RU49357U1 - Индикатор - Google Patents

Abstract

Высокое качество антибликового покрытия индикатора обеспечивается за счет формирования антибликового покрытия на оптически прозрачном слое, нанесенном на внешнюю поверхность лицевой диэлектрической пластины.

Description

Полезная модель относится к области электронной техники и может быть использована в производстве индикаторов,например, газоразрядных индикаторных панелей (ГИП),жидкокристаллических индикаторов и т.п.

Известен индикатор, в котором на внешней стороне лицевой пластины сформирована антибликовая поверхность методом травления. [Патент РФ №2152912, С 03 С 17/04, 2000 г.].

Недостатком данной конструкции является высокий коэффициент диффузного и зеркального отражения антибликового покрытия в условиях высокой внешней освещенности.

Известен индикатор - ГИП, включающая две диэлектрические пластины, между которыми расположены ячейки индикации, сформированное на внешней поверхности лицевой диэлектрической пластины антибликовое покрытие в виде продольных и поперечных полос, расположенных между ячейками индикации. [Патент РФ №2070749, H 01 J 17/49, 1996 г., кол.3].

К недостаткам ГИП относятся техническая сложность технологического процесса ее изготовления, обусловленная использованием сложного и высокоточного оборудования, высокая трудоемкость и низкий процент выхода годных приборов.

Наиболее близким устройством того же назначения к заявленному объекту по совокупности признаков является индикатор, содержащий нижнюю диэлектрическую пластину и лицевую диэлектрическую пластину с антибликовым покрытием на ее внешней стороне, ячейки индикации между диэлектрическими пластинами. [Патент РФ №2070749, H 01 J 17/49, 1996 г. - прототип.].

Недостатком данной конструкции является то, что антибликовое покрытие, формируемое на диэлектрической пластине с допустимыми технологическими дефектами, имеет низкое качество из-за неоднородности его светотехнических параметров.

Задачей, на решение которой направлена полезная модель, является создание индикатора с антибликовым покрытием высокого качества.

Указанный технический эффект достигается тем, что в известном индикаторе, содержащем нижнюю диэлектрическую пластину и лицевую диэлектрическую пластину с антибликовым покрытием на ее внешней стороне, ячейки индикации между диэлектрическими пластинами, на внутренней поверхности лицевой диэлектрической пластины под антибликовым покрытием сформирован оптически прозрачный слой.

Формирование антибликового покрытия на промежуточном оптически прозрачном слое позволяет улучшить качество антибликового покрытия, т.к. прозрачный слой исключает влияние допустимых технологических дефектов диэлектрической пластины при нанесении антибликового покрытия.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленной полезной модели, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленной полезной модели, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле полезной модели.

Следовательно, заявленная полезная модель соответствует требованию "новизна".

Предлагаемая конструкция индикатора поясняется чертежом.

На фиг.1 представлен один из вариантов заявленного индикатора - ГИП переменного тока

ГИП переменного тока (фиг.1) содержит нижнюю 1 и лицевую 2 диэлектрические пластины, ячейки индикации, образованные взаимноортогональными системами электродов 3, 4, диэлектрическое покрытие 5 на электродах 3, 4, шов герметизации 6, оптически прозрачный слой 7 на внешней поверхности лицевой диэлектрической пластины 2 и антибликовое покрытие 8, нанесенное на оптически прозрачный слой 7 с внешней стороны.

При подаче импульсов напряжения на электроды 3, 4 в ячейках индикации возбуждается газовый разряд, обеспечивающий отображение информации.

При работе индикатора в условиях повышенной освещенности на его внешней поверхности образуются блики, которые вызывают усталость глаз оператора и снижают надежность и быстроту считывания информации.

Для устранения указанного недостатка на внешней стороне лицевой диэлектрической пластины формируется антибликовое покрытие.

Для плоских конструкций индикаторов с заданными светотехническими характеристиками в условиях высокой внешней освещенности антибликовое покрытие должно иметь как низкие коэффициенты зеркального и диффузного отражения, так и высокую однородность светотехнических параметров,. Для обеспечения высокой однородности светотехнических параметров антибликового покрытия очень важно качество поверхности, на которой оно формируется. Наличие на поверхности технологических дефектов: царапин, "выщелачеваний", припекшихся частиц и т.д. приводит к образованию на антибликовом покрытии локальных зон с высоким коэффициентом диффузного отражения, ухудшающих считывание информации. Для устранения влияния таких дефектов на качество антибликового покрытия его формируют на промежуточном оптически прозрачном слое, расположенном на внешней поверхности индикатора.

Пример конкретного выполнения

Индикатор - ГИП переменного тока включает нижнюю стеклянную пластину и лицевую стеклянную пластину размером 190×162×4 мм. На каждой стеклянной пластине сформирована система параллельных электродов из золотосодержащей пасты толщиной 8 мкм, шириной 50 мкм с шагом 100 мкм.

На электроды обеих систем нанесен слой диэлектрика на основе ЛПС-С82-3. Электроды систем в перекрестьях образуют ячейки индикации. Стеклянные пластины соединены по периметру швом герметизации на основе стеклоцемента СЦП-84 для образования замкнутого объема, наполненного смесью газов Не, Хе, Ne при давлении 400 мм рт.ст.

На внешней поверхности лицевой стеклянной пластины сформирован оптически прозрачный слой из оптического клея марки "Скол" толщиной 15÷25 мкм, на который нанесено антибликовое покрытие из материала на основе SiO₂ методом пульверизации толщиной до 1 мкм.

Коэффициенты диффузного и зеркального отражения такой ГИП переменного тока одинаковы по всему полю индикации и составляют соответственно 0,÷0,3% и 5÷15%, первый из которых в 20, а второй в 2÷3 раза ниже соответствующих коэффициентов антибликового покрытия в местах дефектов на поверхности лицевой стеклянной пластины в ГИП переменного тока с антибликовым покрытием, нанесенным непосредственно на поверхности лицевой стеклянной пластины.

Таким образом, вышеизложенные сведения свидетельствуют о том, что заявленная полезная модель соответствует требованию "промышленная применимость" по действующему законодательству.

Claims (1)

1. Индикатор, содержащий нижнюю диэлектрическую пластину и лицевую диэлектрическую пластину с антибликовым покрытием на ее внешней стороне, ячейки индикации между диэлектрическими пластинами, отличающийся тем, что на внешней поверхности лицевой диэлектрической пластины под антибликовым покрытием сформирован оптически прозрачный слой.