RU2781507C1 - Method for manufacturing a semiconductor structure of a multijunk photoconverter - Google Patents
Method for manufacturing a semiconductor structure of a multijunk photoconverter Download PDFInfo
- Publication number
- RU2781507C1 RU2781507C1 RU2021137223A RU2021137223A RU2781507C1 RU 2781507 C1 RU2781507 C1 RU 2781507C1 RU 2021137223 A RU2021137223 A RU 2021137223A RU 2021137223 A RU2021137223 A RU 2021137223A RU 2781507 C1 RU2781507 C1 RU 2781507C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- microparticles
- semiconductor
- layer
- manufacturing
- junction
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N Triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 6
- 210000004544 DC2 Anatomy 0.000 description 4
- 230000002530 ischemic preconditioning Effects 0.000 description 4
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N Arsine Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N Trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N Diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами.The invention relates to electronic engineering, and in particular to methods for manufacturing semiconductor structures of multistage (multi-junction) photoelectric converters of optical radiation with connecting elements between junctions.
В связи с повышением темпов развития концентраторной фотовольтаики и радиофотоники появляется необходимость в разработке высокоэффективных фотоэлектрических устройств, преобразующих мощное оптическое излучение. К таким устройствам относятся, например, концентраторные многопереходные солнечные элементы и многопереходные фотоприемники. Важной задачей при эпитаксиальном росте многопереходных гетероструктур является создание монолитно интегрированных соединительных элементов с низкими оптическими потерями и удельным сопротивлением и высокими пиковыми плотностями туннельного тока.In connection with the increase in the rate of development of concentrator photovoltaics and radio photonics, there is a need to develop highly efficient photovoltaic devices that convert powerful optical radiation. Such devices include, for example, concentrator multi-junction solar cells and multi-junction photodetectors. An important task in the epitaxial growth of multijunction heterostructures is the creation of monolithically integrated connecting elements with low optical losses and resistivity and high peak tunneling current densities.
Известен способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора (см. патент RU 265915, МПК H01L 31/18, опубликован 10.12.2005), включающий формирование многослойной n-p-структуры методом эпитаксиального выращивания слоев n- и р-типа на полупроводниковой подложке, формирование металлизации, резание заготовки на матрицы, нанесения просветляющего покрытия и присоединения токоотводов. Перед присоединением токоотводов на матрицы подают импульсное напряжение и пробивают обратносмещенные р-n-переходы.A known method of manufacturing a semiconductor photovoltaic generator (see patent RU 265915, IPC H01L 31/18, published 12/10/2005), including the formation of a multilayer n-p-structure by the method of epitaxial growth of n- and p-type layers on a semiconductor substrate, the formation of metallization, cutting the workpiece on matrices, applying an antireflection coating and connecting down conductors. Before connecting the down conductors, a pulsed voltage is applied to the matrices and reverse-biased p-n junctions are pierced.
При применении известного способа изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора для изготовления каскадных гетероструктур выходит из строя вся система каскадов.When using the known method of manufacturing a semiconductor photoelectric generator for the manufacture of cascade heterostructures, the entire system of cascades fails.
Известен способ изготовления многопереходной солнечной батареи (см. патент CN 102299159, МПК H01L 27/142, H01L 31/0352, H01L 31/0304, H01L 31/18, опубликован 20.11.2013), включающий формирование многослойной n-p-структуры на подложке InP из слоев InGaAsP/InGaAs, согласованных кристаллической решетками, при этом две p-n-переходные батареи соединены последовательно посредством выращивания переходного слоя.A known method for manufacturing a multi-junction solar battery (see patent CN 102299159, IPC H01L 27/142, H01L 31/0352, H01L 31/0304, H01L 31/18, published 11/20/2013), including the formation of a multilayer n-p-structure on an InP substrate from Lattice-matched InGaAsP/InGaAs layers, wherein two p-n-junction batteries are connected in series by growing the transition layer.
В известном способе изготовления многопереходной солнечной батареи для соединения каскадов используются туннельные р-n переходы, которые обладают ограниченной пропускной способностью и при подаче мощного светового потока у них резко возрастает сопротивление.In the well-known method of manufacturing a multi-junction solar battery, tunnel p-n junctions are used to connect the cascades, which have a limited bandwidth and when a powerful light flux is supplied, their resistance increases sharply.
Известен способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя (см. заявка KR 1020070078191, МПК H01L 33/00, опубликована 31.07.2007), включающий последовательное формирование на подложке нижнего слоя n-InP, активного слоя, выполненного в виде чередующихся слоев InGaAs и барьерных слоев InGaAsP, верхнего слоя р-InP и электродного слоя InGaAs. На подконтактном слое InGaAs формируют защитный слой InP для предотвращения загрязнения верхней поверхности подконтактного слоя InGaAs и формирования вакансий из-за отклонения Ga в составе подконтактного слоя InGaAs.A known method of manufacturing a semiconductor structure of a multijunction photoconverter (see application KR 1020070078191, IPC H01L 33/00, published 07/31/2007), including the sequential formation of the lower n-InP layer on the substrate, the active layer, made in the form of alternating InGaAs layers and InGaAsP barrier layers , the upper p-InP layer, and the InGaAs electrode layer. A protective InP layer is formed on the InGaAs subcontact layer to prevent contamination of the upper surface of the InGaAs subcontact layer and the formation of vacancies due to Ga deflection in the composition of the InGaAs subcontact layer.
Известным способом изготовления полупроводниковой структуры невозможно изготавливать многокаскадные структуры.It is impossible to manufacture multi-stage structures using the known method for manufacturing a semiconductor structure.
Известен способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя (см. патент RU 2461093, МПК H01L 31/04, опубликован 10.09.2012), совпадающий с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ-прототип включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом эпитаксиального выращивания слоев n-типа проводимости и р-типа проводимости, образующих не менее двух сопряженных друг с другом двухслойных компонентов с n-р или р-n переходами между двумя р-n переходами посредством введенных в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещенной зоны материала микрочастиц больше ширины запрещенной зоны материала р-n или n-р переходов. Однако в случае выращивания над зоной сопряжения из компонентов микрочастиц GaP слоя из InP, слой InP растет с большим количеством дефектов, что отрицательно сказывается на качестве слоев, что влияет эффективность фотопреобразования.A known method for manufacturing a semiconductor structure of a multi-junction photoconverter (see patent RU 2461093, IPC H01L 31/04, published 09/10/2012), coinciding with the present decision in the largest number of essential features and taken as a prototype. The prototype method includes the sequential formation on a semiconductor substrate by the method of epitaxial growth of layers of n-type conductivity and p-type conductivity, forming at least two two-layer components conjugated with each other with n-p or p-n junctions between two p-n junctions through the introduced into the conjugation zone of the components of microparticles from a conductive or semiconductor material, the dimensions of which exceed the thickness of the space charge region in the conjugation zone under consideration, and the band gap of the microparticle material is greater than the band gap of the p-n or n-p junction material. However, in the case of growing a layer of InP over the conjugation zone from the components of GaP microparticles, the InP layer grows with a large number of defects, which negatively affects the quality of the layers, which affects the photoconversion efficiency.
Задачей настоящего технического решения является разработка способа изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя, который бы обеспечивал повышенную эффективность фотопреобразования изготовленной полупроводниковой структуры за счет улучшения качества слоев InP на микрокристаллах GaP.The objective of this technical solution is to develop a method for manufacturing a semiconductor structure of a multi-junction photoconverter, which would provide an increased efficiency of photoconversion of the manufactured semiconductor structure by improving the quality of InP layers on GaP microcrystals.
Поставленная задача достигается тем, что способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя включает последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев n-типа проводимости и р-типа проводимости, образующих не менее двух n-р или р-n диодов, сопряженных друг с другом посредством введенных в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещенной зоны материала микрочастиц больше ширины запрещенной зоны материала р-n или n-р переходов. Новым в способе является то, что выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют путем выращивания субслоев толщиной (50-150) нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на (10-15) секунд при постоянной подаче водорода.The task is achieved by the fact that the method of manufacturing a semiconductor structure of a multi-junction photoconverter includes the sequential formation on a semiconductor substrate by the method of gas-phase epitaxy from organometallic compounds of layers of n-type conductivity and p-type conductivity, forming at least two n-p or p-n diodes conjugated to each other with the other by introducing microparticle components from a conductive or semiconductor material into the interface zone, the dimensions of which exceed the thickness of the space charge region in the interface zone under consideration, and the band gap of the microparticle material is greater than the band gap of the p-n or n-p junction material. New in the method is that the growth of the diode layer located on the layer of microparticles is carried out by growing sublayers with a thickness of (50-150) nm with an interruption in the supply of organometallic compounds for (10-15) seconds with a constant supply of hydrogen.
Полупроводниковая подложка может быть выполнена из фосфида индия InP.The semiconductor substrate can be made of indium phosphide InP.
Слой микрочастиц может быть выполнен из микрокристаллов GaP.The layer of microparticles may be made of GaP microcrystals.
Выполнение каждого субслоя толщиной (50-150) нм обусловлено тем, что первый на GaP субслой толщиной менее 50 нм обладает очень большим количеством дефектов, а при выращивании первого субслоя толщиной более 150 нм большинство дефектов прорастают по всей толщине.The implementation of each sublayer with a thickness of (50-150) nm is due to the fact that the first sublayer on GaP with a thickness of less than 50 nm has a very large number of defects, and when growing the first sublayer with a thickness of more than 150 nm, most defects grow over the entire thickness.
Прерывание подачи металлоорганических соединений на (10-15) секунд обусловлено тем, что при прерывании подачи металлоорганических соединений менее 10 секунд полная замена атмосферы в реакторе не выполняется, а при прерывании подачи металлоорганических соединений более 15 секунд с поверхности начинают улетать легколетучие компоненты, что приводит к увеличению дислокаций.The interruption of the supply of organometallic compounds for (10-15) seconds is due to the fact that when the supply of organometallic compounds is interrupted for less than 10 seconds, the atmosphere in the reactor is not completely replaced, and when the supply of organometallic compounds is interrupted for more than 15 seconds, volatile components begin to fly away from the surface, which leads to increase in dislocations.
Настоящий способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя осуществляют следующим образом.The present method for manufacturing a semiconductor structure of a multi-junction photoconverter is carried out as follows.
На полупроводниковой подложке, например, из n-InP, методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, например, триметилиндия, триэтилгаллия, фосфина, арсина, осуществляют формирование слоев n-типа проводимости и р-типа проводимости, например, слоев р-InP и n-InP, образующих не менее двух n-р или р-n диодов. При этом в зону сопряжения друг с другом слоев n-р или р-n диодов вводят компоненты микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, например, подачей потоков триэтилгалия и фосфина, с образованием микрочастиц, например, GaP, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещенной зоны материала микрочастиц больше ширины запрещенной зоны материала р-n или n-р переходов. При этом выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют субслоями толщиной (50-150) нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на (10-15) секунд при постоянной подаче водорода.On a semiconductor substrate, for example, from n-InP, by the method of gas-phase epitaxy from organometallic compounds, for example, trimethylindium, triethylgallium, phosphine, arsine, layers of n-type conductivity and p-type conductivity are formed, for example, layers of p-InP and n- InP, forming at least two n-p or p-n diodes. At the same time, components of microparticles from a conductive or semiconductor material are introduced into the zone of conjugation with each other of the layers of n-p or p-n diodes, for example, by supplying flows of triethylgallium and phosphine, with the formation of microparticles, for example, GaP, the dimensions of which exceed the thickness of the space charge region in the conjugation zone under consideration, and the band gap of the material of microparticles is greater than the band gap of the material p-n or n-p transitions. At the same time, the growth of the diode layer located on the layer of microparticles is carried out in sublayers with a thickness of (50-150) nm with an interruption in the supply of organometallic compounds for (10-15) seconds with a constant supply of hydrogen.
Эффективность фотопреобразования р-n перехода на микрокристаллах GaP изготовленной настоящим способом близка к эффективности р-n перехода выращенного на подложке InP.The photoconversion efficiency of the p-n junction on GaP microcrystals fabricated by this method is close to the efficiency of the p-n junction grown on an InP substrate.
Пример 1. На полупроводниковой подложке из n-InP (001), которая во время роста вращалась со скоростью 100 об/мин, методом газофазной эпитаксии на установке AIXTRON-200 с реактором горизонтального типа при давлении в реакторе 100 мбар в суммарном потоке через реактор 5,5 л/мин водорода с точкой росы не хуже 100°С из источников элементов: триметилиндия, триэтилгаллия, фосфина, арсина и источников легирующих примесей силана и диэтилцинка при температуре роста 600°С осуществляли формирование слоев р-InP и n-InP, образующих два n-р и р-n диода. При этом в зону сопряжения друг с другом слоев n-р и р-n диодов вводили компоненты микрочастиц подачей потоков триэтилгалия и фосфина при соотношении потоков 300, с образованием слоя микрочастиц GaP толщиной 80 нм. Выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляли субслоями толщиной 50 нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на 10 секунд при постоянной подаче водорода.Example 1. On an n-InP (001) semiconductor substrate, which rotated at a speed of 100 rpm during growth, by the method of gas-phase epitaxy on an AIXTRON-200 installation with a horizontal type reactor at a reactor pressure of 100 mbar in a total flow through reactor 5 5 L/min of hydrogen with a dew point of at least 100°C from the sources of elements: trimethylindium, triethylgallium, phosphine, arsine and sources of silane and diethylzinc dopants at a growth temperature of 600°C, p-InP and n-InP layers were formed, forming two n-p and p-n diodes. At the same time, components of microparticles were introduced into the zone of conjugation with each other of the layers of n-p and p-n diodes by supplying flows of triethylgallium and phosphine at a flow ratio of 300, with the formation of a layer of GaP microparticles with a thickness of 80 nm. The growth of the diode layer located on the layer of microparticles was carried out in sublayers 50 nm thick with an interruption in the supply of organometallic compounds for 10 seconds with a constant supply of hydrogen.
Качество материала InP выращенного на поверхности микрокристаллов GaP, сопоставима по данным фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии с качеством InP выращенным на подложке InP. Кроме того, эффективность преобразования излучения в 2-х каскадном элементе полностью соответствует расчетам.The quality of the InP material grown on the surface of GaP microcrystals is comparable according to photoluminescence and X-ray diffraction data with the quality of InP grown on an InP substrate. In addition, the radiation conversion efficiency in the 2-stage element is in full agreement with the calculations.
Пример 2. На полупроводниковой подложке из n-InP (001), которая во время роста вращалась со скоростью 100 об/мин, методом газофазной эпитаксии на установке AIXTRON-200 с реактором горизонтального типа при давлении в реакторе 110 мбар в суммарном потоке через реактор 5,5 л/мин водорода с точкой росы не хуже 100°С из источников элементов: триметилиндия, триэтилгаллия, фосфина, арсина и источников легирующих примесей силана и диэтилцинка при температуре роста 650°С осуществляли формирование слоев р-InP и n-InP, образующих два n-р и р-n диода. В зону сопряжения друг с другом слоев n-р и р-n диодов вводили компоненты микрочастиц подачей потоков триэтилгалия и фосфина при соотношении потоков 300, с образованием слоя микрочастиц GaP толщиной 90 нм. Выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляли субслоями толщиной 150 нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на 15 секунд при постоянной подаче водорода.Example 2. On an n-InP (001) semiconductor substrate, which during growth rotated at a speed of 100 rpm, using the method of gas-phase epitaxy on an AIXTRON-200 installation with a horizontal type reactor at a reactor pressure of 110 mbar in a total flow through reactor 5 5 L/min of hydrogen with a dew point of at least 100°C from the sources of elements: trimethylindium, triethylgallium, phosphine, arsine and sources of silane and diethylzinc dopants at a growth temperature of 650°C, p-InP and n-InP layers were formed, forming two n-p and p-n diodes. Components of microparticles were introduced into the zone of conjugation with each other of layers of n-p and p-n diodes by supplying flows of triethylgallium and phosphine at a flow ratio of 300, with the formation of a layer of GaP microparticles with a thickness of 90 nm. The growth of the diode layer located on the layer of microparticles was carried out in sublayers 150 nm thick with an interruption in the supply of organometallic compounds for 15 seconds with a constant supply of hydrogen.
Эффективность фотопреобразования р-n перехода на микрокристаллах GaP изготовленной настоящим способом близка к эффективности р-n перехода выращенного на подложке InP.The photoconversion efficiency of the p-n junction on GaP microcrystals fabricated by this method is close to the efficiency of the p-n junction grown on an InP substrate.
Claims (3)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2781507C1 true RU2781507C1 (en) | 2022-10-12 |
Family
ID=
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2366035C1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-08-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Way of realisation of structure of multilayered photo-electric converter |
| RU2461093C1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH p-n JUNCTIONS |
| US20130048061A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | International Business Machines Corporation | Monolithic multi-junction photovoltaic cell and method |
| RU2559991C1 (en) * | 2013-03-06 | 2015-08-20 | Сайно-Американ Силикон Продактс Инк. | Photovoltaic device and method of manufacture of such device |
| WO2020114821A1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Centre National De La Recherche Scientifique | Photovoltaic cell with an aluminium-arsenic and indium-phosphorous based heterojunction, associated multi-junction cell and associated method |
| CN112885321A (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-01 | 陕西赛普瑞电气有限公司 | Noise reduction device based on artificial intelligence |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2366035C1 (en) * | 2008-05-14 | 2009-08-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Way of realisation of structure of multilayered photo-electric converter |
| RU2461093C1 (en) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Учреждение Российской Академии Наук Научно-Технологический Центр Микроэлектроники И Субмикронных Гетероструктур Ран | METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH p-n JUNCTIONS |
| US20130048061A1 (en) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | International Business Machines Corporation | Monolithic multi-junction photovoltaic cell and method |
| RU2559991C1 (en) * | 2013-03-06 | 2015-08-20 | Сайно-Американ Силикон Продактс Инк. | Photovoltaic device and method of manufacture of such device |
| WO2020114821A1 (en) * | 2018-12-03 | 2020-06-11 | Centre National De La Recherche Scientifique | Photovoltaic cell with an aluminium-arsenic and indium-phosphorous based heterojunction, associated multi-junction cell and associated method |
| CN112885321A (en) * | 2019-11-29 | 2021-06-01 | 陕西赛普瑞电气有限公司 | Noise reduction device based on artificial intelligence |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6660928B1 (en) | Multi-junction photovoltaic cell | |
| TWI488316B (en) | Surrogate substrates for inverted metamorphic multijunction solar cells | |
| US9214580B2 (en) | Multi-junction solar cell with dilute nitride sub-cell having graded doping | |
| US6300557B1 (en) | Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters | |
| US20170309768A1 (en) | Silicon heterojunction photovoltaic device with wide band gap emitter | |
| US5851310A (en) | Strained quantum well photovoltaic energy converter | |
| US4591654A (en) | Solar cells based on indium phosphide | |
| WO2008124154A2 (en) | Photovoltaics on silicon | |
| US5322573A (en) | InP solar cell with window layer | |
| US9324911B2 (en) | Methods of fabricating dilute nitride semiconductor materials for use in photoactive devices and related structures | |
| JP4471584B2 (en) | Method for producing compound solar cell | |
| CN103346191A (en) | GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs four-knot cascade solar cell and preparation method thereof | |
| US8431815B2 (en) | Photovoltaic device comprising compositionally graded intrinsic photoactive layer | |
| CN102651419A (en) | Quadruple-junction cascading solar battery and fabrication method thereof | |
| Oshima et al. | High doping performance of sulfur and zinc dopants in tunnel diodes using hydride vapor phase epitaxy | |
| JP5626847B2 (en) | Nanostructure and manufacturing method thereof | |
| KR20180107174A (en) | Multi-junction optoelectronic devices with IV junction semiconductors in bottom junction | |
| Hudait et al. | 0.6-eV bandgap In/sub 0.69/Ga/sub 0.31/As thermophotovoltaic devices grown on InAs/sub y/P/sub 1-y/step-graded buffers by molecular beam epitaxy | |
| Rybalchenko et al. | Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD | |
| CN103219414A (en) | Manufacture method for GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs four-junction cascading solar battery | |
| KR101931712B1 (en) | Compound semiconductor solar cell | |
| RU2781507C1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor structure of a multijunk photoconverter | |
| CN103346190B (en) | Four knot tandem solar cell of Si substrate and preparation method thereof | |
| Jain et al. | InGaAsP solar cells grown by hydride vapor phase epitaxy | |
| JP3250425B2 (en) | Compound semiconductor wafer and solar cell |