RU2765783C1 - Bridge switching power amplifier - Google Patents

Bridge switching power amplifier Download PDF

Info

Publication number
RU2765783C1
RU2765783C1 RU2021104922A RU2021104922A RU2765783C1 RU 2765783 C1 RU2765783 C1 RU 2765783C1 RU 2021104922 A RU2021104922 A RU 2021104922A RU 2021104922 A RU2021104922 A RU 2021104922A RU 2765783 C1 RU2765783 C1 RU 2765783C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistors
bridge
amplifier
bridge amplifier
composite
Prior art date
Application number
RU2021104922A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Владимирович Чирков
Владимир Владимирович Колмаков
Original Assignee
Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва»
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва» filed Critical Акционерное общество «Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф.Решетнёва»
Priority to RU2021104922A priority Critical patent/RU2765783C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2765783C1 publication Critical patent/RU2765783C1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/16Modifications for eliminating interference voltages or currents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: electrical engineering.
SUBSTANCE: invention relates to electrical engineering, in particular to pulse power amplifiers, and can be used in transformerless amplifiers with pulse-width modulation to control two-phase electric motors in servo drives. The effect is achieved by the fact that the power transistors of conductivity p-n-p and n-p-n are connected according to the complementary scheme and feedback is introduced from the outputs of the half-bridge circuits to control the upper transistors of the amplifier.
EFFECT: increasing the reliability of a switching power amplifier by eliminating uncontrolled through currents in power transistors when they are switched.
1 cl, 1 dwg

Description

Изобретение относится к электротехнике в частности к импульсным усилителям мощности и может быть использовано в бестрансформаторных усилителях с широтно-импульсной модуляцией для управления двухфазными электродвигателями в следящих приводах.The invention relates to electrical engineering, in particular to pulse power amplifiers and can be used in transformerless amplifiers with pulse-width modulation for controlling two-phase motors in servo drives.

Известен мостовой усилитель мощности (авторское свидетельство №581568 25.11.77), выбранный в качестве прототипа, который содержит два двухтактных каскада, выполненных на включенных последовательно по постоянному току транзисторах, подключенных к источнику питания, между выходами которых включена нагрузка, первый двухтактный каскад выполнен на транзисторах противоположного типа проводимости, базы которых объединены и являются входом мостового усилителя мощности, а эмиттеры соединены с нагрузкой. Второй двухтактный каскад выполнен на транзисторах противоположного типа проводимости, включенных по схеме с общим эмиттером, базы которых через резисторы соединены с входом мостового усилителя мощности, при этом эмиттеры транзисторов первого двухтактного каскада подключены к общей шине. Known bridge power amplifier (author's certificate No. 581568 11/25/77), selected as a prototype, which contains two push-pull cascades, made on transistors connected in series with direct current, connected to a power source, between the outputs of which the load is switched on, the first push-pull cascade is made on transistors of the opposite type of conductivity, the bases of which are combined and are the input of the bridge power amplifier, and the emitters are connected to the load. The second push-pull stage is made on transistors of the opposite type of conductivity, connected according to a common emitter circuit, the bases of which are connected through resistors to the input of the bridge power amplifier, while the emitters of the transistors of the first push-pull stage are connected to a common bus.

Существенным недостатком известного мостового усилителя мощности является то, что длительность времени выключения транзисторов 3, 4 превышает длительность времени включения этих транзисторов. При этом в момент переключения оба транзистора могут находиться в открытом состоянии, что приводит к возникновению неуправляемого сквозного тока через транзисторы 3, 4. Такой режим работы снижает надежность мостового усилителя мощности. К недостаткам известного мостового усилителя мощности можно отнести необходимость применения двухполярного источника питания и отсутствие возможности использования входного управляющего сигнала логического уровня, что ограничивает область его применения.A significant disadvantage of the known bridge power amplifier is that the turn-off time of the transistors 3, 4 exceeds the turn-on time of these transistors. At the same time, at the moment of switching, both transistors can be in the open state, which leads to the appearance of an uncontrolled through current through transistors 3, 4. This mode of operation reduces the reliability of the bridge power amplifier. The disadvantages of the known bridge power amplifier include the need to use a bipolar power supply and the inability to use a logic-level input control signal, which limits its scope.

Для заявленного изобретения и прототипа выявлены следующие общие существенные признаки: мостовой импульсный усилитель мощности, состоящий из инвертора, первого полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, а также второго полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя.For the claimed invention and prototype, the following common essential features have been identified: a bridge switching power amplifier, consisting of an inverter, the first half-bridge amplifier built on composite Darlington transistors, which are shunted by diodes and a resistor divider, as well as a second half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider.

Технической проблемой настоящего изобретения является повышение надежности мпульсного усилителя мощности за счет исключения сквозных неуправляемых токов силовых транзисторов и расширение области его применения.The technical problem of the present invention is to increase the reliability of a switching power amplifier by eliminating through uncontrolled currents of power transistors and expanding the scope of its application.

Указанная техническая проблема решается тем, что в мостовом усилителе мощности, состоящим из инвертора, первого полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, а также второго полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами и резисторного делителя, согласно заявленному изобретению входной сигнал логического уровня поступает на вход нижнего составного транзистора первого полумостового усилителя, а через инвертор входной сигнал поступает на вход нижнего составного транзистора второго полумостового усилителя, для управления верхними составными транзисторами первого полумостового усилителя через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода второго полумостового усилителя, а для управления верхними составными транзисторами второго полумостового усилителя, через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода первого полумостового усилителя.This technical problem is solved by the fact that in a bridge power amplifier consisting of an inverter, the first half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider, as well as the second half-bridge amplifier built on composite transistors connected according to Darlington circuit, which are shunted by diodes and a resistor divider, according to the claimed invention, the input logic level signal is fed to the input of the lower composite transistor of the first half-bridge amplifier, and through the inverter, the input signal is fed to the input of the lower composite transistor of the second half-bridge amplifier, to control the upper composite transistors of the first half-bridge amplifier Feedback from the output of the second half-bridge amplifier is connected through the resistor divider, and feedback is introduced through the resistor divider to control the upper composite transistors of the second half-bridge amplifier. b from the output of the first half-bridge amplifier.

Заявленный мостовой усилитель мощности состоит из инвертора 1, первого полумостового усилителя построенного на составных транзисторах 4, 5 и 6, 7 включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами 8, 9 и резисторного делителя 2, 3, а так же второго полумостового усилителя построенного на составных транзисторах 12, 13 и 14, 15 включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами 10, 11 и резисторного делителя 16, 17, при этом входной сигнал логического уровня подается на вход нижнего составного транзистора 6, 7 первого полумостового усилителя, а через инвертор 1 входной сигнал подается на вход нижнего составного транзистора 14, 15 второго полумостового усилителя, для управления верхними составными транзисторами 4, 5 первого полумостового усилителя через резисторный делитель 2, 3 заведена обратная связь с выхода второго полумостового усилителя, а для управления верхними составными транзисторами 12, 13 второго полумостового усилителя, через резисторный делитель 16, 17 заведена обратная связь с выхода первого полумостового усилителя.The claimed bridge power amplifier consists of an inverter 1, the first half-bridge amplifier built on composite transistors 4, 5 and 6, 7 connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes 8, 9 and a resistor divider 2, 3, as well as the second half-bridge amplifier built on composite transistors 12, 13 and 14, 15 connected according to the Darlington circuit, which are shunted by diodes 10, 11 and a resistor divider 16, 17, while the input logic level signal is applied to the input of the lower composite transistor 6, 7 of the first half-bridge amplifier, and through the inverter 1 the input the signal is fed to the input of the lower composite transistor 14, 15 of the second half-bridge amplifier, to control the upper composite transistors 4, 5 of the first half-bridge amplifier through a resistor divider 2, 3, feedback from the output of the second half-bridge amplifier is introduced, and to control the upper composite transistors 12, 13 of the second half-bridge amplifier, through a resistor divider 16, 17 feedback is provided from the output of the first half-bridge amplifier.

Мостовой импульсный усилитель мощности, схема которого приведена на фиг.1, работает следующим образом. На вход составного транзистора 6,7 подается сигнал «Лог. 1», при этом на вход составного транзистора 14, 15 через инвертор 1 подается сигнал «Лог. 0», после чего составной транзистор 6,7 переходит в открытое состояние, а составной транзистор 14, 15 в закрытое состояние.При этом на выходе первого полумостоворго усилителя формируется напряжение минус Uп, которое через резисторный делитель 16, 17 поступает на вход составного транзистора 12, 13 и переводит его в открытое состояние. При этом на выходе второго полумостового усилителя формируется напряжение плюс Uп, которое через резисторный делитель 2, 3 поступает на вход составного транзистора 4, 5, удерживая его в закрытом состоянии. При изменении логического уровня на входе мостового усилителя, состояние всех составных транзисторов изменяется соответственно: составные транзисторы 4,5 и 14,15 переходят в открытое состояние, а составные транзисторы 6, 7 и 12, 13 в закрытое состояние.При этом на выходе первого полумостового усилителя формируется напряжение плюс Uп, а на выходе второго полумостового усилителя минус Uп.Bridge switching power amplifier, the circuit of which is shown in figure 1, operates as follows. The signal “Log. 1”, while the signal “Log. 0", after which the composite transistor 6.7 goes into the open state, and the composite transistor 14, 15 into the closed state. At the same time, a voltage minus Up is formed at the output of the first half-bridge amplifier, which, through a resistor divider 16, 17, is fed to the input of the composite transistor 12 , 13 and puts it in the open state. At the same time, a voltage plus Up is formed at the output of the second half-bridge amplifier, which, through a resistor divider 2, 3, enters the input of the composite transistor 4, 5, keeping it in the closed state. When the logic level at the input of the bridge amplifier changes, the state of all composite transistors changes accordingly: composite transistors 4.5 and 14.15 go into the open state, and composite transistors 6, 7 and 12, 13 into the closed state. At the same time, at the output of the first half-bridge amplifier, a voltage plus Up is formed, and at the output of the second half-bridge amplifier minus Up.

Отсутствие сквозных неуправляемых токов через комплементарные пары транзисторов 5,7 и 12, 14,при их переключении,обеспечивается прохождением напряжения база-эмиттер каждого транзистора через режим отсечки при смене полярности сигнала на переходах база-эмиттер верхних и нижних ключей, в связи с тем, что базы и эмиттеры этих транзисторов объединены попарно. The absence of through uncontrolled currents through complementary pairs of transistors 5,7 and 12, 14, when they are switched, is ensured by the passage of the base-emitter voltage of each transistor through the cut-off mode when the signal polarity is reversed at the base-emitter junctions of the upper and lower keys, due to the fact that that the bases and emitters of these transistors are combined in pairs.

Данное изобретение предназначено для применения в блоках управления приводами, разрабатываемых АО «ИСС», в качестве в бестрансформаторных усилителей с широтно-импульсной модуляцией для управления двухфазными электродвигателями в следящих приводах.This invention is intended for use in drive control units developed by ISS JSC as transformerless amplifiers with pulse-width modulation for controlling two-phase electric motors in servo drives.

Из известных заявителю патентно-информационных материалов не обнаружены признаки, сходные с совокупностью признаков заявляемого объекта.Of the patent information materials known to the applicant, no signs similar to the set of signs of the claimed object were found.

Claims (1)

Мостовой импульсный усилитель мощности, состоящий из инвертора, первого полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами, и резисторного делителя, а также второго полумостового усилителя, построенного на составных транзисторах, включенных по схеме Дарлингтона, которые шунтированы диодами, и резисторного делителя, отличающийся тем, что входной сигнал логического уровня поступает на вход нижнего составного транзистора первого полумостового усилителя, а входной сигнал через инвертор поступает на вход нижнего составного транзистора второго полумостового усилителя, для управления верхними составными транзисторами первого полумостового усилителя через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода второго полумостового усилителя, а для управления верхними составными транзисторами второго полумостового усилителя через резисторный делитель заведена обратная связь с выхода первого полумостового усилителя.Bridge switching power amplifier, consisting of an inverter, the first half-bridge amplifier, built on composite Darlington transistors, which are shunted by diodes, and a resistor divider, as well as a second half-bridge amplifier, built on composite Darlington transistors, which are shunted by diodes , and a resistor divider, characterized in that the input logic level signal is fed to the input of the lower composite transistor of the first half-bridge amplifier, and the input signal through the inverter is fed to the input of the lower composite transistor of the second half-bridge amplifier, to control the upper composite transistors of the first half-bridge amplifier through a resistor divider feedback from the output of the second half-bridge amplifier, and to control the upper composite transistors of the second half-bridge amplifier, feedback from the output of the first half-bridge amplifier is introduced through a resistor divider.
RU2021104922A 2021-02-26 2021-02-26 Bridge switching power amplifier RU2765783C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021104922A RU2765783C1 (en) 2021-02-26 2021-02-26 Bridge switching power amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021104922A RU2765783C1 (en) 2021-02-26 2021-02-26 Bridge switching power amplifier

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2765783C1 true RU2765783C1 (en) 2022-02-02

Family

ID=80214729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021104922A RU2765783C1 (en) 2021-02-26 2021-02-26 Bridge switching power amplifier

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2765783C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2795852C1 (en) * 2022-11-02 2023-05-12 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Bridge pulse power amplifier

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU581568A1 (en) * 1975-10-21 1977-11-25 Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) Bridge-type power amplifier
SU652688A1 (en) * 1977-08-01 1979-03-15 Предприятие П/Я В-8624 Bridge power amplifier
WO2001099273A1 (en) * 2000-06-23 2001-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dual bridge amplifier
RU2538301C1 (en) * 2013-12-09 2015-01-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU581568A1 (en) * 1975-10-21 1977-11-25 Ленинградский Ордена Ленина Электротехнический Институт Им.В.И.Ульянова (Ленина) Bridge-type power amplifier
SU652688A1 (en) * 1977-08-01 1979-03-15 Предприятие П/Я В-8624 Bridge power amplifier
WO2001099273A1 (en) * 2000-06-23 2001-12-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Dual bridge amplifier
RU2538301C1 (en) * 2013-12-09 2015-01-10 Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Half bridge galvanic isolated pulse-power amplifier

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2795852C1 (en) * 2022-11-02 2023-05-12 Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" Bridge pulse power amplifier

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9954521B2 (en) Gate drive circuit for semiconductor switching devices
US11095232B2 (en) Hybrid I-T type multi-level converters
US4590395A (en) FET-bipolar drive circuit
JP2004336643A (en) Power amplifier circuit
JPS60501682A (en) Parallel MOSFET power switch circuit
US20230291399A1 (en) Miller clamping device for parallel switching transistors and driver comprising same
JP4789405B2 (en) Circuit device for driving a power semiconductor transistor
US20230396147A1 (en) Power converter apparatus and method
RU2765783C1 (en) Bridge switching power amplifier
JP4160127B2 (en) Output stage with slewing control means
JP3547654B2 (en) Gate drive circuit
JP3620089B2 (en) ECL-CMOS level converter
JPS63185220A (en) Driving circuit for cascode type bimos
RU2795852C1 (en) Bridge pulse power amplifier
JP2004328413A (en) Half-bridge form output circuit
US20220140748A1 (en) Semiconductor device and inverter device
JP6004988B2 (en) Gate control device for power semiconductor device
CN112422089A (en) High-power IGBT drive control circuit and method
JP2003152525A5 (en)
JP3459492B2 (en) Power amplifier
JPS6269718A (en) Monolithic integrated control circuit
JP2001286124A (en) Gate-drive method and gate-drive control circuit
US11595039B2 (en) Power switching circuit and corresponding method of operation
JP3406427B2 (en) Class D power amplifier
JP4820544B2 (en) Linear operation power amplifier circuit and power amplifier