Claims (10)
1. Способ получения прочно связанного покрытия без трещин из BSixN1+1,33x на углеродном, графитовом или керамическом материале с низким тепловым расширением, отличающийся тем, что покрываемый материал помещают в печную камеру реакционного сосуда, атмосферу в печной камере нагревают до однородной температуры, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, снижают давление в камере до менее чем 1,5 Торр, в эту печную камеру подают пары реагентов, состоящих по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из группы, включающей азот, водород и стехиометрический избыток аммиака, регулируют скорость потока аммиака по отношению к скоростям потока источников бора и кремния так, что суммарная скорость потока бора и кремния меньше скорости потока аммиака, посредством чего формируют покрытие из BSixN1+1,33x на материале с низким тепловым расширением, при этом покрытие имеет расхождение теплового расширения по отношению к подложке менее 0,1% при нагревании до 1500°С.1. A method of obtaining a firmly bonded crack-free coating of BSi x N 1 + 1.33x on a carbon, graphite or ceramic material with low thermal expansion, characterized in that the material to be coated is placed in the furnace chamber of the reaction vessel, the atmosphere in the furnace chamber is heated to a uniform temperatures between 1350 and 1550 ° C reduce the pressure in the chamber to less than 1.5 Torr, pairs of reagents consisting essentially of ammonia, gaseous sources of boron and silicon, as well as a diluent selected from a group including nitrogen, hydrogen and a stoichiometric excess of ammonia, regulate the flow rate of ammonia with respect to the flow rates of the sources of boron and silicon so that the total flow rate of boron and silicon is less than the flow rate of ammonia, whereby a coating of BSi x N 1 + 1 is formed, 33x on a material with low thermal expansion, wherein the coating has a thermal expansion difference with respect to the substrate of less than 0.1% when heated to 1500 ° C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание кремния в композиции покрытия составляет 2,0 - 42,0 мас.%, а свободный кремний по существу отсутствует. 2. The method according to p. 1, characterized in that the silicon content in the coating composition is 2.0 to 42.0 wt.%, And free silicon is essentially absent.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что газообразные реагенты направляют в указанную камеру при скоростях газовых потоков, соответствующих следующему соотношению: N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния. 3. The method according to claim 2, characterized in that the gaseous reactants are directed into the indicated chamber at gas flow rates corresponding to the following ratio: N / (B + Si) ≥2, where N is the nitrogen source, B is the boron source, and Si - source of silicon.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак. 4. The method according to claim 3, characterized in that the source of boron is boron trichloride, the source of silicon is trichlorosilane, and the source of nitrogen is ammonia.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что температура в печи составляет 1450 - 1550°С. 5. The method according to claim 4, characterized in that the temperature in the furnace is 1450 - 1550 ° C.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что содержание кремния в покрытии из PB(Si)N составляет 7 - 35 мас.%. 6. The method according to claim 5, characterized in that the silicon content in the coating of PB (Si) N is 7 to 35 wt.%.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что покрытым материалом является высокомодульный углерод-углеродный материал. 7. The method according to claim 6, characterized in that the coated material is a high modulus carbon-carbon material.
8. Изделие с покрытием, включающее подложку из углеродного, графитового или керамического материала, на которой формируют покрытие, находящееся в непосредственном тесном контакте с этой подложкой, при этом покрытие содержит аморфную композицию, состоящую по существу из пиролитического (B+Si)N, имеющего состав BSixN1+1,33x, содержащую 7 - 35 мас.% кремния и по существу не содержащую свободного кремния, имеющую по существу постоянную плотность в указанном интервале содержания кремния, и расхождение в тепловом расширении до 1500°С менее чем примерно 0,1% по отношению к тепловому расширению данной подложки, так что покрытие остается нерастрескавшимся при повышенной температуре, причем покрытие получают способом, в котором пары реагентов подают в нагретую камеру печи при однородной температуре осаждения, находящейся в пределах между 1350 и 1550°С, давлении менее 1,5 Торр, пары реагентов состоят по существу из аммиака, газообразных источников бора и кремния, а также разбавителя, выбранного из азота и/или водорода, а скорости потоков газов регулируют так, что суммарная скорость потоков бора и кремния меньше скорости потока аммиака.8. The coated product, comprising a substrate of carbon, graphite or ceramic material on which to form a coating in direct close contact with this substrate, the coating contains an amorphous composition consisting essentially of pyrolytic (B + Si) N having composition BSi x N 1 + 1.33x , containing 7 to 35 wt.% silicon and essentially not containing free silicon, having a substantially constant density in the indicated range of silicon content, and a difference in thermal expansion to 1500 ° C of less than about 0 ,1 % with respect to the thermal expansion of this substrate, so that the coating remains non-cracking at elevated temperature, and the coating is obtained by a method in which pairs of reactants are fed into the heated chamber of the furnace at a uniform deposition temperature in the range between 1350 and 1550 ° C, pressure less than 1 5 Torr, the reagent pairs consist essentially of ammonia, gaseous sources of boron and silicon, as well as a diluent selected from nitrogen and / or hydrogen, and the gas flow rates are controlled so that the total flow rate of boron and cre opinion is less than the flow rate of ammonia.
9. Изделие по п.8, отличающееся тем, что соотношение потоков газов составляет N/(B+Si)≥2, где N - источник азота, В - источник бора, a Si - источник кремния. 9. The product according to claim 8, characterized in that the gas flow ratio is N / (B + Si) ≥2, where N is a nitrogen source, B is a boron source, and Si is a silicon source.
10. Изделие по п.9, отличающееся тем, что источником бора является трихлорид бора, источником кремния является трихлорсилан, а источником азота является аммиак. 10. The product according to claim 9, characterized in that the source of boron is boron trichloride, the source of silicon is trichlorosilane, and the source of nitrogen is ammonia.