RU2724301C2 - Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок - Google Patents

Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок Download PDF

Info

Publication number
RU2724301C2
RU2724301C2 RU2018144767A RU2018144767A RU2724301C2 RU 2724301 C2 RU2724301 C2 RU 2724301C2 RU 2018144767 A RU2018144767 A RU 2018144767A RU 2018144767 A RU2018144767 A RU 2018144767A RU 2724301 C2 RU2724301 C2 RU 2724301C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
probes
probe
bending
zone
layer
Prior art date
Application number
RU2018144767A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2018144767A3 (ru
RU2018144767A (ru
Inventor
Владимир Михайлович Акимов
Илья Владимирович Ефимов
Лариса Александровна Васильева
Алексей Алексеевич Лопухин
Original Assignee
Акционерное общество "НПО "Орион"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "НПО "Орион" filed Critical Акционерное общество "НПО "Орион"
Priority to RU2018144767A priority Critical patent/RU2724301C2/ru
Publication of RU2018144767A3 publication Critical patent/RU2018144767A3/ru
Publication of RU2018144767A publication Critical patent/RU2018144767A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2724301C2 publication Critical patent/RU2724301C2/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС. Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ. Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда. Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть это место каплей клея, например, на основе эпоксидной смолы. Для работы при азотных температурах зонды можно упрочнить облуживанием поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии контроля функциональных и динамических параметров многовыводных кристаллов БИС.
Для подсоединения контролирующих схем к кристаллам БИС служат специальные контактные устройства с фиксированным (жестким) расположением контактирующих зондов. Такие устройства, называемые обычно проб-картами, многозондовыми головками или жесткими зондовыми головками (ЖЗГ), широко используются в составе зондовых установок для осуществления электрической связи с контактными площадками кристаллов БИС. При измерениях контактирующие кончики иголок ЖЗГ одновременно опускаются на контактные площадки кристалла, создавая надежное электрическое соединение с металлизированными контактными площадками кристаллов БИС.
Известны Автоматические зондовые станции для контроля кристаллов БИС [Зонд А5, фирмы ООО «Вито-техникс», Москва], использующие перестраиваемые многозондовые устройства для контактирования с кристаллами.
Недостатками такого устройства контактирования являются их громоздкость (диаметр устройства 26 см), и, в связи с этим, невозможность работы с ним на современных зондовых установках, особенно при криогенных температурах, и ограниченное число индивидуально настраиваемых зондов (60 по кругу, следовательно, по 15 на каждую сторону кристалла)
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению являются многозондовые устройства, с зондами, жестко закрепленными на печатных платах с помощью слоев эпоксидной смолы [УКФ-5, Контактные устройства с фиксированным расположением зондов, справочные материалы завода «Планар», г. Минск, Беларусь]. Обычно зонды изготавливают из вольфрамовой проволоки диаметром от 250 до 300 мкм. Контактирующий кончик иголки утоньшен электрохимическим способом с углом заточки порядка 3-6° до радиуса кончика ~25 мкм. Рабочий кончик иголки формируют путем его загиба под углом ~70° на расстоянии 0,3÷0,5 мм от его начала на диаметре меньше 100 мкм (фиг. 1).
Одним из недостатков такого метода формирования зонда состоит в том, что в месте загиба кончика иголки происходит ослабление металла из-за нарушения его структуры, так как в обычных условиях вольфрам недостаточно пластичный. При комнатной температуре он не поддается обработке давлением из-за его хрупкости, возможно даже расщепление проволоки при гибке, особенно для неотожженного металла.
Во время измерения параметров кристаллов БИС при азотной температуре ситуация осложняется из-за высокой склонности вольфрама к ломкости при низкой температуре. Это приводит к деформации иголок, особенно в месте загиба кончика зонда. После нескольких корректировок формы иголки кончик зонда может отломиться, что приводит к неработоспособности всей ЖЗГ и необходимости ее замены на новую.
Задача изобретения состоит в увеличения прочности зондов ЖЗГ.
Технический результат достигается тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда (по «кругу») наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда (фиг. 2). Для работы только при комнатной температуре достаточно покрыть эти места эпоксидной смолой для формирования упрочняющей капли клея в зоне загиба.. ЖЗГ, используемые при азотных температурах, можно упрочнить путем облуживания по всей поверхности зоны загиба припоем, например твердым припоем на основе серебра, у которого КТР ближе к вольфраму, чем у эпоксидной смолы. На фиг. 3 представлен внешний вид блока зондов экспериментальной ЖЗГ с упрочняющими каплями эпоксидной смолы в зоне загиба зондов. Для увеличения эластичности слоя эпоксидной смолы в нее вносится наполнитель, например порошок нитрида бора.
Проведен цикл контактирований зондов с контактными площадками кристаллов БИС, после которых не была замечена деформация зондов ЖЗГ.

Claims (3)

1. Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок, включающий в себя загиб кончиков всех зондов, прецизионную приклейку зондов на печатную плату по требуемой схеме, отличающийся тем, что по всей поверхности зоны загиба каждого зонда наносится слой материала, увеличивающий прочность зоны загиба зонда.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при использовании многозондовой головки при измерениях при комнатной температуре, наносят упрочняющий слой клея, например слой эпоксидной смолы.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при использовании многозондовой головки при измерениях при комнатной и азотной температурах, наносят упрочняющий слой припоя, например слой твердого серебряного припоя.
RU2018144767A 2018-12-17 2018-12-17 Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок RU2724301C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) 2018-12-17 2018-12-17 Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) 2018-12-17 2018-12-17 Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2018144767A3 RU2018144767A3 (ru) 2020-06-17
RU2018144767A RU2018144767A (ru) 2020-06-17
RU2724301C2 true RU2724301C2 (ru) 2020-06-22

Family

ID=71095348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018144767A RU2724301C2 (ru) 2018-12-17 2018-12-17 Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2724301C2 (ru)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU301624A1 (ru) * Г. Абел Ш. Г. Валес Л. А. Гаспар , В. С. Шишман Зондовая головка
SU843325A1 (ru) * 1979-05-29 1981-06-30 Предприятие П/Я Р-6668 Зондова головка
SU1228310A1 (ru) * 1984-03-21 1986-04-30 Предприятие П/Я В-2969 Контактное устройство преимущественно дл устройств контрол печатных плат
SU1536528A1 (ru) * 1986-12-24 1990-01-15 Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова Зондовое устройство дл измерени электрических параметров изделий микроэлектроники
RU2083024C1 (ru) * 1993-01-25 1997-06-27 Акционерная компания "Мультичип - Русские технологии" Устройство для контроля электрических параметров безвыходных интегральных микросхем
RU2176397C1 (ru) * 2000-07-17 2001-11-27 Общество с ограниченной ответственностью Центр вихретокового контроля "Политест" Зонд
JP2004354139A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Mitsubishi Electric Corp 高周波信号用プローブ及びこのプローブを用いた半導体試験装置
JP2006063399A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Jsr Corp 耐半田性金組成物およびその応用
EP1296145B1 (en) * 2000-06-28 2007-04-11 NHK Spring Co., Ltd. Conductive contact
RU2402782C2 (ru) * 2006-12-21 2010-10-27 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Способ изготовления зондов на основе кварцевых резонаторов
JP2012037506A (ja) * 2010-07-15 2012-02-23 Kobe Steel Ltd 半導体検査装置用プローブピン、その製造方法及び半導体検査方法
EP2436790B1 (en) * 2009-05-29 2013-12-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Silver alloy that is appropriately usable in probe pins having excellent contact resistance and excellent anti-stain properties
US9069014B2 (en) * 2012-06-30 2015-06-30 Intel Corporation Wire probe assembly and forming process for die testing
RU166158U1 (ru) * 2016-03-15 2016-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Однозондовая головка
RU172838U1 (ru) * 2017-03-06 2017-07-26 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Устройство для зондового контроля параметров кристаллов высоковольтных приборов
RU2654385C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-17 Валерий Флорианович Бородзюля Измерительный зонд и способ его изготовления

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU301624A1 (ru) * Г. Абел Ш. Г. Валес Л. А. Гаспар , В. С. Шишман Зондовая головка
SU843325A1 (ru) * 1979-05-29 1981-06-30 Предприятие П/Я Р-6668 Зондова головка
SU1228310A1 (ru) * 1984-03-21 1986-04-30 Предприятие П/Я В-2969 Контактное устройство преимущественно дл устройств контрол печатных плат
SU1536528A1 (ru) * 1986-12-24 1990-01-15 Сибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова Зондовое устройство дл измерени электрических параметров изделий микроэлектроники
RU2083024C1 (ru) * 1993-01-25 1997-06-27 Акционерная компания "Мультичип - Русские технологии" Устройство для контроля электрических параметров безвыходных интегральных микросхем
EP1296145B1 (en) * 2000-06-28 2007-04-11 NHK Spring Co., Ltd. Conductive contact
RU2176397C1 (ru) * 2000-07-17 2001-11-27 Общество с ограниченной ответственностью Центр вихретокового контроля "Политест" Зонд
JP2004354139A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Mitsubishi Electric Corp 高周波信号用プローブ及びこのプローブを用いた半導体試験装置
JP2006063399A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Jsr Corp 耐半田性金組成物およびその応用
RU2402782C2 (ru) * 2006-12-21 2010-10-27 ЗАО "Нанотехнология-МДТ" Способ изготовления зондов на основе кварцевых резонаторов
EP2436790B1 (en) * 2009-05-29 2013-12-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Silver alloy that is appropriately usable in probe pins having excellent contact resistance and excellent anti-stain properties
JP2012037506A (ja) * 2010-07-15 2012-02-23 Kobe Steel Ltd 半導体検査装置用プローブピン、その製造方法及び半導体検査方法
US9069014B2 (en) * 2012-06-30 2015-06-30 Intel Corporation Wire probe assembly and forming process for die testing
RU166158U1 (ru) * 2016-03-15 2016-11-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" Однозондовая головка
RU172838U1 (ru) * 2017-03-06 2017-07-26 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" Устройство для зондового контроля параметров кристаллов высоковольтных приборов
RU2654385C1 (ru) * 2017-04-26 2018-05-17 Валерий Флорианович Бородзюля Измерительный зонд и способ его изготовления

Also Published As

Publication number Publication date
RU2018144767A3 (ru) 2020-06-17
RU2018144767A (ru) 2020-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4442967A (en) Method of providing raised electrical contacts on electronic microcircuits
US8418911B2 (en) Method for the miniaturizable contacting of insulated wires
US7629687B2 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
US5485949A (en) Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
US6650013B2 (en) Method of manufacturing wire bonded microelectronic device assemblies
US7649145B2 (en) Compliant spring contact structures
KR100911676B1 (ko) 콘택터, 그의 제조 방법 및 콘택터를 사용한 시험 방법
US5650667A (en) Process of forming conductive bumps on the electrodes of semiconductor chips using lapping and the bumps thereby created
KR20040075778A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
RU2724301C2 (ru) Способ увеличения прочности зондов многозондовых головок
US7413108B2 (en) Wedge-bonding of wires in electronic device manufacture with reversible wedge bonding tool
CN101730605A (zh) 具有多个外部台阶的焊丝接合毛细管工具
US9941652B2 (en) Space transformer with perforated metallic plate for electrical die test
JPS61214444A (ja) 半導体装置
JPH05283490A (ja) 集積回路装置の試験方法
US10119994B2 (en) Probe card having lead part for removing excessive solder
US9978702B2 (en) Resurfaceable contact pad for silicon or organic redistribution interposer for semiconductor probing
JP6172058B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20230136802A1 (en) Test apparatus and method for a semiconductor device
JP3061017B2 (ja) 集積回路装置の実装構造およびその実装方法
JPS63168028A (ja) 微細接続構造
JP5003347B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
KR940007756Y1 (ko) 탭용 인너리드 본딩장치
Dehaine et al. Single point ILB at narrow pitch
JP4354366B2 (ja) 半導体装置の製造方法と検査方法