التنفيذات تشتمل الركيزة على مجموعة سمات؛ ويكون لكل من السمات قطر يبلغ من ‎١‏ نانو متر 0 إلى حوالي ‎٠٠١‏ نانو متر. وفي بعض التنفيذات»؛ يتم صقل سطح الركيزة المغلفة بمادة مرنة؛ بدون
‏خدش سطح الركيزة إلى حد كبير. في بعض التنفيذات؛ واحد من المشتت وخافض التوتر السطحي
‏الأنيوني؛ أو كلاهماء على اختزال جهد زبتا في الملاط. وفي بعض التنفيذات؛ يكون جهد زبتا في
‏الملاط مساوي أو أقل من ‎٠-‏ © ملي فولط.
‎Ay‏ بعض التنفيذات»؛ تم تقديم تركيبة. وتشتمل الطريقة على خلط ‎cide‏ وخافض توتر سطحي أنيوني في محلول»؛ وإضافة مجموعة جسيمات كريونات كالسيوم معلقة في المحلول لتكوين ملاط
‏حيث يكون تركيز جسيمات كريونات الكالسيوم في الملاط أقل من حوالي 77.0 بالوزن. وفي بعض
‏التنفيذات؛ تشتمل الطريقة على خلط مجموعة جسيمات كربيونات الكالسيوم على مدار الوقت للحفاظ
‏على تعلق جسيمات كربونات الكالسيوم في المحلول.
‏وفيما يلي تم وصف هذه التنفيذات وغيرها بمزيد من التفاصيل بالإشارة إلى الأشكال والوصف 0 التفصيلي.
‏شرح مختصر. للرسومات
‏تم توضيح التنفيذات المتنوعة التي تم الكشف عنها في هذه الوثيقة؛ على سبيل المثال؛ وليس على
‏سبيل التحديد؛ في الأشكال المرفقة؛ حيث تشير الأرقام المرجعية إلى عناصر مماثلة.
‏يعرض الشكل ‎١‏ بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كربونات الكالسيوم مع مشتتات ‎dispersants 5‏ متنوعة.
يعرض الشكل ¥ بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع ‎Os)‏ ‏جزيثية ‎molecular weights‏ مختلفة لمشتت بولي أكريلات الصوديوم. يعرض الشكل 13 و3ب بيانات نموذجية توضح جهد زبتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع تركيزات مختلفة لمشتت بولي أكريلات الصوديوم.
يعرض الشكل ؛ بيانات نموذجية توضح جهد ‎Lin)‏ في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع خوافض توتر سطحي مختلفة. يعرض الشكل © بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كربونات الكالسيوم مع مشتتات مختلفة تم مزجها مع خافض التوتر السطحي سلفات دوديسيل الصوديوم. يعرض الشكل + بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم عند رقم
0 هيدروجيني مختلف. يعرض الشكل “ بيانات نموذجية توضح عكر ملاط كربونات الكالسيوم بدون مواد إضافية وملاط كربونات الكالسيوم مع مشتت وخافض توتر سطحي. تعرض الأشكال 28-18 صور لأنواع ملاط كربونات الكالسيوم بأحجام مختلفة من جسيمات كربونات الكالسيوم بعد ساعتين؛ 4 ساعات؛ 7 ساعات و24 ساعة؛ على التوالي.
5 يعرض الشكل 19 بيانات نموذجية توضح نسبة جسيمات كربونات كالسيوم كبيرة الحجم على مدار الوقت لملاط 2 ميكرومتر مخلوط بمضخة بحاجز وملاط 2 ميكرومتر مخلوط بقضيب تقليب. يعرض الشكل 9ب بيانات نموذجية توضح نسبة جسيمات كربونات كالسيوم كبيرة الحجم على مدار الوقت لملاط 700 نانومتر مخلوط بمضخة بحاجز وملاط 700 نانومتر مخلوط بقضيب تقليب. يعرض الشكل 110 بيانات نموذجية توضح نسبة قياسات مواد صلبة لملاط 2 ميكرومتر مخلوط
0 بقضيب تقليب وملاط 2 ميكرومتر مخلوط بمضخة بحاجز. يعرض الشكل 10ب بيانات نموذجية توضح نسبة قياسات مواد صلبة لملاط 700 نانومتر مخلوط بقضيب تقليب وملاط 700 نانومتر مخلوط بمضخة بحاجز. يعرض الشكل 11أ-11ج مجموعة صور لركائز مصقولة باستخدام أنواع مختلفة من ملاط كربونات الكالسيوم.
5 يعرض الشكل ‎١١‏ رسم بياني للتدفق يوضح طريقة لصقل سطح ركيزة. يعرض الشكل ‎١١‏ رسم بياني للتدفق يوضح طريقة نموذجية لتصنيع ملاط كريونات كالسيوم.
لا يعد الكشف الحالي محددًا بأي جانب منفرد أو تنفيذ متفرد؛ كما أنه ليس محددًا بأي توليفات و/أو تبديلات لهذه الجوانب و/أو التنفيذات. بالإضافة إلى ذلك؛ فكل من جوانب الكشف الحالي؛ و/أو تنفيذاته؛ يمكن توظيفها بشكل منفرد أو مجتمع مع واحد أو أكثر من جوانب و/أو تنفيذات الكشف الحالي. ولأغراض ‎Ola)‏ لن تتم مناقشة و/أو عرض العديد من هذه التبديلات والتوليفات بشكل منفصل في هذه ‎adsl‏ ‏يقدم الكشف الحالي ملاط وبشكل أكثر تحديدًا؛ ملاط بجسيمات كربونات كالسيوم تظل في معلق لفترة زمنية طويلة نسبية وتقاوم التكتل بشكل نسبي أيضًا. على سبيل المثال؛ تظل جسيمات كريونات الكالسيوم معلقة لمدة ستة أيام على الأقل (على سبيل المثال؛ سبعة أيام؛ ثمانية ‎all‏ تسعة أيام؛ 0 حشرة ‎all‏ عشرين ‎cla‏ أو أكثر) وتعد مقاومة بشكل نسبي للتكتل حيث أن لها جهد زيتا يساوي أو يقل عن 00 ملي فولط. ‎(Sag‏ استخدام الملاط في صقل ‎HIS)‏ ¢ بما يشمل الركائز المغلفة بمواد مرنة. وطبقًا للاستخدام في هذه ‎leg dads]‏ مستوى الكشف بالكامل؛ فإن المصطلح 'مرن" من الممكن أن يشمل أي مادة بوليمر ‎polymer material‏ أو مادة مونومرية ‎monomeric material‏ ناضجة أو مترابطة تشابكيًا. إن الملاط ذي الجسيمات الكبيرة أو كتل الجسيمات الكبيرة من الممكن 5 أن يسبب الخدش ‎ol‏ صقل المواد المرنة من الركيزة. وقد تشتمل صيغة الملاط الفعالة؛ وفقًا للكشف الحالي؛ على جسيمات كربونات كالسيوم صغيرة ‎Bad‏ جسيمات كربونات كالسيوم بتركيز أقل ‎Gass‏ ‏مشتت؛ خافض توتر سطحي؛ حيث ‎(Se‏ أن يقوم المشتت وخافض التوتر الصحي بالحفاظ على تعلق الجسيمات على مدار الوقت والحد من التكتل. في أحد الجوانب؛ يشتمل ‎Gy Jada)‏ للكشف الحالي؛ على ‎cide‏ وخافض ‎ig‏ سطحي؛ على 0 الأقل. ويشتمل الملاط كذلك على مجموعة جسيمات ‎Clin‏ كالسيوم معلقة في محلول؛ حيث يشتمل المحلول على مشتت وخافض توتر سطحي. وفي بعض التنفيذات؛ قد يشتمل المحلول أيضًا على دارىء ‎buffer‏ وقد يكون متوسط قطر مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم صغير ‎Lod‏ ‏على سبيل المثال أقل من قطر متوسط الحد. في بعض التنفيذات؛ يكون لجسيمات كربونات الكالسيوم متوسط قطر مساوي أو أقل من © ميكرومتر؛ بين حوالي ‎٠١‏ نانومتر وحوالي ؟ ميكرومتر؛ بين 5 حوالي ‎Vo‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر؛ بين حوالي ‎Yoo‏ نانومتر وحوالي ؟ ميكرومتر؛ أو بين ‎٠٠0 Jigs‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر» حيث أن المصطلح "حوالي” ‎Lad‏ يتعلق بمتوسط قطر
جسيمات كربونات الكالسيوم» يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة 75 من القيمة المذكورة. ويحتمل وجود قيم أكبر أو أقل أيضًا. ومن الممكن أن يكون تركيز كربونات الكالسيوم في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎75,٠‏ بالوزن» مساوي أو أقل من حوالي ‎77,٠0‏ بالوزن» بين حوالي 70.05 بالوزن وحوالي ‎7٠0‏ بالوزن» بين حوالي ‎٠,١‏ 7 بالوزن وحوالي ‎7٠00‏ بالوزن؛ أو بين حوالي ‎0.١‏ 7 بالوزن وحوالي 0,5 7 بالوزن؛ حيث أن المصطلح ‎sa!‏ بالنسبة لتركيز كريونات الكالسيوم في كل أجزاء هذا الكشف؛ يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة 70 من القيمة المذكورة. ومن الممكن أن يعمل المشتت على تثبيت توزيع الجسيمات في المحلول. ويمكن اختيار هذا المشتت لخفض جهد زبتا في الملاط حيث أن زيادة جهد زيتا السلبي تشير إلى جسيمات من المحتمل أن تطرد بعضها البعض ومن المستبعد أن تشكل تكتلات. وفي بعض التنفيذات؛ يكون جهد زبتا في الملاط مساوي أو أقل من 0 حوالي ‎5٠-‏ ملي فولط. وتشمل أمثلة المشتتات صوديوم بولي أكريلات؛ صوديوم «-سيليكات؛ صوديوم تترا بيرو فوسفات؛ صوديوم هيكسا ميتا فوسفات؛ صوديوم بولي ألومينات» صوديوم تترأ بورات» صوديوم تراي فوسفات؛ صوديوم سيترات؛ أو توليفات منهم. وقد يعمل واحدء أو كل منء المشتت وخافض التوتر السطحي على تثبيت تعكر الملاط. وقد يعمل خافض التوتر السطحي كمزلق 1001 يخفض التوتر السطحي بين سائلين أو بين سائل وصلب. وفي أحد الأمثلة؛ قد يشتمل 5 الملاط على خافض توتر سطحي أنيوني يحد من تكوين رواسب على السطح؛ ما يحد بدوره من جهد زيتا بحيث لا تتكتل الجسيمات مع بعضها البعض. وتشمل أمثل خوافض التوتر السطحي سلفات دوديسيل الصوديوم؛ بولي سوربات؛ وأوكتيل فينول إيثوكسيلات. وقد يبلغ الرقم الهيدروجيني
للملاط ما بين حوالي ‎١‏ وحوالي ‎VY‏ على سبيل المثال بين حوالي ‎Ae‏ وحوالي ‎Ne‏ ‏وطبقًا للاستخدام في هذه الوثيقة؛ من الممكن أن يشير المصطلح "ركيزة" إلى مادة حاملة صلبة ‎support 20‏ 011:0. وفي بعض التنفيذات» يشمل المصطلح أي مادة قد تعمل كمادة صلبة أو أساس شبه صلب من أجل سمات مثل آبار أو قنوات لوضع أحماض نووية ‎nucleic acids‏ وقد تشمل الركيزة أي مواد ركيزة ‎substrate materials‏ ملائمة؛ ‎La‏ يشمل على سبيل المثال لا الحصر؛ الزجاج؛ الزجاج المعدل ‎emodified glass‏ الزجاج الوظيفي ‎(functionalized glass‏ السيليكا» الكوارتز 0172717 السيليكون ‎silicon‏ البلاستيك؛ أكسيد فلز ‎oxide‏ 006101 أو توليفات منهم. وفي بعض التنفيذات؛ 5 يشمل الزجاج المعدل طبقة سميكة (على سبيل ‎Ball‏ أكبر من © نانومتر) من مادة على زجاج تقوم بتغيير واحدة أو ‎AST‏ من خواص الزجاج؛ زجاج وظيفي يشمل رابطة تساهمية ‎covalent bond‏
أو رابطة شبه تساهمية ‎semi-covalent bond‏ على سطح الزجاج؛ ويشمل السيليكا نوع من الزجاج بتركيبة قاعدية ‎base composition‏ مختلفة عن الزجاج التقليدي ؛ حيث أن المصطلح "حوالي"؛ فيما يتعلق بسماكة طبقة الزجاج المعدل السميكة؛ في كافة أجزاء هذا الكشف؛ يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة ‎7٠١‏ من القيمة المذكورة. وفي بعض التنفيذات» تشتمل الركيزة على خليط بوليمر ناضج ‎cured‏ ‎polymer 5‏ على زجاج؛ على سبيل المثال ‎sale‏ مقاومة للنقش النانوي ‎nanoimprinted resist material‏
على الزجاج. وفي بعض التنفيذات؛ قد تشمل الركيزة واحدة أو أكثر من السمات. ومن الممكن أن تشير السمة إلى عنصر مادي ‎physical element‏ منفصل أو خاصية مادية مستقلة للمادة. وقد يشتمل العنصر المادي المستقل على مكون للركيزة مميز بنيويًا أو ماديًا. وقد تشتمل الخاصية المادية المستقلة للركيزة 0 على جانب لاركيزة نفسها يوفر إمكانية فصل مادي أو وظيفي. على سبيل المثال» فإن سمات الركيزة من الممكن أن تكون على هيئة بئر أو ‎(sl‏ والتي قد تكون عناصر مادية ‎physical elements‏ مستقلة للركيزة. وقد تكون الركيزة جز من مصفوفة لأنظمة تحليل بيولوجي أو كيميائي. وسائل التتابع ‎«Sequencers‏ مثل الحمض النووي الرببوزي منقوص الأكسجين ‎(DNA) Deoxyribonucleic acid‏ أو الحمض النووي الريبوزي ‎(RNA) Ribonucleic acid‏ وأنظمة التحليل البيولوجي أو الكيميائي الأخرى؛ من الممكن أن تستخدم ركيزة زجاج لها قنوات تدفق مائعي ميكروي ‎microfluidic flow‏ ‎channels‏ داخلها. وقد يتم قياس أبعاد سمات الركيزة على مقياس نانومتر ‎nanometer‏ بحيث أنه يمكن الإشارة إلى السمات بوصفها سمات ‎By Lgl‏ لبعض التنفيذات. على سبيل ‎(Jha)‏ سمة نانوية لها قطر بين ©,» نانومتر وحوالي ‎٠٠0‏ نانومتر» بين حوالي ‎١‏ نانومتر وحوالي ‎(agli ٠٠١‏ أو بين حوالي © نانومتر وحوالي ‎lagi ٠‏ حيث أن المصطلح "حوالي" بالنسبة لقطر إحدى 0 السمات؛ على مستوى هذا الكشف بالكامل؛ يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة١٠7‏ من القيمة المذكورة. وقد تكون المواد المرنة جزء من ركيزة أو مغلفة على ركيزة؛ حيث يمكن أن تشتمل المادة المرنة على أي مادة بوليمرية أو ‎Sale‏ مونومرية تنضج أو تترابط تشابكيًا. وفي بعض التنفيذات؛ قد يتم تغليف لركيزة بمادة ‎de‏ بما يشمل على سبيل المثال لا الحصرء ‎aly‏ جل مائي غير عضوي ‎«inorganic hydrogel‏ أو جل مائي بوليمري عضوي. على سبيل المثال؛ قد تشتمل المادة المرنة 5 على جل مائي من بولي أكربلاميد ‎polyacrylamide hydrogel‏ وقد تعتمد وسائل التتابع على لصق شرائط حمض نووي ‎nucleic acid strands‏ بسطح مغلف بجل مائي ‎hydrogel-coated surface‏
للركيزة أثناء التشغيل. وفي بعض التنفيذات الأخرى؛ قد يتم صنع الركيزة من مادة مرنة؛ بما يشمل على سبيل ‎JU‏ لا الحصرء مصفوفة سيليكون - هيدروكربون ‎-silicon-hydrocarbon array‏ ‎Ag‏ بعض التنفيذات»؛ قد يتم تغليف الركيزة بطبقة مادة مرنة واحدة أو أكثر. على سبيل المثال؛ قد يكون سطح الركيزة مغلف بطبقة مقاومة ‎(Sarg resist layer‏ تشكيل جل مائي بوليمري عضوي على الطبقة المقاومة. وقد تعتبر هذه الطبقة المقاومة والجل المائي البوليمري العضوي 'مرنة'. وفي بعض التنفيذات» تكون الطبقة المقاومة ‎Ble‏ عن مادة مقاومة ‎dels‏ منقوشة_نانونيًا ‎nanoimprinted polymeric resist material‏ مغلفة بطرق طباعة ليثوجرافية للنقش النانوية ‎.nanoimprint lithography‏ وطبقًا للاستخدام في هذه الوثيقة؛ فإن "صقل" الركيزة؛ يمكن أن يشير إلى علاج ميكانيكي و/أو 0 علاج كيميائى للركيزة. وفي بعض التنفيذات؛ فإن الصقل قد يشير إلى إزالة جز من ركيزة أو تغليف ركيزة. وقد يشير الصقل إلى فرك؛ حك؛ تنعيم؛ أو غير ذلك لمعالجة سطح الركيزة لإنتاج سطح ركيزة مختلف. وقد يتضمن صقل ركيزة مغلفة بمواد مرنة. إزالة على الأقل بعض المواد المرنة من الركيزة. وفي بعض التنفيذات؛ قد يتم تغليف الركيزة بمادة مرنة أولى ومادة مرنة ‎cil‏ حيث يكون للمادة المرنة الثانية صلابة أقل من المادة المرنة الأولى» وقد يتضمن صقل الركيزة إزالة المادة المرنة الثانية 5 دون إزالة ‎salad)‏ المرنة الأولى. على سبيل المثال» قد يشتمل سطح الركيزة على طبقة مقاومة مغلفة بطبقة بوليمر أكريلات ‎acrylate polymer layer‏ أكثر مرونة ونعومة من الطبقة المقاومة» حيث أن صقل الركيزة قد يشمل إزالة طبقة بوليمر أكريلات دون إتلاف الطبقة المقاومة. وعند استخدام أنواع ملاط موجودة مسبقًا لصقل مواد مرنة وناعمة مغلفة ‎ole‏ أو جزء من؛ ركيزة؛ فإن سطح الركيزة قد يكون عرضة للخدش. وفي بعض التنفيذات؛ فإن الطبقة التحتية ‎underlying‏ ‎layer 0‏ التي يتم تشكيل المادة المرنة الناعمة عليها قد تكون معرضة للخدش. وقد يشتمل سطح الركيزة المعرض للخدش على هذه الطبقات. على سبيل المثال؛ عندما يشتمل سطح ركيزة على طبقة مقاومة ويتم وضع طبقة بوليمر أكريلات أكثر مرونة ونعومة على طبقة المقاومة؛ يتم صقل طبقة بوليمر أكريلات ولكن طبقة المقاومة من الممكن أن تتعرض للخدش بأنواع الملاط الموجودة مسبقًا. بالإضافة إلى ذلك فإن المواد المرنة الناعمة المغلفة على» أو جزء من ‎BSH‏ يصعب تحسينها بأنواع ملاط 5 موجودة مسبقًا ويكون لها سمة اقتلاع أسرع؛ مما يشمل جسيمات تحفر في السطح أثناء الصقل لتؤدي إلى إزالة مفرطة للمادة في منطقة واحدة. الملاط الموجود مسبقًا ‎٠‏ مثل ملاط صقل ‎polishing‏
— 0 1 — ‎slurry‏ السيليكا والسيرياء من الممكن أن يخدش سطح الركيزة ‎dying‏ جسيمات في سمات نانوية للركيزة. ومع ذلك؛ فإن الطرق الموجودة مسبقًا التي تستخدم صيغ بدون جسيمات تعرض تنوع كبير أثناء الصقل ¢ وتتطلب وقت تشغيل طويل ¢ وتواجه صعوية في تنظيف السمات النانوية ¢ وتتطلب ضغط مرتفع يمكنه أن يؤدي كسر الركيزة وضغط مادة الصقل.
يقدم الكشف الحالي؛ في بعض الأمثلة؛ تركيبة تشمل ملاطء حيث يشمل الملاط مجموعة جسيمات في سائل. وفي في بعض التنفيذات؛ ‎Calls‏ تركيبة الكشف الحالي بشكل أساسي من الملاط. وطبقًا للاستخدام في هذه الوثيقة؛ من الممكن أن يشير المصطلح ‎"IO‏ إلى خليط مائع ‎fluid mixture‏ يتضمن جسيمات في سائل. ويشمل ملاط كريونات الكالسيوم جسيمات كريونات كالسيوم في سائل. ويكون ملاط كربونات الكالسيوم قادرًا على صقل أو إزالة مواد مرنة ناعمة مغلفة على ركيزة أو ‎ya‏
0 .من ركيزة. بالإضافة إلى ذلك؛ فإن جسيمات كربونات الكالسيوم في الملاط تكون أكثر مرونة من جسيمات السيليكا أو السيرياء ويقل احتمال قيامها بخدش سطح الركيزة أثناء الصقل. وبالإضافة إلى ذلك» فإن أنواع ملاط كريونات الكالسيوم تكون بوجه عام أرخص من أنواع ملاط السيريا أو السيليكا. ومع ذلك؛ فإن جسيمات كربونات الكالسيوم الكبيرة أو جسيمات كربونات الكالسيوم الصغيرة التي تتجمع إلى حجم كبير سوف تخدش سطح الركيزة أثناء الصقل؛ مما يؤدي إلى ضعف أداء الملاط
5 1 وجودته . ويمكن صياغة ملاط كريونات كالسيوم فعال يحافظ على جسيمات كريونات الكالسيوم فى معلق لفترة زمنية طويلة ونقاوم تكتل جسيمات كريونات الكالسيوم ‎٠‏ يسمح ذلك لملاط كريونات الكالسيوم ‎Joan‏ ‏مواد مرنة ناعمة من سطح الركيزة؛ مع خدش أقل للسطح بطريقة أكثر قوة وقابلة ‎«hall‏ مقارنة بأنواع الملاط الموجودة مسبقًا. ومن الممكن الربط بين أداء أو ‎saga‏ الصقل مع صيغة ملاط
0 كربونات الكالسيوم ‎Lad‏ يتعلق بحجم الجسيمات في الملاط وتوجه الجسيمات نحو التكتل؛ واستمرارية توصيل المواد الصلبة . ويمكن قياس حجم الجسيمات فى الملاط عن طريق التشتت الضوئى الديناميكي ‎٠ (DLS ) dynamic light scattering‏ ومن الممكن أن يتناظر توجه الجسيمات نحو التكتل مع جهد زيتا بالملاطء ويمكن تحديد استمرارية توصيل المواد الصلبة؛ بشكل جزئي على الأقل؛ باستخدام التعكر.
5 ويمكن تحديد حجم الجسيمات باستخدام التشتت الضوئي الديناميكي. وفي بعض الأمثلة؛ ‎ping‏ ‏التشتت الضوئي الديناميكي شعاع ليزر لنشر الضوءٍ للجسيمات التي تسير في حركة براونية؛ لتحديد
سرعة الجسيمات. وبمعرفة ‎dag)‏ وحرارة الجسيمات؛ تقوم أداة التشتت الضوئي الديناميكي بحساب حجم الجسيمات. وتخضع الجسيمات الأكبر إلى حركة براونية ‎Wad‏ وتتحرك الجسيمات الأصغر بشكل أسرع. ومن الممكن أن يقوم التشتت الضوئي الديناميكي بتحديد توزيع حجم الجسيمات ونسبة الجسيمات التي لها قطر مساوي أو أكبر من حد ‎bill‏ على سبيل المثال يكون لها قطر مساوي أو أكبر من حوالي ؛ ميكرومتر.
ومن ‎(Sad)‏ أن تتأثر جودة الصقل تأثيرًا عكسيًا بوجود جسيمات أكبر في الملاط. ومن الممكن أن تشتمل بعض الجسيمات الكبيرة على تكتلات لجسيمات صغيرة. وطبقًا للاستخدام الوارد في هذه الوثيقة؛ فإن المصطلح "جسيمات ‎"80S‏ أو ‎Glass’‏ ضخمة" يشمل جسيمات لها قطر مساوي أو أكبر من حد القطرء أو تكتلات لجسيمات أصغر لها قطر مساوي أو أقل من حد القطر. وفي بعض 0 التنفيذات؛ قد يبلغ حد القطر حوالي ؟ ميكرومتر؛ حوالي ؛ ميكرومتر؛ حوالي © ميكرومتر؛ حوالي 7 ميكرومترء؛ حوالي ‎١‏ ميكرومتر؛ حوالي ‎A‏ ميكرومتر» حوالي 9 ميكرومترء أو حوالي ‎٠١‏ ‏ميكرومتر. وسيتم فهم أن تحديد حد قطر للجسيمات الكبيرة أو الجسيمات الضخمة قد يعتمد على عوامل مختلفة مثل تركيبة الركيزة؛ تركيبة ‎ddl‏ الضغط المستخدم أثناء الصقل؛ ‎ana‏ سمات السطح؛ احتمال ‎Cali‏ السطح؛ اختيار لوح الصقل ‎cpolishing pad‏ المادة التي يتم توظيف الزجاج معها (على سبيل المثال؛ إذا كانت المادة أكثر مرونة ونعومة؛ يمكن أن تكون أكثر عرضة للخدش)؛ إلخ. على سبيل المثال؛ فإن حد قطر الجسيمات الكبيرة أو الجسيمات الضخمة من الممكن أن يكون مساوي أو أكبر من حوالي ؛ ميكرومتر عند صقل مواد مرنة ناعمة على ركيزة زجاج؛ حيث أن الجسيمات التي لها قطر مساوي أو أكبر من ؛ ميكرومتر قد تتمكن من خدش سطح الركيزة الزجاجية. وقد يتم تحديد الخدش على سطح مصقول ‎polished surface‏ باستخدام وسيلة تصوير ‎imager‏
0 وميكروسكوب ‎.microscope‏ ‏وقد تكون هناك حاجة لتحديد رقم للجسيمات الكبيرة أو الجسيمات الضخمة في الملاط بحيث أن متوسط قطر مجموعة الجسيمات في الملاط يكون أقل من حد القطرء أو أن توزيع ‎pan‏ مجموعة الجسيمات يكون له نسبة صغيرة من الجسيمات المساوية أو الأكبر من حد القطر. وفي بعض التنفيذات؛ فإن توزيع حجم مجموعة الجسيمات يكون له أقل من حوالي ‎7٠١0‏ أقل من حوالي ‎Jo‏ ‏5 أو أقل من حوالي 77 من إجمالي عدد الجسيمات المساوية أو الأكبر من حد القطر. ولتوضيح مثال ‎Lash‏ يتعلق بمتوسط القطرء فإن ملاط كربونات الكالسيوم من الممكن أن يشمل مجموعة جسيمات
معلقة في محلول؛ حيث يكون متوسط قطر مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم مساوي أو أقل من حوالي © ‎fag Kae‏ بين حوالي ‎٠١‏ نانومتر ‎١ (long‏ ميكرومتر» بين حوالي ‎Too‏ نانومتر وحوالي " ميكرومتر» بين حوالي ‎"0٠0‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر» أو بين حوالي ‎٠٠‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر؛ حيث أن المصطلح ‎"Js"‏ فيما يتعلق بمتوسط قطر مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم» على مستوى الكشف الحالي بالكامل؛ يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة 75 من القيمة المذكورة. وفي بعض التنفيذات؛ قد يبلغ الحيود القياسي لمتوسط قطر جسيمات كربونات الكالسيوم حوالي ‎١٠١‏ نانومتر أو يزيد أو يقل عن ذلك ‎SLE‏ ولتوضيح مثال ‎Lad‏ يتعلق بتوزيع الحجم؛ فإن ملاط كريونات الكالسيوم من الممكن أن يشمل مجموعة جسيمات معلقة في محلول؛ حيث أن أقل من 75 من إجمالي عدد جسيمات كربونات الكالسيوم يكون له قطر مساوي أو أقل من حوالي 4 ميكرومتر؛ حيث أن المصطلح ‎Jpn’‏ فيما يتعلق بالنسبة المئوية لإجمالي عدد جسيمات كريونات الكالسيوم» على مستوى الكشف الحالي بالكامل؛ يشير إلى قيم أعلى أو أقل بنسبة 75 من القيمة
المذكورة. وعلى الرغم من أن حجم جسيمات كربونات الكالسيوم المعلقة في المحلول قد يكون صغير بشكل مبدأي؛ فإن جسيمات كريونات الكالسيوم قد تتكتل بصورة طبيعية على مدار الوقت لتشكل جسيمات 5 أو تكتلات أكبر. ويعمل وجود جسيمات أو تكتلات كبيرة على زيادة احتمالية خدش سطح الركيزة أثناء الصقل. ويمكن خفض تكتل الجسيمات عن طريق تنافر شحنات الجسيمات ‎particle charge‏ «منمادم:. ‎a‏ جهد زيتا مؤشرًا لثبات تشتتات المادة الغروانية ‎colloidal dispersions‏ ويعمل كمقياس لتحديد ميول الجسيمات نحو التكتل في الملاط. ومن الممكن أن يشير جهد زيتا إلى إمكانية كهربية في طبقة كهربية مزدوجة ‎electrical double layer‏ عند موقع مستوي إنزلاقي ‎slipping plane‏ 0 لجديم بالنسبة إلى ‎ALE‏ في السائل بعيدة عن الطبقة الكهربية المزدوجة. وتكون الطبقة الكهربية المزدوجة عبارة عن طبقة تظهر على سطح جسيم عند تعرضه لمائع؛ والتي قد مجموعات مشحونة تتحرك في المائع تحت تأثير جذب كهربي وحركة حرارية. ويكون جهد زيتا عبارة عن كمية متعلقة بالتحرك الرحلاني ‎electrophoretic mobility‏ بواسطة معادلة هنري : 21/3 - ‎(Ug‏ حيث أن ‎Ug‏ هي الحركة الرحلانية» و2 هي جهد زبتاء و ع هي الثابت الكهربي ‎«dielectric constant‏ و ‎(ka)F‏ ‏5 هي ‎dla‏ هنري» وى« هي اللزوجة. في وسط قطبي ‎(ka)F polar media‏ يبلغ ‎٠,6 Lyi‏ وفي وسط غير قطبي ‎(ka)F nonpolar media‏ يبلغ ‎.١ Ld‏ وفي بعض التنفيذات؛ يمكن قياس جهد زبتا
باستخدام وسيلة ‎ang Malvern Zetasizer‏ جهد زبتا الأكثر سلبية مؤشرًا إلى أن الجسيمات في الملاط سوف تقوم بقوة بطرد كل من بعضها الآخرء وهناك احتمال ضعيف أن تشكل تكتلات. وبعد جهد زيتا الأكثر إيجابية مؤشرًا إلى أن الجسيمات في الملاط سوف تقوم بجذب بعضها الآخر؛ وهناك احتمال كبير أن تشكل تكتلات.
وقد يكون للقوة الأيونية ‎jonic strength‏ للمحلول تأثيرًا على جهد زبتا. ‎Ay‏ بعض التنفيذات؛ يمكن تعديل القوة الأيونية للمحلول عن طريق دارىء وتركيز الدارىء. ويمكن تعديل تركيز الدارىء عن طريق تخفيفه في ‎Jie ude‏ الماء. وفي بعض التنفيذات؛ قد يشتمل الدارىء على دارىء تريس (هيدروكسي_ ميثيل) أمينو ‎tris(hydroxymethyl)aminomethane (iw‏ (1815). وتشمل أنواع الدارىء ‎GAY‏ الممكنة؛ على سبيل المثال لا الحصرء فوسفات الصوديوم ‎«sodium phosphate‏
0 سيترات الصوديوم ‎csodium citrate‏ وكريونات الصوديوم ‎carbonate‏ 5001010. وفي بعض التنفيذات؛ قد يكون الدارىء قادرًا على تحقيق رقم هيدروجيني بين 1 و١١‏ في المحلول. وفي بعض التنفيذات؛ قد يتم تخفيف دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان إلى تركيز مطلوب. على سبيل المثال؛ فإن دارىء ‎M+)‏ تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يمكن تخفيفه بواسطة ماء منزوع الأيون ‎deionized water‏ للحصول على تركيز بين حوالي ‎0.0٠‏ 14 وحوالي ‎SM vee‏ بين حوالي 5 0.07 ]1 وحوالي ‎٠.05‏ 11. وفي بعض التنفيذات» قد يشتمل المحلول أيضًا على عامل استخلاب ‎chelating agent‏ مثل حمض الإيثيلين داي أمين تترا أسيتيك ‎ethylenediaminetetraacetic acid‏ (201). وتشمل عوامل الاستخلاب ‎chelating agents‏ الأخرى؛ على سبيل المثال لا الحصرء حمض داي إيثيلين تراي أمين بينتا أسيتيك ‎(DTPA) diethylenetriaminepentaacetic acid‏ وحمض ناين تراي لو تراي أسيتيك ‎(NTA) nintrilotriacetic acid 0‏ وقد يكون عامل الاستخلاب قادر على ‎Jie‏ أيونات ‎metal ll‏ ‎Jie cions‏ أيونات الكالسيوم ‎calcium ions‏ في محلول. ويمكن إدخال مواد إضافية في الملاط من أجل خفض جهد زيتا (أي لجعله أكثر سلبية) في الملاط. وقد تشمل المواد الإضافية لخفض جهد زبتا في الملاطء على سبيل المثال لا ‎ean‏ مشتت وخافض توتر سطحي. ويمكن اعتبار هذه المواد الإضافية جز من محلول ملاط كريونات كالسيوم؛ 5 حيث أن جسيمات كربونات الكالسيوم» طبقًا للمناقشة الواردة في هذه الوثيقة؛ يمكن اعتبارها معلقة في محلول ملاط كريونات الكالسيوم. وبعض أنواع الملاط مثل السيليكا أو أنواع ملاط أساسها
السيليكون ‎«silicon-based slurries‏ لها جهد ‎Wy‏ يبلغ حوالي ‎Tom‏ ملي فولط أو أكثر ‎٠‏ وفي بعض التنفيذات» فإن ملاط كريونات الكالسيوم مع واحدة أو ‎SST‏ من المواد الإضافية؛ يكون له جهد زيتا يبلغ حوالي ‎Vom‏ ملي فولط أو ‎(J‏ حوالي ‎fv‏ ملي فولط أو أقل» حوالي ‎٠-‏ 5 ملي فولط أو أقل؛ أو حوالي ‎Tem‏ ملي فولط أو ‎Ji‏ حيث أن المصطلح ‎Las" Jon"‏ يتعلق بجهد زبتا للملاط في كل أجزاء الكشف الحالي؛ يشير إلى قيم تزيد أو تقل بنسبة 75 عن القيمة المذكورة.
ويكون أحد أنواع المواد الإضافية لخفض جهد زبتا بالملاط عبارة عن مشتت. ويكون المشتت عبارة عن عامل يتم استخدامه لتثبيت توزيع الجسيمات في أنظمة سائل ‎liquid systems‏ وقد يشمل بوليمر أو ‎(gia‏ مضاف إلى معلق لتحسين فصل الجسيمات في المعلق. ويزيد هذا المشتت الطبقة الكهربية المزدوجة للجسيمات في المعلق؛ لخفض التكتل. وقد تشمل أمثلة المشتتات المضافة إلى ملاط 0 كربونات الكالسيوم»؛ على سبيل المثال لا الحصرء صوديوم بولي أكريلات بأوزان جزيئية مختلفة؛ صوديوم «-سيليكات؛ صوديوم تترا بيرو فوسفات؛ صوديوم هيكسا ميتا فوسفات؛ صوديوم بولي ألومينات» صوديوم تترا بورات» صوديوم تراي فوسفات» صوديوم سيترات؛ أو توليفات منهم. وفي بعض التنفيذات؛ يبلغ تركيز المشتت في الملاط ما بين ‎Joa‏ 70.09 بالوزن وحوالي 750,6 بالوزن» بين حوالي ‎٠,١‏ 7 بالوزن وحوالي ‎7٠٠٠١‏ بالوزن» أو بين حوالي ‎Zee‏ بالوزن وحوالي 75,0 5 بالوزن؛ حيث أن المصطلح "حوالي” ‎lad‏ يتعلق بتركيز المشتت في الملاط في كافة أجزاء ‎RASH‏ ‏الحالي؛ يشير إلى قيم تزيد أو تقل بنسبة ‎7٠١‏ عن القيمة المذكورة. على سبيل المثال؛ قد يبلغ تركيز
المشتت في الملاط ما بين حوالي ‎٠,١‏ 7 بالوزن وحوالي ‎vse‏ بالوزن. يعرض الشكل ‎١‏ بيانات نموذجية توضح جهد ‎Ui)‏ في أنواع ملاط كربونات الكالسيوم مع مشتتات متنوعة. وقد اشتمل ملاط كربونات الكالسيوم في الشكل 1 على 0.175 7 بالوزن من جسيمات 0 كربونات كالسيوم ‎١‏ ميكرومتر» مع دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يبلغ 007 14 عند رقم هيدروجيني يبلغ ‎.٠0,4‏ وتم اختبار أريعة مشتتات مختلفة: صوديوم بولي أكريلات بوزن جزيئي 1506000 صوديوم بولي أكريلات بوزن جزيئي 10700 صوديوم تترا بيرو فوسفات؛ وصوديوم سيترات. وتمت إضافة كل من هذه المشتتات إلى المحلول عند تركيز يبلغ ‎Ye‏ 7 بالوزن في ‎dll‏ وتم ‎Wal‏ عرض بيانات من ملاط تحكم ‎control slurry‏ (ليس مشتت). وكما هو 5 معروض في الشكل ١؛‏ فإن إضافة مشتت في ملاط كريونات الكالسيوم يخفض جهد زبتا بالملاط.
ويكون للصوديوم أكريلات؛ كمشتت؛ أكبر تأثير على جهد زبتاء من بين المشتتات التي تم اختبارها في الشكل ‎.١‏ ‏وقد يؤثر الوزن الجزيئي للمشتت على توجه الجسيمات نحو التكتل في الملاط. وفي بعض الأمثلة؛ إذا كان الوزن الجزيئي صغير ‎da‏ لن توفر السلاسل القصيرة في المشتت حاجز سميك بما فيه الكفاية لمنع التندف ‎cflocculation‏ مما يؤدي إلى التصاق الجسيمات المعلقة في المحلول لتشكيل تجمعات أكبر حجمًا. وإذا كان الوزن الجزيئي كبير ‎cis‏ سوف يبدا المشتت؛ مع ذلك؛ في العمل كمندف ‎flocculant‏ ‏يعرض الشكل ¥ بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع ‎Os)‏ ‏جزيئية مختلفة لمشتت بولي أكريلات الصوديوم. ‎(Shy‏ الصوديوم بولي أكريلات فأوزان جزيئية 0 مختلفة؛ وقد يكون اختيار وزن جزيئي مناسب أمرًا هامًا لخفض جهد زيتا. وقد اشتمل ملاط كربونات الكالسيوم في الشكل 2 على 0175 7 بالوزن من جسيمات كريونات كالسيوم ‎١‏ ميكرومتر؛ مع دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يبلغ ‎Moe, oF‏ عند رقم هيدروجيني يبلغ ‎٠.4‏ وتمت ‎dil)‏ الصوديوم بولي أكريلات عند أريعة أوزان جزيئية مخف ‎Nonny‏ نعي 5000 و006٠‏ عند 720.75 بالوزن لكل مثال من ملاط كربونات الكالسيوم وتم اختبارها. في الشكل ‎FV‏ ‏5 كان جهد زبتا بين وزن جزبئي يبلغ ‎٠١٠١‏ ووزن جزبئي يبلغ 1500068 قد عرض اختلاف بسيط. وفي حين أن الأوزان الجزيئية المختلفة التي تم اختبارها في الشكل 9 لم تعرض فرقًا ‎Da‏ من الممكن والمحتمل أن الأوزان الجزيئية عند اختلافات كبيرة ستعرض تأثيرات أكبر على جهد زبتا. وقد يؤثر تركيز المشتت في الملاط على توجه الجسيمات نحو التكتل في الملاط. إذا كان تركيز المشتت منخفض ‎(lia‏ فإن جزيئات المشتت ‎dispersant molecules‏ الممتزة إلى الجسيمات قد تغطي 0 جزثيًا فقط كل من الجسيمات وتوفر أداء محدود فيما يتعلق بزيادة الطبقة الكهربية المزدوجة للجسيمات. وإذا كان تركيز المشتت مرتفع ‎dds‏ فإن البنية الجزيثية ‎molecular structure‏ لجزيئات المشتت الممتزة إلى الجسيمات قد تنهار أو 'يتراجع” على بعضها البعض؛ مما يسمح للجسيمات بالتكتل أو التجمع. يعرض الشكل 13 و3ب بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كربونات الكالسيوم بتركيزات 5 مختلفة لمشتت الصوديوم بولي أكريلات في أحد أمثلة العمل غير المُحَنِّدَة. يعرض الشكل 13 بيانات جهد زبتا لتركيزات مشتت صوديوم بولي أكريلات بين 70.075 بالوزن و ‎LY,‏ بالوزن. ويعرض
الشكل 3ب بيانات جهد زبتا لتركيزات مشتت صوديوم بولي أكريلات بين ‎70.١‏ بالوزن ‎Fees‏ ‏بالوزن. وكان الوزن الجزيئي لصوديوم بولي أكريلات قد بلغ ‎NY ov‏ وقد اشتمل ملاط كريونات الكالسيوم في الشكل 3ا والشكل 3ب على 0,175 7 بالوزن من جسيمات ‎clin S‏ كالسيوم ؟ ميكرومتر» مع دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يبلغ 0.07 14 عند رقم هيدروجيني
يبلغ ‎BYE‏ الشكلين 3 و3ب؛ أنواع الملاط مع مشتت بتركيز يبلغ ما بين حوالي ‎0,١‏ 7 بالوزن وحوالي 70,0 بالوزن» أو بين حوالي 0,7 7 بالوزن وحوالي 70,4 بالوزن؛ قد عرضت أقل جهد زيتا.
ويوجد نوع ‎AT‏ من المواد المضافة التي قد تخفض جهد ‎lin)‏ بالملاط ألا وهو خافض توتر سطحي.
‎aug‏ خافض التوتر السطحي عامل يساعد على نشر طور في طور ‎AT‏ سواء في أنظمة صلب-
‎solid-liquid systems Jil‏ أو أنظمة سائل-سائل ‎liquid-liquid systems‏ ويعمل خافض التوتر
‏0 السطحي على خفض التوتر السطحي بين ساتلين أو بين سائل وصلب. بمعنى آخر؛ من الممكن أن يعمل خافض التوتر السطحي كمزلق. وفي ملاط كربونات الكالسيوم؛ فإن خافض التوتر السطحي المضاف إلى الملاط من الممكن أن يكون خافض توتر سطحي أنيوني. ويحتوي خافض التوتر السطحي الأنيوني على مجموعة وظيفية أنيونية ‎anionic functional group‏ عند أحد الأطراف؛ ‎Jie‏
‏سلفات ‎sulfate‏ سلفونات ‎sulfonate‏ فوسفات ‎phosphate‏ ¢ ومجموعة كريوكسيلات وظيفية
‎.carboxylate functional group 5‏ ومن خلال وجود شحنة سالبة ‎negative charge‏ عند أحد الأطراف»؛ من الممكن أن ‎ash‏ خافض التوتر السطحي الأنيوني بمنع تكون شحنة كبيرة على سطح جسيمات كربونات الكالسيوم. ويهذه الطريقة؛ لا تتكتل جسيمات كريونات الكالسيوم. ومن الممكن
‏أن تشمل أمثلة خوافض التوتر السطحي المضافة إلى ملاط كربونات الكالسيوم؛ على سبيل المثال
‏لا الحصرء سلفات دوديسيل الصوديوم؛ بولي سوريات؛ أوكتيل فينول إيثوكسيلات؛ أو توليفات منهم.
‏0 وبعد ‎®Tween‏ مثالاً لبولي سوريات ويعد ‎Triton™ X-100‏ مثالا على أوكتيل فينول إيثوكسيلات. ويتم تصنيع 20 ‎Tween®‏ في شركة ‎of East Riding of Yorkshire‏ عام ‎«Croda International‏ بالمملكة المتحدة. ويتم تصنيع 36-100 ‎Triton™‏ في شركة ‎Rohm and Haas‏ في فيلادلفيا» الولايات المتحدة الأمريكية. وقد يعتمد اختيار تركيز خافض التوتر السطحي على تركيز المذيل الحرج ‎critical‏ ‎micellar‏ لخافض التوتر السطحي. ويعد تركيز المذيل الحرج هو تركيز خافض التوتر السطحي
‏5 الذي يقوم خافض التوتر السطحي فوقه بتشكيل مذيلات ‎micelles‏ في المحلول. وفي بعض التنفيذات؛ يكون لخافض التوتر السطحي تركيز في الملاط يبلغ ما بين حوالي 0.01 7 بالوزن وحوالي ‎71٠٠00‏
بالوزن» بين حوالي © ‎0.٠‏ 7 بالوزن ‎75,٠ Mong‏ بالوزن؛ أو بين حوالي ‎٠,١‏ 7 بالوزن وحوالي 77.0 بالوزن؛ حيث أن المصطلح "حوالي” فيما يتعلق بتركيز خافض التوتر السطحي في الملاط في كل أجزاء الكشف الحالي؛ يشير إلى قيم تزيد أو تقل عن ‎7٠١0‏ عن القيمة المذكورة. يعرض الشكل ؛ بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع خوافض توتر سطحي مختلفة. وقد اشتمل ملاط كربونات الكالسيوم في الشكل 4 على 0,178 7 بالوزن من جسيمات كريونات كالسيوم ‎١‏ ميكرومتر» مع دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يبلغ 07 1 عند رقم هيدروجيني يبلغ ‎a) GE‏ اختبار أريعة خوافض توتر سطحي مختلفة: سلفات دوديسيل الصوديوم20 ‎«Tween®‏ و 26100 11100777._وتمت إضافة ‎JS‏ من خوافض التوتر السطحي هذه عند تركيز يبلغ ‎YO‏ )70 بالوزن. وكما هو معروض في الشكل 4؛ فإن إضافة خافض 0 توتر سطحي في ملاط كريونات الكالسيوم يخفض جهد زبتا في الملاط. ويكون ل سلفات دوديسيل الصوديوم»؛ كمشتت؛ أكبر تأثير على جهد زيتاء من بين خوافض التوتر السطحي التي تم اختبارها في الشكل ‎LE‏ ‏وقد يتم إضافة خافض توتر سطحي ومشتت إلى محلول ملاط. وقد يكون لتوليفة خافض التوتر السطحي والمشتت في الملاط تأثير أكبر على جهد ‎cy‏ مقارنةً باستخدام خافض توتر سطحي فقط 5 أو مشتت فقط. ويعرض الشكل © بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم مع مشتتات متنوعة في توليفة مع خافض التوتر السطحي سلفات دوديسيل الصوديوم. وقد اشتمل ملاط كربونات الكالسيوم في الشكل 5 على ©0172 #2 بالوزن من جسيمات كربونات كالسيوم ‎ag Soe "‏ مع دارىء تربس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان يبلغ 0507 14 عند رقم هيدروجيني يبلغ ‎.٠.4‏ وكان للصوديوم بولي أكريلات في توليفة مع سلفات دوديسيل الصوديوم جهد زيتا أكثر مالبية عن الصوديوم تترا بيروفوسفات في توليفة مع سلفات دوديسيل الصوديوم. وبناءً على ذلك؛ فإن الصوديوم بولي أكريلات في توليفة مع سلفات دوديسيل الصوديوم كان أكثر فاعلية في خفض ‎aga‏ زيتا في الملاط. وقد يؤثر الرقم الهيدروجيني للملاط على جهد ‎Wh‏ للملاط. وفي بعض التنفيذات» فإن الرقم الهيدروجيني الأقرب إلى ثابت تفكك الحمض ‎(pKa) acid dissociation constant‏ لكريونات 5 الكالسيوم من المحتمل أن يكون له جهد زيتا أقل. ويبلغ ثابت تفكك الحمض لكريونات الكالسيوم حوالي 9. وبالإضافة إلى ذلك؛ فإن الرقم الهيدروجيني للملاط قد يؤثر في أداء الملاط وجودته؛ حيث
أن كل من القيم الكبيرة السالبة والموجبة للرقم الهيدروجيني من الممكن أن تكون ضارة. وفي أحد الأمثلة؛ عند الرقم الهيدروجيني المنخفض ‎ia‏ تنحل جسيمات كربونات الكالسيوم. في أحد الأمثلة؛ عند الرقم الهيدروجيني المرتفع جدًا؛ من الممكن أن لملاط كربونات الكالسيوم أن يسبب تآكل الأقطاب الكهربية ‎electrodes‏ وتلف كيمياء خلية التدفق ‎flow cell‏ الخاصة بالركيزة. ‎Ag‏ بعض التنفيذات؛ يبلغ الرقم الهيدروجيني لملاط كربونات الكالسيوم بين حوالي ‎١‏ وحوالي ‎OY‏ على سبيل المثال بين حوالي 8,5 وحوالي ‎١٠٠١©‏ حيث أن المصطلح "حوالي" بالنسبة للرقم الهيدروجيني» في كل ‎shal‏ ‏الكشف الحالي؛ يشير إلى قيم تزيد أو تقل بنسبة 75 عن القيمة المذكورة. في مثال محدد؛ قد يبلغ الرقم الهيدروجيني لملاط كريونات الكالسيوم حوالي ‎A‏ ‏يعرض الشكل + بيانات نموذجية توضح جهد زيتا في أنواع ملاط كريونات الكالسيوم عند رقم 0 هيدروجيني مختلف. وقد اشتملت أنواع ملاط كريونات الكالسيوم في الشكل 6 على 0,172 7 بالوزن من جسيمات كريونات كالسيوم ؟ ميكرومتر؛ مع سلفات دوديسيل الصوديوم بنسبة © ‎١,١١‏ 7 بالوزن؛ ودارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) ‎gud‏ ميثان يبلغ ‎MY‏ ويعرض الشكل + أن الرقم الهيدروجيني للملاط يؤثر على جهد زيتا للملاط. وكان لملاط كربونات الكالسيوم جهد زيتا أكثر سالبية عند رقم هيدروجيني ‎٠٠١4‏ مقارنة برقم هيدروجيني 5,. وقد يعود ذلك؛ ‎lia‏ إلى ‎Od‏ ‏5 جسيمات كربونات الكالسيوم عند قيم رقم هيدروجيني منخفضة. وطبقًا للمناقشة السابقة؛ فإن استمرارية توصيل المواد الصلبة في ملاط كريونات الكالسيوم من الممكن أن يتم تحديدها باستخدام التعكر. ويعد التعكر مقياسًا لدرجة تغيم أو ضبابية المائع بسبب الجسيمات المعلقة في السائل. وإذا كان التعكر منتخفض جدًاء؛ من الممكن أن تستقر جسيمات كريونات الكالسيوم بدلاً من أن تظل معلقة بعد فترة من الزمن. ومن الممكن أن يعمل ذلك بشكل عكسي ويحد من فعالية 0 صقل ركيزة بملاط كريونات الكالسيوم. وتعد وحدة قياس التعكر ‎unit of measurement of turbidity‏ هي وحدة التعكر الكلوى ‎(NTU) Nephelometric Turbidity‏ والتي تعد مقياسًا لكمية الضوءٍ المنتشر عند زاوية 960 درجة من ‎Se glad‏ عارض ‎incident light beam‏ بواسطة الجسيمات. ويمكن تحديد معدل استقرار الجسيمات ومدى استعداد الجسيمات لتظل في حالة تعلق؛ وذلك من عن طريق اتخاذ قياسات التعكر على مدار فترة زمنية. وقياس التعكر المنخفض على مدار الوقت 5 يعد مؤشرًا للجسيمات التي تستقر بشكل أسرع ولا تظل في حالة تعلق.
يعرض الشكل “ بيانات نموذجية توضح عكر ملاط كربونات الكالسيوم بدون مواد إضافية وملاط كريونات الكالسيوم مع مشتت وخافض توتر سطحي. وتم قياس التعكر كل 15 دقيقة على مدار ساعة لملاط تحكم له 70,0775 بالوزن جسيمات كريونات كالسيوم ؟ ميكرومتر مع دارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان 806 14 عند رقم هيدروجيني 9. ولم يكن لملاط التحكم خافض توتر سطحي أو مشتت. وتم قياس التعكر كل 15 دقيقة على مدار ساعة لنفس الملاط ولكن مع إضافة 0,75 7 بالوزن صوديوم بولي أكريلات له وزن جزيئي ‎٠0٠٠١0‏ وتمت إضافته مع 70.1758 بالوزن سلفات دوديسيل الصوديوم. خلال ساعة واحدة؛ كان ملاط التحكم قد خفض التعكر؛ مما يشير إلى أن وجود مشتت وخافض توتر سطحي يزيد معدل استقرار الجسيمات في الملاط. ومع ذلك؛ فإن ملاط كربونات الكالسيوم مع مشتت ومع خافض توتر سطحي قد حافظ على تعكر مماثل 0 إلى حد كبير؛ مما يشير إلى أن وجود مشتت و/أو خافض توتر سطحي يعمل على تثبيت الملاط. ‎dil)‏ مشتت و/أو خافض توتر سطحي قد يسهم في الحفاظ على جسيمات كربونات الكالسيوم في معلق لفترة زمنية طويلة. ومن الممكن أيضًا ملاحظة معدل الاستقرار ومدى استمرار الجسيمات في حالة تعلق؛ وذلك بصورة مرئية واضحة؛ على مدار الوقت. وقد يؤثر حجم جسيمات كربونات الكالسيوم في معدل استقرار 5 ملاط كربونات الكالسيوم. وتعرض الأشكال 28-18 صور لأنواع ملاط كريونات كالسيوم بأحجام مختلفة من جسيمات كريونات الكالسيوم بعد ساعتين» 4 ساعات» 7 ساعات و24 ساعة. واشتملت كل عينة من ملاط كريونات الكالسيوم على © ‎٠,١7‏ 7 بالوزن من كريونات كالسيوم» © ‎0,١"‏ 7 بالوزن من سلفات دوديسيل الصوديوم» 0,75 7 بالوزن من حمض بولي أكريليك ‎«<polyacrylic acid‏ 1 ملليمتر حمض الإيثيلين داي أمين تترا أسيتيك» وتريس (هيدروكسي ميثيل) ‎gual‏ ميثان ‎10,١‏ عند 0 رقم هيدروجيني 4. واشتملت إحدى العينات على جسيمات كربونات كالسيوم ؟ ميكرومتر؛ واشتملت عينتين على جسيمات كربونات كالسيوم ‎١7‏ ميكرومتر؛ واشتملت إحدى العينات على جسيمات ‎٠,7‏ ‏ميكرومتر. وبعد 24 ساعة؛ كان معدل استقرار جسيمات كريونات الكالسيوم بحجم ؟ ميكرومتر أكبر بشكل ملحوظ من الجسيمات الأخرى. وقد يكون للجسيمات الصغيرة معدل استقرار ‎add‏ من الجسيمات الكبيرة. 5 إن الجسيمات لا تستقر في الملاط على مدار الوقت فقطء بل ومن الممكن أن تتكتل ‎Wad‏ على مدار الوقت. وفي بعض التنفيذات؛ يمكن الاستفادة من خلط أو تقليب متنوع لتدوير أو خلط مجموعة
جسيمات كربونات الكالسيوم في المحلول. وهذا الخلط أو التقليب من الممكن أن يحافظ على ثبات النسبة المئوية للمواد الصلبة؛ ويزيد عمر الملاط مع التقليب المستمر؛ ويمنع أو يحد من تكوين تكتلات غير مرغوب فيها من أجل جودة الصقل. من الممكن أن يؤدي الخلط أو التقليب أيضًا إلى كسر بعض الجسيمات إلى حجم أصغر. وتشمل أمثلة آليات الخلط أو التقليب؛ على سبيل المثال لا الحصرء؛ مضخة بحاجز؛ قضيب تقليب مغنطيسي؛ خلاط من النوع ‎op Bal)‏ مضخة ‎(dle‏ مضخة تمعجية؛ ومضخة ضغط مرتفع. الجسيمات أو التكتلات التي لها قطر مساوي أو أكبر من حد قطر معين من الممكن أن تعد ضخمة أو ضارة. في مثال محدد؛ فإن الجسيمات أو التكتلات التي لها قطر أكبر من حوالي ؛ ميكرومتر يمكن اعتبارها ضخمة أو ضارة. ومع ذلك؛ من المفهوم أن هناك حدود قطر أخرى للجسيمات أو 0 التكتلات الضخمة أو الضارة تعتبر ملائمة. واستخدام آلية خلط أو تقليب قبل الصقل من الممكن أن يحدد تكتل الجسيمات إلى جسيمات ضخمة. يعرض الشكل 19 بيانات نموذجية توضح نسبة جسيمات كريونات كالسيوم كبيرة الحجم على مدار الوقت لملاط 2 ميكرومتر مخلوط بمضخة بحاجز وملاط 2 ميكرومتر مخلوط بقضيب تقليب. وطبقًا للاستخدام في هذه الوثيقة؛ فإن ملاط ‎X‏ ميكرومتر يشير إلى ملاط بجسيمات لها متوسط قطر يبلغ 5 *« ميكرومتر وبشير ملاط 7 نانومتر إلى ملاط بجسيمات لها متوسط قطر يبلغ 7 نانومتر. وفي بعض التنفيذات؛ فإن الحيود القياسي لمتوسط القطر قد يزيد أو يقل ‎١٠١‏ نانومتر؛ وقد يقل أو يزيد نائومتر. وفي هذا المثال؛ ‎GB‏ الجسيمات الضخمة هي الجسيمات التي يزيد قطرها عن ؛ ميكرومتر. وبعد ثلاثة ‎call‏ حوالي 74 من إجمالي عدد جسيمات كربونات الكالسيوم أصبح بقطر أكبر من ؛ ميكرومتر لكل من المضختين. ويعد ستة ‎7٠١ Gi call‏ من إجمالي عدد جسيمات 0 كربونات الكالسيوم أصبح بقطر أكبر من ؛ ميكرومتر لكل من المضختين. يعرض الشكل 9ب بيانات نموذجية توضح نسبة جسيمات كربونات كالسيوم كبيرة الحجم على مدار الوقت لملاط 700 نانومتر مخلوط بمضخة بحاجز وملاط 700 نانومتر مخلوط بقضيب تقليب. وحتى بعد ستة أيام؛ أقل من 77 من إجمالي عدد جسيمات كربونات الكالسيوم أصبح بقطر أكبر من ؛ ميكرومتر لكل من المضختين. يعرض الشكلان 9519( أنه قد يتطلب الأمر جسيمات 5 بحجم ؟ ميكرومتر أقل من ‎٠٠١‏ نانومتر للتكتل إلى حجم ضار.
ويمكن قياس معدل استقرار الجسيمات باستخدام قياسات النسبة المئنوية للمواد الصلبة بالإضافة إلى؛ أو بدلاً من؛ قياسات التعكر. ويمكن ‎shal‏ قياسات النسبة المئوية للتعكر عن طريق مقارنة وزن عينة قبل وبعد الطرد المركزي؛ السفط والتجفيف. على سبيل المثال؛ تم إجراء قياسات النسبة المئوية للمواد الصلبة بأنواع الملاط التي تحتوي على ‎٠,5‏ 7 بالوزن جسيمات كريونات كالسيوم مع 0,72 7 بالوزن صوديوم بولي ‎(DUST‏ 725,175 بالوزن سلفات دوديسيل الصوديوم» ودارىء تريس (هيدروكسي ميثيل) أمينو ميثان عند رقم هيدروجيني يبلغ 9. وتم إجراء قياسات النسبة المئوية للمواد الصلبة على مدار سبعة ‎call‏ حيث تم اتخاذ كمية متساوية تبلغ 1 ملي لتر كل يوم وتم تجفيفها في فرن حرارته "م لمدة ساعة؛ وتم قياس فرق الوزن. يعرض الشكل 110 بيانات نموذجية توضح نسبة قياسات مواد صلبة لملاط 2 ميكرومتر مخلوط بقضيب تقليب وملاط 2 ميكرومتر مخلوط 0 بمضخة بحاجز. يعرض الشكل 10ب بيانات نموذجية توضح نسبة قياسات مواد صلبة لملاط 700 نانومتر مخلوط بقضيب تقليب وملاط 700 نانومتر مخلوط بمضخة بحاجز. خلال يوم واحد؛ في كلا الشكلين 10 و10ب؛ انخفضت كمية المواد الصلبة في المضخة ذات الحاجز؛ بشكل حاد؛ في حين أن النسبة المئوية ‎gall‏ الصلبة عند استخدام قضيب تقليب ظلت تقريبًا كما هي. وبالتالي؛ كان قضيب التقليب 5 أكثر فاعلية في الحفاظ على الجسيمات في حالة معلقة. وفي بعض التنفيذات؛ يمكن تحديد جودة السطح المصقول؛ بشكل جزئي؛ بواسطة كمية الخدوش على السطح المصقول؛ باستخدام وسيلة تصوير وميكروسكوب. على سبيل المثال؛ يمكن تحديد خدش سطح مصقول لركيزة؛ باستخدام وسيلة تصوير ‎Nikon‏ عالية الدقة ‎Nikon high resolution‏ ‎imager‏ وميكروسكوب ‎Zeiss‏ متحد البؤرة ‎Zeiss confocal microscope‏ ومن الممكن أن يقوم ملاط 0 كربونات الكالسيوم بصفل واحدة أو أكثر من المواد المغلفة على ركيزة بدون خدش أو إلى حد كبير خدش طبقة تحتية. على سبيل المثال؛ فإن المصطلح "إلى حد كبير” في سياق الخدش يشير إلى وجود أي خدوش لها حجم مساوي أو أكبر من ‎١‏ ميكرومتر عند ملاحظته باستخدام مجهرية ضوئية ‎optical microscopy‏ وتعرض الأشكال 11أ- 1ج مجموعة صور لركائز مصقولة باستخدام ملاط كربونات الكالسيوم. ويعرض الشكل 111 صورة لركيزة مصقولة بجسيمات ؟ ميكرومتر ومشتت. 5 وظهرت بعض خدوش الركيزة بالقرب من حواف الركيزة. ويعرض الشكل 1 [ب صورة لركيزة مصقولة بملاط كربونات كالسيوم 7,5 ميكرومتر» ويعرض الشل 11ج صورة لركيزة مصقولة بملاط كربونات
كالسيوم 5,5 ميكرومتر. وقد عرضت الركيزة المصقولة باستخدام جسيمات كبيرة؛ المزيد من الخدوش؛ مقارنة بالركيزة المصقولة باستخدام جسيمات أصغر. يعرض الشكل ‎١١‏ رسم بياني للتدفق يوضح طريقة لصقل سطح ركيزة. ويمكن إجراء الطريقة 1200 بعمليات مختلفة؛ قليلة أو إضافية.
عند القطاع ‎١77١0‏ في الطريقة ‎VY ov‏ يتم صقل سطح الركيزة بملاط كريونات الكالسيوم»؛ حيث يتم تغليف الركيزة بمادة مرنة ناعمة. ويشتمل ملاط كريونات الكالسيوم على مشتت؛ خافض توتر سطحي ‎Soil‏ ¢ ومجموعة جسيمات كربونات كالسيوم معلقة في محلول. وفي بعض التنفيذات» عند القطاع ‎١٠١‏ بالطريقة ‎١٠١‏ والقطاع السابق ‎YY‏ يتم بشكل اختياري خلط مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم في المحلول؛ ‎La‏ يشمل ‎cide‏ وخافض توتر
0 سطحي أنيوني؛ لتشكيل ملاط كربونات الكالسيوم. وقد يتم الخلط باستخدام واحد أو أكثر من خلاط من نوع قضيب تقليب ممغنط؛ خلاط من نوع دفاع؛ مضخة ‎«Jalan‏ مضخة ‎Jade‏ مضخة تمعجية؛ ومضخة مرتفعة الضغط. وفي بعض التنفيذات» يكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في ملاط كربونات الكالسيوم مساوي أو أقل من حوالي ‎77.٠0‏ بالوزن. وقد تشمل المادة المرنة بوليمر؛ جل مائي غير عضوي؛ أو جل
‎Sle 5‏ بوليمري عضوي. على سبيل المثال؛ قد تشمل المادة المرنة على جل مائي بوليمري عضوي. وفي بعض التنفيذات»؛ تشتمل الركيزة على مجموعة سمات؛ ويكون لكل من السمات قطر يبلغ من 8,» نانو متر إلى حوالي ‎٠0٠0‏ نانو مترء بين حوالي ‎١‏ نانومتر وحوالي ‎٠٠١‏ نانومترء أو بين حوالي © نانومتر وحوالي ‎٠‏ 9 نانومتر. وفي بعض التنفيذات»؛ يتم صقل سطح الركيزة المغلفة بمادة مرنة؛ بدون خدش سطح الركيزة إلى حد كبير. ويعمل واحد من المشتت وخافض التوتر السطحي
‏0 الأنيوني؛ أو كلاهماء على اختزال جهد زيتا في الملاط. ‎By‏ بعض التنفيذات؛ يكون جهد زبتا في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎٠-‏ © ملي فولط. يعرض الشكل ‎١١‏ رسم بياني للتدفق يوضح طريقة نموذجية لتصنيع ملاط كريونات كالسيوم. ويمكن إجراء الطريقة 1300 بعمليات مختلفة؛ قليلة أو إضافية. وعند القطاع ‎١١٠١‏ بالطريقة ‎OF‏ يتم خلط مشتت وخافض توتر سطحي أنيوني في محلول.
‏5 وقد يكون للمحلول قوة أيونية مطلوية. وفي بعض التنفيذات؛ يشتمل المحلول على واحد من دارىء وماء؛ أو كليهما. ‎Ay‏ بعض التنفيذات؛ يشتمل المشتت على صوديوم بولي أكريلات؛ صوديوم «-
‎«lh‏ صوديوم تترا بيرو فوسفات؛ صوديوم هيكسا ميتا ‎cling‏ صوديوم بولي ألومينات؛ صوديوم تترا بورات» صوديوم تراي ‎cling‏ صوديوم سيترات؛ أو توليفات منهم؛ ويشتمل خافض التوتر السطحي الأنيوني على سلفات دوديسيل الصوديوم؛ بولي سوربات؛ أوكتيل فينول إيثوكسيلات؛ أو توليفات منهم. وعند القطاع ‎١77١0‏ بالطريقة ١٠7٠؛‏ تم إضافة مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم في المحلول لتكوين ملاطء حيث يكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎٠٠‏ بالوزن. ‎Ag‏ بعض التنفيذات؛ يبلغ تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم في الملاط من حوالي 8 بالوزن إلى حوالي ‎7٠00‏ بالوزن. وقد تكون مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم معلقة في المحلول. وقد يكون جهد زبتا مساوي أو أقل من حوالي ‎Vom‏ ملي فولطء مساوي أو أقل من حوالي 0 —€0 ملي فولط مساوي أو أقل من حوالي ‎ov‏ ملي ‎ald‏ أو مساوي أو أقل من حوالي ‎Tom‏ ‏ملي فولط. على سبيل المثال؛ يكون جهد زبتا في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎٠-‏ © ملي فولط. وقد يكون متوسط قطر مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم صغير بشكل نسبي؛ حيث أنه قد يكون مساوي أو أقل من © ‎cig Sie‏ بين حوالي ‎٠١‏ نانومتر وحوالي ؟ ميكرومتر؛ بين حوالي ‎Vo‏ ‏نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر» بين حوالي ‎"0٠0‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر؛ أو بين حوالي ‎Sve‏ ‏5 نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر. وفي بعض التنفيذات؛ فإن أقل من حوالي 75 من إجمالي عدد جسيمات كربونات الكالسيوم يكون له قطر أكبر من حوالي ؛ ميكرومتر. وفي بعض التنفيذات؛ عند قطاع ‎١37٠‏ بالطريقة ‎٠3٠١‏ يتم بشكل اختياري خلط مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم على مدار الوقت للحفاظ على تعلق جسيمات كربونات الكالسيوم في المحلول. وفي بعض التنفيذات؛ قد تكون مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم معلقة في المحلول لمدة ستة 0 أيام على الأقل. وفي بعض التنفيذات؛ قد يتم خلط مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم باستخدام واحد أو أكثر من خلاط من نوع قضيب تقليب ممغنط؛ خلاط من نوع دفاع؛ مضخة ‎Galan‏ مضخة ملاطء مضخة تمعجية؛ ومضخة مرتفعة الضغط. ‎(Sag‏ صياغة تركيبة تشتمل على ملاط كربونات كالسيوم ثابت؛ حيث يشتمل الملاط على مجموعة جسيمات كربيونات كالسيوم معلقة في محلول؛ ويشتمل المحلول على ‎cide‏ وخافض توتر سطحي. 5 ويكون تركيز مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم منخفض نسبيًاء بحيث يكون مساوي أو أقل من حوالي ‎75.٠‏ بالوزن؛ مساوي أو أقل من حوالي 7700 ‎ela‏ أو بين حوالي ‎Love‏ بالوزن وحوالي
بالوزن. وقد يكون متوسط قطر مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم صغير بشكل نسبي؛ حيث أنه قد يكون مساوي أو أقل من © ميكرومتر؛ بين حوالي ‎٠١‏ نانومتر وحوالي ؟ ميكرومتر» بين حوالي ‎"٠‏ نانومتر وحوالي ؟ ميكرومتر؛ بين حوالي 700 نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر؛ أو بين حوالي ‎2٠٠‏ نانومتر وحوالي ‎١‏ ميكرومتر. وفي بعض التنفيذات؛ فإن أقل من حوالي 75 من إجمالي عدد جسيمات كربونات الكالسيوم يكون له قطر أكبر من حوالي ؛ ميكرومتر. ويمكن تصميم المشتت وخافض التوتر السطحي لخفض جهد زيتا في الملاط. وفي بعض التنفيذات؛ قد يكون جهد زيتا في الملاط مساوي أو أقل من حوالي ‎Tom‏ ملي فولط مساوي أو أقل من حوالي - ‎٠‏ ملي فولط» مساوي أو أقل من حوالي - ‎٠‏ 5 ملي فولط» أو مساوي أو أقل من حوالي ‎Tom‏ ملي فولط. وفي بعض التنفيذات؛ يبلغ تركيز المشتت في الملاط من حوالي 7001 بالوزن إلى حوالي 0 7,0 بالوزن. ومن الممكن أو يكون ملاط كربونات الكالسيوم مقاوم للتكتل وقد يظل في حالة تعلق لفترة زمنية طويلة. ويمكن تنفيذ تركيبة ملاط كربونات الكالسيوم طبقًا للوصف الوارد أعلاه بطريقة صقل ركيزة. وفي بعض التنفيذات» تشتمل الركيزة؛ ‎Wha‏ على الأقل؛ على مادة مرنة ناعمة؛ أو تكون مغلفة بمادة مرنة ناعمة. على سبيل المثال؛ قد تشتمل المادة المرنة على جل مائي بوليمري عضوي. وفي بعض 5 التتنفيذات؛ قد تشتمل الركيزة على مجموعة سمات؛ ويكون لكل من السمات قطر يبلغ من حوالي #,؛ نانو متر إلى حوالي ‎٠٠0‏ نانو مترء بين حوالي ‎١‏ نانومتر وحوالي ‎٠٠١‏ نانومترء أو بين حوالي * تانومتر وحوالي ‎٠ ٠‏ نانومتر. قد يتم صقل الركيزة بالمادة المرنة الناعمة أو التغليف بالمادة المرنة الناعمة؛ بدون خدش الركيزة إلى حد كبير. وفي بعض التنفيذات؛ ‎dads‏ الطريقة على خلط؛ قبل صقل الركيزة؛ مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم في المحلول مع المشتت وخافض التوتر السطحي 0 الأنيوني باستخدام واحد أو أكثر من خلاط من نوع قضيب تقليب ممغنط» خلاط من نوع دفاع؛ مضخة بحاجزء مضخة ملاط» مضخة تمعجية؛ ومضخة مرتفعة الضغط. وطبقًا للاستخدام في الكشف الحالي؛ فإن المصطلحات ‎Cam Cais daily’‏ 'متضمن” وما إلى ذلك؛ ينبغي تفسيرها باعتبارها شاملة وليست محددة أو مقتصرة على شيء معين. وينبغي تقدير أن كافة توليفات المفاهيم السابقة (شريطة أن تكون تلك المفاهيم ليست متعارضة بشكل 5 تبادلي) من المتصور اعتبارها جزءِ من موضوع الاختراع الذي تم الكشف عنه في هذه الوثيقة. على ‎dag‏ التحديد؛ فإن كافة توليفات الموضوع المطلوب حمايته التي تظهر في نهاية هذا الكشف تم
تصورها باعتبارها ‎ci‏ من موضوع الاختراع الذي تم الكشف ‎die‏ في هذه الوثيقة. ولأغراض ‎lady)‏ ‏لن تتم مناقشة و/أو عرض العديد من هذه التبديلات والتوليفات بشكل منفصل في هذه الوثيقة. قائمة التتابع: ‎cardi es °F‏ "ب" ‎lind‏ الصوديوم ‎Na TPP‏ ‎Na PA 1.2‏ ‎Na PA 15‏ التحكم" 0ج جهد زيتا (ملي فولت) 2 قيمة زيتا (ملي فولت) 'ه' ‎CaCO3‏ مع صوديوم بولي اكريلات 4 الوزن ‎Sal‏ لصوديوم بولي اكريلات المضاف ‎"J‏ جهد زيتا 5 "ح' تركيز المشتت )7( ‎aM‏ زبتا لخافض التوتر السطحي ‎YS‏ توين 20 تريتون ‎X‏ ‎SDS‏ ‏20 التحكم" 'ك". المتوسط جهد زيتا ‎SDS‏ + مشتتات ‎yg‏ التحكم ‎Na 100+ 5‏ ‎"Na PA 1.2+SDS‏ ‎"a 25‏ جهد زيتا ‎«CaCo3 + SDS J‏ بالرقم الهيدروجيني ان" تعكر ملاط 2 ‎CaCo3‏ ميكرومتر لس" التحكم ‎SDS +NaPA 'g¢'‏
اف" الزمن (دقيقة) اص" التعكر ‎(NTU)‏ ‎J‏ ميكرومتر ‎J‏ جسيمات ضخمة 2 ميكرو ‎fie‏ على مدار الوقت ‎"FS‏ جسيمات ضخمة 700 ميكرو متر على مدار الوقت ات" قضيب تقليب اث" حاجز 'خ" ‏ الزمن (يام) لذ" إجمالي كثافة الجسيمات الضخمة )7( 0 'ض”_النسبة المئوية للمواد الصلبة بحجم 2 ميكرومتر أ" النسبة المئوية للمواد الصلبة بحجم 700 ميكرومتر 1" المواد الصلبة7 0 طريقة صقل سطح ركيزة 0 خلط مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم في محلول يشتمل ‎el‏ مشتت وخافض توتر سطحي انيوني باستخدام واحد أو اكثر من قضيب تقليب ممغنط؛ خلاط من نوع ‎lia‏ مضخة ‎«Galan‏ مضخة ‎(dle‏ مضخة تمعجية؛ ومضخة مرتفعة الضغط لتكوين ملاط كربونات كالسيوم 0 صقل سطح ركيزة بملاط كريونات الكالسيوم؛ حيث يتم تغليف الركيزة بمادة مرنة؛ حيث يشتمل ملاط كربونات الكالسيوم على مشتت؛ خافض توتر سطحي انيوني؛ ومجموعة جسيمات كربونات كالسيوم معلقة في محلول 0 1300 طريقة تصنيع ملاط كريونات كالسيوم 0 خلط ‎cide‏ وخافض توتر سطحي انيوني في محلول 0 إضافة مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم في الملاط مساوي أو اقل من حوالي 72.0 بالوزن 0 خلط مجموعة جسيمات كربونات الكالسيوم على مدار الوقت للحفاظ على تعلق جسيمات 5 كربونات الكالسيوم في المحلول

Claims (1)

  1. عناصر الحماية 1- تركيبة تشتمل على: ملاط كريونات كالسيوم ‎calcium carbonate slurry‏ الذي يشتمل على مجموعة جسيمات كريونات كالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ معلقة في محلول» حيث يكون القطر المتوسط للمجموعة من جسيمات كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ بين ‎٠١‏ ناتومتر إلى ؟ ميكرومترء وبحيث يشتمل المحلول على؛ (1) مُشتت ‎Ju dispersant‏ اختياره من المجموعة من: صوديوم بولي أكريلات ‎sodium‏ ‎¢polyacrylate‏ صوديوم «-سيليكات ‎sodium n-silicate‏ صوديوم تترا بيرو فوسفات ‎sodium‏ ‎ctetrapyrophosphate‏ صوديوم هيكسا ميتا فوسفات ‎¢sodium hexametaphosphate‏ صوديوم بولي ألومينات ‎sodium polyalluminate‏ صوديوم تترا بورات ‎sodium tetraborate‏ صوديوم تراي 0 فوسفات ‎sodium triphosphate‏ صوديوم سيترات ‎sodium citrate‏ أو توليفات منها: وبحيث يكون تركيز المُشتت ‎dispersant‏ بين 9060.1 بالوزن 5 %0.5 بالوزن من الملاط ‎sslurry‏ و (2) خافض توتر سطحي أنيوني ‎anionic surfactant‏ يتم اختياره من المجموعة: سلفات دوديسيل الصوديوم ‎«(SDS) sodium dodecyl sulfate‏ بولي سوريات ‎«polysorbate‏ أوكتيل فينول إيثوكسيلات ‎coctylphenol ethoxylate‏ أو توليفات منهم؛ 5 حيث يكون تركيز جسيمات كربونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ في ملاط كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate slurry‏ مساوياً أو لا يتجاوز 962.0 بالوزن؛ و ‎Cua‏ يكون جهد زبتا ‎zeta potential‏ في الملاط ‎slurry‏ مساوي أو لا يتجاوز © ملي فولط. 2- التركيبة وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون الرقم الهيدروجيني للملاط ‎slurry‏ ما بين 8.5 0 1055 3- التركيبة وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون ما لا يتجاوز 965 من العدد الإجمالي من جسيمات كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ بقطر يتجاوز 4 ميكرون.
    — 8 2 — 4- التركيبة وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يتراوح تركيز خافض التوتر السطحي الأنيوني ‎anionic‏ ‎surfactant‏ بملاط كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate slurry‏ من 960.01 بالوزن و97610.0 بالوزن. 5- التركيبة وفقاً لعنصر الحماية 1؛ حيث يكون المُشتت ‎dispersant‏ هو صوديوم بولي أكريلات ‎sodium polyacrylate‏ ويكون خافض التوتر السطحي ا لأنيوني ‎anionic surfactant‏ سلفات دوديسيل الصوديوم ‎.sodium dodecyl sulfate‏ 6— طريقة لصقل سطح ‎substrate 83S)‏ مُغطاة ‎soft material 43 ye Balas‏ بملاط كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate slurry 0‏ وفقاً لأي من عناصر الحماية 1 حتى ‎S‏ ‏7- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 6( حيث تتضمن المادة المرنة ‎soft material‏ جل ‎Sle‏ بوليمري عضوي ‎-organic polymeric hydrogel‏ 5 1 8- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 6 ¢ حيث تشتمل الركيزة ‎substrate‏ على مجموعة سمات 4 ويكون لكل من السمات قطر يبلغ من ‎١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ نانو متر. 9- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 6 ‎Cus‏ يتم صقل سطح الركيزة ‎substrate‏ المغلفة بالمادة المرنة ‎soft material‏ بدون خدش سطح الركيزة ‎substrate‏ إلى حد كبير.
    0- طريقة لتصنيع ملاط كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate slurry‏ وفقاً لأي من عناصر الحماية 1 حتى 5؛ تشتمل على: خلط مشتت ‎dispersant‏ وخافض توتر سطحي أنيوني ‎anionic surfactant‏ في محلول؛ و إضافة مجموعة جسيمات كربونات كالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ معلقة في المحلول لتكوين 5 ملاط ‎slurry‏ لتحقيق تركيز من جسيمات كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ في الملاط ‎slurry‏ لا يتجاوز 77.30 بالوزن.
    1- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 10؛ تشتمل كذلك على: خلط مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ على مدار الوقت للحفاظ على تعلق جسيمات كربونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ في المحلول.
    2- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 10؛ تشتمل كذلك على: خلط مجموعة جسيمات كريونات الكالسيوم ‎calcium carbonate particles‏ بالمحلول مع المشتت ‎dispersant‏ وعامل خفض التوتر السطحي | لأنيوني ‎anionic surfactant‏ باستخدام واحدة أو أكثر من قضيب تقليب مغتنطيسي ‎(magnetic stir bar‏ خلاط من النوع الدفاع ‎cimpeller type mixer‏ 0 مضخة بحاجز ‎¢diaphragm pump‏ مضخة ملاط ‎slurry pump‏ مضخة تمعجية ‎peristaltic‏ ‎cpump‏ ومضخة ضغط مرتقع ‎pressure pump‏ طعنط. 3- الطريقة وفقاً لعنصر الحماية 10؛ تشتمل كذلك على: خلط المشتت ‎dispersant‏ وعامل خفض التوتر السطحي ‎١‏ لأنيوني ‎anionic surfactant‏ مع ‎¢slall‏ ‏5 دارئ ‎buffer‏ وعامل استخلاب ‎chelating agent‏ لتكوين المحلول.
    LE i% ] 3 6 ‏رع‎ ‎* ‎¥ asscsogosin fn Et SEER FEE) 3 0 ‏ا را الا‎ Waa Say EE SSA fee Belen ‏ا م‎ 1 Fi 4 ‏ا‎ y FAN LE Ta oe SE 3 ® Sd ‏م ا‎ A Ed _- at ‏الم ا ري الا ا ل‎ ‏ا ال الال ااا ا‎ FE £7 At = SESE Ee AP LAs SN OSA Laser ¥ Eat SS Fa] ¥ Ae ‏ارا‎ ‏جر ا اااي ا ال ند كيدا‎ ¥ om PS ES 8 re Fs Er ‏ال‎ aaa ay Jy Er ‏ريني ا وا ا ا‎ a ‏رخ‎ 3 Eg ‏بي‎ ‏اي‎ eA ‏لع ايب ل‎ ‏را ار ا ا ا‎ ‏ا ا ا ار ل‎ 2 x FA FSS EN Edd VX ith ‏ا ام‎ 2 ‏اجا ا 1000 ارا ا الا‎ AE Sd Se Bs Li 0: 29 ‏ا اللا م‎ lS 7 Sd Ele) A 7 ¥ A ‏ب دل اا الها اك الاي ل‎ see § a ‏اي‎ Sas AE > ne SETS ‏اام‎ : You Ct Ct a ‏ا‎ Rada : Se 3 ts eee 1 A ot Sa 3 A Fe 5 LE #0} AE Sty Pale Aaa
    = J. RE Hr Fle Fee ry ws ee Tot ‏الا‎ ‎er So Se FEF ‏ا‎ 5 1 ¥ x ‏حي‎ - EAS Pd . * ‏ا ا‎ 7 Pred - te Shits FA i Sere ‏ا م تتأ تر‎ ‏م قري ا اي" اا الا‎ Ed ‏ا أ‎ FA SG EEA a a ev] ee fT 7 ‏ا‎ ‎Vad ‏ا ل و ا حت << اي‎ A * Ld \ ) 5 & + 22
    ‏.ا ها‎ Avan EY a x * . * i ‏ججح‎ A 0 - rer cence A AAA RA % & 7 Se TE SE ‏ال‎ ‏امس‎ ine LA hy A bende, ET ‏ا‎ a] Be ¥ i 2 ‏ع را ااا دع ا "مي نر‎ ‏بن‎ ¥ ; Eg bE Sed hh Fol Fr fol ‏ل‎ ‎Yoel dS EASY ba 2 ‏وا الاي الي ال فد ما‎ ‏ب‎ % Fore” : "a ee Fatale § -—} A See] Cs Fore 3 SESE 2 BL ve ee A i i 1 ¥ 8 ‏م‎ Ea w nd va i Dy 2 ‏ا‎ ‎¥ / A ‏من‎ ‎> ‏ا لححح جح كرا‎ ly i a 3 ‏ل يد جز اسمس را‎ ‏وح وجو جو د ان ا ل ين‎ a. J ER Le felt ; = inne rt ‏ل اا ا‎ Coty 5 a ‏ا ل ال يي‎ 7 ‏ا‎ es So or - tel FEE BE Eres Ls Feet ‏م‎ i ‏ب‎ Fl a a at ‏ا ل‎ 2 BE ‏“بن أل الح‎ SC Ft ‏ال ل ايد لد اليا لي ا ال را اراق‎ ‏ب ل اي ارا ا اث ب راع‎ ‏ل اااي الاق ا ل‎ ‏ل ل 1 يي‎ 5 ax A 8 a SREP RRSP OP OI ‏ل‎ OID ‏اا‎ PROP BPE EF EE EEE ET ETE ; + N vocreserorerld STi] AA $c £& 2 ‏شكل ؟‎
    قا 3 ¥ . ¥ ‎a‏ & & $ 2 جتحي ححا توتو توت توت توق توت توت توت ‎RRA RRA EEE‏ توتو توت توت توق توت توت توت ‎RRA RRA <p EEE‏ * ايا 1 ايا ‎Pee‏ .ا 0 ‎ee]‏ 7ت ا ااا متيل - 5 ‎oom‏ ¥ ‎mmm mt mm mm mm 2 mm mm mr ent mm A Am tm mm mm fm mm mr‏ سس ل 1 ‎nm‏ » 3< #6 3 دام ‎See‏ ‎ARYAN AA AAA ARN ahha‏ أ ب ب ب ‎Rm Jf ee‏ ‎B § i 1‏ = ال ا ا ‎i i‏ 4 } ‎mmm em rm mm mmm mem mmm 1‏ ل لال 8 ‎om‏ ب اسمس لأسا سس سا سس لأس سس ااا ااانا ها ار ‎va‏ 8 ‎«Woon‏ ‎x‏ 1 £ ‎Koy‏ ‏أ 0 ,+ ¥ ¥ ‎«A‏ ; » ¥ 2 £3 * 3 * ¥ * ماخاح ‎AAA AAA AR AAA AA AAAI ARR AR‏ اام يان ناما اماي ماك نا يريا يا يليا ييا لماجي ااا ‎A AA A AAA AAA AA AAA AAAI AAA AA‏ تود تانانانانا ااانا ااانا ‎AAA AA ALMA A‏ ندند * ‎i‏ : ‎i‏ : ‎i‏ ‎AATARAARS‏ 00 صصص صصص ل [([( ل ‎Vom hn SEE‏ ٍ ‎i‏ ¥ ا ‎em errr anes name nme‏ لج ‎rm mem ene fame n‏ + ‎M‏ 1 * ‎bi miosis en rr {‏ — ¥ ‎i‏ إ { ‎$y i i‏ : دك * ‎Wow‏ ‎i‏ & سا ‎Fs‏ ‏8 | ا اا ‎rsa Ect we be Ld‏ ل 8 ‎Yoram‏ ‎oe A‏ ‎Nao ere amet 1 enmnmsemananannnn panes‏ 1 { ‎i‏ 3 ‎i‏ ا 1 ‎i‏ ال ا ‎«wo»‏
    « | » w 7 WS : * 3 TEES - ws FER
    2 ‏.م‎ 2, oS 0 1 2 ‏ااا اك‎ ‏ا‎ {a 2 yo ia - 1 : ‏ل الا ا‎ A ‏ال‎ - ¥ SN beige ad at FR iC as Rp veins arn reese lr ‏ار ييا‎ NARA AAR FN Se et hed FAS SL ‏ا‎ ‏ار ا‎ Feo Ss ata ‏ا‎ ‎NE ‎le
    ‎1 . Se * on 25 ‏و‎ 2 3 ‏مر‎ ‏ا‎ 0 SS ‏ايم ايب أن احم لاحي ممت يجت لان على و‎ UI UNS ‏امت‎ UU UU ‏ال ةس ةا ا ااه # ل‎ ‏ااا ااا ا ااا اتا اا ااا ااا ل 8 لا‎ ‏اللللللللللللل لس ل سللسلللللللللت ه ال‎ . ِ « $ Jd IY 0 21 «© per J « ‏ل سا‎ o ‏ا‎ peer SI EE Fao ‏ا‎ 7 a PE 7 FAG ‏ا الا مرا‎ Se \ ٠ Wa Fo Jes ‏اتح دع ةمح رع كن زدلي الح حت مع لت عع عه تعس كن تا ال لحت اع عع مح نحو يا الال‎ ‏لاك‎ ss frase Ve Et ‏وا ا‎ ‏م رم ب ع رن 5 م‎ ‏ا ا ا‎ ¥en CL Ts Fo GE SA Vos pt He i ‏ا‎ fe ‏ادال مر‎ A SEN Sl * ns es fl EO canna pa Brant sean ‏د راان سا‎ ana aaa pT freeads 8 5 he 5 5 5 Los i 5 5 ‏ا‎ 5 RA PE oat SEE “on ¢ LIA 2 Sa & ‏سا‎ ETS AS : ET ny AE Et Se rs & AT ft HEE * ‏ل اا كلأسي ها‎ FS ‏بحل‎ nn A APNE COANE ‏را‎ Vie ps oa ot ’ Ea TE d n rss pe ‏س4 ل‎ SE een JR ‏متسس تسسات تسسا سس سلما‎ 0 ‏ل‎ ‎2 ‏ار‎ Ey. alan A ‏وا‎ ‎7 Ws : ‏تزكر ااا وا‎ A a ‏سا ااا لاا‎ AAA SE ‏لاا‎ A A ‏ا‎ ‏ل ا ا اا سا ل تاس يسا اه ا أل‎ ‏شكل ه‎
    23 ب ‎Ye,‏ م ‎x x prs gue gg‏ سمو ا جرعي ضار من أبن أ اتن تي تي ا ‎a‏ كني نين اهدي ‎AE‏ ‏لي مر ا ل ل ا ا ل ا ا ا ا الا درا الا ا د ال اليا قي فيز "لذن “ير ا ار جا م م لمجي تح ال كن كر ا د ان ارا ا ‎SS, a‏ م ام ل من ‎ot‏ ‎it ’ 7 ada‏ دح ا ااا عر أ ال قير ل الى ار ل القن ااا ااا اا ا 7 7 7 } م ‎J‏ 9 م كي اب بل ل جا ‎SSE 1 Lod else‏ ‎HR ar ay 7‏ ~ ‎ol Ri Cy A EE 0‏ سجس ااه ‎AA‏ أي كي ‎HE‏ ‎A 7 ar‏ لون ين ليع لين د في “لمن ‎ASE a A oy‏ ا ا ال ل ال اي ا ل ل لا ان لاي ا 2 3 ا رت 27 اي ‎Y Bom i LS‏ 8 ل ‎RE ٍ Sy‏ كي ‎Les FE‏ ا ‎SEE‏ ‎Snr PASSA LAS‏ أي ‎Cr A AA‏ م ا ير ب مخ رن ع ‎EEN I‏ ‎AS Bs‏ ‎w ES ES Sl A‏ الح ممم ماك ان ل 777 ‎TX om ivi SEE Assan ree A‏ ‎FE A‏ ا ّ ‎EE el I‏ ‎ry SESE‏ لا ل ا ال لال ‎oe lind‏ ‎Sa‏ را لك ‎fhe‏ ‎Ls‏ ; ‎FE‏ 0 ‎EAE EE‏ = ل لج كمعد تي كدر لير تيه" م ‎oo‏ ‏اا لوا ا ا ام ع ‎ar‏ ‏وال ا ديرا ف ليبا ار ل رك تج ين بر ل الي ان اين م ‎be‏ ‏ال + ‎mrt‏ و عع لاا سف مسمس ساسصسس سابال لم سل سسسب اه ‎BF‏ ‎Jd‏ 1
    — 4 3 — ‎Ch» X32‏ نب ا ا سسا # ا ‎1١‏ ‏5 > 7 8 ض 3 هك لبا ‎Vax‏ ‎nim mand ns oon ——‏ 0 ب يسيس ‎A BOR heme dm‏ ‎Ko» a‏ 1 8 صن و3 6 ل ا أو بو بي لأست ا لاس ‎Emma‏ او 5
    ‎i. ox {po “¢ =‏ ليم ا لل ل 3 ‎Yo a‏ : ‎eb‏ م مستا “سسا ‎٠‏ ‏8 5 اح * § * ؟ * ¥ ¥ ‎i‏ ¥ 33 + غلا 8 ‎V I‏
    بو خا ا ا ال ‎ANT‏ ل 8 3 ‎NLS eR‏ ا ‎ye : nN‏ ٍ وت ل صصص ‎a‏ ا ل © الحا ‎YL B TSU‏ ثقة ال" ا ‎Nae NN‏ = ‎ATT men i‏ ؟ ‎wp‏ د ا ا لاس : ‎Eas Ca aN‏ ‎ARR PONG‏ ب ‎Na 2 CONGR PR ONT 0 BEX‏ 0 ع ‎NE NN COON Ee WO vn SE NNN Sa Le S pe‏ ‎ANE vw 5 IR‏ “قي ا ‎No Oa a vo Ee ANNE EN ZY: ANN‏ 0 ل ِ 0 0 0" ‎New ~~‏ الإساق @ ‎Ey Uh Oo oN ao 2 8) NE oN a‏ ‎NE Ne 0 -‏ ا ا ا ال ل ‎SAN oN Ne Coe ae © ono‏ ‎On Te wb‏ ا ‎RE 0 ed Lu <0 NN‏ ‎NE Ne don oe‏ ا ‎Chan NE Na‏ ا . ‎a a‏ . د ‎NN‏ ا ا ا ا ا ا ‎Ch I‏ ٍ ا ا ا ‎a Nu‏ ا ا ‎a a ER‏ ا اا ل ‎EN Ge‏ ا ‎ha ae NE LSE CRE SE CONE‏ ام ل ل ا ا ‎Ne SONNE a a an‏ حا ‎on‏ )0 - ‎EN‏ ا ‎NNR NN a EA‏ 0 ا 1 ل ا ا ا ا ‎a eh‏ ا ‎Ca La oo‏ 0 ‎a ae a oN TE on aa‏ ا ا ‎CL i 0 4 Con ND vo‏ ل ا ‎a SNE ae NON ANY CoE‏ ا ‎See NE‏ ا ‎GE A NEE NN a Von «aE Sl SN a‏ ا اا ‎EE wn 2 Ean 0 0 RE Cola TER CEE‏ ل ا ا
    ‎a. oo oC Co NT 2 ee Re Sega Go Ne eo INE NEE Sa‏ اا 0 اا ‎CN Ne CR Ng ¢ Be‏ 0 ‎CARI i SEE AEE RY ELE a a‏ ا ا ا ل ا 1 ‎Ran NE BRE a a‏ ‎nL J NE Ea DY RET aN Loa @N iY gan hu ER‏ \ ا ل ل ل ا 8 ‎NX‏ ا ‎oF ho a‏ - . 0 ‎LL a @ Ca LL. IR a oo‏ ‎CO‏ ا ا ‎ge Lo‏ ا ا ا ا ا ال ا 3 ب ‎SF Sa Noh Wy HEE Che‏ ا ل 1 ‎NaN X A NZ OO uh a‏ ‎NE RNG ll One aus LO‏ ا ا ل ‎RE 5 ZN = feria ANN RE NRE Es Shoe‏ ‎NE‏ ا ‎aE © \ Co ‘oN ZN NU‏ > د ‎IA IE‏ ‎GR SER 8 a \ w‏ + 8 ¥ شكل ‎A‏ ‏3 - ا
    ‎Bo. ERNE ees‏ ‎ge 3 2 ERNE 4 NE 2‏ < 8 ‎Wav SONNE‏ ا ‎REN ON‏ ‎ONE‏ لدت 0 ‎NO ens Ne ¥ 8 2 ER 8 NN‏ ‎EERE ag 5 Se oN RE 5‏ ليد ‎EN GN NS NN SNE cn‏ ‎ND) Lo = Oe El on : 0 NE SENT‏ 0 اا اعت اي ا تاليا ‎Ona SN AEN‏ ا ‎ENON NN‏ ‎on‏ ا 0 ‎ENE Za NE ©) 3) Ye Gs NN Cond BS G 4 Ly‏ "0 1 ل ‎oO Si QO a‏ ا 0 0 ‎UN‏ © ب . ‎NaN or PRS ENR = 4 y‏ ل ا ‎SR ZA NE GSR ENN‏ ‎AY a 2 ¥ a .‏ ا 0 ‎oN Oe‏ ‎SN Gnd‏ اا ‎Wo AAG NN ONE‏ = ا ‎NL a‏ ‎i 0 NaN oa A) A oN‏ ا 0 ا ا 0 ‎iy‏ ; § ‎BS 0 ; a Ji an 0 Lu Lo Eo‏ ‎Co © 0 2 Lu OO)‏ . . ‎NG EN © Zn aN Re SN WN‏ ا ا 0 ‎Eo ne‏ ‎a) © ENGIN NEN OY SEER NN iE‏ ا ‎Ni‏ ا ‎NN on CRY oh SEN‏ ب ا ا . ل 0 ا 0 ‎Ea a 8 BRR wa a3 a Ree He SE © BN 0) Gn‏ ‎a‏ . \ ا 0 ‎Rs AN Sh Grn ne CER a Zr CE ARE aN NN‏ ‎oo a oh 0 Sa ANE ND LL Ne‏ ‎EN Ne CER TG 27 NN ChE a SU . . ih ;‏ ‎NN EN CoRR ENN Neon EE AN ZN Mn ERNE ZEN NG NE CENCE‏ 0 حا ‎So‏ اد ‎Ye oe = he i EN Aaa)‏ ا ا ‎SE‏ ‎SE hae Ne Nas LONE S 7 T CoRR EER ANNAN a REE CON CERN‏ ‎LD PL ae a LN) EN NN NN hae a‏ ‎Bs 1 iy 9 Se A SN RE EERE A NN No 2h a Zin Ni ui LL‏ ‎a nN Sa SG Ee NE ae 2 NO Gan Nn aE CoN NE NNR‏ ل ل ‎LL oe OR on BE hon CEN En BN EER 7 AN Sen DE NN ER‏ ‎aed‏ ال ل ال اا ا ا ل 4 ‎RR‏ ال ا ‎LE‏ ا & ا ا ‎oN NN $a an a‏ ‎Naa Zan EEE BR SE 0 1‏ ل ل ‎Gan NX EA AN LN‏ ا ‎NO 0 C0 © DL LL‏ ‎RN Nea SoBe EER Loh =‏ ا ‎ARNG ne NEA ON‏ 0 ااا ©« ‎Xe <0 LL Co Lu‏ ‎C No TEE Na EN‏ ~ . ااا ا ‎SANA LL Ni VA VL Oo CL‏ + . ا ‎FEN ANT NL‏ 2 5 م : ا سس \ ‎A ] < FJ‏
    4 2 J VY ey Tyr i 1 ‏ا‎ i ; Vol ً | | ‏انس‎ ‏مل م ال“ “دبل‎ TT ‏نابا فس _ د‎ i i i § i = in 8 A i i i j i on 1 * } ot ‏الج‎ ‎3 i i Pia 0 ‏ل‎ res 3 wes ‏أ‎ fromm ‏فيش سا ا سا‎ 3 : ! | sms ; 7 \ i { £ steer ieee ih 1 | 5 { ¥ i 1 i Fa \ i ! 1 i \ i 3 ‏هد‎ 5 3 LA f 7 3 i 1 2 BB EF can N ‏اتا‎ i] * 3 ¥ ¥ £ & % ‏م‎ ‎114 = ‏و‎ ‏ا‎ Xn . . { foe © ow 1 oC ‏لا‎ Os 2 5 14 ‏شكل‎ ‏ار ا‎ Oa JF fmm —————————————r——— [ : $a : 1 : 1 i : alr rr ‏إْ ْ إٍْ‎ : “nn i i { ‏يسيس ا ا اساسا 5 ا‎ ١ TT £ frm e—t + ‏مسي‎ & bison inicio SL Eh a ‏ا‎ Bem 0 * 3 0 ¥ £ & ‏أي‎ 7 KE a 7 0 ‏م" 23 يخ‎ : ‏م ب‎ og wo fm
    اي ال
    ‎ps po‏ ا الجا الحا ‎isp como‏ رو مي جحي ححا أو و ماي ‎A NT 3 ARE‏ 3 + ‎Fa i :‏ % ’ ثبي 5 , ض | اس ‎xy 3‏ 9 0 بر و { ّ 5 5 % 3 ‎wy‏ ‏¥ ققد ‘ لما ‎i i‏ 8 4 1 1 ا ‎vo X nnd inne i 2 ssa sissies‏ ]| بحب ‎i : oe?‏ ٍ ‎i fend‏ % | » :* ‎fe‏ اماس اشاس ااا ااا ااا ار أل 3 ا ‎XR‏ | « ‎z — 3 SS my‏ وليب يننا << ل ا" 5 ‎xn‏ ‏ا 1 1 : ‎fr £ rp‏ ا طم ‎CTT TT‏ & ‎V‏ 5 2 ¢ ¥ أ ‎x‏ ‎Woy»‏ ‏= ‏2 ‏شكل ‎٠١‏ ‏= ‎J 3‏ 3 6 ‎vo YA 3 - ¢ Y 7‏ ‎i t 5‏ 8 ‎a son‏ الل أ أي ره 0 ‎nnn DAN‏ 3 ‎WER :‏ مسجو ‎«YY‏ . ‎awa EG —‏ ا ‎nr gh‏ ساي ‎NE A‏ ا حا اعد يو ب 5 ‎ad‏ ; ‎Y‏ سه ‎ER‏ ‎boos eam‏ ‎CSN ol‏ ‎i‏ سخ 33 الا ةع } ‎i‏ ا واج 33 ‎i‏ ‎Ys 1 \ i od ii‏ ‎i i sain be‏ 8 + ااال ‎EE Ta 1 nnn‏ % & % * 1 ‎i i‏ 6 ‎or —‏ ل ل ‎oi‏ ل { | 3 مج يجت | سس سس ا ب أحمممس سه سأسي سس ا««واامسسسساسسسسسة ‎te rE‏ { د ‎Y‏ ‎eh . 0 1 : i‏ ا “اجو ااا ات ‎vg Ye rrr RR a‏ ‎i | ames 3 oe i 9 i‏ ‎I I SR Te‏ ب % & ¢ ¥ ¥ 3 * ‎feo 3‏ ‎a&*‏ ‎j‏ -
    —_ 3 8 —_ Naw 0 NEN NN ‏ا‎ NN EN . = ANNAN NN NN a © Q 0 © Lo OL . LL LL 0 ‏ا‎ : ry A Sa 8 ‏ب‎ Ne 3 2 7 3 5 SN ‏ا‎ aD © & © © © aR Vu © > . 2 @ 2 ° 0 DY Nw u . OL 0 0 OL ARN EX CINE ‏ل‎ 8 IN 7 ٍ 7 8 ‏ا‎ AN 2 X ANN NG Naa ee 5 ٍ a < . 0 ‏اا ا ا‎ ‏ل ا‎ RAR ‏ا ا ا‎ on RRR TON Na & QO ON NOON 0 UN NN nN a CL . Ha © CL 0 Mae QO LL Lo 3 EA NN oh OO 5 2 Nh) ND C0 AED 0 5 & ‏ب‎ ‏ااا ا ااا‎ 0 0 © . Oe N . . OO NN SO DOE a a OL Co 2 «© LL ‏ا ااا ل‎ 2) . TOUR ‏ا ا‎ 0 ‏ا ا‎ ‏ا‎ TNH © Lae 0 3 2 0 Ni ‏ااا ا‎ @ GQ) & LO aX) oO © Oe Co WL Le 8 88 ‏ا ااا‎ 0 ‏ا اا‎ . .
    ee . CL Sa NaN NNN ON NY a. C0 LL . Co hu Si 3 20 A SR 1 6 i 8 dt ‏ا‎ ‏ا ا اد‎ ّ “ .. ‏اي‎ LL أ١‎ ١ ‏شكل‎
    NN EOATNTEYM™M ‏تا ل ا ا‎ 8 0 ‏و الا ل ااا اا‎ ‏ل اا‎ A Qu COED ND Ne 2 Xo SN 2 OE OEY Ye Suu NRO ANE Ga Ou aN aE EY ‏ا ال‎ NN SERA 2 2 SE Za i NR IRR an NE 3 SE A GONE NE Ne OO) Ne NN ‏ال‎ NONE RE NED CONE CL WL LL REN Lue Nu CL Q Valk ON Vl EA EY Luu eX NNN ANN) OY WA RANA CNY Lu ‏ا ل ا‎ UNE ENE REN ENN NEN ENG Qo QO OOOO AZ 22 VN CONNER 2 ENON ONO OMEN NEN ‏ل‎ ‏ا ا ا ا‎ OOOO 2 AN OND LENO EY Le EOE NEY ON CL NE ONE ANN LL NE aN 2) a WEA ENE 88 ow NN ANNAN a) EN CLL UO LL SINNER ENN CONEY SN ONE NEE NNN NNN a Q) QO OO) LL GY a © OO ‏م‎ ON ENED CNR aa Lh Nd WO OY NY EY Xo Oo ‏ا‎ NOY Kae ED A We LR ‏ال ا ا‎ AD Le VO Oe ‏ا ا اا‎ ‏ل‎ NENA NEY NEE SNE NEN ‏ا ا ا ا‎ WON NY QA CNR ‏ا‎ EE LN) ONE ‏ا‎ ON ee Na TaN ‏ا ا اا ل‎ 8 0 0 NN 7 5 NANA Ey Na ER CL LL Ww ua OL NNN tN ‏ا‎ EE COE a Ya aaa Xa LL OE YR 2 A CL CLL LL Whee ‏ل ا الا‎ NE AZ aN EER NaN NED aaa Hau NE £1 NE ENE REY LN Nw LORY NR RR VR CN ‏ا ا ا ا ا ال ا ا اد‎ i ENN Se 8 INNES SONNE NEE CONNER ANA 8 ZENER TN NN SEND ‏ل‎ ZONE & No SNe ARE LN CON Vala NNN HO NO) ON A EOE A OMT Yaa ‏الا اا‎ NON NN Ne NON Nw C0 LL Le a } thi hl lhe SN ‏اا‎ NEN Lu Le ‏ا اي‎ Re Ne $$ WN ‏اا ا ا اا‎ 8 ‏ا‎ ‏ع‎
    ‎١ . ‏كل‎ »' i -— 0 ‏ا ا ا ا ا‎ ‏ل‎ oN ENE EE a 20 ENE GEE 200 CL ON a OU WN aD \ Qe a Raa NN ZX Lae No ak Na ONO Ne NENG & VL 8 8 0“ 0 ae aa ANE 2 So a) : Moa QO & Ye HK EY a 2) AE Vaan DN COE 0 \ NHR Loewe a) ‏ا ااا ا‎ ‏ا‎ Ne La Loe a) LN ‏الا‎ Lu ZN NEY a UN QO Shae NE 8 ‏ااا ا ا ا ا ا ااا‎ 0 ‏ا‎ : 2 SNE 2 NRE SE NNN a MoO NRE ENE TNR 8 AN CONE $0 Na 8 ‏ا ا ل ا ا‎ Na ‏ل اا اا ا‎ olan Ne ‏ل‎ TN Nas OY aN NaN 3 NEE EON ONE TH Nae NED Me Th Ll HN OO on aaa oe NE AERA Le NRE ‏ا‎ ‏اا ا‎ OK HIRO Nh a EE th ‏ا‎ ANS aa Oe RN VE Re SN aE ONG VR HH a Va LR RRR IRE NU OE NER ONAN TNE ZA CHEN NN NEE Qu NH HO ORO ‏انا‎ AA TERN NE fae Hx SONNE SNE Q oN AN ARE SNR OE ANE wa 2 NY Ae ON Re 4 SR 2 8 0 i 8 NN 5 NN R Ra ERNE GG ake) EON SNe Nala NN HHH ‏ا‎ 1 OK Oe No NR 5 8 2 aN SONNE 2 = 2 5 8 ENE 2 1 a 2 0 ‏ا ل‎ a SE 0 a) 0 QO Xe 0 0 & oa NDE Na EE RENE aN . Wn Ln ‏ا ا ا ا ا ا‎ 8 Naw ONE ONO NOHO Ne Ch THER w NNN Yaa LL QO Na 2 LL 0) AY AH XO HM aaa Na Cl Lhe Lh Thaw NX a NOHO OO Oe aN THR ey © NONE 2 SONNE 5 ‏ا‎ 8 ONE NN 3 i ARNE SAN o We Lilie wn Lu
    NN. ON ee OE ‏ا ا أ ال‎ ‏اا ا ا‎ a) EME RON TREO RON OEE HEE EE Qu EEN \ ‏كل‎ Ci
    _ 4 0 _
    ‏.و‎ ‎3 ‎“YE. ‎Le ‎: j i { 1 i 1 ) ee eee ee eee
    YY. RE VY ‏شكل‎
    0 hl Xk yg Pa i v ysYY.
    YY. mom nme nl : i f ‏زر‎ ‎: ‏أ‎ ‏اي سيم يسا يا ا الي يعد يبي يي التي لي يتم اليا لا تبي الم يا يد ل ييا ا لي ل ل لص‎ VY ‏شكل‎
    الحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية ‎Swed Authority for intallentual Property pW‏ ‎RE‏ .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < ‎Ne‏ ‎ge‏ ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام ‎TEE‏ ‏ببح ةا ‎Nase eg‏ + ‎Ed - 2 -‏ 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها ‎of‏ سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ‎٠.‏ ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب ‎101١‏ .| لريا ‎1*١ uo‏ ؛ المملكة | لعربية | لسعودية ‎[email protected]
SA519402469A 2017-02-24 2019-08-18 ملاط كربونات كالسيوم SA519402469B1 (ar)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762463533P 2017-02-24 2017-02-24
PCT/US2018/019019 WO2018156629A1 (en) 2017-02-24 2018-02-21 Calcium carbonate slurry

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA519402469B1 true SA519402469B1 (ar) 2023-01-09

Family

ID=63254311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA519402469A SA519402469B1 (ar) 2017-02-24 2019-08-18 ملاط كربونات كالسيوم

Country Status (13)

Country Link
US (2) US11214712B2 (ar)
EP (1) EP3585846B1 (ar)
JP (1) JP6955569B2 (ar)
KR (1) KR102370056B1 (ar)
CN (1) CN110546221B (ar)
AU (1) AU2018225631B2 (ar)
CA (1) CA3053175C (ar)
ES (1) ES2904456T3 (ar)
IL (1) IL268613B2 (ar)
SA (1) SA519402469B1 (ar)
SG (1) SG11201907230RA (ar)
TW (1) TWI665274B (ar)
WO (1) WO2018156629A1 (ar)

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3245819A (en) 1962-07-30 1966-04-12 Wyandotte Chemicals Corp Stabilization of calcium carbonate slurries
US3992314A (en) * 1974-09-27 1976-11-16 The Procter & Gamble Company Process for the preparation of spray-dried calcium carbonate-containing granules
US4758377A (en) 1985-09-24 1988-07-19 The Proctor & Gamble Company Viscous phase stable liquid scouring cleansers containing solvent
JPH01187930A (ja) * 1988-01-22 1989-07-27 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 研磨剤及び研磨方法
JP2926408B2 (ja) 1989-04-19 1999-07-28 ソマール株式会社 炭酸カルシウム水分散液及びその製造方法
US5279755A (en) * 1991-09-16 1994-01-18 The Clorox Company Thickening aqueous abrasive cleaner with improved colloidal stability
US5631523A (en) 1995-09-19 1997-05-20 Beacon Light Products, Inc. Method of regulating lamp current through a fluorescent lamp by pulse energizing a driving supply
US5958794A (en) 1995-09-22 1999-09-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of modifying an exposed surface of a semiconductor wafer
GB9611701D0 (en) * 1996-06-05 1996-08-07 Ecc Int Ltd Particulate materials
US5958288A (en) 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
ZA9710639B (en) 1996-12-13 1998-06-15 Minerals Tech Inc Dewatering of calcium carbonate.
US6294105B1 (en) 1997-12-23 2001-09-25 International Business Machines Corporation Chemical mechanical polishing slurry and method for polishing metal/oxide layers
KR100475976B1 (ko) 1998-12-25 2005-03-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
EP1022326A1 (en) * 1999-01-20 2000-07-26 The Procter & Gamble Company Hard surface cleaning compositions comprising modified alkylbenzene sulfonates
JP4296362B2 (ja) 1999-05-17 2009-07-15 上村工業株式会社 研磨剤組成物
KR20030037676A (ko) 2001-11-07 2003-05-14 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 폴리싱용 슬러리
US7445769B2 (en) * 2002-10-31 2008-11-04 Cadbury Adams Usa Llc Compositions for removing stains from dental surfaces and methods of making and using the same
US6803353B2 (en) * 2002-11-12 2004-10-12 Atofina Chemicals, Inc. Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents
US7241325B2 (en) * 2004-02-10 2007-07-10 R.T. Vanderbilt Company, Inc. Polishing compound
CN100545092C (zh) * 2005-06-24 2009-09-30 上海华明高技术(集团)有限公司 一种亚微米级超细碳酸钙分散颗粒的制备方法
US8628737B2 (en) 2006-11-09 2014-01-14 Nalco Company Transfer of slurry in a bayer process
EP2205689A1 (en) * 2007-09-28 2010-07-14 Coswell S.p.A. Liquid cleaning composition and method of cleaning a surface
CN101570343B (zh) 2009-06-11 2011-07-13 福建省万旗非金属材料有限公司 一种湿法制备水溶性油墨专用纳米碳酸钙的方法
CN103975025B (zh) 2011-12-22 2016-09-07 罗门哈斯公司 碳酸钙浆液
US9512422B2 (en) * 2013-02-26 2016-12-06 Illumina, Inc. Gel patterned surfaces
DK3431614T3 (da) 2013-07-01 2021-12-06 Illumina Inc Katalysator fri overfladefunktionalisering og polymerpodning
US10039708B2 (en) * 2014-04-28 2018-08-07 Visionaturolab Inc. Oral care composition comprising cuttlefish bone powder and uses thereof
CN104131297B (zh) 2014-07-01 2015-10-28 安徽宏发节能设备有限公司 一种纯铝以及铝合金铸件的化学抛光液及其制备方法
CN104087246A (zh) * 2014-07-11 2014-10-08 司徒建辉 一种陶瓷研磨剂
JP6559410B2 (ja) 2014-09-30 2019-08-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016089660A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 3M Innovative Properties Company Abrasive composition
EP3045503A1 (en) * 2015-01-15 2016-07-20 Omya International AG Surface-treated calcium carbonate with improved stability in environments with a pH of 4.5 to 7
US9803109B2 (en) 2015-02-03 2017-10-31 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition for silicon nitride removal
CN106046860B (zh) 2016-06-15 2018-12-21 江西广源化工有限责任公司 白炭黑/纳米钙复合浆料包覆湿法超细碳酸钙的制备方法
CN106318220A (zh) 2016-08-18 2017-01-11 江苏锦阳不锈钢制品有限公司 一种不锈钢表面加工用抛光液

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018156629A1 (en) 2018-08-30
US20220089910A1 (en) 2022-03-24
AU2018225631A1 (en) 2019-08-22
EP3585846A4 (en) 2020-10-14
US11214712B2 (en) 2022-01-04
IL268613B2 (en) 2023-10-01
KR102370056B1 (ko) 2022-03-03
CN110546221A (zh) 2019-12-06
US11806836B2 (en) 2023-11-07
EP3585846B1 (en) 2021-11-10
CA3053175A1 (en) 2018-08-30
JP2020508575A (ja) 2020-03-19
AU2018225631B2 (en) 2020-11-05
SG11201907230RA (en) 2019-09-27
IL268613A (en) 2019-09-26
CA3053175C (en) 2023-02-28
ES2904456T3 (es) 2022-04-05
NZ755991A (en) 2021-10-29
US20200002575A1 (en) 2020-01-02
JP6955569B2 (ja) 2021-10-27
BR112019016384A2 (pt) 2020-04-07
TW201831625A (zh) 2018-09-01
KR20190112739A (ko) 2019-10-07
EP3585846A1 (en) 2020-01-01
IL268613B1 (en) 2023-06-01
TWI665274B (zh) 2019-07-11
CN110546221B (zh) 2022-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hendraningrat et al. Effects of the initial rock wettability on silica-based nanofluid-enhanced oil recovery processes at reservoir temperatures
Tombácz et al. Polydisperse fractal aggregate formation in clay mineral and iron oxide suspensions, pH and ionic strength dependence
Schofield et al. The deflocculation of kaolinite suspensions and the accompanying change-over from positive to negative chloride adsorption
McFarlane et al. Improved dewatering behavior of clay minerals dispersions via interfacial chemistry and particle interactions optimization
Hunter et al. Boundary mobility controls glassiness in confined colloidal liquids
Stenkamp et al. The role of long tails in steric stabilization and hydrodynamic layer thickness
CN108137991A (zh) 用于分离和悬浮惰性磨料颗粒的凝胶状颗粒的稳定的浆料悬浮体的原位形成
SA519402469B1 (ar) ملاط كربونات كالسيوم
Jang et al. Effect of material properties on stability of silver nanoparticles in water
Chen et al. Tuning of surface protein adsorption by spherical mixed charged silica brushes (MCB) with zwitterionic carboxybetaine component
Richtering et al. Comparison between viscosity and diffusion in monodisperse and bimodal colloidal suspensions
Ferji et al. Fast and effective quantum-dots encapsulation and protection in PEO based photo-cross-linked micelles
JP7053271B2 (ja) 濁水処理方法
Alince et al. Deposition of cationic styrene and styrene—butadiene latex particles on cellulose fibers
Bhosale et al. Electrophoretic mobility of poly (acrylic acid)-coated alumina particles
Gupta et al. Simultaneous aggregation and sedimentation of silica particles in the presence of surfactants
US20100233816A1 (en) Tags Dispersible in Organic Solvents
CN102356346B (zh) 共组装方法和用该方法制备的共组装结构
Kwaambwa et al. Salt induced polystyrene latex flocs investigated by neutron scattering
Grygorova et al. Aggregative stability of colloidal ReVO4: Eu3+ (Re= La, Gd, Y) nanoparticles with different particle sizes
Bhavsar et al. Investigation of effect of type of pigment/extender on the stability of high pigment volume concentration water-based architectural paint
NZ755991B2 (en) Calcium carbonate slurry
Zhang et al. Complexing behaviors between ammonium polyacrylate and poly (diallyldimethylammonium chloride) polyelectrolytes
WO2024082442A1 (zh) 一种抗菌外墙涂料及其制备方法
Aracne-Ruddle et al. Lawrence Livermore National Laboratory When measuring sound speed in dilute sand-clay mixtures, observed changes in energy transmission have indicated that the pore fluid composition, as well as the amount of clay, may influence the acoustic properties of the medium. We devised an experiment to