RU2766832C1 - Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5 - Google Patents

Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5 Download PDF

Info

Publication number
RU2766832C1
RU2766832C1 RU2021107449A RU2021107449A RU2766832C1 RU 2766832 C1 RU2766832 C1 RU 2766832C1 RU 2021107449 A RU2021107449 A RU 2021107449A RU 2021107449 A RU2021107449 A RU 2021107449A RU 2766832 C1 RU2766832 C1 RU 2766832C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
quantum dots
size
semiconductor
semiconductor quantum
density
Prior art date
Application number
RU2021107449A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Максим Сергеевич Солодовник
Наталия Евгеньевна Черненко
Сергей Вячеславович Балакирев
Михаил Михайлович Еременко
Original Assignee
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" filed Critical федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
Priority to RU2021107449A priority Critical patent/RU2766832C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2766832C1 publication Critical patent/RU2766832C1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: disclosed method relates to electronics and optoelectronics and can be used to create structures of active elements of nano- and optoelectronics and integrated circuits based thereon. To control the size of quantum dots, a drop epitaxy method is used, in which the In metal drops formed at the first stage under the effect of the background pressure As change their size regardless of their density, which depends on the value of the background pressure, thereby determining the final size of the semiconductor quantum dots InAs after their crystallisation.
EFFECT: independent control of the size of semiconductor quantum dots A3B5.
1 cl, 1 dwg

Description

Предлагаемый способ относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использован при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе.The proposed method relates to the field of electronics and optoelectronics and can be used to create structures of active elements of nano- and optoelectronics and integrated circuits based on them.

Известен аналог заявляемого объекта «Controlling the size of InAs quantum dots on Si1−xGex/Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy» [K. Kawaguchi, H. Ebe, M. Ekawa, A. Sugama, Y. Arakawa. Controlling the size of InAs quantum dots on Si1−xGex/Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy // Materials Science and Engineering B, 2009, №165, pp. 103 –106], содержащий этапы формирования полупроводниковых квантовых точек A3B5 с управляемыми размерами на подложке: на первом этапе на полупроводниковой подложке формируется составной буферный слой Si/Si1−xGex, на втором этапе проводится формирование массива полупроводниковых квантовых точек InAs заданного размера, который регулируется путем выбора скорости осаждения и соотношения потоков ростовых компонент.Known analogue of the claimed object "Controlling the size of InAs quantum dots on Si 1−x Ge x /Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy" [K. Kawaguchi, H. Ebe, M. Ekawa, A. Sugama, Y. Arakawa. Controlling the size of InAs quantum dots on Si 1 − x Ge x /Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy // Materials Science and Engineering B, 2009, no. 165, pp. 103–106] containing the stages of formation of A3B5 semiconductor quantum dots with controlled sizes on the substrate: at the first stage, a composite Si/Si 1 – xGex buffer layer is formed on the semiconductor substrate, at the second stage, an array of semiconductor InAs quantum dots of a given size is formed, which is controlled by choosing the settling rate and the ratio of growth component fluxes.

Данный способ позволяет управлять размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5.This method allows you to control the size of A3B5 semiconductor quantum dots.

Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, являются: использование полупроводниковой подложки с буферным слоем, формирование квантовых точек из InAs, использование скорости осаждения для управления размерами полупроводниковых квантовых точек.Signs of analogue, coinciding with the essential features of the claimed object, are: the use of a semiconductor substrate with a buffer layer, the formation of quantum dots from InAs, the use of deposition rate to control the size of semiconductor quantum dots.

Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: узкий диапазон управления размерами и плотностью полупроводниковых квантовых точек, что обусловлено использованием для роста механизма Странского-Крастанова; невозможность независимого управления размерами и плотностью полупроводниковых квантовых точек, что обусловлено взаимосвязью основных управляющих параметров – скорости осаждения и соотношения потоков ростовых компонент. The reasons hindering the achievement of the technical result are: a narrow range of control over the size and density of semiconductor quantum dots, which is due to the use of the Stranski-Krastanov mechanism for growth; the impossibility of independent control of the size and density of semiconductor quantum dots, which is due to the relationship between the main control parameters - the deposition rate and the ratio of growth component fluxes.

Известен аналог заявляемого объекта «Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy» [X.M. Lu, Y.Izumi, M.Koyama, Y.Nakata, S.Adachi, S.Muto. Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy // Journal of Crystal Growth, 2011, №322, pp. 6–9], содержащий этапы формирования полупроводниковых квантовых точек A3B5 с управляемыми размерами на подложке: на первом этапе на полупроводниковой подложке выращивается составной буферный слой GaAs/AlGaAs; на втором этапе формируется массив полупроводниковых квантовых точек InAlAs заданного размера, который регулируется путем выбора скорости осаждения, температуры подложки и химического состава квантовых точек.Known analogue of the claimed object "Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy" [X.M. Lu, Y.Izumi, M.Koyama, Y.Nakata, S.Adachi, S.Muto. Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy // Journal of Crystal Growth, 2011, no. 322, pp. 6–9], which contains the stages of formation of A3B5 semiconductor quantum dots with controlled sizes on a substrate: at the first stage, a composite GaAs/AlGaAs buffer layer is grown on a semiconductor substrate; At the second stage, an array of semiconductor InAlAs quantum dots of a given size is formed, which is controlled by choosing the deposition rate, substrate temperature, and chemical composition of quantum dots.

Данный способ позволяет управлять размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5.This method allows you to control the size of A3B5 semiconductor quantum dots.

Признаками аналога, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, является: использование полупроводниковой подложки из GaAs с буферным слоем, использование температуры и скорости осаждения для управления размерами полупроводниковых квантовых точек.Signs of analogue, coinciding with the essential features of the claimed object, is: the use of a semiconductor substrate of GaAs with a buffer layer, the use of temperature and deposition rate to control the size of semiconductor quantum dots.

Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: узкий диапазон управления размерами и плотностью полупроводниковых квантовых точек, что обусловлено использованием для роста механизма Странского-Крастанова; невозможность независимого управления размерами и плотностью полупроводниковых квантовых точек, что обусловлено взаимосвязью основных управляющих параметров – температуры и скорости осаждения.The reasons hindering the achievement of the technical result are: a narrow range of control over the size and density of semiconductor quantum dots, which is due to the use of the Stranski-Krastanov mechanism for growth; the impossibility of independent control over the size and density of semiconductor quantum dots, which is due to the relationship between the main control parameters - temperature and deposition rate.

Из известных аналогов наиболее близким по технической сущности к заявляемому объекту является «In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots» [A. Koizumi, H. Imanishi, K. Uchida, S. Nozaki. In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots // Journal of Crystal Growth, 2011, №315, pp. 106 – 109], содержащий этапы формирования полупроводниковых квантовых точек A3B5 с управляемыми размерами на подложке: на первом этапе на полупроводниковой подложке из GaAs формируется буферный слой GaAs, на втором этапе формируется массив полупроводниковых квантовых точек InAs, на третьем этапе проводится травление квантовых точек InAs в CBrCl3, что позволяет изменять их размер и плотность.Of the known analogues, the closest in technical essence to the claimed object is "In situ CBrCl 3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots" [A. Koizumi, H. Imanishi, K. Uchida, S. Nozaki. In situ CBrCl 3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots // Journal of Crystal Growth, 2011, no. 315, pp. 106 – 109], which contains the stages of formation of A3B5 semiconductor quantum dots with controlled dimensions on the substrate: at the first stage, a GaAs buffer layer is formed on the GaAs semiconductor substrate, at the second stage, an array of InAs semiconductor quantum dots is formed, at the third stage, InAs quantum dots are etched into CBrCl 3 that allows you to change their size and density.

Данный способ позволяет управлять размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5.This method allows you to control the size of A3B5 semiconductor quantum dots.

Признаками прототипа, совпадающими с существенными признаками заявляемого объекта, является: использование полупроводниковой подложки из GaAs с буферным слоем, формирование полупроводниковых квантовых точек из InAs, использование температуры для управления размерами полупроводниковых квантовых точек, наличие этапа изменения размеров полупроводниковых квантовых точек после завершениях их формирования.Signs of the prototype, coinciding with the essential features of the claimed object, are: the use of a GaAs semiconductor substrate with a buffer layer, the formation of semiconductor quantum dots from InAs, the use of temperature to control the size of semiconductor quantum dots, the presence of a stage of changing the size of semiconductor quantum dots after their formation is completed.

Причинами, препятствующими достижению технического результата, являются: узкий диапазон управления размерами и плотностью полупроводниковых квантовых точек, что обусловлено использованием для роста механизма Странского-Крастанова; изменение плотности и размеров полупроводниковых квантовых точек путем их травления после завершения формирования приводит к ухудшению однородности их геометрических параметров и функциональных характеристик за счет деградации поверхности кристаллической структуры. The reasons hindering the achievement of the technical result are: a narrow range of control over the size and density of semiconductor quantum dots, which is due to the use of the Stranski-Krastanov mechanism for growth; a change in the density and size of semiconductor quantum dots by etching them after completion of formation leads to a deterioration in the uniformity of their geometric parameters and functional characteristics due to degradation of the surface of the crystal structure.

Технический результат предполагаемого способа – независимое управление размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5 путем изменения фонового давления As в процессе формирования металлических нанокапель перед их кристаллизацией и трансформацией в полупроводниковые квантовые точки.The technical result of the proposed method is independent control of the size of semiconductor quantum dots A3B5 by changing the background pressure As in the process of formation of metal nanodroplets before their crystallization and transformation into semiconductor quantum dots.

Технический результат достигается за счет того, что для управления размерами полупроводниковых квантовых точек используется метод капельной эпитаксии, в котором формирующиеся на первом этапе металлические капли In под воздействием фонового давления As изменяют свой размер независимо от их плотности, который зависит от величины фонового давления, определяя тем самым конечный размер полупроводниковых квантовых точек InAs после их кристаллизации.The technical result is achieved due to the fact that to control the size of semiconductor quantum dots, the drop epitaxy method is used, in which the metal In drops formed at the first stage under the influence of background pressure As change their size regardless of their density, which depends on the value of the background pressure, determining that the most finite size of InAs semiconductor quantum dots after their crystallization.

Для достижения необходимого технического результата предложен способ независимого управления размером полупроводниковых квантовых точек A3B5, состоящий из этапов формирования буферного слоя, формирования методом капельной эпитаксии полупроводниковых квантовых точек InAs, независимое управление размерами которых осуществляется на этапе формирования нанокапель In путем выбора величины фонового давления As, при котором осуществляется формирование нанокапель In.To achieve the required technical result, a method is proposed for independently controlling the size of A3B5 semiconductor quantum dots, consisting of the stages of forming a buffer layer, forming InAs semiconductor quantum dots by drop epitaxy, independent control of the size of which is carried out at the stage of forming In nanodroplets by choosing the value of the background pressure As, at which In nanodroplets are formed.

На Фиг. 1 изображена схема этапов формирования структуры с массивом полупроводниковых квантовых точек InAs с независимым управлением размерами.On FIG. 1 shows a diagram of the steps involved in forming a structure with an array of semiconductor InAs quantum dots with independent size control.

Изготовление полупроводниковых квантовых точек A3B5 с независимым управлением размерами происходит следующим образом.The fabrication of A3B5 semiconductor quantum dots with independent size control is as follows.

На исходной полупроводниковой подложке 1 (Фиг. 1, шаг 1) осаждается буферный слой 2 полупроводникового материала с целью пространственного разделения будущих структур и подложки и создания высококачественной ростовой поверхности (Фиг.1, шаг 2). Затем на подложку 1 поверх полупроводникового буферного слоя 2 осаждается металлическая компонента (In) материала квантовых точек 3 при фиксированных температуре роста, скорости и толщине осаждения. В зависимости от величины фонового давления As, при котором проводится осаждение металлической компоненты, образуются капли определенных размеров (Фиг 1, шаг 3 (А,B,C)), при этом увеличение фонового давления As приводит к уменьшению размеров нанокапель 3 при сохранении неизменной их плотности в массиве (Фиг 1, шаг 3(С)). На последнем этапе проводится экспозиция капель в потоке неметаллической компоненты (As), в ходе которой происходит кристаллизация металлических нанокапель 3 и их трансформация в полупроводниковые квантовые точки InAs 4, при этом размер и плотность получаемых полупроводниковых квантовых точек 4 задаются размерами и плотностью исходных нанокапель In 3 (Фиг.1, шаг 4 (A,B,C)), в свою очередь, плотность который определяется температурой формирования металлических кластеров, а размер – скоростью и толщиной осаждения, а также фоновым давлением среды (в данном случае – As). A buffer layer 2 of a semiconductor material is deposited on the original semiconductor substrate 1 (Fig. 1, step 1) in order to spatially separate future structures and the substrate and create a high-quality growth surface (Fig. 1, step 2). Then, the metal component (In) of the material of quantum dots 3 is deposited on the substrate 1 over the semiconductor buffer layer 2 at a fixed growth temperature, deposition rate, and thickness. Depending on the value of the background pressure As, at which the deposition of the metal component is carried out, drops of certain sizes are formed (Fig. 1, step 3 (A, B, C)), while an increase in the background pressure As leads to a decrease in the size of nanodroplets 3 while maintaining their unchanged density in the array (Figure 1, step 3(C)). At the last stage, droplets are exposed to a flow of a non-metallic component (As), during which metal nanodroplets 3 crystallize and transform into InAs 4 semiconductor quantum dots, while the size and density of the resulting semiconductor quantum dots 4 are set by the size and density of the initial In3 nanodroplets (Figure 1, step 4 (A,B,C)), in turn, the density of which is determined by the temperature of the formation of metal clusters, and the size is determined by the rate and thickness of deposition, as well as the background pressure of the medium (in this case, As).

Предлагаемый способ прошел экспериментальную апробацию авторами, поскольку в его основу легли результаты экспериментальных исследований. Нами было показано, что при осаждении 3 монослоя In (0,3 нм) при скорости 0,25 монослоя/с (0,075 нм/с) при температуре подложки 300°C увеличение фонового давления в диапазоне 1,0×10-7 – 6,3×10-7 Па приводит к 1,5-кратному уменьшению размеров нанокапель In – с 150 до 110 нм – при сохранении их плотности на уровне 1×108 см2. В то же время, при осаждении 1,5 монослоя In (0,15 нм) при тех же скорости (0,25 монослоя/с или 0,075 нм/с) и температуре осаждения (300°C) увеличение давления в диапазоне 8,7×10-8 – 1,3×10-7 Па приводит к более чем 2-кратному уменьшению размеров нанокапель In – с 80 до 30 нм – при сохранении их плотности на уровне 1×108 см2.The proposed method has been experimentally tested by the authors, since it is based on the results of experimental studies. We have shown that during the deposition of 3 monolayers of In (0.3 nm) at a rate of 0.25 monolayer/s (0.075 nm/s) at a substrate temperature of 300°C, an increase in background pressure in the range of 1.0 × 10 -7 - 6 ,3×10 -7 Pa leads to a 1.5-fold decrease in the size of In nanodroplets - from 150 to 110 nm - while maintaining their density at the level of 1×10 8 cm 2 . At the same time, during the deposition of 1.5 monolayers of In (0.15 nm) at the same rate (0.25 monolayers/s or 0.075 nm/s) and deposition temperature (300°C), the pressure increase in the range of 8.7 ×10 -8 – 1.3×10 -7 Pa leads to a more than 2-fold decrease in the size of In nanodroplets - from 80 to 30 nm - while maintaining their density at the level of 1×10 8 cm 2 .

Таким образом, предлагаемый способ представляет собой способ, позволяющий осуществлять независимое управление размером полупроводниковых квантовых точек A3B5, получаемых методом капельной эпитаксии, в котором плотность квантовых точек и их предшественников – нанокапель – задаётся температурой подложки, а размер – количеством осажденного материала (толщиной), скоростью осаждения и фоновым давлением As, причем использование фонового давления как управляющего параметра позволяет получать размеры наноструктур, недостижимые без его использования.Thus, the proposed method is a method that allows independent control of the size of A3B5 semiconductor quantum dots obtained by drop epitaxy, in which the density of quantum dots and their precursors, nanodroplets, is set by the substrate temperature, and the size is set by the amount of deposited material (thickness), speed deposition and background pressure As, and the use of background pressure as a control parameter makes it possible to obtain sizes of nanostructures that are unattainable without its use.

Таким образом, по сравнению с аналогичными способами предлагаемый способ независимого управления размерами полупроводниковых квантовых точек A3B5 позволяет контролировать размер полупроводниковых квантовых точек на поверхности при помощи фонового давления As независимо от их плотности, температуры и скорости осаждения, а также химического состава материала ростовой поверхности и квантовой точки.Thus, in comparison with similar methods, the proposed method for independent control of the size of A3B5 semiconductor quantum dots makes it possible to control the size of semiconductor quantum dots on the surface using the background pressure As, regardless of their density, temperature and deposition rate, as well as the chemical composition of the material of the growth surface and the quantum dot. .

Claims (1)

Способ независимого управления размерами полупроводниковых квантовых точек А3В5, включающий использование полупроводниковой подложки из GaAs, на которую осаждается буферный слой полупроводникового материала, на котором формируется массив наноструктур, размер которых изменяется после завершения их формирования, отличающийся тем, что на подложку поверх полупроводникового буферного слоя осаждается металлическая компонента (In) материала квантовых точек при фиксированных температуре роста, скорости и толщине осаждения, приводящая к формированию металлических нанокапель, размер которых зависит от величины фонового давления As, затем проводится экспозиция капель в потоке неметаллической компоненты (As), при этом происходит кристаллизация металлических нанокапель и их трансформация в полупроводниковые квантовые точки InAs, причем размер и плотность получаемых полупроводниковых квантовых точек зависит от размеров и плотности исходных нанокапель In.A method for independent control of the size of A3V5 semiconductor quantum dots, which includes the use of a GaAs semiconductor substrate, on which a buffer layer of a semiconductor material is deposited, on which an array of nanostructures is formed, the size of which changes after their formation is completed, characterized in that a metal layer is deposited on the substrate over the semiconductor buffer layer. component (In) of the quantum dot material at a fixed growth temperature, deposition rate, and thickness, leading to the formation of metal nanodroplets, the size of which depends on the value of the background pressure As, then the droplets are exposed to the flow of the non-metal component (As), and the metal nanodroplets crystallize and their transformation into semiconductor quantum dots InAs, and the size and density of the resulting semiconductor quantum dots depend on the size and density of the initial In nanodroplets.
RU2021107449A 2021-03-22 2021-03-22 Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5 RU2766832C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021107449A RU2766832C1 (en) 2021-03-22 2021-03-22 Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021107449A RU2766832C1 (en) 2021-03-22 2021-03-22 Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2766832C1 true RU2766832C1 (en) 2022-03-16

Family

ID=80736945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021107449A RU2766832C1 (en) 2021-03-22 2021-03-22 Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2766832C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114907848A (en) * 2022-04-25 2022-08-16 苏州大学 Growth method of double-mode-size InAs/GaAs quantum dot, quantum dot and quantum dot composition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006017220A1 (en) * 2004-07-13 2006-02-16 Brown University Process to grow a highly ordered quantum dot array, quantum dot array grown in accordance with the process, and devices incorporating same
US20110260111A1 (en) * 2008-09-03 2011-10-27 Shuming Nie Quantum dots, methods of making quantum dots, and methods of using quantum dots
RU2543696C2 (en) * 2013-07-12 2015-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "Солар Дотс" Method of formation of array of quantum points of increased density

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006017220A1 (en) * 2004-07-13 2006-02-16 Brown University Process to grow a highly ordered quantum dot array, quantum dot array grown in accordance with the process, and devices incorporating same
US20110260111A1 (en) * 2008-09-03 2011-10-27 Shuming Nie Quantum dots, methods of making quantum dots, and methods of using quantum dots
RU2543696C2 (en) * 2013-07-12 2015-03-10 Общество с ограниченной ответственностью "Солар Дотс" Method of formation of array of quantum points of increased density

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. Koizumi, H. Imanishi, K. Uchida, S. Nozaki, In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots, Journal of Crystal Growth, 2011, N 315, pp. 106-109. *
A. Koizumi, H. Imanishi, K. Uchida, S. Nozaki, In situ CBrCl3 etching to control size and density of InAs/GaAs quantum dots, Journal of Crystal Growth, 2011, N 315, pp. 106-109. X.M. Lu, Y.Izumi, M.Koyama, Y.Nakata, S.Adachi, S.Muto, Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2011, N 322, pp. 6-9. K. Kawaguchi, H. Ebe, M. Ekawa, A. Sugama, Y. Arakawa, Controlling the size of InAs quantum dots on Si1−xGex/Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy, Materials Science and Engineering B, 2009, N 165, pp. 103-106. *
K. Kawaguchi, H. Ebe, M. Ekawa, A. Sugama, Y. Arakawa, Controlling the size of InAs quantum dots on Si1−xGex/Si(001) by metalorganic vapor-phase epitaxy, Materials Science and Engineering B, 2009, N 165, pp. 103-106. *
X.M. Lu, Y.Izumi, M.Koyama, Y.Nakata, S.Adachi, S.Muto, Effects of growth conditions on the size and density of self-assembled InAlAs/AlGaAs quantum dots grown on GaAs by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2011, N 322, pp. 6-9. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114907848A (en) * 2022-04-25 2022-08-16 苏州大学 Growth method of double-mode-size InAs/GaAs quantum dot, quantum dot and quantum dot composition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2006025793A1 (en) Nanostructures and method of making the same
US8691011B2 (en) Method for metal-free synthesis of epitaxial semiconductor nanowires on si
Kishino et al. Selective-area growth of GaN nanocolumns on titanium-mask-patterned silicon (111) substrates by RF-plasma-assisted molecular-beam epitaxy
US20070004222A1 (en) Fabrication of aligned nanowire lattices
RU2766832C1 (en) Method for independent control of sizes of semiconductor quantum dots a3b5
Bauer et al. MOVPE growth and real structure of vertical-aligned GaAs nanowires
US6033972A (en) Growing method of GaAs quantum dots using chemical beam epitaxy
Dirko et al. Thickness-dependent elastic strain in Stranski–Krastanow growth
CN103534786A (en) Oxide removal from semiconductor surfaces
Hoshii et al. Epitaxial lateral overgrowth of InGaAs on SiO2 from (111) Si micro channel areas
Barbagini et al. Critical aspects of substrate nanopatterning for the ordered growth of GaN nanocolumns
CN109524511B (en) A kind of nano wire coupling quantum point structure and preparation method thereof
Hara et al. Self-assembly and selective-area formation of ferromagnetic MnAs nanoclusters on lattice-mismatched semiconductor surfaces by MOVPE
KR100821267B1 (en) Method for manufacturing bi nanowire by using stress-induced growth
US20150279656A1 (en) GaN EPITAXIAL GROWTH METHOD
Nikiforov et al. Growth and structure of Ge nanoislands on an atomically clean silicon oxide surface
Horikoshi Migration-Enhanced Epitaxy and its Application
Liu et al. Improved GaAs/AlAs multilayer structures grown by MBE on patterned GaAs (100) substrates with ridges along the (001) direction
CN107424912B (en) Preparation method of gallium nitride-based nano-pillar array
RU2628220C1 (en) METHOD OF NANOWIRES ARRAY ON STEPPED SURFACE Cu2Si FORMATION
Boonpeng et al. Fabrication of self-Assembled InGaAs squarelike nanoholes on GaAs (001) by droplet epitaxy
Ro et al. Formation of GaAs island by Ga-droplet-induced chemical beam epitaxy
CN110707002B (en) Preparation method and growth structure of high-quality self-supporting GaN substrate
JP2016174071A (en) Method for crystal growth
JP6635462B2 (en) Method for manufacturing semiconductor quantum dot device