RU2710479C1 - Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния - Google Patents
Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2710479C1 RU2710479C1 RU2019110185A RU2019110185A RU2710479C1 RU 2710479 C1 RU2710479 C1 RU 2710479C1 RU 2019110185 A RU2019110185 A RU 2019110185A RU 2019110185 A RU2019110185 A RU 2019110185A RU 2710479 C1 RU2710479 C1 RU 2710479C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- phase
- silicon oxide
- oxide film
- film
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 46
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- -1 krypton ions Chemical class 0.000 title claims abstract description 41
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 20
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции. Технический результат от использования предлагаемого способа формирования гексагональной фазы кремния - повышение эффективности формирования указанной фазы за счет повышения технологичности указанного формирования в результате его упрощения. Для достижения указанного технического результата в способе формирования фазы гексагонального кремния, включающем получение на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, пленки оксида кремния, имплантацию в нее ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомные радиусы элементов, входящих в состав этой пленки, и вызывающих в указанной пленке и прилегающем к ней подповерхностном слое пластины повышенные механические напряжения, достаточные для преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, и постимплантационный отжиг, в упомянутую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано при изготовлении светоизлучающих приборов на основе гексагональной фазы кремния, обеспечивающей эффективное возбуждение фотолюминесценции.
Наиболее технологичными с точки зрения совместимости с традиционной технологией микроэлектроники являются известные способы ионно-лучевого (имплантационного) формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомный радиус кремния, и инициирующих возникновение в алмазоподобном монокристаллическом кремнии механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной (кубической) фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу (см., например, статью на англ. яз. авторов Т. Y. Tan, 
& S. М. Нu «Оn the diamond-cubic to hexagonal phase transformation in silicon» - Philosophical Magazine A. 1981, v. 44, №1, c. 127-140; или статью Королёва Д.С. и др. «Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации» - Письма в ЖТФ. 2017, т. 43, в. 16, с. 87-92).
Толщина слоя получаемой при этом гексагональной фазы кремния и ее качество (степень заполнения слоя алмазоподобного монокристаллического кремния, преобразуемого в гексагональную фазу, этой фазой и однородность такого заполнения), а также стабильность образования этой фазы зависят от уровня указанных выше механических напряжений и имплантационных условий их возникновения в алмазоподобном монокристаллическом кремнии.
Так известен интенсивный способ формирования гексагональной фазы кремния путем имплантации в изготовленную из алмазоподобного монокристаллического кремния пластину ионов мышьяка, имеющих атомный радиус, превышающий атомный радиус кремния, и образующих в результате указанной имплантации при наличии нагрева пластины ионным пучком в приповерхностном слое алмазоподобного монокристаллического кремния пластины твердый раствор атомов мышьяка, инициирующих возникновение в нем повышенных механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу (см. статью на англ. яз. авторов Т. Y. Tan, 
& S. М. Нu «Оп the diamond-cubic to hexagonal phase transformation in silicon» - Philosophical Magazine A. 1981, v. 44, №1, c. 127-140).
В указанном способе имплантация ионов мышьяка производится непосредственно в поверхность пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, вследствие чего в приповерхностном слое пластины эффективность действия зоны механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в приповерхностном слое пластины в гексагональную фазу, высокая, но в связи с низкой контролируемостью и воспроизводимостью неустойчивого формирования гексагональной фазы кремния в этом способе из-за слабо контролируемого нагрева пластины ионным пучком при имплантации, нет стабильного возникновения в приповерхностном слое пластины зоны повышенных механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования в нем алмазоподобной фазы в гексагональную с высоким уровнем заполняемости указанного приповерхностного слоя гексагональной фазой кремния и, поэтому, снижена эффективность формирования гексагональной фазы кремния, сопровождающегося кроме того появлением в приповерхностном слое пластины, содержащем полученную гексагональную фазу кремния, нежелательных примесных атомов мышьяка.
Известен, также менее интенсивный, чем предыдущий способ-аналог, способ формирования гексагональной фазы кремния, выбранный в качестве прототипа заявляемого способа, путем имплантации в пленку оксида кремния, предварительно полученную на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, (в результате термического окисления пластины этой пластины) ионов галлия и азота, образующих в результате этой имплантации в указанной пленке оксида кремния при отжиге пластины включения нитрида галлия, инициирующие возникновение механических напряжений, создающих энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в подповерхностном слое пластины, граничащем с поверхностным слоем оксида кремния, в его гексагональную фазу (см. статью Королёва Д.С.и др. «Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации» - Письма в ЖТФ. 2017, т. 43, в. 16, с. 87-92).
Основными недостатками способа - прототипа являются технологическое усложнение формирования гексагональной фазы из-за необходимости образования в результате имплантации ионов галлия и азота в слое оксида кремния при отжиге пластины включений нитрида галлия, обеспечивающего формирование в подповерхностном слое пластины гексагональной фазы кремния без появления в указанном подповерхностном слое пластины нежелательных примесных атомов галлия и азота, и связанное с изложенным технологическим усложнением снижение уровня механических напряжений, создающих включениями нитрида галлия, образуемых на втором этапе способа -прототипа (при отжиге) энергетические условия преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в подповерхностном слое пластины, граничащем с пленкой оксида кремния, в его гексагональную фазу, что приводит, в свою очередь, к снижению стабильности образования гексагональной фазы кремния и снижению заполнения указанного подповерхностного слоя пластины гексагональной фазой кремния, а также к неоднородному заполнению указанной фазой.
Технический результат от использования предлагаемого способа формирования гексагональной фазы кремния - повышение эффективности формирования указанной фазы за счет повышения технологичности указанного формирования в результате его упрощения (исключения необходимости образования в на втором этапе способа - прототипа (при отжиге) включений нитрида галлия для формирования в подповерхностном слое пластины гексагональной фазы кремния) в условиях образования гексагональной фазы кремния без появления в его слое нежелательных примесных атомов в связи с имплантацией их ионов, обеспеченных имплантацией ионов криптона в пленку оксида кремния, предварительно полученную на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, и повышения при этом заполнения подповерхностного слоя пластины самой фазой при высокой стабильности и однородности указанного заполнения за счет экспериментально обнаруженных предлагаемых режимных параметров имплантации ионов криптона.
Для достижения указанного технического результата в способе формирования фазы гексагонального кремния, включающем получение на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, пленки оксида кремния, имплантацию в нее ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомные радиусы элементов, входящих в состав этой пленки, и вызывающих в указанной пленке и прилегающем к ней подповерхностном слое пластины повышенные механические напряжения, достаточные для преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, и постимплантационный отжиг, в упомянутую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки.
В частном случае при толщине полученной методом термического окисления в сухом кислороде при 1100°С пленки оксида кремния 100 нм, энергии ионов криптона 70 кэВ и дозе ионов криптона 5⋅1016 см-2 и обеспечении концентрации ионов криптона 2⋅1022 см-3 в пленке оксида кремния на глубине 50 нм с уменьшением указанной концентрации до 1⋅1021 и 2⋅1021 см-3, соответственно, на глубинах 20 и 80 нм формируют в прилегающем к пленке оксида кремния подповерхностном слое пластины гексагональную фазу кремния в виде заполняющего этот слой пластины более чем на 90% массива гексагональной фазы кремния толщиной 20 нм при высокой однородности заполнения.
При этом постимплантационный отжиг пластины проводят при температуре 700-1000°С.
На фиг. 1 представлено электронно-микроскопическое изображение фрагмента граничащего с предварительно полученной на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, тонкой пленкой оксида кремния подповерхностного слоя указанной пластины, подвергнутой имплантации в указанный тонкий слой оксида кремния ионов криптона, с сформированной в указанном подповерхностном слое гексагональной фазой кремния с повышенным и однородным заполнением этой фазой указанного подповерхностного слоя.
Предлагаемый способ формирования гексагональной фазы кремния осуществляют в примере его проведения следующим образом.
В зависимости от времени оксидирования методом термического оксидирования на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния КЭФ-4.5 с ориентацией его кубической структуры (100), получают тонкую пленку оксида кремния толщиной от 50 до 150 нм.
Затем в полученную тонкую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки.
После чего, для снятия остаточных механических напряжений в подповерхностном слое пластины проводят постимплантационный отжиг пластины в течение 10-40 мин при температуре 600-1000°С.
Так в примере осуществления предлагаемого способа при толщине пленки оксида кремния 100 нм, энергии ионов криптона 70 кэВ и дозе ионов криптона 5⋅1016 см-2 и обеспечении концентрации ионов криптона 2⋅1022 в пленке оксида кремния на глубине 50 нм с уменьшением указанной концентрации до 1⋅1021 и 2⋅1021 см-3, соответственно, на глубинах 20 и 80 нм формируют в прилегающем к пленке оксида кремния подповерхностном слое пластины гексагональную фазу кремния в виде заполняющего этот слой пластины более чем на 90% массива гексагональной фазы кремния (с высокой однородностью заполнения) толщиной 20 нм с проведением постимплантационного отжига пластины в течение 30 мин при температуре 1000°С (см. фрагмент указанного подповерхностного слоя, заполненного гексагональной фазой кремния, на фиг. 1).
Отклонение режимных имплантационных параметров от предложенных интервальных величин приводит к уменьшению заполнения подповерхностного слоя пластины гексагональной фазой кремния на 10-15%.
Формирование гексагональной фазы в граничащем с поверхностным слоем оксида кремния подповерхностном слое пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, методом имплантации в соответствии со способом -прототипом, рассмотренным выше, характеризуется пониженным уровнем заполнения гексагональной фазой кремния в виде массива гексагональной фазы кремния, заполняющего указанный подповерхностный слой пластины в меньшей степени, чем при осуществлении предлагаемого способа формирования гексагональной фазы, а именно - указанный слой толщиной 20 нм не более чем на 40% (см. в указанной выше статье Королева Д.С. и др. электронно-микроскопическое изображение поперечного сечения термически окисленного кремния, облученного ионами азота и галлия после отжига при 800°С).
Для имплантации ионов азота и галлия использовалась установка ИЛУ-200.
Распределение концентрации ионов криптона по толщине пленки оксида кремния оценивалось при помощи рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии.
Формирование гексагональной фазы кремния подтверждено при помощи Фурье-преобразования изображений, полученных методом высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии.
Заполняемость гексагональной фазой кремния оценивалась по относительной площади включений гексагональной фазы на снимках с помощью просвечивающего электронного микроскопа JEM-2100F (JEOL, Япония).
Предлагаемый способ формирования гексагональной фазы кремния обеспечивает возникновение в граничащем с тонкой пленкой оксида кремния подповерхностном слое пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, зоны повышенных механических напряжений, вызываемых имплантацией ионов криптона в указанную пленку оксида кремния и образование под ним слоя гексагональной фазы кремния в широком интервале его востребованных толщин (например, от 10 до 100 нм) с высоким и однородным заполнением этого подповерхностного слоя гексагональной фазой кремния (так при толщине получаемого слоя гексагональной фазы кремния от 40 до 80 нм в пределах заявляемых интервалов режимных параметров имплантации ионов криптона заполняемость стабильно достигает 90%).
Claims (3)
1. Способ формирования фазы гексагонального кремния, включающий получение на поверхности пластины, изготовленной из алмазоподобного монокристаллического кремния, пленки оксида кремния, имплантацию в нее ионов, имеющих атомный радиус, превышающий атомные радиусы элементов, входящих в состав этой пленки, и вызывающих в указанной пленке и прилегающем к ней подповерхностном слое пластины повышенные механические напряжения, достаточные для преобразования алмазоподобной фазы монокристаллического кремния в его гексагональную фазу, и постимплантационный отжиг, отличающийся тем, что в упомянутую пленку оксида кремния производят имплантацию ионов криптона, причем толщину получаемой пленки оксида кремния и энергию и дозу ионов криптона выбирают из интервалов величин толщины пленки оксида кремния от 50 до 150 нм, энергии ионов криптона от 40 до 80 кэВ и дозы ионов криптона от 1⋅1016 до 1⋅1017 см-2 при условии обеспечения при этом максимальной концентрации ионов криптона в пленке оксида кремния на глубине, составляющей 40-60% от толщины этой пленки.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при толщине полученной методом термического окисления в сухом кислороде при 1100°С пленки оксида кремния 100 нм, энергии ионов криптона 70 кэВ и дозе ионов криптона 5⋅1016 см-2 и обеспечении концентрации ионов криптона 2⋅1022 см-3 в пленке оксида кремния на глубине 50 нм с уменьшением указанной концентрации до 1⋅1021 и 2⋅1021 см-3, соответственно, на глубинах 20 и 80 нм формируют в прилегающем к пленке оксида кремния подповерхностном слое пластины гексагональную фазу кремния в виде заполняющего этот слой пластины более чем на 90% массива гексагональной фазы кремния толщиной 20 нм при высокой однородности заполнения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что постимплантационный отжиг пластины проводят в течение 10-40 мин при температуре 600-1000°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019110185A RU2710479C1 (ru) | 2019-04-05 | 2019-04-05 | Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2019110185A RU2710479C1 (ru) | 2019-04-05 | 2019-04-05 | Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2710479C1 true RU2710479C1 (ru) | 2019-12-26 |
Family
ID=69023078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2019110185A RU2710479C1 (ru) | 2019-04-05 | 2019-04-05 | Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2710479C1 (ru) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19646927A1 (de) * | 1995-11-13 | 1997-05-15 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung |
| US8679957B2 (en) * | 2012-03-02 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
-
2019
- 2019-04-05 RU RU2019110185A patent/RU2710479C1/ru active IP Right Revival
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19646927A1 (de) * | 1995-11-13 | 1997-05-15 | Hyundai Electronics Ind | Verfahren zum Herstellen eines flachen Übergangs einer Halbleitervorrichtung |
| US8679957B2 (en) * | 2012-03-02 | 2014-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Королев Д.С. и др. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации. Письма в ЖТФ. 2017, т. 43, в.16, стр. 87-92. * |
| Королев Д.С. и др. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации. Письма в ЖТФ. 2017, т. 43, в.16, стр. 87-92. Королев Д.С. и др. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении. 12-я Международная конференция, Взаимодействие облучений с твердым телом. Минск, Беларусь, 19-22 сентября 2017. * |
| Королев Д.С. и др. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении. 12-я Международная конференция, Взаимодействие облучений с твердым телом. Минск, Беларусь, 19-22 сентября 2017. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014518010A (ja) | 材料中にクラックを形成するための方法 | |
| RU2710479C1 (ru) | Способ формирования гексагональной фазы кремния путём имплантации ионов криптона в плёнку оксида кремния на пластине монокристаллического кремния | |
| JP2008244435A (ja) | 選択された注入角度を用いて線形加速器工程を使用した材料の自立膜の製造方法および構造 | |
| RU2687087C1 (ru) | Способ формирования гексагональной фазы кремния | |
| KR100571722B1 (ko) | 이온 주입된 실리콘의 급속 열 처리(ｒｔｐ) 방법 | |
| Titov et al. | The formation of radiation damage in GaN during successive bombardment by light ions of various energies | |
| TW200532779A (en) | Method of manufacturing a semiconductor on a silicon on insulator (SOI) substrate using solid epitaxial regrowth (SPER) and semiconductor device made thereby | |
| JP5650653B2 (ja) | 有向性の剥離を利用する、半導体・オン・インシュレータ構造を生産するための方法および装置 | |
| Sharkeev et al. | Dislocation structure in coarse-grained copper after ion implantation | |
| Mikhaylov et al. | Effect of ion doping on the dislocation-related photoluminescence in Si+-implanted silicon | |
| Liefting et al. | Avoiding Dislocation Formation for B, P, and As Implants in Silicon | |
| Mea et al. | Interaction Between B Atoms and Defects Produced by hg Bombardement in Silicon | |
| Raineri et al. | Radiation damage–He interaction in He implanted Si during bubble formation and their evolution in voids | |
| Kucheyev et al. | Surface disordering and nitrogen loss in GaN under ion bombardment | |
| TW486750B (en) | Methods for forming ultrashallow junctions in semiconductor wafers using low energy nitrogen implantation | |
| JP7416270B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 | |
| Naramoto et al. | Comparison of damage growth and recovery in α-Al2O3 implanted with vanadium ions | |
| JPS5992997A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長法を用いた薄膜の形成方法 | |
| DE1614854A1 (de) | Verfahren zur Erzeugung von UEbergaengen in Halbleitern | |
| Linnarsson et al. | Boron diffusion in intrinsic, n-type and p-type 4H-SiC | |
| Razali | Phosphorus activation and diffusion in germanium | |
| Heera et al. | Amortization and Recrystallization of 6H-SiC by ion Beam Irradiation | |
| Kennedy et al. | Enhanced reduction of silicon oxide thin films on silicon under electron beam annealing | |
| Chu et al. | The point defect engineering approaches for ultra-shallow boron junction formation in silicon | |
| Tyschenko et al. | Study of photoluminescence of SiO x N y films implanted with Ge+ ions and annealed under the conditions of hydrostatic pressure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20210406 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20211216 |