RU2724301C2 - Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок - Google Patents
Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок Download PDFInfo
- Publication number
- RU2724301C2 RU2724301C2 RU2018144767A RU2018144767A RU2724301C2 RU 2724301 C2 RU2724301 C2 RU 2724301C2 RU 2018144767 A RU2018144767 A RU 2018144767A RU 2018144767 A RU2018144767 A RU 2018144767A RU 2724301 C2 RU2724301 C2 RU 2724301C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- probes
- probe
- bending
- zone
- layer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС.
Для подсоединения контролирующих схем к кристаллам БИС служат специальные контактные устройства с фиксированным (жестким) расположением контактирующих зондов. Такие устройства, называемые обычно проб-картами, многозондовыми головками или жесткими зондовыми головками (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для осуществления электрической связи с контактными площадками кристаллов БИС. При измерениях контактирующие кончики иголок ЖЗГ одновременно опускаются на контактные площадки кристалла, создавая надежное электрическое соединение с металлизированными контактными площадками кристаллов БИС.
Известны Автоматические зондовые станции для контроля кристаллов БИС [Зонд А5, фирмы ООО «Вито-техникс», Москва], использующие перестраиваемые многозондовые устройства для контактирования с кристаллами.
Недостатками такого устройства контактирования являются их громоздкость (диаметр устройства 26 см), и, в связи с этим, невозможность работы с ним на современных зондовых установках, особенно при криогенных температурах, и ограниченное число индивидуально настраиваемых зондов (60 по кругу, следовательно, по 15 на каждую сторону кристалла)
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению являются многозондовые устройства, с зондами, жестко закрепленными на печатных платах с помощью слоев эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. Обычно зонды изготавливают из вольфрамовой проволоки диаметром от 250 до 300 мкм. Контактирующий кончик иголки утоньшен электрохимическим способом с углом заточки порядка 3-6° до радиуса кончика ~25 мкм. Рабочий кончик иголки формируют путем его загиба под углом ~70° на расстоянии 0,3÷0,5 мм от его начала на диаметре меньше 100 мкм (фиг. 1).
Одним из недостатков такого метода формирования зонда состоит в том, что в месте загиба кончика иголки происходит ослабление металла из-за нарушения его структуры, так как в обычных условиях вольфрам недостаточно пластичный. При комнатной температуре он не поддается обработке давлением из-за его хрупкости, возможно даже расщепление проволоки при гибке, особенно для неотожженного металла.
Во время измерения параметров кристаллов БИС при азотной температуре ситуация осложняется из-за высокой склонности вольфрама к ломкости при низкой температуре. Это приводит к деформации иголок, особенно в месте загиба кончика зонда. После нескольких корректировок формы иголки кончик зонда может отломиться, что приводит к неработоспособности всей ЖЗГ и необходимости ее замены на новую.
Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.
Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда (по «кругу») наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда (фиг. 2). Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть эти места эпоксидной смолой для формирования упрочняющей капли клея в зоне загиба.. ЖЗГ, используемые при азотных температурах, можно упрочнить путем облуживания по всей поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра, у которого КТР ближе к вольфраму, чем у эпоксидной смолы. На фиг. 3 представлен внешний вид блока зондов экспериментальной ЖЗГ с упрочняющими каплями эпоксидной смолы в зоне загиба зондов. Для увеличения эластичности слоя эпоксидной смолы в нее вносится наполнитель, например порошок нитрида бора.
Проведен цикл контактирований зондов с контактными площадками кристаллов БИС, после которых не была замечена деформация зондов ЖЗГ.
Claims (3)
1. Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок, включающий в себя загиб кончиков всех зондов, прецизионную приклейку зондов на печатную плату по требуемой схеме, отличающийся тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при использовании многозондовой головки при измерениях при комнатной температуре, наносят упрочняющий слой клея, например слой эпоксидной смолы.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при использовании многозондовой головки при измерениях при комнатной и азотной температурах, наносят упрочняющий слой припоя, например слой твердого серебряного припоя.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2018144767A3 RU2018144767A3 (ru) | 2020-06-17 |
RU2018144767A RU2018144767A (ru) | 2020-06-17 |
RU2724301C2 true RU2724301C2 (ru) | 2020-06-22 |
Family
ID=71095348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2724301C2 (ru) |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU301624A1 (ru) * | Г. Абел Ш. Г. Валес Л. А. Гаспар , В. С. Шишман | Зондовая головка | ||
SU843325A1 (ru) * | 1979-05-29 | 1981-06-30 | Предприятие П/Я Р-6668 | Зондова головка |
SU1228310A1 (ru) * | 1984-03-21 | 1986-04-30 | Предприятие П/Я В-2969 | Контактное устройство преимущественно дл устройств контрол печатных плат |
SU1536528A1 (ru) * | 1986-12-24 | 1990-01-15 | Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова | Зондовое устройство дл измерени электрических параметров изделий микроэлектроники |
RU2083024C1 (ru) * | 1993-01-25 | 1997-06-27 | Акционерная компания "Мультичип - Русские технологии" | Устройство для контроля электрических параметров безвыходных интегральных микросхем |
RU2176397C1 (ru) * | 2000-07-17 | 2001-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью Центр вихретокового контроля "Политест" | Зонд |
JP2004354139A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波信号用プローブ及びこのプローブを用いた半導体試験装置 |
JP2006063399A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Jsr Corp | 耐半田性金組成物およびその応用 |
EP1296145B1 (en) * | 2000-06-28 | 2007-04-11 | NHK Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
RU2402782C2 (ru) * | 2006-12-21 | 2010-10-27 | ЗАО "Нанотехнология-МДТ" | Способ изготовления зондов на основе кварцевых резонаторов |
JP2012037506A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-23 | Kobe Steel Ltd | 半導体検査装置用プローブピン、その製造方法及び半導体検査方法 |
EP2436790B1 (en) * | 2009-05-29 | 2013-12-18 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Silver alloy that is appropriately usable in probe pins having excellent contact resistance and excellent anti-stain properties |
US9069014B2 (en) * | 2012-06-30 | 2015-06-30 | Intel Corporation | Wire probe assembly and forming process for die testing |
RU166158U1 (ru) * | 2016-03-15 | 2016-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Однозондовая головка |
RU172838U1 (ru) * | 2017-03-06 | 2017-07-26 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для зондового контроля параметров кристаллов высоковольтных приборов |
RU2654385C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-17 | Валерий Флорианович Бородзюля | Измерительный зонд и способ его изготовления |
-
2018
- 2018-12-17 RU RU2018144767A patent/RU2724301C2/ru active
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU301624A1 (ru) * | Г. Абел Ш. Г. Валес Л. А. Гаспар , В. С. Шишман | Зондовая головка | ||
SU843325A1 (ru) * | 1979-05-29 | 1981-06-30 | Предприятие П/Я Р-6668 | Зондова головка |
SU1228310A1 (ru) * | 1984-03-21 | 1986-04-30 | Предприятие П/Я В-2969 | Контактное устройство преимущественно дл устройств контрол печатных плат |
SU1536528A1 (ru) * | 1986-12-24 | 1990-01-15 | Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова | Зондовое устройство дл измерени электрических параметров изделий микроэлектроники |
RU2083024C1 (ru) * | 1993-01-25 | 1997-06-27 | Акционерная компания "Мультичип - Русские технологии" | Устройство для контроля электрических параметров безвыходных интегральных микросхем |
EP1296145B1 (en) * | 2000-06-28 | 2007-04-11 | NHK Spring Co., Ltd. | Conductive contact |
RU2176397C1 (ru) * | 2000-07-17 | 2001-11-27 | Общество с ограниченной ответственностью Центр вихретокового контроля "Политест" | Зонд |
JP2004354139A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波信号用プローブ及びこのプローブを用いた半導体試験装置 |
JP2006063399A (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Jsr Corp | 耐半田性金組成物およびその応用 |
RU2402782C2 (ru) * | 2006-12-21 | 2010-10-27 | ЗАО "Нанотехнология-МДТ" | Способ изготовления зондов на основе кварцевых резонаторов |
EP2436790B1 (en) * | 2009-05-29 | 2013-12-18 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Silver alloy that is appropriately usable in probe pins having excellent contact resistance and excellent anti-stain properties |
JP2012037506A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-23 | Kobe Steel Ltd | 半導体検査装置用プローブピン、その製造方法及び半導体検査方法 |
US9069014B2 (en) * | 2012-06-30 | 2015-06-30 | Intel Corporation | Wire probe assembly and forming process for die testing |
RU166158U1 (ru) * | 2016-03-15 | 2016-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Однозондовая головка |
RU172838U1 (ru) * | 2017-03-06 | 2017-07-26 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для зондового контроля параметров кристаллов высоковольтных приборов |
RU2654385C1 (ru) * | 2017-04-26 | 2018-05-17 | Валерий Флорианович Бородзюля | Измерительный зонд и способ его изготовления |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2018144767A3 (ru) | 2020-06-17 |
RU2018144767A (ru) | 2020-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4442967A (en) | Method of providing raised electrical contacts on electronic microcircuits | |
US8418911B2 (en) | Method for the miniaturizable contacting of insulated wires | |
US7629687B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US5485949A (en) | Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary | |
US6650013B2 (en) | Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies | |
US7649145B2 (en) | Compliant spring contact structures | |
KR100911676B1 (ko) | 콘택터, 그의 제조 방법 및 콘택터를 사용한 시험 방법 | |
US5650667A (en) | Process of forming conductive bumps on the electrodes of semiconductor chips using lapping and the bumps thereby created | |
KR20040075778A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
RU2724301C2 (ru) | Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок | |
US7413108B2 (en) | Wedge-bonding of wires in electronic device manufacture with reversible wedge bonding tool | |
CN101730605A (zh) | 具有多个外部台阶的焊丝接合毛细管工具 | |
US9941652B2 (en) | Space transformer with perforated metallic plate for electrical die test | |
JPS61214444A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05283490A (ja) | 集積回路装置の試験方法 | |
US10119994B2 (en) | Probe card having lead part for removing excessive solder | |
US9978702B2 (en) | Resurfaceable contact pad for silicon or organic redistribution interposer for semiconductor probing | |
JP6172058B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20230136802A1 (en) | Test apparatus and method for a semiconductor device | |
JP3061017B2 (ja) | 集積回路装置の実装構造およびその実装方法 | |
JPS63168028A (ja) | 微細接続構造 | |
JP5003347B2 (ja) | 電子装置およびその製造方法 | |
KR940007756Y1 (ko) | 탭용 인너리드 본딩장치 | |
Dehaine et al. | Single point ILB at narrow pitch | |
JP4354366B2 (ja) | 半導体装置の製造方法と検査方法 |