RU2765783C1 - Bridge switching power amplifier - Google Patents
Bridge switching power amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2765783C1 RU2765783C1 RU2021104922A RU2021104922A RU2765783C1 RU 2765783 C1 RU2765783 C1 RU 2765783C1 RU 2021104922 A RU2021104922 A RU 2021104922A RU 2021104922 A RU2021104922 A RU 2021104922A RU 2765783 C1 RU2765783 C1 RU 2765783C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistors
- bridge
- amplifier
- bridge amplifier
- composite
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электротехнике в частности к импульсным усилителям мощности и может быть использовано в бестрансформаторных усилителях с широтно-импульсной модуляцией для управления двухфазными электродвигателями в следящих приводах.The invention relates to electrical engineering, in particular to pulse power amplifiers and can be used in transformerless amplifiers with pulse-width modulation for controlling two-phase motors in servo drives.
Известен мостовой усилитель мощности (авторское свидетельство №581568 25.11.77), выбранный в качестве прототипа, который содержит два двухтактных каскада, выполненных на включенных последовательно по постоянному току транзисторах, подключенных к источнику питания, между выходами которых включена нагрузка, первый двухтактный каскад выполнен на транзисторах противоположного типа проводимости, базы которых объединены и являются входом мостового усилителя мощности, а эмиттеры соединены с нагрузкой. Второй двухтактный каскад выполнен на транзисторах противоположного типа проводимости, включенных по схеме с общим эмиттером, базы которых через резисторы соединены с входом мостового усилителя мощности, при этом эмиттеры транзисторов первого двухтактного каскада подключены к общей шине. Known bridge power amplifier (author's certificate No. 581568 11/25/77), selected as a prototype, which contains two push-pull cascades, made on transistors connected in series with direct current, connected to a power source, between the outputs of which the load is switched on, the first push-pull cascade is made on transistors of the opposite type of conductivity, the bases of which are combined and are the input of the bridge power amplifier, and the emitters are connected to the load. The second push-pull stage is made on transistors of the opposite type of conductivity, connected according to a common emitter circuit, the bases of which are connected through resistors to the input of the bridge power amplifier, while the emitters of the transistors of the first push-pull stage are connected to a common bus.
Существенным недостатком известного мостового усилителя мощности является то, что длительность времени выключения транзисторов 3, 4 превышает длительность времени включения этих транзисторов. При этом в момент переключения оба транзистора могут находиться в открытом состоянии, что приводит к возникновению неуправляемого сквозного тока через транзисторы 3, 4. Такой режим работы снижает надежность мостового усилителя мощности. К недостаткам известного мостового усилителя мощности можно отнести необходимость применения двухполярного источника питания и отсутствие возможности использования входного управляющего сигнала логического уровня, что ограничивает область его применения.A significant disadvantage of the known bridge power amplifier is that the turn-off time of the
Для заявленного изобретения и прототипа выявлены следующие общие существенные признаки: мостовой импульсный усилитель мощности, состоящий из инвертора, первого полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, а также второго полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя.For the claimed invention and prototype, the following common essential features have been identified: a bridge switching power amplifier, consisting of an inverter, the first half-bridge amplifier built on composite Darlington transistors, which are shunted by diodes and a resistor divider, as well as a second half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider.
Технической проблемой настоящего изобретения является повышение надежности мпульсного усилителя мощности за счет исключения сквозных неуправляемых токов силовых транзисторов и расширение области его применения.The technical problem of the present invention is to increase the reliability of a switching power amplifier by eliminating through uncontrolled currents of power transistors and expanding the scope of its application.
Указанная техническая проблема решается тем, что в мостовом усилителе мощности, состоящим из инвертора, первого полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, а также второго полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, согласно заявленному изобретению входной сигнал логического уровня поступает на вход нижнего составного транзистора первого полумостового усилителя, а через инвертор входной сигнал поступает на вход нижнего составного транзистора второго полумостового усилителя, для управления верхними составными транзисторами первого полумостового усилителя через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода второго полумостового усилителя, а для управления верхними составными транзисторами второго полумостового усилителя, через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода первого полумостового усилителя.This technical problem is solved by the fact that in a bridge power amplifier consisting of an inverter, the first half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider, as well as the second half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider, according to the claimed invention, the input logic level signal is fed to the input of the lower composite transistor of the first half-bridge amplifier, and through the inverter, the input signal is fed to the input of the lower composite transistor of the second half-bridge amplifier, to control the upper composite transistors of the first half-bridge amplifier Feedback from the output of the second half-bridge amplifier is connected through the resistor divider, and feedback is introduced through the resistor divider to control the upper composite transistors of the second half-bridge amplifier. b from the output of the first half-bridge amplifier.
Заявленный мостовой усилитель мощности состоит из инвертора 1, первого полумостового усилителя построенного на составных транзисторах 4, 5 и 6, 7 включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами 8, 9 и резисторного делителя 2, 3, а так же второго полумостового усилителя построенного на составных транзисторах 12, 13 и 14, 15 включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами 10, 11 и резисторного делителя 16, 17, при этом входной сигнал логического уровня подается на вход нижнего составного транзистора 6, 7 первого полумостового усилителя, а через инвертор 1 входной сигнал подается на вход нижнего составного транзистора 14, 15 второго полумостового усилителя, для управления верхними составными транзисторами 4, 5 первого полумостового усилителя через резисторный делитель 2, 3 заведена обратная связь с выхода второго полумостового усилителя, а для управления верхними составными транзисторами 12, 13 второго полумостового усилителя, через резисторный делитель 16, 17 заведена обратная связь с выхода первого полумостового усилителя.The claimed bridge power amplifier consists of an
Мостовой импульсный усилитель мощности, схема которого приведена на фиг.1, работает следующим образом. На вход составного транзистора 6,7 подается сигнал «Лог. 1», при этом на вход составного транзистора 14, 15 через инвертор 1 подается сигнал «Лог. 0», после чего составной транзистор 6,7 переходит в открытое состояние, а составной транзистор 14, 15 в закрытое состояние.При этом на выходе первого полумостоворго усилителя формируется напряжение минус Uп, которое через резисторный делитель 16, 17 поступает на вход составного транзистора 12, 13 и переводит его в открытое состояние. При этом на выходе второго полумостового усилителя формируется напряжение плюс Uп, которое через резисторный делитель 2, 3 поступает на вход составного транзистора 4, 5, удерживая его в закрытом состоянии. При изменении логического уровня на входе мостового усилителя, состояние всех составных транзисторов изменяется соответственно: составные транзисторы 4,5 и 14,15 переходят в открытое состояние, а составные транзисторы 6, 7 и 12, 13 в закрытое состояние.При этом на выходе первого полумостового усилителя формируется напряжение плюс Uп, а на выходе второго полумостового усилителя минус Uп.Bridge switching power amplifier, the circuit of which is shown in figure 1, operates as follows. The signal “Log. 1”, while the signal “Log. 0", after which the composite transistor 6.7 goes into the open state, and the
Отсутствие сквозных неуправляемых токов через комплементарные пары транзисторов 5,7 и 12, 14,при их переключении,обеспечивается прохождением напряжения база-эмиттер каждого транзистора через режим отсечки при смене полярности сигнала на переходах база-эмиттер верхних и нижних ключей, в связи с тем, что базы и эмиттеры этих транзисторов объединены попарно. The absence of through uncontrolled currents through complementary pairs of
Данное изобретение предназначено для применения в блоках управления приводами, разрабатываемых АО «ИСС», в качестве в бестрансформаторных усилителей с широтно-импульсной модуляцией для управления двухфазными электродвигателями в следящих приводах.This invention is intended for use in drive control units developed by ISS JSC as transformerless amplifiers with pulse-width modulation for controlling two-phase electric motors in servo drives.
Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого объекта.Of the patent information materials known to the applicant, no signs similar to the set of signs of the claimed object were found.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021104922A RU2765783C1 (en) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | Bridge switching power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021104922A RU2765783C1 (en) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | Bridge switching power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2765783C1 true RU2765783C1 (en) | 2022-02-02 |
Family
ID=80214729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021104922A RU2765783C1 (en) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | Bridge switching power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2765783C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2795852C1 (en) * | 2022-11-02 | 2023-05-12 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Bridge pulse power amplifier |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU581568A1 (en) * | 1975-10-21 | 1977-11-25 | Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) | Bridge-type power amplifier |
SU652688A1 (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-15 | Предприятие П/Я В-8624 | Bridge power amplifier |
WO2001099273A1 (en) * | 2000-06-23 | 2001-12-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dual bridge amplifier |
RU2538301C1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-01-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier |
-
2021
- 2021-02-26 RU RU2021104922A patent/RU2765783C1/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU581568A1 (en) * | 1975-10-21 | 1977-11-25 | Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) | Bridge-type power amplifier |
SU652688A1 (en) * | 1977-08-01 | 1979-03-15 | Предприятие П/Я В-8624 | Bridge power amplifier |
WO2001099273A1 (en) * | 2000-06-23 | 2001-12-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dual bridge amplifier |
RU2538301C1 (en) * | 2013-12-09 | 2015-01-10 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2795852C1 (en) * | 2022-11-02 | 2023-05-12 | Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Bridge pulse power amplifier |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9954521B2 (en) | Gate drive circuit for semiconductor switching devices | |
US11095232B2 (en) | Hybrid I-T type multi-level converters | |
US4590395A (en) | FET-bipolar drive circuit | |
JP2004336643A (en) | Power amplifier circuit | |
JPS60501682A (en) | Parallel MOSFET power switch circuit | |
US20230291399A1 (en) | Miller clamping device for parallel switching transistors and driver comprising same | |
JP4789405B2 (en) | Circuit device for driving a power semiconductor transistor | |
US20230396147A1 (en) | Power converter apparatus and method | |
RU2765783C1 (en) | Bridge switching power amplifier | |
JP4160127B2 (en) | Output stage with slewing control means | |
JP3547654B2 (en) | Gate drive circuit | |
JP3620089B2 (en) | ECL-CMOS level converter | |
JPS63185220A (en) | Driving circuit for cascode type bimos | |
RU2795852C1 (en) | Bridge pulse power amplifier | |
JP2004328413A (en) | Half-bridge form output circuit | |
US20220140748A1 (en) | Semiconductor device and inverter device | |
JP6004988B2 (en) | Gate control device for power semiconductor device | |
CN112422089A (en) | High-power IGBT drive control circuit and method | |
JP2003152525A5 (en) | ||
JP3459492B2 (en) | Power amplifier | |
JPS6269718A (en) | Monolithic integrated control circuit | |
JP2001286124A (en) | Gate-drive method and gate-drive control circuit | |
US11595039B2 (en) | Power switching circuit and corresponding method of operation | |
JP3406427B2 (en) | Class D power amplifier | |
JP4820544B2 (en) | Linear operation power amplifier circuit and power amplifier |