RU2759623C1 - Crucible support for crystal growing - Google Patents
Crucible support for crystal growing Download PDFInfo
- Publication number
- RU2759623C1 RU2759623C1 RU2021104879A RU2021104879A RU2759623C1 RU 2759623 C1 RU2759623 C1 RU 2759623C1 RU 2021104879 A RU2021104879 A RU 2021104879A RU 2021104879 A RU2021104879 A RU 2021104879A RU 2759623 C1 RU2759623 C1 RU 2759623C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crucible
- support
- rectangular
- installing
- fit
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/64—Flat crystals, e.g. plates, strips or discs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов из расплава.The invention relates to a device for growing crystals from a melt.
В установках для выращивания кристаллов из расплава под давлением инертного газа с применением методов, предусматривающих перемещение тигля через неподвижно закрепленный нагреватель, опорой тигля обычно служит шток. Общие недостатки таких устройств - обдув тигля конвективным потоком инертного газа, оказывающий негативное влияние на тепловые условия в расплаве и растущем кристалле, а также невозможность регулировать теплоотвод от дна тигля. Особенно существенно проявляются эти недостатки при выращивании кристаллов прямоугольной формы, например, как описано в [Н.Н. Колесников, А.С. Кожевников. Способ получения кристаллических пластин селенида цинка. Патент РФ на изобретение №1808888], так как тепловые условия в области тигля прямоугольной формы существенно сложнее, чем в случае получения цилиндрических кристаллов.In installations for growing crystals from a melt under inert gas pressure using methods that involve moving the crucible through a fixed heater, the crucible is usually supported by a rod. The general disadvantages of such devices are the blowing of the crucible with a convective flow of an inert gas, which has a negative effect on the thermal conditions in the melt and growing crystal, as well as the impossibility of regulating heat removal from the bottom of the crucible. These disadvantages are especially manifested when growing rectangular crystals, for example, as described in [N.N. Kolesnikov, A.S. Kozhevnikov. A method of obtaining crystal plates of zinc selenide. RF patent for invention No. 1808888], since the thermal conditions in the region of the rectangular crucible are much more complicated than in the case of obtaining cylindrical crystals.
Известна опора тигля [Liu Hongzhen, Mei Jingjing, Shi Linlin, Wang Dengkui, Wang Fei, Wang Yunpeng, Zhao Bin, Zhao Dongxu, Zhao Xin. Chromium-doped zinc selenide monocrystal Bridgman growth device and method. Патент CN104532353A] - прототип. В защищенном этим патентом устройстве цилиндрический тигель опирается на шток, диаметр которого меньше диаметра тигля. Недостаток такой конструкции состоит в том, что она не предотвращает обдув тигля конвективным потоком инертного газа, оказывающий негативное влияние на тепловые условия в расплаве и растущем кристалле, а также не предусматривает возможность регулировать теплоотвод от дна тигля.Known crucible support [Liu Hongzhen, Mei Jingjing, Shi Linlin, Wang Dengkui, Wang Fei, Wang Yunpeng, Zhao Bin, Zhao Dongxu, Zhao Xin. Chromium-doped zinc selenide monocrystal Bridgman growth device and method. Patent CN104532353A] - prototype. In the device protected by this patent, the cylindrical crucible is supported on a rod whose diameter is less than that of the crucible. The disadvantage of this design is that it does not prevent the convective flow of an inert gas from blowing over the crucible, which has a negative effect on thermal conditions in the melt and growing crystal, and also does not provide for the ability to regulate heat removal from the bottom of the crucible.
Задачей настоящего изобретения является создание опоры тигля для выращивания кристаллов прямоугольной формы, позволяющей экспериментально подбирать условия для управления теплоотводом от дна тигля и уменьшения обдува тигля конвективным потоком инертного газа.The objective of the present invention is to provide a crucible support for growing crystals of a rectangular shape, which makes it possible to experimentally select conditions for controlling heat removal from the bottom of the crucible and reducing the blowing of the crucible by a convective flow of an inert gas.
Поставленная задача решается тем, что опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса, имеющего сквозные пазы в которые вставлены прямоугольные пластины, причем количество пластин и их взаимное расположение в корпусе можно изменять.The problem is solved by the fact that the crucible support is made in the form of a rectangular body in cross-section, having through grooves into which rectangular plates are inserted, and the number of plates and their relative position in the body can be changed.
Пример исполнения такой опоры тигля показан на Фиг. 1, где опора изображена в сборе, а 1 - корпус, 2 и 3 - прямоугольные пластины, 4 - сквозные пазы, 5 - посадка для установки опоры на шток, 6 - посадка для установки тигля на опору. Дополнительно конструкция опоры иллюстрируется чертежами:An example of such a crucible support is shown in FIG. 1, where the support is shown assembled, and 1 is the body, 2 and 3 are rectangular plates, 4 are through grooves, 5 is a landing for installing a support on a rod, 6 is a landing for installing a crucible on a support. Additionally, the support structure is illustrated by drawings:
- Фиг. 2, где показан вид сверху опоры в сборе, представленной на Фиг. 1;- Fig. 2, which is a top view of the assembly of FIG. 1;
- Фиг. 3, где показан вид снизу опоры в сборе, представленной на Фиг. 1;- Fig. 3, which is a bottom view of the assembly of FIG. 1;
- Фиг. 4, где отдельно показан корпус опоры;- Fig. 4, which shows the support body separately;
- Фиг. 5, где отдельно показаны прямоугольные пластины.- Fig. 5, where rectangular plates are shown separately.
Предлагаемая опора тигля работает следующим образом.The proposed crucible support works as follows.
В пазы 4 корпуса опоры 1 устанавливается требуемое для конкретного процесса количество пластин 2 и 3. Опора тигля устанавливается на шток установки для выращивания кристаллов посредством посадки 5, форма и размеры которой определяются конструкцией штока. В посадке 6 корпуса опоры тигля устанавливается тигель. Форма и размеры посадки 6 определяются конструкцией тигля. Затем проводится процесс выращивания кристалла. На фотографии Фиг. 6 показана кристаллическая лента селенида цинка, выращенная методом вертикальной зонной плавки под давлением аргона с применением предлагаемой опоры тигля.The number of
В ходе процесса выращивания кристалла пластины 2 и 3, установленные в пазы 4 корпуса опоры тигля 1 экранируют дно тигля от обдува конвективным потоком инертного газа. Пластины также позволяют подобрать условия теплоотвода от дна тигля, требуемые в конкретном ростовом процессе.During the crystal growth process,
Количество пазов 4 в корпусе опоры тигля 1, количество и порядок расположения пластин 2 и 3 в корпусе 4 определяются требованиями конкретных процессов выращивания и подбираются экспериментально. Например, кристаллическая лента ZnSe, показанная на Фиг. 6, выращена с опорой тигля, показанной на Фиг. 1, то есть имеющей в корпусе семь пар пазов, в которые было установлено 4 пластины 2 и две пластины 3, их взаимное расположение показано на Фиг. 1.The number of
Материал опоры тигля может быть выбран в зависимости от свойств соединения, кристалл которого выращивается. Например, для ZnS, CdS, ZnSe, имеющих высокие температуры плавления, учитывая химическую агрессивность расплавов и паров, можно выбрать графит.The crucible support material can be selected depending on the properties of the compound whose crystal is being grown. For example, for ZnS, CdS, ZnSe, which have high melting points, given the chemical aggressiveness of melts and vapors, you can choose graphite.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021104879A RU2759623C1 (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Crucible support for crystal growing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2021104879A RU2759623C1 (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Crucible support for crystal growing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2759623C1 true RU2759623C1 (en) | 2021-11-16 |
Family
ID=78607200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2021104879A RU2759623C1 (en) | 2021-02-25 | 2021-02-25 | Crucible support for crystal growing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2759623C1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU857308A1 (en) * | 1979-04-25 | 1981-08-23 | Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности | Thermal assembly |
UA69596C2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-09-15 | Uzhhorod Nat University | The crucible support for growing corundum single crystals |
CN104532353A (en) * | 2014-12-26 | 2015-04-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | Chromium-doped zinc selenide monocrystal Bridgman growth device and method |
RU2669599C2 (en) * | 2013-11-07 | 2018-10-12 | Эбнер Индустриеофенбау Гмбх | Controlling temperature of crucible inside furnace |
-
2021
- 2021-02-25 RU RU2021104879A patent/RU2759623C1/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU857308A1 (en) * | 1979-04-25 | 1981-08-23 | Государственный ордена Октябрьской Революции научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности | Thermal assembly |
UA69596C2 (en) * | 2003-09-24 | 2005-09-15 | Uzhhorod Nat University | The crucible support for growing corundum single crystals |
RU2669599C2 (en) * | 2013-11-07 | 2018-10-12 | Эбнер Индустриеофенбау Гмбх | Controlling temperature of crucible inside furnace |
CN104532353A (en) * | 2014-12-26 | 2015-04-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | Chromium-doped zinc selenide monocrystal Bridgman growth device and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4981549A (en) | Method and apparatus for growing silicon crystals | |
US5264189A (en) | Apparatus for growing silicon crystals | |
US9217208B2 (en) | Apparatus for producing single crystal | |
US10407797B2 (en) | Crystal pulling system and method including crucible and barrier | |
EP2971275B1 (en) | Crucible assembly for controlling oxygen and related methods | |
KR20150086468A (en) | Continuous czochralski method and apparatus | |
JP4926655B2 (en) | Graphite crucible for silicon carbide single crystal growth and silicon carbide single crystal manufacturing apparatus | |
KR101563221B1 (en) | Single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method | |
RU2759623C1 (en) | Crucible support for crystal growing | |
JPH10158088A (en) | Production of solid material and device therefor | |
JP4844127B2 (en) | Single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method | |
JP2007204332A (en) | Device and method for manufacturing single crystal | |
JP2018158857A (en) | Apparatus and method for manufacturing silicon carbide single crystal ingot | |
JPH03153595A (en) | Device for pulling single crystal | |
US10060046B2 (en) | Crystal puller for inhibiting melt contamination | |
KR101292703B1 (en) | Apparatus for single crystal growth | |
US8691013B2 (en) | Feed tool for shielding a portion of a crystal puller | |
US9476141B2 (en) | Weir for inhibiting melt contamination | |
KR20160068240A (en) | Ingot growth equipment | |
RU2310020C2 (en) | Device for growing of the rectangular monocrystals of sapphire | |
RU2534103C1 (en) | Device for growth of monocrystals from melt by vertical pulling technique | |
RU2560402C1 (en) | Method for monocrystal growing from molten metal | |
JPH11246294A (en) | Single crystal pulling-up equipment | |
CN108691009B (en) | Method for producing silicon single crystal | |
KR101697021B1 (en) | Single crystal ingot growing apparatus |