RU2727124C1 - Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии - Google Patents
Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2727124C1 RU2727124C1 RU2020105258A RU2020105258A RU2727124C1 RU 2727124 C1 RU2727124 C1 RU 2727124C1 RU 2020105258 A RU2020105258 A RU 2020105258A RU 2020105258 A RU2020105258 A RU 2020105258A RU 2727124 C1 RU2727124 C1 RU 2727124C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gaas
- charge
- layer
- liquid
- phase epitaxy
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910000681 Silicon-tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 29
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L21/208—
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам выращивания полупроводниковых слоев арсенида галлия методами жидкофазной эпитаксии. Способ включает в себя составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор, нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, удаление подложки, покрытой слоем GaAs из-под раствора-расплава. В шихту добавляют, по меньшей мере, диоксид кремния и олово. Технический результат, достигаемый при реализации разработанного способа, состоит в одновременном обеспечении низкого последовательного сопротивления, высокого пробивного напряжения и малой емкости в конечных приборах. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно, к способам выращивания полупроводниковых слоев арсенида галлия методами жидкофазной эпитаксии.
В настоящее время основным материалом полупроводниковой электроники является кремний. Однако, существует целый класс приборов, работающим на высоких частотах и в экстремальных условиях, где одновременно требуется высокая скорость переключения, низкое падение прямого напряжения, возможность работы при высоких температурах, а также радиационная стойкость. В этом случае кремний, как материал, уже не способен обеспечить требуемые параметры. Поэтому закономерен интерес к разработке приборов на более широкозонных материалах, позволяющих решать указанные задачи, в том числе к арсениду галлия.
Электрофизические свойства арсенида галлия, такие как прямозонная структура, высокая подвижность электронов, малое время жизни неосновных носителей заряда, высокое кристаллическое совершенство позволяют реализовать целый ряд уникальных приборов, в частности эффективные быстродействующие фотоприемники и силовые полевые транзисторы с управляющим p-n переходом - JFET (Junction-Field-Effect-Transistors). В конструкции этих приборов всегда присутствует низколегированный слой n-типа, свойства которого главным образом и определяют электрофизические параметры конечного прибора. Данный слой должен одновременно обеспечивать низкое последовательное сопротивление, высокое пробивное напряжение и малую емкость, причем первый параметр находится в очевидном противоречии со вторым и третьим. Отсюда вытекает основное требование к этому слою - концентрация носителей заряда должна находиться в узком диапазоне значений (2-5)⋅1014 см-3. Кроме того, для обеспечения высоких пробивных напряжений (600 В и выше) низколегированный слой n-типа должен иметь достаточную протяженность (не менее 30 мкм) с однородным распределением концентрации носителей заряда по толщине слоя.
Известно техническое решение (RU, патент №2445724, опубл. 20.03.2012), в котором использован метод компенсации мелких примесей в арсениде галлия примесью хрома. Сущность изобретения состоит в следующем: для повышения напряжения переключения в структуре диода создают дополнительную полуизолирующую область с высоким значением удельного сопротивления 108-109 Ом см. Такая область с высоким удельным сопротивлением может быть создана диффузией хрома в арсенид галлия.
Также известен способ выращивания структур (p+-i-n+-GaAs) (Айзенштат Г.И., Вилисова М.Д., Другова Е.П., и др. - Детекторы рентгеновского излучения на эпитаксиальном арсениде галлия. / ЖТФ. 2006. Т. 76. №8. стр. 46-49.) методом газофазной эпитаксии. Активный слой i-типа с удельным сопротивлением ρ≈108 Ом⋅см создавали путем совместного легирования серой и хромом. Легирование хромом проводили либо одновременно с серой в процессе эпитаксии, либо после выращивания структуры путем последующей диффузии хрома.
Однако, использование полуизолирующего слоя с высокими значениями удельного сопротивления 108-109 Ом см, что соответствует концентрации носителей заряда n≈1⋅107 см-3, не отвечает цели настоящего изобретения, т.к. при обеспечении высоких значений пробивного напряжения наблюдаются крайне высокие значения последовательного сопротивления. Это не позволяет выполнить необходимые требования как для JFET в части обеспечения низких значений RdSOn, так для фотоприемника в части быстродействия.
Известна технология (D.A. Stevenson, P.I.Ketrush, S.C. Chang and A. Borshchevsky. - The Influence of Ti and Zr additions on GaAs Liquid Phase Epitaxial Growth. / Appl. Phys. Lett., vol 27, no. 9, pp 832-834, November 1980.) получения низколегированного слоя арсенида галлия n-типа, использующая добавки примеси титана в раствор-расплав на основе галлия, для очистки последнего от фоновых примесей. Применение данной технологии, позволяет снизить концентрацию электронов в эпитаксиальном слое до уровня 1.1⋅1015 см-3 Однако, этого недостаточно для выполнения заданных требований к концентрации электронов - (2÷5)⋅1014 см-3.
Наиболее близким к заявляемому, техническим решением является (RU, патент 2488911, опубл. 27.07.2013) способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, включающий нагрев исходной шихты до образования насыщенного раствора-расплава ее компонентов, взаимодействие раствора-расплава с
компонентами для получения заданного состава раствора-расплава, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру, удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структуру, из-под расплава, причем компонентные составы растворов-расплавов для выращивания GaAs p-i-n структуры формируют в обезвоженной атмосфере путем предварительного введения в исходную шихту в определенных количествах, как минимум, двух дополнительных твердых компонентов, представляющих собой диоксид кремния SiO2 и оксид галлия (III) с последующим нагревом этой многокомпонентной шихты до температуры начала эпитаксии и выдержкой при этой температуре заранее установленное время.
Недостатком известного способа является наличие одновременно р, i и n области в одном эпитаксиальном слое, т.к. в этом случае при обеспечении высоких значений пробивного напряжения наблюдаются крайне высокие значения последовательного сопротивления.
Технической проблемой, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является разработка способа выращивания протяженного низколегированного слоя арсенида галлия n-типа без изменения типа проводимости и с однородным распределением носителей заряда по толщине слоя методом жидкофазной эпитаксии.
Технический результат, достигаемый при реализации разработанного способа, состоит в одновременном обеспечении низкого последовательного сопротивления, высокого пробивного напряжения и малой емкости в конечных приборах.
Для достижения указанного технического результата предложено использовать разработанный способ
получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Разработанный способ включает составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор, нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, удаление подложки, покрытой слоем GaAs из-под раствора-расплава, при этом в шихту добавляют, по меньшей мере, диоксид кремния и олово.
Предпочтительно весовые концентрации дополнительных легирующих компонентов в исходной шихте находятся в пределах:
- для Sn - 0.005-0.01 вес.%;
для SiO2 - 0.007-0.015 вес.%.
при этом соотношение между концентрациями названных легирующих компонентов составляет:
C(SiO2): C(Sn)=l-1.5.
В основу предлагаемого способа положен эффект зависимости коэффициента распределения примесей из жидкой в твердую фазу от температуры выращивания при жидкофазной эпитаксии арсенида галлия. Арсенид галлия является двухкомпонентным соединением и имеет две кристаллические подрешетки - галлия и мышьяка. Легирующие примеси могут находиться в разных подрешетках и обеспечивать разный тип проводимости в зависимости от типа примеси. Олово в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, выращенных методом ЖФЭ, входит в подрешетку галлия и обеспечивает n-тип проводимости. При этом, олово в растворах-расплавах на основе галлия - неактивно, поэтому не вступает в реакции с компонентами раствора-расплава и фоновыми примесями. Вводя в жидкую фазу определенное количество только примеси олова, можно получить устойчивую концентрацию электронов на уровне (1.5÷2.5)⋅10 см-3. Однако, такие значения концентрации электронов в эпитаксиальном слое слишком высоки для обеспечения требуемых значений пробивного напряжения и емкости, что не позволяет обеспечить необходимые параметры конечных приборов. Кроме того, коэффициент распределения примеси олова из жидкой в твердую фазу по мере снижения температуры эпитаксиального процесса уменьшается, что для протяженных слоев более 30 мкм приводит к снижению концентрации электронов от начала к концу слоя в 5-10 раз. Для общего уменьшения концентрации электронов и минимизации изменения этого параметра по толщине слоя предложено комплексное легирование двумя компонентами - оловом и диоксидом кремния (SiO2).
Диоксид кремния взаимодействует с галлием в растворе-расплаве с образованием двух дополнительных компонентов:
SiO2+2Ga=Ga2O+SiO.
Кислород из Ga2O встраивается в подрешетку мышьяка в эпитаксиальном слое, обеспечивая также n-тип проводимости как и олово, однако, в отличие от олова, коэффициент распределения примеси кислорода из жидкой в твердую фазу по мере снижения температуры эпитаксиального процесса растет, что приводит к повышению концентрации электронов от начала к концу слоя.
SiO2 создает в эпитаксиальных слоях арсенида галлия, выращенных ЖФЭ, глубокие уровни р-типа HL2 и HL5 (Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. Глубокоуровневые центры в нелегированных слоях p-GaAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. / ФТП, 2000, т. 34, вып. 5, стр. 558-561), тем самым снижая исходную концентрацию электронов. Таким образом, дозированием содержания SiO2 в растворе-расплаве можно управлять концентрацией электронов в эпитаксиальном слое. В результате, можно достичь стабильно низкой концентрации электронов (2÷5)⋅1014 см-3 по всей толщине эпитаксиального слоя, что и является целью настоящего изобретения.
Таким образом, предложенный метод легирования, позволяет получить два основных технических результата:
- Получить низкую концентрацию электронов в эпитаксиальном слое на уровне (2÷5)⋅1014 см-3.
- Обеспечить этот диапазон концентрации электронов на всем протяжении эпитаксиального слоя при его толщине не менее 30 мкм.
Пример 1.
Процесс выращивания низколегированного слоя арсенида галлия n-типа проводимости с однородным распределением электронов по толщине слоя для формирования области стока JFET.
Предварительно взвешивали компоненты исходной шихты, количества которых соответствует предложенной пропорции между Sn и SiO2:
- Sn - 0.008 вес.%;
- SiO2 - 0.012 вес.%.
Содержание в растворе-расплаве арсенида галлия определяли из расчета диаграммы состояния Ga-As. Проводили загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs n+-типа проводимости в графитовую кассету прокачного типа с вертикальным расположением подложек. Зазор между подложками был выбран 2.5 мм. В кварцевом реакторе в атмосфере водорода с точкой росы около -80°С выполняли предварительный отжиг расплавов галлия с дополнительными примесями (гомогенизацию) для растворения всех компонентов шихты в расплавах и образования растворов-расплавов требуемого состава в течение 120 минут при температуре 820°С и потоке водорода через реактор 3 л/мин, после чего систему охлаждали до температуры 800°С, при которой раствор-расплав приводили в контакт с подложками GaAs n+-типа проводимости и начинали кристаллизацию эпитаксиального слоя, путем принудительного охлаждения ростовой системы со скоростью около 0.7°С/мин, до температуры 730°С, после чего эпитаксию прекращали, а систему охлаждали до комнатной температуры. Графитовую кассету разгружали, полученные структуры химически отмывали от остатков раствора-расплава по стандартной технологии. Затем проводили измерение толщины эпитаксиального слоя методом электрохимического окрашивания и значений концентрации носителей заряда по глубине слоя C-V методом с использованием послойного химического травления слоя. Шаг травления составлял 3 мкм. Толщина слоя составила 33 мкм. По всей толщине слоя наблюдался n-тип проводимости. Профиль распределения концентрации электронов представлен на чертеже, из которого видно, что все значения концентрации (2.5÷4.2)⋅1014 см-3 находятся в требуемых пределах, необходимых для изготовления области стока JFET.
Claims (6)
1. Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии, включающий составление исходной шихты, загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор, нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере с последующим отжигом в такой же атмосфере, осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом, последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, удаление подложки, покрытой слоем GaAs из-под раствора-расплава, отличающийся тем, что в шихту добавляют, по меньшей мере, диоксид кремния и олово.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что весовые концентрации дополнительных легирующих компонентов в исходной шихте находятся в пределах:
- для Sn - 0.005-0.01 вес. %;
- для SiO2 - 0.007-0.015 вес. %,
при этом соотношение между концентрациями названных легирующих компонентов составляет:
C(SiQ2):C(Sn)=1-1.5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020105258A RU2727124C1 (ru) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020105258A RU2727124C1 (ru) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2727124C1 true RU2727124C1 (ru) | 2020-07-20 |
Family
ID=71616751
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020105258A RU2727124C1 (ru) | 2020-02-05 | 2020-02-05 | Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2727124C1 (ru) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04175292A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-23 | Canon Inc | 結晶形成方法 |
US5141894A (en) * | 1989-08-01 | 1992-08-25 | Thomson-Csf | Method for the manufacture, by epitaxy, of monocrystalline layers of materials with different lattice parameters |
SU1091766A1 (ru) * | 1983-01-07 | 1999-11-10 | Новосибирский государственный университет | Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas-algaas |
JP4175292B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2008-11-05 | ヤマハ株式会社 | ディジタルミキサ装置 |
RU2547004C1 (ru) * | 2013-11-26 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs |
US9780223B2 (en) * | 2010-10-01 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gallium arsenide based materials used in thin film transistor applications |
RU2668661C2 (ru) * | 2016-10-27 | 2018-10-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" | Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии |
RU2676221C1 (ru) * | 2018-02-21 | 2018-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Способ изготовления импульсного фотодетектора |
-
2020
- 2020-02-05 RU RU2020105258A patent/RU2727124C1/ru active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1091766A1 (ru) * | 1983-01-07 | 1999-11-10 | Новосибирский государственный университет | Способ изготовления гетеролазерных структур на основе gaas-algaas |
US5141894A (en) * | 1989-08-01 | 1992-08-25 | Thomson-Csf | Method for the manufacture, by epitaxy, of monocrystalline layers of materials with different lattice parameters |
JPH04175292A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-23 | Canon Inc | 結晶形成方法 |
JP4175292B2 (ja) * | 2004-05-14 | 2008-11-05 | ヤマハ株式会社 | ディジタルミキサ装置 |
US9780223B2 (en) * | 2010-10-01 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Gallium arsenide based materials used in thin film transistor applications |
RU2547004C1 (ru) * | 2013-11-26 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ НА ОСНОВЕ GaAs |
RU2668661C2 (ru) * | 2016-10-27 | 2018-10-02 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" | Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии |
RU2676221C1 (ru) * | 2018-02-21 | 2018-12-26 | Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ | Способ изготовления импульсного фотодетектора |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SG178668A1 (en) | Silicon wafer and production method thereof | |
US3496118A (en) | Iiib-vb compounds | |
Laugier et al. | Ternary phase diagram and liquid phase epitaxy of Pb-Sn-Se and Pb-Sn-Te | |
RU2668661C2 (ru) | Способ получения многослойной эпитаксиальной p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии | |
RU2727124C1 (ru) | Способ получения низколегированного слоя GaAs методом жидкофазной эпитаксии | |
Krukovskyi et al. | Features of low-temperature GaAs formation for epitaxy device structures | |
US3676228A (en) | Method of making a p-n junction device | |
RU2297690C1 (ru) | Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений a3b5 методом жидкофазной эпитаксии | |
Kordos et al. | Isothermal LPE growth of thin graded band‐gap Al x Ga1− x As layers | |
JPS6060779A (ja) | なだれ光検出器用に適した半導体デバイスとその製作方法 | |
US6225200B1 (en) | Rare-earth element-doped III-V compound semiconductor schottky diodes and device formed thereby | |
RU2610388C2 (ru) | Способ единовременного получения p-i-n структуры GaAs, имеющей p, i и n области в одном эпитаксиальном слое | |
RU2488911C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-GaAlAs МЕТОДОМ ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ | |
Laithwaite et al. | The strength of the infrared absorption from silicon donors and silicon acceptors in gallium arsenide | |
JP2533212B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
McCann et al. | Growth and characterization of thallium‐and gold‐doped PbSe0. 78Te0. 22 layers lattice matched with BaF2 substrates | |
Henini et al. | Deep states in GaAs LEC crystals | |
Kim | Liquid phase epitaxial growth of silicon in selected areas | |
Lee et al. | Impurity diffusion enhancement of interdiffusion in an InGaPAs‐GaAs heterostructure | |
RU2638575C1 (ru) | Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев | |
RU2749501C1 (ru) | Способ получения p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии | |
Roth et al. | Tin incorporation in GaAs layers grown by low pressure MOVPE | |
US5215938A (en) | Process to obtain semi-insulating single crystalline epitaxial layers of arsenides and phosphides of metals of the group III of the periodic table useful to make electronic devices | |
RU2744350C1 (ru) | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ p-i-n СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GaAs-AlGaAs МЕТОДОМ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ | |
RU2623832C1 (ru) | Способ получения антимонида галлия с большим удельным электрическим сопротивлением |