RU2785321C1 - Power switch control circuit based on igbt or mis transistors - Google Patents
Power switch control circuit based on igbt or mis transistors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2785321C1 RU2785321C1 RU2022120203A RU2022120203A RU2785321C1 RU 2785321 C1 RU2785321 C1 RU 2785321C1 RU 2022120203 A RU2022120203 A RU 2022120203A RU 2022120203 A RU2022120203 A RU 2022120203A RU 2785321 C1 RU2785321 C1 RU 2785321C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- transformer
- bridge rectifier
- power switch
- complementary
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000000295 complement Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001105 regulatory Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к области электротехники, включая импульсную силовую преобразовательную технику, и предназначено для использования в различных бесконтактных коммутационных устройствах преобразования и регулирования электроэнергии. Вопросы проектирования схем управления силовыми ключами, которые называют драйверами, широко освещены в технической литературе [1-5].The invention relates to the field of electrical engineering, including pulsed power converter technology, and is intended for use in various non-contact switching devices for converting and regulating electricity. The issues of designing control circuits for power switches, which are called drivers, are widely covered in the technical literature [1-5].
Известны драйверы силовых ключей на МДП-транзисторах («Силовой ключ на МДП-транзисторе» патент RU 2152127, Бюл. № 18 от 27.06.2000; «Силовой ключ на МДП-транзисторе» патент RU 2524853, Бюл. № 14 от 20.05.2014; «Силовой ключ на МДП-транзисторе» патент RU 2337473, Бюл. № 30 от 27.10.2008), содержащие силовые ключи на МДП-транзисторах, трансформаторы, биполярные транзисторы и диоды. Общими недостатками указанных известных устройств являются возможность ложных отпираний и запираний силового МДП-транзистора на этапах переключения при повышенном напряжении питания и больших скоростях переключения, возможность возникновения опасных перенапряжений на затворе, а также ненадежное удержание силового МДП-транзистора в запертом состоянии при значительных паузах.Known drivers of power switches on MOS transistors ("Power key on MIS transistor" patent RU 2152127, Bull. No. 18 dated 06/27/2000; "Power switch on MIS transistor" patent RU 2524853, Bull. No. 14 dated 05/20/2014 ; " Power key on MIS transistor" patent RU 2337473, Bull. No. 30 dated 10/27/2008), containing power switches on MIS transistors, transformers, bipolar transistors and diodes. Common disadvantages of these known devices are the possibility of false unlocking and locking of the power MIS transistor at the switching stages at increased supply voltage and high switching speeds, the possibility of dangerous overvoltages at the gate, as well as unreliable retention of the power MIS transistor in the off state during significant pauses.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является принятый за прототип силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий изолирующий двухобмоточный трансформатор, силовой ключ, первый и второй комплементарные биполярные транзисторы (см. патент RU 2337473. Опубликовано: 27.10.2008, Бюл. № 30).The closest in technical essence to the proposed invention is adopted as a prototype power switch on the MIS transistor, containing an isolating two-winding transformer, a power switch, the first and second complementary bipolar transistors (see patent RU 2337473. Published: 27.10.2008, bull. No. 30 ).
Техническая задача, на решение которой направлено заявляемое изобретение, заключаются в повышении эксплуатационной надежности работы силового ключа на основе БТИЗ или МДП-транзисторов. The technical problem to be solved by the claimed invention is to increase the operational reliability of the power switch based on IGBTs or MIS transistors.
Указанная задача решается за счет того, что схема управления силовым ключом на основе БТИЗ или МДП–транзисторов, содержащая изолирующий двухобмоточный трансформатор, силовой ключ, первый и второй комплементарные биполярные транзисторы, дополнительно содержит однофазный мостовой выпрямитель, включающий первый и второй диоды с объединенными катодами и первый и второй стабилитроны с объединенными анодами, причем вторичная обмотка трансформатора подключена в диагональ мостового выпрямителя по переменному току, конденсатор, включенный параллельно выходным клеммам мостового выпрямителя, третий биполярный транзистор n-p-n типа, шунтирующий МДП–транзистор, причем первый и второй комплементарные транзисторы общим эмиттером подключены к затвору шунтирующего МДП-транзистора, коллектор первого комплементарного транзистора n-p-n типа подключен к положительной выходной клемме мостового выпрямителя, а коллектор второго комплементарного транзистора p-n-p типа подключен к отрицательной выходной клемме мостового выпрямителя, базы первого и второго комплементарных транзисторов объединены и посредством резистора подключены к положительной выходной клемме мостового выпрямителя, параллельно вторичной обмотке трансформатора подключены два последовательно соединенных резистора, общая точка которых соединена с базой третьего биполярного транзистора, коллектор которого соединен с общей базой первого и второго комплементарных транзисторов, а его эмиттер соединен с выходным концом вторичной обмотки трансформатора, сток шунтирующего МДП-транзистора соединен с затвором силового ключа, а также посредством резистора соединен с началом вторичной обмотки трансформатора, исток шунтирующего МДП-транзистора соединен с отрицательной выходной клеммой мостового выпрямителя и отрицательным электродом силового ключа, между отрицательным электродом и затвором силового ключа установлен резистор, первичная обмотка трансформатора подключена к устройству управления.The specified task is solved due to the fact that the power switch control circuit based on IGBT or MOS transistors, containing an isolating two-winding transformer, a power switch, the first and second complementary bipolar transistors, additionally contains a single-phase bridge rectifier, including the first and second diodes with combined cathodes and the first and second zener diodes with combined anodes, with the secondary winding of the transformer connected to the diagonal of the bridge rectifier for alternating current, the capacitor connected in parallel with the output terminals of the bridge rectifier, the third bipolar transistor of the n-p-n type, shunting the MIS transistor, and the first and second complementary transistors are connected by a common emitter to the gate of the shunting MIS transistor, the collector of the first complementary npn type transistor is connected to the positive output terminal of the bridge rectifier, and the collector of the second complementary pnp type transistor is connected to the negative output terminal of the bridge rectifier, ba zy of the first and second complementary transistors are combined and connected by means of a resistor to the positive output terminal of the bridge rectifier, two series-connected resistors are connected in parallel to the secondary winding of the transformer, the common point of which is connected to the base of the third bipolar transistor, the collector of which is connected to the common base of the first and second complementary transistors, and its emitter is connected to the output end of the secondary winding of the transformer, the drain of the shunt MIS transistor is connected to the gate of the power switch, and is also connected by means of a resistor to the beginning of the secondary winding of the transformer, the source of the shunt MIS transistor is connected to the negative output terminal of the bridge rectifier and the negative electrode of the power switch , a resistor is installed between the negative electrode and the gate of the power switch, the primary winding of the transformer is connected to the control device.
Техническим результатом использования данного изобретения является повышение эксплуатационной надежности работы силового ключа на основе БТИЗ или МДП-транзисторов за счет исключения ложных переключений силового транзисторного ключа при больших скоростях переключения и повышенных напряжениях питания, ограничения на допустимом уровне импульсных перенапряжений на затворе силового транзисторного ключа, обеспечения надежного удержания силового транзистора в запертом состоянии при длительных паузах, а также исключения возможности возникновения сквозных токов в мостовых и полумостовых схемах, в которых могут применяться рассматриваемые силовые транзисторные ключи, за счет наличия паузы в управляющих импульсах.The technical result of using this invention is to increase the operational reliability of the power switch based on IGBTs or MIS transistors by eliminating false switching of the power transistor switch at high switching speeds and high supply voltages, limiting the permissible level of surge voltages at the gate of the power transistor switch, ensuring reliable keeping the power transistor in the off state during long pauses, as well as eliminating the possibility of through currents in bridge and half-bridge circuits, in which the considered power transistor switches can be used, due to the presence of a pause in the control pulses.
Технический результат обеспечивается тем, что в предлагаемой схеме используется двухполупериодный мостовой выпрямитель на двух диодах и двух стабилитронах, подключенный ко вторичной обмотке трансформатора. Выпрямитель, по существу, управляет импульсным усилителем, выполненным на трех биполярных транзисторах, обеспечивает подзарядку конденсатора, а также благодаря наличию стабилитронов ограничивает напряжение на затворе силового транзистора, то есть ограничивает коммутационные перенапряжения, обусловленные наличием индуктивностей рассеяния трансформатора. В свою очередь импульсный усилитель управляет затвором шунтирующего МДП-транзистора, осуществляя его быстрое запирание во время импульса (силовой транзистор открыт) и быстрое отпирание во время паузы (силовой транзистор закрыт). Шунтирующий МДП-транзистор обеспечивает быстрое запирание силового транзистора и его надежное удержание в этом состоянии во время паузы благодаря малому остаточному сопротивлению в открытом состоянии. Входная цепь импульсного усилителя подключена ко вторичной обмотке трансформатора таким образом, что дает возможность запираться шунтирующему МДП-транзистору и, как следствие, отпираться силовому транзистору только при наличии положительного импульса напряжения на вторичной обмотке. В остальных случаях обеспечивается либо быстрое запирание силового транзистора, либо его надежное удержание в закрытом состоянии. Это исключает возможность ложных переключений. Конденсатор поддерживает шунтирующий МДП-транзистор в открытом состоянии на протяжении всего времени паузы благодаря высокому входному сопротивлению транзистора и, следовательно, малому току разряда.The technical result is ensured by the fact that the proposed circuit uses a full-wave bridge rectifier with two diodes and two zener diodes connected to the secondary winding of the transformer. The rectifier, in essence, controls the pulse amplifier, made on three bipolar transistors, provides recharging of the capacitor, and also, due to the presence of zener diodes, limits the voltage at the gate of the power transistor, that is, limits the switching overvoltage due to the presence of leakage inductances of the transformer. In turn, the pulse amplifier controls the gate of the shunt MOS transistor, performing its fast turn-off during the pulse (the power transistor is open) and fast unlocking during the pause (the power transistor is closed). The shunt MIS transistor provides fast turn-off of the power transistor and its reliable retention in this state during a pause due to the low residual resistance in the open state. The input circuit of the pulse amplifier is connected to the secondary winding of the transformer in such a way that it makes it possible to lock the shunt MOS transistor and, as a result, to unlock the power transistor only in the presence of a positive voltage pulse on the secondary winding. In other cases, either a quick locking of the power transistor is provided, or its reliable retention in the closed state. This eliminates the possibility of false switching. The capacitor keeps the shunt MOS transistor in the open state throughout the entire pause time due to the high input resistance of the transistor and, consequently, the low discharge current.
На фиг. 1 представлена электрическая схема заявляемого устройства. Схема содержит изолирующий двухобмоточный трансформатор 2, силовой ключ 19, первый 12 и второй 13 комплементарные биполярные транзисторы, однофазный мостовой выпрямитель, включающий первый 5 и второй 6 диоды с объединенными катодами и первый 7 и второй 8 стабилитроны с объединенными анодами, вторичная обмотка 4 трансформатора 2 подключена в диагональ мостового выпрямителя по переменному току, конденсатор 16, включенный параллельно выходным клеммам мостового выпрямителя, третий биполярный транзистор 11 n-p-n типа, шунтирующий МДП–транзистор 17, первый 12 и второй 13 комплементарные транзисторы общим эмиттером подключены к затвору шунтирующего МДП-транзистора 17, коллектор первого комплементарного транзистора 12 n-p-n типа подключен к положительной выходной клемме мостового выпрямителя, а коллектор второго комплементарного транзистора 13 p-n-p типа подключен к отрицательной выходной клемме мостового выпрямителя, базы первого 12 и второго 13 комплементарных транзисторов объединены и посредством резистора 14 подключены к положительной выходной клемме мостового выпрямителя, параллельно вторичной обмотке 4 трансформатора 2 подключены два последовательно соединенных резистора 9 и 10, общая точка которых соединена с базой третьего биполярного транзистора 11, коллектор которого соединен с общей базой первого 12 и второго 13 комплементарных транзисторов, а его эмиттер соединен с выходным концом вторичной обмотки 4 трансформатора 2, сток шунтирующего МДП-транзистора 17 соединен с затвором силового ключа 19, а также посредством резистора 15 соединен с началом вторичной обмотки 4 трансформатора 2, исток шунтирующего МДП-транзистора 17 соединен с отрицательной выходной клеммой мостового выпрямителя и отрицательным электродом силового ключа 19, между отрицательным электродом и затвором силового ключа 19 установлен резистор 18, первичная обмотка 3 трансформатора 2 подключена к устройству управления 1. In FIG. 1 shows the electrical circuit of the proposed device. The circuit contains an isolating two-
Схема управления силовым ключом на основе БТИЗ или МДП–транзисторов работает следующим образом. Рассмотрим процесс отпирания силового транзистора 19. К концу предыдущего этапа работы, когда силовой транзистор 19 был закрыт, в открытом состоянии находились МДП-транзистор 17, шунтирующий переход затвор-эмиттер силового транзистора 19 (в качестве силового транзистора на фиг.1 использован БТИЗ транзистор), и биполярный транзистор 12, обеспечивающий открытое состояние МДП-транзистора 17. Конденсатор 16 при этом подзаряжен на предыдущих этапах работы и имеет положительную полярность на верхней обкладке и отрицательную – на нижней. На базу комплементарного транзистора 12 n-p-n типа подается отпирающее положительное смещение от конденсатора 16. Для отпирания силового транзистора 19 на первичную обмотку 3 трансформатора 2 от устройства управления 1 поступает положительный импульс, который трансформируется на вторичную обмотку 4 трансформатора 2. При этом одновременно протекают следующие процессы:The power key control circuit based on IGBTs or MOS transistors works as follows. Consider the process of unlocking the
- продолжается подзарядка конденсатора 16 по цепи: начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2, диод 5, конденсатор 16, стабилитрон 8, конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2;- the
- происходит отпирание биполярного транзистора 11, базовый ток которого течет по цепи: начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2, резистор 9, переход база-эмиттер транзистора 11, конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2. При этом ток коллектора транзистора 11 замыкается в контуре: начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2, диод 5, резистор 14, переход коллектор-эмиттер транзистора 11, конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2. На базы первого 12 и второго 13 комплементарных транзисторов подается отрицательное смещение с резистора 14. При этом комплементарный транзистор 13 p-n-p типа открывается и его ток базы замыкается в контуре: начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2, диод 5, переход коллектор-эмиттер транзистора 12, переход эмиттер-база транзистора 13, переход коллектор-эмиттер транзистора 11, конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2. Отпирание транзистора 13 вызывает разряд емкости затвор-исток МДП-транзистора 17, который при этом запирается, прекращая шунтирование перехода затвор-эмиттер силового транзистора 19. При этом происходит отпирание силового транзистора 19 по цепи: начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2, резистор 15, затвор силового транзистора 19, эмиттер силового транзистора 19, стабилитрон 8, конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2. Комплементарный транзистор12 при этом заперт.- the
При подаче на первичную обмотку 3 трансформатора 2 нулевого импульса (пауза) от устройства управления 1 на вторичной обмотке 4 трансформатора 2 также формируется нулевой импульс, и начинают протекать следующие процессы: When a zero pulse (pause) is applied to the
- транзистор 11 запирается, пассивное запирание которого обеспечивается делителем напряжения на резисторах 9 и 10. В результате запирания транзистора 11 активно запирается транзистор 13 p-n-p типа положительным напряжением на базе, создаваемым конденсатором 16. При этом отпирается транзистор 12, ток базы которого протекает по цепи: плюс верхней обкладки конденсатора 16, резистор 14, переход база-эмиттер транзистора 12, переход затвор-исток МДП-транзистора 17, минус нижней обкладки конденсатора 16;-
- одновременно происходит быстрое отпирание МДП-транзистора 17 вследствие зарядки емкости затвор-исток по цепи: плюс верхней обкладки конденсатора 16, переход коллектор-эмиттер транзистора 12, переход затвор-исток МДП-транзистора 17, минус нижней обкладки конденсатора 16. В результате происходит быстрое запирание силового транзистора 19 вследствие разряда его затворной емкости по цепи: затвор транзистора 19, переход сток-исток МДП-транзистора 17, эмиттер транзистора 19.- at the same time, there is a rapid unlocking of the
Во время паузы биполярный транзистор 12 и МДП-транзистор 17 остаются открытыми благодаря напряжению на конденсаторе 16, который разряжается очень медленно вследствие высокого входного сопротивления МДП-транзистора 17.During the pause, the
При подаче на первичную обмотку 3 трансформатора 2 отрицательного импульса от устройства управления 1 на вторичной обмотке 4 трансформатора 2 также формируется отрицательный импульс, и начинают протекать следующие процессы:When a negative pulse is applied to the
- силовой транзистор 19 продолжает оставаться закрытым, однако биполярный транзистор 11 запирается при этом активно по цепи: конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2, переход эмиттер-база транзистора11, резистор 9, начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2;- the
- происходит подзарядка конденсатора 16 по цепи: конец вторичной обмотки 4 трансформатора 2, диод 6, конденсатор 16, стабилитрон 7, начало вторичной обмотки 4 трансформатора 2.- the
Высокоомный резистор 18 предотвращает ложное отпирание силового транзистора 19 при подаче на схему напряжения питания.The high-
Предлагаемое устройство в отличие от прототипа исключает ложные переключения силового транзистора при повышенных напряжениях питания и высоких частотах переключения, обусловленные большими скоростями изменения напряжения на транзисторе. Кроме того исключаются опасные перенапряжения на затворе силового транзистора, обусловленные перезарядкой паразитных межвитковых емкостей и паразитными индуктивностями рассеяния обмоток трансформатора. Устройство обеспечивает надежное удержание силового транзистора в запертом состоянии при больших временах паузы.The proposed device, unlike the prototype, excludes false switching of the power transistor at high supply voltages and high switching frequencies, due to high rates of voltage change across the transistor. In addition, dangerous overvoltages at the gate of the power transistor are excluded, due to the recharging of parasitic interturn capacitances and parasitic leakage inductances of the transformer windings. The device provides reliable retention of the power transistor in the locked state at long pause times.
Был изготовлен опытный образец на транзисторах 2Т664А91, 2Т665А91, 2П769А9, диодах 2Д717А9, стабилитронах 2С515А-1, конденсаторе К10-84В, трансформаторе на сердечнике ГМ412В К26х12х10, W1=W2= 200. При управлении импульсами 15 В с частотой 20 кГц силовой ключ в мостовой схеме коммутировал напряжение 270 В при токе нагрузки 80 А с длительностью фронта 100 нс. Задержка на включение составляла не более 0,6 мкс, а на выключение – не более 0,4 мкс.A prototype was made on transistors 2T664A91, 2T665A91, 2P769A9, diodes 2D717A9, zener diodes 2S515A-1, capacitor K10-84V, transformer on the core GM412V K26x12x10, W1 = W2 = 200. When controlling 15 V pulses with a frequency of 20 kHz, the power switch in the bridge circuit switched a voltage of 270 V at a load current of 80 A with a rise time of 100 ns. The turn-on delay was no more than 0.6 μs, and the turn-off delay was no more than 0.4 μs.
По мнению авторов, предлагаемая схема управления силовым ключом на основе БТИЗ или МДП–транзисторов может быть использована в различных бесконтактных коммутационных устройствах преобразования и регулирования электроэнергии в качестве надежного драйвера как в устройствах наземного оборудования, так и на подвижных объектах, включая авиационно-космическую технику, а совокупность его существенных признаков необходима и достаточна для достижения заявляемого технического результата.According to the authors, the proposed power switch control scheme based on IGBTs or MIS transistors can be used in various non-contact switching devices for converting and regulating electricity as a reliable driver both in ground equipment devices and on mobile objects, including aerospace equipment, and the totality of its essential features is necessary and sufficient to achieve the claimed technical result.
Источники информацииSources of information
1. Драйверы CT-Concept для силовых IGBT и MOSFET – модулей на базе нового ядра SCALE-2. Силовая электроника, 2009, № 5, стр. 34-39.1. CT-Concept drivers for power IGBT and MOSFET modules based on the new SCALE-2 core. Power Electronics, 2009, No. 5, pp. 34-39.
2. Волович Г. Драйверы силовых ключей. Современная электроника, 2007, № 8, стр. 32-40.2. Volovich G. Drivers of power keys. Modern Electronics, 2007, No. 8, pp. 32-40.
3. MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,,Ltd. reserves the copyright and right of final interpretation. 2019, 11,11-A/4, page 2 of 5.3. MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,,Ltd. reserves the copyright and the right of final interpretation. 2019, 11.11-A/4,
4. Микросхемы для импульсных источников питания и их применение. Москва, Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001, стр.110.4. Microcircuits for switching power supplies and their application. Moscow, Dodeka-XXI Publishing House, 2001, p.110.
5. Иоффе Д., Ридли Р. Советы по управлению затвором мощного полевого транзистора.//Компоненты и технологии, 2008, № 8, стр.120-122.5. Ioffe D., Ridley R. Tips for controlling the gate of a powerful field-effect transistor.//Components and Technologies, 2008, No. 8, pp. 120-122.
6. «Силовой ключ на МДП-транзисторе», патент RU 2152127, Бюл. № 18 от 27.06.2000.6. "Power key on the MIS transistor", patent RU 2152127, Bull. No. 18 dated 06/27/2000.
7. «Силовой ключ на МДП-транзисторе», патент RU 2524853, Бюл. № 14 от 20.05.2014.7. "Power key on the MIS transistor", patent RU 2524853, Bull. No. 14 dated 05/20/2014.
8. «Силовой ключ на МДП-транзисторе», патент RU 2337473, Бюл. № 30 от 27.10.2008.8. " Power key on the MIS transistor", patent RU 2337473, Bull. No. 30 dated October 27, 2008.
Claims (1)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2785321C1 true RU2785321C1 (en) | 2022-12-06 |
Family
ID=
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2806902C1 (en) * | 2023-05-24 | 2023-11-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Power switch control diagram based on igbt or mos transistors |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3932083C1 (en) * | 1989-09-26 | 1991-04-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | Control circuitry for FET operating as switch in load circuit - provides voltage source dependent on control voltage of FET raising working point of controlled path by offset voltage |
| US5534814A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-09 | Ventritex, Inc. | High input impedance gate driver circuit with Miller protection and delayed turnoff |
| US5675276A (en) * | 1995-09-27 | 1997-10-07 | Analog Devices, Inc. | Gate driver circuit and hysteresis circuit therefor |
| EP1596496A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-16 | ABB Oy | Control circuit for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) |
| RU2337473C1 (en) * | 2007-07-30 | 2008-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" | Power key with mis-transistor |
| RU2524853C2 (en) * | 2012-11-08 | 2014-08-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Mis transistor-based power switch |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3932083C1 (en) * | 1989-09-26 | 1991-04-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen, De | Control circuitry for FET operating as switch in load circuit - provides voltage source dependent on control voltage of FET raising working point of controlled path by offset voltage |
| US5534814A (en) * | 1994-12-20 | 1996-07-09 | Ventritex, Inc. | High input impedance gate driver circuit with Miller protection and delayed turnoff |
| US5675276A (en) * | 1995-09-27 | 1997-10-07 | Analog Devices, Inc. | Gate driver circuit and hysteresis circuit therefor |
| EP1596496A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-16 | ABB Oy | Control circuit for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) |
| RU2337473C1 (en) * | 2007-07-30 | 2008-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева" | Power key with mis-transistor |
| RU2524853C2 (en) * | 2012-11-08 | 2014-08-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Mis transistor-based power switch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2806902C1 (en) * | 2023-05-24 | 2023-11-08 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Power switch control diagram based on igbt or mos transistors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10554202B2 (en) | Gate driver | |
| US7466185B2 (en) | IGBT-Driver circuit for desaturated turn-off with high desaturation level | |
| Wang et al. | A di/dt feedback-based active gate driver for smart switching and fast overcurrent protection of IGBT modules | |
| Dulau et al. | A new gate driver integrated circuit for IGBT devices with advanced protections | |
| US10171071B2 (en) | Device and method for producing a dynamic reference signal for a driver circuit for a semiconductor power switch | |
| US20130271187A1 (en) | Driver for semiconductor switch element | |
| WO2019207977A1 (en) | Gate drive circuit and gate drive method | |
| US20210226620A1 (en) | Overcurrent protection circuit for switching element turned on and off based on control voltage | |
| US7248093B2 (en) | Bipolar bootstrap top switch gate drive for half-bridge semiconductor power topologies | |
| Wu et al. | A short-circuit protection circuit with strong noise immunity for GaN HEMTs | |
| Yamaguchi et al. | Criteria for using antiparallel sic sbds with sic mosfet s for sic-based inverters | |
| Yin et al. | Design considerations and comparison of high-speed gate drivers for Si IGBT and SiC MOSFET modules | |
| Zhou et al. | Designing a SiC MOSFETs gate driver with high dv/dt immunity and rapid short circuit protection for xEV drivetrain inverter | |
| US9722599B1 (en) | Driver for the high side switch of the cascode switch | |
| US10177643B2 (en) | Semiconductor switching circuit | |
| Nagao et al. | Capacitor-based three-level gate driver for GaN HEMT only with a single voltage supply | |
| RU2785321C1 (en) | Power switch control circuit based on igbt or mis transistors | |
| JP4091793B2 (en) | Gate drive circuit of voltage driven semiconductor device | |
| Wang et al. | A reliable short-circuit protection method with ultra-fast detection for GaN based gate injection transistors | |
| RU2806902C1 (en) | Power switch control diagram based on igbt or mos transistors | |
| US5945868A (en) | Power semiconductor device and method for increasing turn-on time of the power semiconductor device | |
| Li et al. | A low level-clamped active gate driver for crosstalk suppression of sic mosfet based on dv/dt detection | |
| Wang et al. | Driving a silicon carbide power MOSFET with a fast short circuit protection | |
| Li et al. | A level shift gate driving circuit of SiC MOSFET with crosstalk suppression capability | |
| Tan et al. | Investigation of optimal IGBT switching behaviours under advanced gate control |