RU2718124C1 - Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds - Google Patents
Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds Download PDFInfo
- Publication number
- RU2718124C1 RU2718124C1 RU2019117902A RU2019117902A RU2718124C1 RU 2718124 C1 RU2718124 C1 RU 2718124C1 RU 2019117902 A RU2019117902 A RU 2019117902A RU 2019117902 A RU2019117902 A RU 2019117902A RU 2718124 C1 RU2718124 C1 RU 2718124C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- powders
- kesterite
- synthesis
- ampoules
- zns
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 16
- -1 tin chalcogenides Chemical class 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 title abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title abstract description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 title description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 14
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 13
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical group S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013084 building-integrated photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical group 0.000 description 1
- MIUMTDPSDBCACC-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu][Zn][Cu] MIUMTDPSDBCACC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000004771 selenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G3/00—Compounds of copper
- C01G3/12—Sulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G9/00—Compounds of zinc
- C01G9/08—Sulfides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии создания тонкопленочных экологически чистых солнечных батарей. Изобретение может найти применение при создании солнечных батарей для строительной фотовольтаики (BIPV). Более конкретно изобретение относится к созданию монозеренных монокристаллических порошков с общей формулой Cu2-δZnSnSe4 или Cu2-δZnSnSe4 имеющих структуру кестерита, применяемых в качестве поглощающих слоев в таких устройствах.The invention relates to a technology for creating thin-film environmentally friendly solar cells. The invention may find application in the creation of solar panels for construction photovoltaics (BIPV). More specifically, the invention relates to the creation of single-grain single crystal powders with the general formula Cu 2-δ ZnSnSe 4 or Cu 2-δ ZnSnSe 4 having a kesterite structure, used as absorbing layers in such devices.
В последнее время приобретают популярность тонкопленочные солнечные батареи на основе CdTe, CuInxGa1-xSe2 (CIGS) или Cu2-δZn2-xSnx(S1-уSeу)4 (CZTS,Se). Преимущество данных материалов состоит в том, что для эффективного поглощения солнечного света достаточно пленки толщиной всего несколько микрон, тогда как при использовании кристаллического кремния необходим слой около 200 мкм. При этом CZTS(Se) имеет ряд преимуществ перед другими соединениями. Основное из них состоит в том, что в его состав не входят редко встречающиеся элементы. При этом данный материал мало токсичен, сравнительно экологически чист, солнечные батареи на его основе потенциально дешевыми. При этом особый интерес представляет новая отрасль - т.н. «порошковая» фотовольтаика, подразумевающая применение монозеренных порошков CZTS для создания гибких солнечных батарей. Слои на основе монозеренных порошков сочетают в себе высокие фотоэлектрические параметры монокристаллов и преимущества поликристаллических материалов, например, низкая стоимость и простые методы синтеза, также возможность создания устройств на гибких подложках и эффективный расход материала. Данная технология предполагает разделение синтеза материалов от сборки модулей. Солнечные батареи больших размеров на их основе могут изготавливаться при комнатной температуре в непрерывном, так называемом «roll-to-roll» процессе. Однородный состав порошков дает дополнительное преимущество: простое масштабирование.Recently, thin-film solar cells based on CdTe, CuIn x Ga 1-x Se 2 (CIGS) or Cu 2-δ Zn 2-x Sn x (S 1- Se y ) 4 (CZTS, Se) are gaining popularity. The advantage of these materials is that for the effective absorption of sunlight, a film with a thickness of only a few microns is sufficient, while using crystalline silicon, a layer of about 200 microns is needed. At the same time, CZTS (Se) has several advantages over other compounds. The main one is that it does not include rare elements. At the same time, this material is slightly toxic, relatively environmentally friendly, and solar panels based on it are potentially cheap. Of particular interest is the new industry - the so-called “Photovoltaic” photovoltaics, involving the use of CZTS monograined powders to create flexible solar cells. Layers based on single-grain powders combine the high photoelectric parameters of single crystals and the advantages of polycrystalline materials, for example, low cost and simple synthesis methods, as well as the possibility of creating devices on flexible substrates and efficient material consumption. This technology involves the separation of the synthesis of materials from the assembly of modules. Large-sized solar cells based on them can be manufactured at room temperature in a continuous, so-called “roll-to-roll” process. The homogeneous composition of the powders provides an additional advantage: easy scaling.
Впервые солнечные элементы на основе монозеренных порошков были созданы компанией Hoffman's Electronics в 1957 г. [Paradise, М.Е. (1957) Large area solar energy converter and method for making the same. US Patent 2,904,613, August 26]. В качестве материала использовался кремний. Однако такие устройства не нашли широкого применения. Солнечные элементы на основе четверных соединений меди - сравнительно новая технология. Их разработка, по-видимому, впервые началась в Таллиннском университете технологии в 1996 году [Ito K. «Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Solar Cells» West Sussex, U.K.: John Wiley & Sons, Ltd. 2015. 435 p]. Схема такого солнечного элемента приведена на фиг. 1. (На Фиг. 1. 1 - прозрачная подложка, 2 - нижний прозрачный контакт, 3 - буферный слой (CdS), 4 - монозерна CZTS, 5 - верхний контакт, 6 - верхняя полимерная пленка). Для их коммерческого внедрения была создана совместная австрийско-эстонская фирма CrystalSol [www.crystalsol.com]. По данным [A. Luque, S. Hegedus. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. A John Wiley and Sons, Ltd., Publication. 2011. 1128 p.] для создания солнечных батарей используются кестеритные монозеренные порошки состава Cu1.85ZnSnSe4. Для их синтеза используются сульфиды CuS, SnS и ZnS, в качестве флюса - KI или CdCl2. При этом механизм такой реакции достаточно сложен, что может приводить к формированию нежелательных примесных фаз [Е. Mellikov, М. Altosaar, М. Kauk-Kuusik, К. Timmo, D. Meissner, М. Grossberg, J. Krustok, and О. Volobujeva, in Copp. Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Sol. Cells, edited by K. Ito (A John Wiley and Sons, Ltd, West Sussex, UK, 2015), pp. 289-309.]For the first time, solar cells based on monograined powders were created by Hoffman's Electronics in 1957 [Paradise, M.E. (1957) Large area solar energy converter and method for making the same. US Patent 2,904,613, August 26]. Silicon was used as the material. However, such devices are not widely used. Solar cells based on quaternary copper compounds are a relatively new technology. Their development seems to have first begun at Tallinn University of Technology in 1996 [Ito K. “Copper Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Solar Cells” West Sussex, UK: John Wiley & Sons, Ltd. 2015. 435 p]. A diagram of such a solar cell is shown in FIG. 1. (In Fig. 1. 1 is a transparent substrate, 2 is a lower transparent contact, 3 is a buffer layer (CdS), 4 is a CZTS monograin, 5 is an upper contact, 6 is an upper polymer film). A joint Austrian-Estonian company CrystalSol [www.crystalsol.com] was created for their commercial implementation. According to [A. Luque, S. Hegedus. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. A John Wiley and Sons, Ltd., Publication. 2011. 1128 p.] For the creation of solar cells are used kesterite monograin powders of the composition Cu 1.85 ZnSnSe 4 . For their synthesis, sulfides CuS, SnS and ZnS are used, as a flux - KI or CdCl 2 . Moreover, the mechanism of such a reaction is quite complicated, which can lead to the formation of undesirable impurity phases [E. Mellikov, M. Altosaar, M. Kauk-Kuusik, K. Timmo, D. Meissner, M. Grossberg, J. Krustok, and O. Volobujeva, in Copp. Zinc Tin Sulfide-Based Thin-Film Sol. Cells, edited by K. Ito (A John Wiley and Sons, Ltd, West Sussex, UK, 2015), pp. 289-309.]
Отличительной особенностью предложенной нами методики является использование более простых прекурсорных смесей - на основе тройных соединений Cu2-δSnX3 (X=S, Se) и халькогенидов цинка (ZnS или ZnSe) и строго контролируемых количеств флюса KI.A distinctive feature of our methodology is the use of simpler precursor mixtures based on ternary compounds Cu 2-δ SnX 3 (X = S, Se) and zinc chalcogenides (ZnS or ZnSe) and strictly controlled amounts of KI flux.
Наиболее близкими к предложенной являются методики, описанные в [патент WO 2010/006623 А2] и [патент US 20120201741 А1]Closest to the proposed are the methods described in [patent WO 2010/006623 A2] and [patent US 20120201741 A1]
Синтез прекурсоров - сульфидов и селенидов Cu2-δSnX3, где X=S, Se - проводится из элементных Cu, Sn и X в несколько этапов. На первом этапе указанные вещества в требуемых соотношениях отжигаются в вакуумированных (pост=10-2 мм.рт.ст.) графитизированных кварцевых ампулах при T=1100°С в течение 24 ч. После этого содержимое ампул растирается в агатовой ступке для гомогенизации. На следующем этапе полученные порошки вновь запаиваются в вакуумированных кварцевых ампулах и отжигаются в течение 50 ч.The synthesis of precursors - sulfides and selenides Cu 2-δ SnX 3 , where X = S, Se - is carried out from elemental Cu, Sn and X in several stages. At the first stage, these substances in the required proportions are annealed in evacuated (p ost = 10 -2 mm Hg) graphitized quartz ampoules at T = 1100 ° C for 24 hours. After that, the contents of the ampoules are ground in an agate mortar for homogenization. At the next stage, the obtained powders are again sealed in evacuated quartz ampoules and annealed for 50 hours.
Для синтеза ZnS через водный раствор ZnSO4 с добавкой CH3COONH4 в течение 5 ч пропускается ток сероводорода, после чего полученный осадок промывается 2% водным раствором СН3СООН, насыщенным сероводородом, фильтруется под вакуумом на воронке со стеклянным фильтром. Затем проводится последовательный отжиг в потоке азота при T=800°С, сероводороде при 600°С и динамическом вакууме.To synthesize ZnS, a stream of hydrogen sulfide is passed through an aqueous solution of ZnSO 4 with the addition of CH 3 COONH 4 for 5 hours, after which the precipitate is washed with a 2% aqueous solution of CH 3 COOH saturated with hydrogen sulfide, and filtered under vacuum on a funnel with a glass filter. Then a sequential annealing is carried out in a stream of nitrogen at T = 800 ° С, hydrogen sulfide at 600 ° С and dynamic vacuum.
Синтез селенида цинка осуществляется из сульфида цинка в токе инертного газа при 650°С по следующей схеме:The synthesis of zinc selenide is carried out from zinc sulfide in an inert gas stream at 650 ° C according to the following scheme:
ZnS+2ZnO+3Se=3ZnSe+SO2 ZnS + 2ZnO + 3Se = 3ZnSe + SO 2
Для синтеза крупнокристаллических монозеренных порошков CZTS(Se) требуемые количества бинарных прекурсоров растираются с KI в агатовых ступках, после чего запаиваются в карбонизированных кварцевых ампулах под вакуумом. Оптимальным является мольное соотношение CZT(S,Se):KI=1:(5÷10). Ампулы выдерживаются при 740°С в течение >50 ч, после чего вскрываются. Для удаления KI содержимое ампул промывается деионизированной водой и высушивается под вакуумом. Для выделения монозеренной фракции проводится процеживание через сита с различным диаметром отверстий.For the synthesis of coarse-grained CZTS (Se) single-grain powders, the required amounts of binary precursors are ground with KI in agate mortars and then sealed in carbonized quartz ampoules under vacuum. The optimal molar ratio is CZT (S, Se): KI = 1: (5 ÷ 10). Ampoules are kept at 740 ° C for> 50 hours, after which they are opened. To remove KI, the contents of the ampoules are washed with deionized water and dried under vacuum. To isolate the monograin fraction, filtering is carried out through sieves with different hole diameters.
Заявляемое изобретение иллюстрируется, но никак не ограничивается следующим примером.The invention is illustrated, but not limited to the following example.
Пример 1. Синтез монозеренных порошков состава Cu1.85ZnSnSe4.Example 1. The synthesis of monograined powders of the composition Cu 1.85 ZnSnSe 4 .
Синтез образцов указанного состава может быть осуществлен по схеме:Synthesis of samples of this composition can be carried out according to the scheme:
Cu1,85SnSe3+ZnSe=Cu1,85ZnSnSe4 Cu 1.85 SnSe 3 + ZnSe = Cu 1.85 ZnSnSe 4
В указанном примере синтез проводился в течение 50 и 100 ч. Исследование полученных порошков методом РФА (фиг. 2) показало, что они имеют кестеритную структуру.In this example, the synthesis was carried out for 50 and 100 hours. The study of the obtained powders by the XRD method (Fig. 2) showed that they have a kesterite structure.
По данным оптической и сканирующей электронной (СЭМ) микроскопии все фракции полученных порошков состояли из монозерен. Для иллюстрации на фиг. 3 приведены данные для фракций с размерами частиц <40 мкм (фиг. 3. а и фиг. 3. в) и >94 мкм (фиг. 3. б) и фиг. 3. г). При этом на фиг. 3 а.) и фиг. 3 б.)) - данные СЭМ, фиг. 3 в.) фиг. 3 г) - данные оптической микроскопииAccording to optical and scanning electron (SEM) microscopy, all fractions of the obtained powders consisted of monograins. To illustrate in FIG. 3 shows data for fractions with particle sizes <40 μm (Fig. 3. a and Fig. 3. c) and> 94 μm (Fig. 3. b) and FIG. 3.g). Moreover, in FIG. 3 a.) And FIG. 3 b.)) - SEM data, FIG. 3 c.) FIG. 3 g) - data of optical microscopy
Преобладающей является фракция с размером частиц >94 мкм (фиг. 4). Для времени синтеза 50 ч массовая доля (ω) данной фракции >40%, тогда как для 100 ч - ω>80% Исследование образцов методом микроволновой фотопроводимости показало, что времена жизни фотогенерированных носителей тока в них порядка 20 не, что выше описанного в литературе [I. Repins, С. Beall, N. Vora et al, J. Solar Energy Materials and Solar Cells, 101, 154-159, (2012)].The predominant fraction is with a particle size> 94 μm (Fig. 4). For the synthesis time of 50 h, the mass fraction (ω) of this fraction is> 40%, while for 100 h it is ω> 80%. The study of the samples by microwave photoconductivity showed that the lifetimes of the photogenerated current carriers in them are of the order of 20, which is higher than that described in the literature [I. Repins, C. Beall, N. Vora et al, J. Solar Energy Materials and Solar Cells, 101, 154-159, (2012)].
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117902A RU2718124C1 (en) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019117902A RU2718124C1 (en) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2718124C1 true RU2718124C1 (en) | 2020-03-30 |
Family
ID=70156507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019117902A RU2718124C1 (en) | 2019-06-10 | 2019-06-10 | Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2718124C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744157C1 (en) * | 2020-07-14 | 2021-03-03 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) | Method of producing photosensitive kesterite films |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2347299C1 (en) * | 2007-07-28 | 2009-02-20 | Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению" (ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению") | METHOD FOR PRODUCTION OF ABSORBING LAYER Cu2ZnSnS4 FOR SOLAR CELLS |
| WO2010006623A2 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Tallinn University Of Technology | Semiconductor material and its application as an absorber material for solar cells |
| WO2011066205A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous process for producing crystalline copper chalcogenide nanoparticles, the nanoparticles so-produced, and inks and coated substrates incorporating the nanoparticles |
| US20120129322A1 (en) * | 2009-06-02 | 2012-05-24 | Isovoltaic Ag | Composite material comprising nanoparticles and production of photoactive layers containing quaternary, pentanary and higher-order composite semiconductor nanoparticles |
| US20120201741A1 (en) * | 2009-11-25 | 2012-08-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Syntheses of quaternary chalcogenides in cesium, rubidium, barium and lanthanum containing fluxes |
| US20130125988A1 (en) * | 2009-11-25 | 2013-05-23 | E I Du Pont De Nemours And Company | CZTS/Se PRECURSOR INKS AND METHODS FOR PREPARING CZTS/Se THIN FILMS AND CZTS/Se-BASED PHOTOVOLTAIC CELLS |
-
2019
- 2019-06-10 RU RU2019117902A patent/RU2718124C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2347299C1 (en) * | 2007-07-28 | 2009-02-20 | Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению" (ГО "НПЦ НАН Беларуси по материаловедению") | METHOD FOR PRODUCTION OF ABSORBING LAYER Cu2ZnSnS4 FOR SOLAR CELLS |
| WO2010006623A2 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Tallinn University Of Technology | Semiconductor material and its application as an absorber material for solar cells |
| US20120129322A1 (en) * | 2009-06-02 | 2012-05-24 | Isovoltaic Ag | Composite material comprising nanoparticles and production of photoactive layers containing quaternary, pentanary and higher-order composite semiconductor nanoparticles |
| WO2011066205A1 (en) * | 2009-11-25 | 2011-06-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aqueous process for producing crystalline copper chalcogenide nanoparticles, the nanoparticles so-produced, and inks and coated substrates incorporating the nanoparticles |
| US20120201741A1 (en) * | 2009-11-25 | 2012-08-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Syntheses of quaternary chalcogenides in cesium, rubidium, barium and lanthanum containing fluxes |
| US20130125988A1 (en) * | 2009-11-25 | 2013-05-23 | E I Du Pont De Nemours And Company | CZTS/Se PRECURSOR INKS AND METHODS FOR PREPARING CZTS/Se THIN FILMS AND CZTS/Se-BASED PHOTOVOLTAIC CELLS |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2744157C1 (en) * | 2020-07-14 | 2021-03-03 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН) | Method of producing photosensitive kesterite films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jäger-Waldau | Progress in chalcopyrite compound semiconductor research for photovoltaic applications and transfer of results into actual solar cell production | |
| US8071875B2 (en) | Manufacture of thin solar cells based on ink printing technology | |
| Abou-Ras et al. | Innovation highway: Breakthrough milestones and key developments in chalcopyrite photovoltaics from a retrospective viewpoint | |
| US8252621B2 (en) | Method for forming copper indium gallium chalcogenide layer with optimized gallium content at its surface | |
| CN102652368B (en) | Cu-In-Zn-Sn-(Se,S)-based thin film for solar cell and preparation method thereof | |
| JP2013062547A (en) | Solar cell and method of fabricating the same | |
| US8680393B2 (en) | Thin film solar cells | |
| US20130118569A1 (en) | Method for forming thin film solar cell with buffer-free fabrication process | |
| US9735294B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| KR20130016528A (en) | Preparation method for czt(s,se) thin film and czt(s,se) thin film prepared the same | |
| Mellikov et al. | CZTS monograin powders and thin films | |
| RU2718124C1 (en) | Method of producing mono-grit kesterite powders from ternary copper and tin chalcogenides and zinc compounds | |
| US8802974B2 (en) | Solar cell | |
| RU2695208C1 (en) | Method for production of monograin kesterite powders | |
| CN103339741B (en) | Solar cell device and its manufacture method | |
| JP6147926B2 (en) | Layer system for thin film solar cells with sodium indium sulfide buffer layer | |
| Dimmler et al. | Scalability and pilot operation in solar cells of CuInSe2 and their alloys | |
| US10062792B2 (en) | Method of making a CZTS/silicon thin-film tandem solar cell | |
| US10062797B2 (en) | Method of making a IV-VI/Silicon thin-film tandem solar cell | |
| KR101003677B1 (en) | Method for fabricating CIS type solar cell | |
| US10490680B2 (en) | Method for manufacturing light absorption layer | |
| Muttumthala et al. | A concise overview of thin film photovoltaics | |
| KR102212042B1 (en) | Solar cell comprising buffer layer formed by atomic layer deposition and method of fabricating the same | |
| Ma et al. | Preparation and characterization of Cu (In, Ga) Se2 thin films via direct heating selenium-ion containing precursors | |
| JP2012049358A (en) | Method of producing metal chalcogenide particle and method of manufacturing photoelectric conversion device |