Claims (7)
1. Способ эксплуатации электрически стираемой и программируемой энергонезависимой накопительной ячейки, которая образована только одним, образованным переходом исток-канал-сток МОП-транзистором, в котором в полупроводниковой подложке (1) первого типа проводимости выполнены область стока (2) и область истока (3) второго типа проводимости с полярностью, противоположной первому типу проводимости, c находящимся на плавающем потенциале электродом затвора (4), который электрически изолирован от области стока (2) туннельным оксидом (5) и от находящейся между областью стока и областью истока (2, 3) канальной области (9) оксидом затвора (5; 10) и простирается в направлении исток-канал-сток, по меньшей мере, над частью канальной области (9) и частью области стока (2) и c управляющим электродом (7), который электрически изолирован оксидом связи (8) от электрода затвора (4), отличающийся тем, что для программирования накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое отрицательное напряжение, к электроду стока (D) напряжение питания и к электроду истока (S) нуль вольт и для стирания накопительной ячейки к управляющему электроду (7) прикладывают высокое положительное напряжение и к электроду истока (S) отрицательное напряжение, а электрод стока (D) оставляют неподключенным.1. A method of operating an electrically erasable and programmable non-volatile storage cell, which is formed by only one, formed by a source-channel-drain junction by a MOS transistor, in which a drain region (2) and a source region (3) are made in the semiconductor substrate (1) of the first type of conductivity ) of the second type of conductivity with a polarity opposite to the first type of conductivity, with the gate electrode (4) located at the floating potential, which is electrically isolated from the drain region (2) by the tunneling oxide (5) and from between the drain region and the source region (2, 3) of the channel region (9) with gate oxide (5; 10) and extends in the source-channel-drain direction, at least over part of the channel region (9) and part of the drain region ( 2) and with a control electrode (7), which is electrically isolated by coupling oxide (8) from the gate electrode (4), characterized in that for programming the storage cell, a high negative voltage is applied to the control electrode (7), to the drain electrode (D) supply voltage and to the source electrode (S) zero volts and to erase on opitelnoy cell to the control electrode (7) is applied a high positive voltage to the electrode and the source (S) a negative voltage, and a drain electrode (D) is left unconnected.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электрод затвора (4) простирается над всей канальной областью (9). 2. The method according to p. 1, characterized in that the gate electrode (4) extends over the entire channel region (9).
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в накопительной ячейке оксидный слой над канальной областью (9) разделен на первую область оксида затвора (5), которая связывает емкостным образом электрод затвора (4) с канальной областью (9), и на вторую область оксида затвора (10), причем вторая область оксида затвора (10) осуществляет емкостную связь частичной области управляющего электрода (7) с канальной областью (9). 3. The method according to p. 1, characterized in that in the storage cell, the oxide layer above the channel region (9) is divided into the first region of the gate oxide (5), which capacitively connects the gate electrode (4) with the channel region (9), and to the second region of the gate oxide (10), and the second region of the oxide of the gate (10) carries out capacitive coupling of a partial region of the control electrode (7) with the channel region (9).
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в накопительной ячейке туннельный оксид (6) является тоньше, чем оксид затвора (5). 4. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that in the storage cell, the tunneling oxide (6) is thinner than the gate oxide (5).
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что в накопительной ячейке оксид затвора (5) простирается в область перехода от области стока (2) к канальной области и частично перекрывает область стока (2). 5. The method according to p. 4, characterized in that in the storage cell, the gate oxide (5) extends into the transition region from the drain region (2) to the channel region and partially overlaps the drain region (2).
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что МОП-транзистор выполнен в ванне первого типа проводимости, которая расположена в глубокой ванне второго типа проводимости. 6. The method according to any one of the preceding paragraphs, characterized in that the MOS transistor is made in a bath of the first type of conductivity, which is located in a deep bath of the second type of conductivity.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что МОП-транзистор вместе со стандартной логической КМОП-схемой и/или высоковольтной схемой расположен в полупроводниковой подложке (1). 7. The method according to claim 6, characterized in that the MOS transistor, together with the standard CMOS logic circuit and / or high-voltage circuit, is located in the semiconductor substrate (1).