RU2732902C1 - Microwave power amplifier - Google Patents
Microwave power amplifier Download PDFInfo
- Publication number
- RU2732902C1 RU2732902C1 RU2019122711A RU2019122711A RU2732902C1 RU 2732902 C1 RU2732902 C1 RU 2732902C1 RU 2019122711 A RU2019122711 A RU 2019122711A RU 2019122711 A RU2019122711 A RU 2019122711A RU 2732902 C1 RU2732902 C1 RU 2732902C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- power
- wave
- channels
- amplification
- radial
- Prior art date
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 abstract description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Усилители СВЧ-мощности являются основными элементами всех приемопередающих модулей (ППМ). Традиционно для создания больших мощностей в передатчиках всех типов используются электровакуумные усилители - магнетроны, клистроны, лампы бегущей волны (ЛБВ), - преобразующие энергию пучка электронов в электромагнитную энергию (см. например, «Передатчик СВЧ сантиметрового диапазона», патент РФ №2477565, опубл. 2013.04.27). Принципиально важно, что при работе электровакуумных устройств используются высокие напряжения питания и управления - 5-25 кВ, создающие существенные трудности при эксплуатации ППМ.Microwave power amplifiers are the main elements of all transceiver modules (TPM). Traditionally, to create high powers in transmitters of all types, vacuum amplifiers are used - magnetrons, klystrons, traveling wave tubes (TWT) - that convert the energy of an electron beam into electromagnetic energy (see, for example, "Microwave transmitter of centimeter range", RF patent No. 2477565, publ. . 2013.04.27). It is fundamentally important that during the operation of electrovacuum devices, high supply and control voltages are used - 5-25 kV, which create significant difficulties in operating the PPM.
В связи с бурным развитием микроэлектроники последних лет, созданием новых материалов и технологий нитрида галлия, появилась возможность разработки и изготовления твердотельных монолитно-интегральных схем (МИС) - кристаллов, позволяющих получать сигналы с большой выходной импульсной и непрерывной мощностью. В настоящее время известны примеры достижения в одном кристалле следующих уровней мощности выходного сигнала [2, 3]: 400 Вт -в L -диапазоне, 100-200 Вт - в Х-диапазоне, 60 Вт - в Кu-диапазоне, 25-30 Вт - в Ка-диапазоне, 2-3 Вт - в W-диапазоне. Последние годы связаны с формированием общемирового тренда, основанного на создании твердотельных усилителей мощности, представляющих собой сумматоры сигналов при использовании большого числа такого рода МИС.In connection with the rapid development of microelectronics in recent years, the creation of new materials and technologies for gallium nitride, it became possible to develop and manufacture solid-state monolithic integrated circuits (MIS) - crystals that allow obtaining signals with a high output pulse and continuous power. At present, there are known examples of achieving the following output signal power levels in one crystal [2, 3]: 400 W in the L-band, 100-200 W in the X-band, 60 W in the K u -band, 25-30 W - in the K a- range, 2-3 W - in the W-range. Recent years have been associated with the formation of a global trend based on the creation of solid-state power amplifiers, which are signal combiners when using a large number of such MISs.
Твердотельные усилители обладают существенными преимуществами перед электровакуумными аналогами, такими как:Solid state amplifiers have significant advantages over electrovacuum analogs, such as:
- отсутствие высоковольтного питания;- lack of high-voltage power supply;
- повышенная надежность;- increased reliability;
- улучшенная электромагнитная совместимость;- improved electromagnetic compatibility;
- улучшенные спектральные и флуктуационные характеристики;- improved spectral and fluctuation characteristics;
- снижение массогабаритных показателей;- decrease in weight and dimensions;
- снижение цены.- price drop.
Наиболее близким к заявляемому устройству является твердотельный усилитель мощности на основе радиального делителя-сумматора (РДС) - P. Khan, L. Epp, and A. Silva. A Ka-Band Wide-Bandgap Solid-State Power Amplifier: Architecture Performance Estimates. IPN Progress Report 42-163. November 15, 2005). Он содержит набор радиально направленных волноводов с установленными в них МИС усилителями мощности, позволяющий разветвлять, усиливать и затем суммировать волновые потоки СВЧ-мощности, обеспечивая высокий уровень парциальных волновых потоков в суммарный выходной поток мощности усилителя (S2).Closest to the claimed device is a solid-state power amplifier based on a radial divider-adder (RDS) - P. Khan, L. Epp, and A. Silva. A Ka-Band Wide-Bandgap Solid-State Power Amplifier: Architecture Performance Estimates. IPN Progress Report 42-163. November 15, 2005). It contains a set of radially directed waveguides with MIS power amplifiers installed in them, which allows branching, amplifying and then summing the wave flows of microwave power, providing a high level of partial wave flows into the total output power flow of the amplifier (S 2 ).
Недостатком известной конструкции усилителя на основе РДС является слабая развязка между каналами усиления, что при значительном коэффициенте усиления в каждом из его плеч приводит к возникновению положительных обратных связей и самовозбуждению приемопередающего модуля в целом.The disadvantage of the known amplifier design based on RDS is the weak isolation between the amplification channels, which, with a significant gain in each of its arms, leads to positive feedbacks and self-excitation of the transceiver module as a whole.
Кроме того, при нелинейном взаимодействии спектральных составляющих широкополосных сигналов происходит расширение спектра и появление паразитных интермодуляционных искажений. Поэтому актуальной является задача частотной селекции мощных широкополосных сигналов.In addition, nonlinear interaction of spectral components of wideband signals results in spectrum broadening and the appearance of parasitic intermodulation distortions. Therefore, the problem of frequency selection of powerful broadband signals is urgent.
Техническим эффектом, на достижение которого направлено предлагаемое техническое решение, является улучшение уровня развязки между каналами РДС, обеспечивающее повышение устойчивости работы усилителя. Этот эффект достигается тем, что в усилителе СВЧ-мощности на основе РДС, содержащем множество радиально направленных - по отношению к коаксиальному входу/выходу мощности - волноведущих каналов с установленными в них МИС усилителей мощности, согласно изобретению, упомянутые волноводные каналы передачи мощности размещаются поочередно с короткозамкнутыми отрезками радиальных волноводов.The technical effect to achieve which the proposed technical solution is aimed at is to improve the level of isolation between the RDS channels, which increases the stability of the amplifier. This effect is achieved by the fact that in a microwave power amplifier based on an RDS, which contains a plurality of radially directed - with respect to the coaxial power input / output - waveguide channels with installed MIS power amplifiers, according to the invention, said waveguide power transmission channels are arranged alternately with short-circuited sections of radial waveguides.
Принцип действия подобных систем заключается в следующем. Заявляемое устройство (Фиг. 2) представляет радиальную конструкцию, в которой волновая мощность, поступающая в усилитель через коаксиальный вход (1), попадает сначала в «цилиндрическую» промежуточную зону (Фиг. 2а), а затем - минуя «заглушки» (4) при частичном отражении от них - в радиальные «активные» волноводы, по которым после прохождения через МИС (3) усиленные волновые пакеты поступают в область суммирования (5), а затем - на выход усилителя (2) при частичном формировании квазистоячих волн внутри РДС (Фиг. 2б). В то же время «активные» волноводы, обеспечивающие переход волновых потоков из области разделения в область их суммирования после усиления чипами МИС, чередуются с заглушками в виде радиально расположенных короткозамкнутых отрезков волноводов (4), которые играют роль отражателей, формируемых в этой области квазицилиндрических мод электромагнитных волн. В результате образуется последовательность связанных друг с другом (в азимутальном направлении) волновых каналов двух типов: каналов усиления как линий задержки волновых пакетов и радиальных резонаторов. На собственных частотах этих резонаторов образуются стоячие моды электромагнитных полей, т.е. энергия возникающих колебаний локализуется (запирается) внутри резонаторных фрагментов РДС и не проникает на выход усилителя, обеспечивая тем самым необходимую частотную избирательность суммарного коэффициента усиления (см. Фиг. 3). Последовательное чередование каналов усиления волн с каналами их «запирания», в силу симметрии системы, определяет эффективность процесса образования стоячих волн, а, следовательно, улучшает частотную избирательность заявленного усилителя СВЧ-мощности.The principle of operation of such systems is as follows. The claimed device (Fig. 2) is a radial structure in which the wave power entering the amplifier through the coaxial input (1) enters first into the "cylindrical" intermediate zone (Fig. 2a), and then bypassing the "plugs" (4) with partial reflection from them - into radial "active" waveguides, through which, after passing through the MIS (3), amplified wave packets enter the summation region (5), and then - to the output of the amplifier (2) with partial formation of quasi-stationary waves inside the RDS ( Fig.2b). At the same time, "active" waveguides, providing the transition of wave flows from the separation region to the region of their summation after amplification by MIS chips, alternate with plugs in the form of radially located short-circuited waveguide segments (4), which play the role of reflectors formed in this region of quasi-cylindrical modes electromagnetic waves. As a result, a sequence of two types of wave channels connected to each other (in the azimuthal direction) is formed: amplification channels as delay lines of wave packets and radial resonators. Standing modes of electromagnetic fields are formed at the natural frequencies of these resonators, i.e. the energy of the arising oscillations is localized (locked) inside the resonator fragments of the RDS and does not penetrate to the amplifier output, thereby providing the necessary frequency selectivity of the total gain (see Fig. 3). The sequential alternation of channels of amplification of waves with channels of their "blocking", due to the symmetry of the system, determines the efficiency of the process of formation of standing waves, and, consequently, improves the frequency selectivity of the declared microwave power amplifier.
Фиг. 4 иллюстрирует результаты измерения выходной мощности сложения десяти 30-ваттных усилителей при чередовании волноводных каналов усиления с радиальными сегментами, образованными короткозамкнутыми отрезками волноводов. АЧХ усилителя мощности имеет характерные интервалы режекции, которые снижают вероятность возбуждения устройства на нежелательных частотах. При этом частотная селекция достигается не за счет дополнительных внешних фильтрующих компонентов, а является следствием предложенного конструктивного решения, непосредственно интегрированного с конструкцией РДС.FIG. 4 illustrates the results of measuring the output power of adding ten 30-watt amplifiers when alternating waveguide amplification channels with radial segments formed by short-circuited waveguide segments. The frequency response of the power amplifier has characteristic notch intervals that reduce the likelihood of exciting the device at unwanted frequencies. In this case, frequency selection is achieved not due to additional external filtering components, but is a consequence of the proposed design solution, directly integrated with the design of the RDS.
На основе проведенных расчетов спроектированы и реализованы усилители с выходной мощностью 300 Вт - в Кu-диапазоне и 120 Вт - в Ка-диапазоне. С их использованием изготовлены полнофункциональные передающие модули с параметрами, представленными в таблице.On the basis of the calculations performed, amplifiers with an output power of 300 W in the K u- range and 120 W in the K a- range have been designed and implemented. With their use, fully functional transmitting modules with the parameters presented in the table were made.
Предложенная конструкция обеспечивает интеграцию двух важных свойств - усиления и дополнительной частотной селекции паразитных спектральных составляющих широкополосных СВЧ-сигналов, что позволяет повысить устойчивость работы твердотельного СВЧ-усилителя в заданной полосе частот.The proposed design provides the integration of two important properties - amplification and additional frequency selection of the parasitic spectral components of broadband microwave signals, which makes it possible to increase the stability of the solid-state microwave amplifier in a given frequency band.
Источники информацииSources of information
1. «Передатчик СВЧ сантиметрового диапазона», патент РФ №2477565, опубл. 2013.04.271. "Microwave transmitter centimeter range", RF patent №2477565, publ. 2013.04.27
2. METDA Technology Co., LTD, www.metdac.com2. METDA Technology Co., LTD, www.metdac.com
3. QORVO Inc wwvv.qorvo.com3. QORVO Inc wwvv.qorvo.com
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019122711A RU2732902C1 (en) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | Microwave power amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019122711A RU2732902C1 (en) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | Microwave power amplifier |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2732902C1 true RU2732902C1 (en) | 2020-09-24 |
Family
ID=72922354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019122711A RU2732902C1 (en) | 2019-07-15 | 2019-07-15 | Microwave power amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2732902C1 (en) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2134924C1 (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-20 | Лорал Колкомм Сэтеллайт Севисез, Инк. | Phased-array transmitting antenna assembly (design versions) and antenna array manufacturing process |
US6525610B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-02-25 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Dual plane microstrip power amplifier |
US7057453B1 (en) * | 2002-07-16 | 2006-06-06 | Inphi Corporation | Method and system for reducing parasitic feedback and parasitic resonances in high-gain transimpedance amplifiers |
RU2433524C1 (en) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf power amplifier |
RU2442241C1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | The electronic microwave frequency device |
RU189022U1 (en) * | 2019-02-04 | 2019-05-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Solid state microwave amplifier with spatial power summation |
-
2019
- 2019-07-15 RU RU2019122711A patent/RU2732902C1/en active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2134924C1 (en) * | 1994-01-31 | 1999-08-20 | Лорал Колкомм Сэтеллайт Севисез, Инк. | Phased-array transmitting antenna assembly (design versions) and antenna array manufacturing process |
US6525610B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-02-25 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Dual plane microstrip power amplifier |
US7057453B1 (en) * | 2002-07-16 | 2006-06-06 | Inphi Corporation | Method and system for reducing parasitic feedback and parasitic resonances in high-gain transimpedance amplifiers |
RU2433524C1 (en) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf power amplifier |
RU2442241C1 (en) * | 2010-08-25 | 2012-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | The electronic microwave frequency device |
RU189022U1 (en) * | 2019-02-04 | 2019-05-06 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Ростовский-на-Дону научно-исследовательский институт радиосвязи" (ФГУП "РНИИРС") | Solid state microwave amplifier with spatial power summation |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7602241B2 (en) | Multiband Doherty amplifier | |
US4567401A (en) | Wide-band distributed rf coupler | |
US2660689A (en) | Ultrahigh-frequency vacuum tube | |
US7432780B2 (en) | Rectangular-to-circular mode power combiner/divider | |
US3733560A (en) | Elliptical structure for combining the power of many microwave sources | |
RU2732902C1 (en) | Microwave power amplifier | |
US3873934A (en) | Devices for coupling microwave diode oscillators and amplifiers to power accumulation structures | |
RU2352034C1 (en) | Receive multibeam active phased antenna array | |
US3873935A (en) | Microwave power accumulation structures comprising a plurality of stacked elliptical cavities | |
CN116743089A (en) | High-power balance type amplitude limiting low-noise amplifying device, receiving and transmitting assembly and radar | |
US2967968A (en) | Electron discharge device | |
CN111029231B (en) | Spiral line-based hybrid slow wave structure and design method thereof | |
US3336496A (en) | High power traveling wave tubes and coupling means therefor | |
JP2648736B2 (en) | High efficiency broadband klystron | |
RU2714508C1 (en) | Miniature multi-beam klystron | |
US3289032A (en) | Microwave hybrid tube apparatus | |
Basten et al. | G-band power module development at Northrop Grumman | |
US3684963A (en) | Traveling wave tube,frequency converting telecommunication repeater | |
Li et al. | A co-designed Band 1-Band 3 carrier aggregation power amplifier quadplexer in GaAs-HBT and BAW technologies | |
US11791810B2 (en) | Transposed delay line oscillator and method | |
RU2150765C1 (en) | Method and device for producing broad-band, high- power, superhigh-frequency quasi-noise signals | |
GB1580463A (en) | Lossless travelling wave tube | |
SU432825A1 (en) | Microwave amplification device | |
RU2288518C1 (en) | Uhf spectrum electro-vacuum device | |
US10734182B2 (en) | Ultra-high efficiency single-beam and multi-beam inductive output tubes |