RU2738775C1 - Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd - Google Patents

Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd Download PDF

Info

Publication number
RU2738775C1
RU2738775C1 RU2020123033A RU2020123033A RU2738775C1 RU 2738775 C1 RU2738775 C1 RU 2738775C1 RU 2020123033 A RU2020123033 A RU 2020123033A RU 2020123033 A RU2020123033 A RU 2020123033A RU 2738775 C1 RU2738775 C1 RU 2738775C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
rod
resonator
factor
intrinsic
axis
Prior art date
Application number
RU2020123033A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Роман Андреевич Косарев
Илья Анатольевич Фрейдович
Кирилл Валерьевич Шлёнов
Сергей Михайлович Абрамов
Original Assignee
Акционерное общество "Плутон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Плутон" filed Critical Акционерное общество "Плутон"
Priority to RU2020123033A priority Critical patent/RU2738775C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2738775C1 publication Critical patent/RU2738775C1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/18—Resonators
    • H01J23/20—Cavity resonators; Adjustment or tuning thereof

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

FIELD: physics.
SUBSTANCE: invention relates to the field of vacuum-tube devices (VTD), in particular klystrons. One or several rods made of ceramics absorbing the microwave field, in particular, KT-30, are inserted into the cavity resonator through the hole in the side wall. Axes of rods are perpendicular to axes of span channels. Cylindrical surface of rods is partially coated with a layer of metal, thickness of 3-9 microns, applied by chemical or electrochemical method. Adjustment of level of losses or value of proper Q-factor of the resonator is achieved by turning rods around its own axis. In one version of the device, two sections of the cylindrical surface located opposite to each other remain uncovered by the metal. Width of their Δ is approximately equal to: Δ=(0.1-0.3)D, where D is the diameter of the rod, the length is equal to the whole length of the rod inside the resonator.
EFFECT: enabling adjustment of the loaded Q-factor of the resonator without changing the resonance frequency.
3 cl, 2 dwg

Description

Настоящее изобретение относится к области электронной техники, в частности, области электронно-вакуумных приборов (ЭВП) СВЧ диапазона, использующих объемные резонаторы. Авторами изобретения, предлагаемое техническое решение внедрено при разработке малогабаритного многолучевого широкополосного усилительного клистрона.The present invention relates to the field of electronic engineering, in particular, the field of electronic vacuum devices (EVD) of the microwave range, using resonant cavities. The authors of the invention, the proposed technical solution was implemented in the development of a small-sized multi-beam broadband amplifying klystron.

Необходимость обеспечения заданного уровня собственных потерь объемных резонаторов возникает в различных электровакуумных приборах (ЭВП), но особенно часто, эта задача актуальна в клистронах. Это связано с тем, что, помимо входного и выходного резонаторов, связанных со входным и выходным трактами, в усилительных клистронах используются, как дополнительные каскады усиления, промежуточные резонаторы, не связанные с внешней нагрузкой [1]. Эти резонаторы выполнены из металла с высокой проводимостью, обычно меди, и имеют высокую собственную добротность, составляющую, в зависимости от рабочего диапазона и конструкции резонаторов, от 700 до 10000. В широкополосных усилительных клистронах высокая добротность промежуточных резонаторов приводит к большой неравномерности коэффициента усиления прибора в зависимости от рабочей частоты, что недопустимо для целого ряда применений клистронов, в частности использования в радиолокаторах, особенно в радиолокаторах с внутриимпульсной модуляцией частоты зондирующего сигнала.The need to ensure a given level of intrinsic losses in cavity resonators arises in various electrovacuum devices (EVD), but especially often, this problem is relevant in klystrons. This is due to the fact that, in addition to the input and output resonators associated with the input and output paths, in the amplifying klystrons, intermediate resonators not associated with an external load are used as additional amplification stages [1]. These resonators are made of metal with high conductivity, usually copper, and have a high intrinsic Q-factor, which, depending on the operating range and the design of the resonators, is from 700 to 10000. In broadband amplifying klystrons, the high Q-factor of intermediate resonators leads to a large uneven gain of the device in depending on the operating frequency, which is unacceptable for a number of applications of klystrons, in particular, use in radars, especially in radars with intra-pulse modulation of the probing signal frequency.

Необходимость введения устройств, увеличивающих потери СВЧ полей в объемных резонаторах связана и с целым рядом других задач, в частности подавления самовозбуждения клистронов на паразитных видах колебаний резонаторов, снижения уровня гармоник и внеполосных излучений в спектре выходного сигнала и т.д. Для таких целей разработаны поглотительные устройства, работающие в определенной полосе частот, так называемые частотно селективные нагрузки [2], или устройства, воздействующие только на определенные виды колебаний резонатора, называемые пространственно -селективными нагрузками, например [3].The need to introduce devices that increase the losses of microwave fields in cavity resonators is associated with a number of other problems, in particular, suppression of self-excitation of klystrons on parasitic modes of resonator oscillations, reducing the level of harmonics and out-of-band emissions in the output signal spectrum, etc. For such purposes, absorbing devices have been developed that operate in a certain frequency band, the so-called frequency-selective loads [2], or devices that act only on certain types of resonator vibrations, called spatially selective loads, for example [3].

Таким образом, в настоящее время, разработано множество устройств, обеспечивающих снижение собственной добротности резонаторов. По принципу действия их можно разделить на три разновидности: поверхностные поглотители, устройства с подключением к резонатору внешней нагрузки, - объемные поглотители.Thus, at present, a variety of devices have been developed that provide a decrease in the intrinsic Q-factor of resonators. By the principle of their operation, they can be divided into three types: surface absorbers, devices connected to an external load to the resonator, - volume absorbers.

Поверхностные поглотители увеличивают потери СВЧ поля в резонаторах за счет снижения проводимости стенок резонаторов. Для этого используются специальные составы, наносимые на определенные части поверхности стенок, например, широко используемое покрытие «альсифер» [4]. В высокочастотных диапазонах, например, миллиметровом, где толщина проводящего «скин» слоя мала; применяются покрытия стенок резонаторов металлом, имеющим низкую, по сравнению с медью, проводимость, например, никелем, который наносится гальваническим методом. Известны конструкции, в которых часть стенок резонаторов выполнена из материала с низкой проводимостью, спаянного с медным корпусом [5].Surface absorbers increase the microwave field losses in the resonators by reducing the conductivity of the resonator walls. For this, special compounds are used, applied to certain parts of the wall surface, for example, the widely used Alsifer coating [4]. In high-frequency ranges, for example, millimeter, where the thickness of the conductive "skin" layer is small; The resonator walls are coated with a metal that has a low conductivity compared to copper, for example, nickel, which is applied by an electroplating method. Known designs in which part of the walls of the resonators is made of a material with low conductivity, soldered to a copper case [5].

Поверхностные поглотители широко применяются в вакуумной технике, поскольку имеют серьезные преимущества, а именно: легко охлаждаются и не ухудшают массо-габаритные характеристики приборов. Однако они имеют и серьезные недостатки. При использовании таких поглотителей трудно регулировать и изменять величину нагруженной добротности резонаторов. Между тем, в процессе пайки резонаторов, припои зачастую растекаются по поверхности и резко изменяют поверхностную проводимость стенок, а, следовательно, и собственную добротность резонаторов.Surface absorbers are widely used in vacuum technology, since they have serious advantages, namely: they are easy to cool and do not impair the mass-dimensional characteristics of devices. However, they also have serious disadvantages. When using such absorbers, it is difficult to control and change the value of the loaded Q-factor of the resonators. Meanwhile, in the process of soldering resonators, solders often spread over the surface and dramatically change the surface conductivity of the walls, and, consequently, the intrinsic Q-factor of the resonators.

Достаточно широко распространены и методы подключения внешних нагрузок, в частности, [6], где резонаторы, через вакуумно-плотные окна связи соединены с внешними аттенюаторами. Известны также и конструкции клистронов с резонаторами, соединенными вакуумно-плотными щелями связи с водяными каналами охлаждения [7]. В этом случае, поглотителем СВЧ поля является вода. Подобные методы допускают возможность изменения и подстройки величины добротности резонатора. Однако они имеют и очевидные недостатки, связанные с усложнением конструкции прибора и ухудшением массо-габаритных характеристик.Methods for connecting external loads are also quite widespread, in particular, [6], where resonators are connected to external attenuators through vacuum-tight coupling windows. Also known are the designs of klystrons with resonators connected by vacuum-tight communication slots with water cooling channels [7]. In this case, the absorber of the microwave field is water. Such methods allow the possibility of changing and adjusting the value of the Q-factor of the resonator. However, they also have obvious drawbacks associated with the complication of the device design and the deterioration of the mass-dimensional characteristics.

Третья разновидность поглотительных устройств связана с применением объемных поглотителей СВЧ поля. Это материалы с высоким уровнем диэлектрических потерь, например, карбидо-кремниевая керамика SIC, [8], графит [9], или поглотительная керамика КТ-30 [10]. Подобные материалы широко используются во многих СВЧ приборах, в частности ЛБВ, магнетронах, клистронах и т.д.The third type of absorbing devices is associated with the use of volumetric microwave field absorbers. These are materials with a high level of dielectric losses, for example, silicon carbide ceramics SIC, [8], graphite [9], or KT-30 absorbing ceramics [10]. Such materials are widely used in many microwave devices, in particular TWT, magnetrons, klystrons, etc.

Основным достоинством таких поглотителей является высокая эффективность поглощения СВЧ поля и, главное, возможность изменения и установки необходимой величины собственной добротности резонатора. В частности, в патенте [11], прототип, рассмотрена конструкция резонатора клистрона, в который через отверстие в боковой стенке вставлен диэлектрический стержень из материала, поглощающего СВЧ поле. Ось стержня перпендикулярна оси пролетного канала. При этом изменение величины собственной добротности резонатора производится путем изменения глубины погружения стержня в резонатор.The main advantage of such absorbers is the high efficiency of absorption of the microwave field and, most importantly, the ability to change and set the required value of the intrinsic Q-factor of the resonator. In particular, in the patent [11], the prototype, the design of the klystron resonator is considered, into which a dielectric rod made of a material that absorbs the microwave field is inserted through a hole in the side wall. The axis of the rod is perpendicular to the axis of the flight channel. In this case, the change in the value of the intrinsic Q-factor of the resonator is performed by changing the depth of immersion of the rod into the resonator.

Такая конструкция достаточно проста, практически не ухудшает габариты клистрона и обеспечивает эффективную настройку клистрона, поскольку установка стержня производится после пайки корпуса клистрона. Недостатком этой конструкции является необходимость подстройки частоты резонатора после настройки добротности, поскольку при изменении заглубления стержня изменяется и частота резонатора. Это усложняет процесс сборки и настройки клистрона, особенно если его конструкция не предполагает специальных устройств подстройки частоты резонаторов. Задачей, на решение которой направлено наше изобретение, является обеспечение возможности изменения и регулировки величины собственной добротности объемного резонатора без изменения его резонансной частоты.This design is quite simple, practically does not deteriorate the dimensions of the klystron and provides effective adjustment of the klystron, since the rod is installed after the klystron body is soldered. The disadvantage of this design is the need to adjust the frequency of the resonator after adjusting the quality factor, since the frequency of the resonator also changes when the depth of the rod changes. This complicates the assembly and tuning of the klystron, especially if its design does not imply special devices for adjusting the resonator frequency. The problem to be solved by our invention is to provide the possibility of changing and adjusting the value of the intrinsic Q-factor of the cavity resonator without changing its resonant frequency.

Эта задача решается следующим способом:This task is solved in the following way:

В устройстве настройки собственной добротности объемного резонатора ЭВП, состоящем из стержня, выполненного из поглощающей СВЧ поле керамики, установленного в объемный резонатор через отверстие в его боковой стенке так, что ось стержня перпендикулярна оси пролетного канала, этот стержень установлен с возможностью поворота вокруг своей оси, а цилиндрическая поверхность стержня частично покрыта слоем металла толщиной 3-9 микрон.In the device for adjusting the intrinsic Q-factor of the EEC cavity resonator, which consists of a rod made of ceramics absorbing the microwave field, installed in the cavity resonator through a hole in its side wall so that the axis of the rod is perpendicular to the axis of the flight channel, this rod is installed with the ability to rotate around its axis, and the cylindrical surface of the rod is partially covered with a metal layer 3-9 microns thick.

Часть цилиндрической поверхности стержня, не покрытая слоем металла, может состоять из двух участков, расположенных на противоположных сторонах этой поверхности и вытянутых вдоль всей длины стержня, с шириной каждого из непокрытых участков Δ, выбираемой из условияThe part of the cylindrical surface of the bar not covered with a metal layer can consist of two sections located on opposite sides of this surface and elongated along the entire length of the bar, with the width of each of the uncoated sections Δ selected from the condition

Δ=(0.1-0.3)D, где D - диаметр стержня.Δ = (0.1-0.3) D, where D is the diameter of the bar.

В объемном резонаторе могут быть установлены с возможностью поворота вокруг своих осей несколько стержней, оси которых перпендикулярны оси пролетного канала и цилиндрические поверхности которых частично покрыты слоем металла толщиной 3-9 микрон.Several rods can be installed in the resonant cavity with the possibility of rotation around their axes, the axes of which are perpendicular to the axis of the flight channel and the cylindrical surfaces of which are partially covered with a metal layer 3-9 microns thick.

Форма участков цилиндрической и торцевой поверхности керамических стержней, не покрытых металлом, может отличаться от описанной в предыдущем абзаце для корректировки пределов изменения собственной добротности резонатора или, например, для придания устройству настройки частотно - селективных свойств.The shape of the sections of the cylindrical and end surface of the ceramic rods, not covered with metal, may differ from that described in the previous paragraph to adjust the limits for changing the intrinsic Q-factor of the resonator or, for example, to give the device frequency-selective properties.

Техническим результатом, обеспечиваемым приведенной совокупностью признаков является возможность настройки величины собственной добротности объемного резонатора без изменения его резонансной частоты. Металлизированные поглотительные стержни могут быть запаяны в переходные втулки и приварены вакуумно-плотным швом к корпусу прибора в установленном, в процессе настройки, положении. При этом заварка стержней производится после пайки резонаторного блока, то есть когда добротность резонатора уже не может измениться в процессе пайки. Следует отметить также, что предложенное устройство не увеличивает габаритов прибора, поскольку целиком находится внутри резонатора.The technical result provided by the given set of features is the ability to adjust the value of the intrinsic Q-factor of the cavity resonator without changing its resonant frequency. Metallized absorber rods can be sealed into adapter sleeves and vacuum-tightly welded to the device body in the position set during the adjustment process. In this case, the welding of the rods is carried out after soldering the resonator unit, that is, when the Q-factor of the resonator can no longer change during the soldering process. It should also be noted that the proposed device does not increase the dimensions of the device, since it is entirely inside the resonator.

Изобретение поясняется эскизами. На фиг. 1 и фиг. 2 изображен объемный резонатор 1 клистрона. Через емкостные выступы объемного резонатора 1 проходят пролетные каналы 2. В индуктивной части резонатора 1, где сосредоточена магнитная составляющая СВЧ поля, установлен стержень 3 из поглотительной керамики, в частности из КТ-30, цилиндрическая поверхность которого частично металлизирована и покрыта слоем металла 4 толщиной 3-9 микрон. Эта толщина обусловлена стандартным гальваническим методом покрытия, нанесенного химическим или электрохимическим способом. Не покрыты металлом два узких участка 5 цилиндрической поверхности стержня 3. На фиг. 1 участки 5 расположены перпендикулярно направлению магнитных силовых линий, на фиг. 2 - параллельно направлению магнитных силовых линий. Стержень 3 на фиг. 1 представляет собой разомкнутую петлю, плоскость которой перпендикулярна направлению магнитных силовых линий СВЧ поля. Поэтому между верхним и нижним участками 4, покрытыми слоем металла возникает электрическое СВЧ поле, эффективно поглощаемое материалом керамики, из которой сделан стержень 3. При таком положении стержня 3 подавление СВЧ поля максимально, а величина собственной добротности минимальна.The invention is illustrated by sketches. FIG. 1 and FIG. 2 shows the cavity resonator 1 of the klystron. Through the capacitive protrusions of the cavity resonator 1 pass passage channels 2. In the inductive part of the resonator 1, where the magnetic component of the microwave field is concentrated, there is a rod 3 made of absorbing ceramics, in particular from KT-30, the cylindrical surface of which is partially metallized and covered with a layer of metal 4 with a thickness of 3 -9 microns. This thickness is due to standard electroplating, chemical or electrochemical plating. Two narrow sections 5 of the cylindrical surface of the rod 3 are not covered with metal. FIG. 1, the sections 5 are located perpendicular to the direction of the magnetic field lines, in FIG. 2 - parallel to the direction of the magnetic field lines. Rod 3 in FIG. 1 is an open loop, the plane of which is perpendicular to the direction of the magnetic field lines of the microwave field. Therefore, between the upper and lower sections 4, covered with a metal layer, an electric microwave field appears, which is effectively absorbed by the ceramic material from which the rod 3 is made. With this position of the rod 3, the suppression of the microwave field is maximum, and the value of its own quality factor is minimum.

Стержень 3 на фиг. 2 повернут вокруг оси на 90° по сравнению с фиг. 1. В этом случае, плоскость разомкнутой петли параллельна направлению силовых линий магнитного СВЧ поля, и электрическое СВЧ поле между областями металлизированной цилиндрической поверхности мало. В таком положении, подавление СВЧ поля минимально, а собственная добротность резонатора максимальна.Rod 3 in FIG. 2 is rotated about the axis by 90 ° in comparison with FIG. 1. In this case, the plane of the open loop is parallel to the direction of the lines of force of the magnetic microwave field, and the electric microwave field between the regions of the metallized cylindrical surface is small. In this position, the suppression of the microwave field is minimal, and the intrinsic Q-factor of the resonator is maximal.

Таким образом, изменение собственной добротности резонатора, от максимальной до минимальной величины, производится за четверть оборота стержня 3, фиг. 1 и фиг. 2.Thus, the change in the intrinsic Q-factor of the resonator, from the maximum to the minimum value, is performed in a quarter of a revolution of the rod 3, Fig. 1 and FIG. 2.

Выбор ширины Δ непокрытых металлом участков 5 цилиндрической поверхности стержня 3 (Δ=(0.1-0.3)D, где D - диаметр стержня), определяет диапазон изменения значений собственной добротности резонатора примерно от 600 (положение стержня 3 на фиг. 2) до 25 (положение стержня 3 на фиг. 1). Предлагаемое устройство внедрено в конструкцию промежуточных резонаторов малогабаритного многолучевого широкополосного клистрона, трехсантиметрового диапазона длин волн. Однако, предлагаемое устройство настройки собственной добротности объемных резонаторов может быть применено в любых ЭВП, использующих объемные резонаторы, в том числе отражательных клистронах, клистродах, вакуумных триодах, СВЧ компрессорах и так далее.The choice of the width Δ of the uncoated sections 5 of the cylindrical surface of the rod 3 (Δ = (0.1-0.3) D, where D is the diameter of the rod) determines the range of changes in the values of the intrinsic Q-factor of the resonator from about 600 (the position of the rod 3 in Fig. 2) to 25 ( position of the rod 3 in Fig. 1). The proposed device is embedded in the design of intermediate resonators of a small-sized multi-beam broadband klystron, three-centimeter wavelength range. However, the proposed device for adjusting the intrinsic Q-factor of cavity resonators can be used in any EEC using cavity resonators, including reflective klystrons, klystrodes, vacuum triodes, microwave compressors, and so on.

Литература.Literature.

1. Хайков А.З. Клистронные усилители - М.: Сов. радио, 1972.1. Haykov A.Z. Klystron amplifiers - M .: Sov. radio, 1972.

2. GB 13584892. GB 1358489

3. RU 2075131 С13. RU 2075131 C1

4. RU 20241004. RU 2024100

5. JPS 551377025. JPS 55137702

6. JPS 511502636. JPS 51150263

7. JPS 5925148 (А)7. JPS 5925148 (A)

8. JPH 0473841(A)8. JPH 0473841 (A)

9. GB 6068039.GB 606803

10. УДК666.65:669(0433), Объемные поглотители СВЧ энергии в конструкциях современных электровакуумных СВЧ приборов и измерительных устройств, Бухарин Е.Н., Ильина Е.Н.10. UDC666.65: 669 (0433), Volumetric absorbers of microwave energy in the designs of modern electrovacuum microwave devices and measuring devices, Bukharin EN, Ilyina EN.

11. JP 2871272 (В2) (прототип)11.JP 2871272 (B2) (prototype)

Claims (3)

1. Устройство настройки собственной добротности объемного резонатора ЭВП, состоящее из стержня, выполненного из поглощающей СВЧ-поле керамики, установленного в объемный резонатор через отверстие в его боковой стенке так, что ось стержня перпендикулярна оси пролетного канала, отличающееся тем, что стержень установлен с возможностью поворота вокруг своей оси, а цилиндрическая поверхность стержня частично покрыта слоем металла толщиной 3-9 микрон.1. A device for adjusting the intrinsic Q-factor of an EEC cavity resonator, consisting of a rod made of microwave-absorbing ceramics installed in the cavity resonator through a hole in its side wall so that the axis of the rod is perpendicular to the axis of the flight channel, characterized in that the rod is installed with the possibility rotation around its axis, and the cylindrical surface of the rod is partially covered with a metal layer 3-9 microns thick. 2. Устройство настройки собственной добротности объемного резонатора ЭВП по п. 1, отличающееся тем, что часть цилиндрической поверхности стержня, не покрытая слоем металла, представляет собой два участка, расположенных на противоположных сторонах этой поверхности и вытянутых вдоль всей длины стержня, с шириной каждого из непокрытых участков Δ, выбираемой из условия Δ=(0.1-0.3)D, где D - диаметр стержня.2. A device for adjusting the intrinsic Q-factor of an EEC cavity resonator according to claim 1, characterized in that the part of the cylindrical surface of the rod, not covered with a metal layer, consists of two sections located on opposite sides of this surface and elongated along the entire length of the rod, with the width of each uncoated sections Δ, selected from the condition Δ = (0.1-0.3) D, where D is the diameter of the rod. 3. Устройство настройки собственной добротности объемного резонатора ЭВП по п. 1, отличающееся тем, что в резонаторе установлены несколько стержней, оси которых перпендикулярны оси пролетного канала и цилиндрические поверхности которых частично покрыты слоем металла толщиной 3-9 микрон.3. A device for adjusting the intrinsic Q-factor of the EEC cavity resonator according to claim 1, characterized in that several rods are installed in the resonator, the axes of which are perpendicular to the axis of the flight channel and the cylindrical surfaces of which are partially covered with a metal layer 3-9 microns thick.
RU2020123033A 2020-07-10 2020-07-10 Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd RU2738775C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020123033A RU2738775C1 (en) 2020-07-10 2020-07-10 Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020123033A RU2738775C1 (en) 2020-07-10 2020-07-10 Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2738775C1 true RU2738775C1 (en) 2020-12-16

Family

ID=73834977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020123033A RU2738775C1 (en) 2020-07-10 2020-07-10 Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2738775C1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1404978A1 (en) * 1986-04-03 1988-06-23 Московский Инженерно-Физический Институт Method of determining own quality factor of resonator
JPH0473841A (en) * 1990-07-12 1992-03-09 Toshiba Corp Microwave electron tube
US5521551A (en) * 1994-11-21 1996-05-28 Ferguson; Patrick E. Method for suppressing second and higher harmonic power generation in klystrons
RU2075131C1 (en) * 1994-01-26 1997-03-10 Государственное научно-производственное предприятие "Торий" Reflection oscillator
JP2871272B2 (en) * 1992-03-23 1999-03-17 日本電気株式会社 Multi-cavity klystron
RU152582U1 (en) * 2014-09-16 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Microwave filter

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1404978A1 (en) * 1986-04-03 1988-06-23 Московский Инженерно-Физический Институт Method of determining own quality factor of resonator
JPH0473841A (en) * 1990-07-12 1992-03-09 Toshiba Corp Microwave electron tube
JP2871272B2 (en) * 1992-03-23 1999-03-17 日本電気株式会社 Multi-cavity klystron
RU2075131C1 (en) * 1994-01-26 1997-03-10 Государственное научно-производственное предприятие "Торий" Reflection oscillator
US5521551A (en) * 1994-11-21 1996-05-28 Ferguson; Patrick E. Method for suppressing second and higher harmonic power generation in klystrons
RU152582U1 (en) * 2014-09-16 2015-06-10 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" Microwave filter

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Garven et al. A gyrotron-traveling-wave tube amplifier experiment with a ceramic loaded interaction region
US4851788A (en) Mode suppressors for whispering gallery gyrotron
KR101983333B1 (en) Vacuum electron device drift tube
Pershing et al. A TE/sub 11/K/sub a/-band gyro-TWT amplifier with high-average power compatible distributed loss
JP4914472B2 (en) Electronic tuning magnetron
Wang et al. Design and microwave measurement of a broadband compact power coupler for sheet beam traveling wave tubes
Lawson et al. High-power operation of a three-cavity X-band coaxial gyroklystron
CN108270056B (en) Coaxial resonant cavity structure capable of fine frequency modulation and frequency modulation method
US4158791A (en) Helix traveling wave tubes with resonant loss
US3360679A (en) Electron discharge device having lossy resonant elements disposed within the electromagnetic field pattern of the slow-wave circuit
US11545329B2 (en) THz vacuum electronic devices with micro-fabricated electromagnetic circuits
RU2738775C1 (en) Device for tuning proper q-factor of volumetric resonators of vtd
Goebel et al. Efficiency enhancement in high power backward-wave oscillators
US4219758A (en) Traveling wave tube with non-reciprocal attenuating adjunct
US5477107A (en) Linear-beam cavity circuits with non-resonant RF loss slabs
US2880357A (en) Electron cavity resonator tube apparatus
RU2645298C2 (en) Broadband multiport klystron with a multilink filter system
US3479556A (en) Reverse magnetron having an output circuit employing mode absorbers in the internal cavity
US3376463A (en) Crossed field microwave tube having toroidal helical slow wave structure formed by a plurality of spaced slots
RU2714508C1 (en) Miniature multi-beam klystron
RU2815625C1 (en) Cyclotron protective device resonator
JPH0473841A (en) Microwave electron tube
JP4252274B2 (en) Magnetron
JP2007287382A (en) Pillbox vacuum window and manufacturing method of same
US9035707B2 (en) Method for varying oscillation frequency of high frequency oscillator