RU2694110C1 - Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ - Google Patents
Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2694110C1 RU2694110C1 RU2018129400A RU2018129400A RU2694110C1 RU 2694110 C1 RU2694110 C1 RU 2694110C1 RU 2018129400 A RU2018129400 A RU 2018129400A RU 2018129400 A RU2018129400 A RU 2018129400A RU 2694110 C1 RU2694110 C1 RU 2694110C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- dielectric
- thickness
- coating
- multilayer
- layers
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000035699 permeability Effects 0.000 title abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 15
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
Использование: для определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных твердых образцов на поверхности металла. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в создании СВЧ-электромагнитного поля бегущей поверхностной волны типа Е над поверхностью диэлектрик-металл в одномодовом режиме, измерении по нормали к поверхности диэлектрик-металл коэффициента затухания и определении относительной диэлектрической проницаемости покрытия е и его толщины b, дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа последовательно на 2N-длинах волн, N - количество слоев покрытия, измеряют коэффициент затухания каждой поверхностной электромагнитной волны, по результатам измерения составляют систему 2N-дисперсионных уравнений, а относительные диэлектрические проницаемости ε, ε, …, εи толщины b, b, …, bслоев многослойного покрытия определяют путем решения этой системы. Технический результат: обеспечение возможности повышения точности и достоверности измерения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий при их селективном контроле с получением информации о каждом слое в отдельности. 3 ил., 1 табл.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к устройствам для определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных твердых образцов на поверхности металла, и может быть использовано при контроле качества твердых многослойных диэлектрических покрытий на металле в процессе разработки и эксплуатации радиопоглощающих материалов и покрытий, а также в химической, лакокрасочной и других отраслях промышленности.
Наиболее близким по технической сущности к предполагаемому изобретению (прототипом) является СВЧ способ определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических покрытий на металле [Патент RU №2193184, МПК7 G01N 22/00, G01R 27/26, Заявл. 23.01.01. Опубл. 20.11.02. Бюл№32], заключающийся в создании СВЧ-электромагнитного поля бегущей поверхностной волны типа Е над поверхностью диэлектрик-металл в одномодовом режиме, измерении по нормали к поверхности диэлектрик-металл коэффициента затухания и определении относительной диэлектрической проницаемости покрытия ε и его толщины b.
Недостатками данного способа являются низкая точность и достоверность измерения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий.
Техническим результатом предполагаемого изобретения является повышение точности и достоверности измерения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий при их селективном контроле с получением информации о каждом слое в отдельности.
Указанный технический результат достигается тем, что в известном СВЧ способе определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ, заключающемся в создании СВЧ-электромагнитного поля бегущей поверхностной волны типа Е над поверхностью диэлектрик-металл в одномодовом режиме, измерении по нормали к поверхности диэлектрик-металл коэффициента затухания и определении относительной диэлектрической проницаемости покрытия ε и его толщины b, дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа последовательно на 2N - длинах волн, N - количество слоев покрытия, измеряют коэффициент затухания каждой поверхностной электромагнитной волны, по результатам измерения составляют систему 2N -дисперсионных уравнений, а относительные диэлектрические проницаемости εn, εn+1, …, εN и толщины bn, bn+1, …, bN слоев многослойного покрытия определяют путем решения этой системы.
Сущность изобретения состоит в следующем. В прототипе производится измерение значений коэффициента затухания αу для двух длин волн поверхностной волны Е- типа в одномодовом режиме, что позволяет составить систему из двух уравнений с неизвестными относительной диэлектрической проницаемостью ε и толщиной b и получить их однозначные значения, путем решения этой системы, только для однослойного покрытия. При контроле многослойных покрытий, с числом слоев N, прототип не позволяет произвести однозначное определение диэлектрических проницаемостей εn, εn+1, …, εN и толщин bn, bn+1, …, bN отдельных слоев покрытия, так как при измерениях не учитывается изменение коэффициента фазы поверхностной волны в отдельных слоях покрытия. Кроме того, для приемлемой точности измерений требуется сохранение одномодового режима возбуждения поля поверхностной волны. Таким образом, применение прототипа для контроля многослойного диэлектрического покрытия с числом слоев N позволяет определить только одно среднеинтегральное значение диэлектрической проницаемости εср и толщины bcp с учетом одновременного влияния всех слоев покрытия, что приводит к неоднозначности интерпретации результатов и не позволяет получить измерительную информацию об относительных диэлектрических проницаемостях εn, εn+1, …, εN и толщинах bn, bn+1, …, bN отдельных слоев покрытия, что приводит к уменьшению достоверности и точности измерений.
Предлагаемый способ в отличие от прототипа позволяет повысить достоверность и точность измерения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий. Исследуемое многослойное диэлектрическое покрытие с числом слоев N имеет 2N неизвестных измеряемых параметров: N неизвестных диэлектрических проницаемостей εn, εn+1, …, εN и N неизвестных толщин bn, bn+1, …, bN. В предлагаемом способе дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа на 2N-длинах волн 
и производят измерение их коэффициентов затухания 
при этом ограничения на одномодовость возбуждаемой поверхностной волны нет, что позволяет использовать любые другие высшие типы мод волны Е- типа. Это позволяет определить относительные диэлектрические проницаемости εn, εn+1, …, εN и толщины bn, bn+1, …, bN отдельных слоев многослойного покрытия путем составления и решения системы из 2N дисперсионных уравнений с 2N неизвестными, входными параметрами для которых являются измеренные коэффициенты затухания 
при этом каждое уравнение позволяет учесть изменение коэффициента фазы в отдельных слоях покрытия и тип моды поверхностной волны.
На фиг. 1 представлен один из возможных вариантов реализации предлагаемого способа определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ, где цифрами обозначено 1 - блок измерения коэффициентов затухания поверхностной волны Е- типа, 2 - приемная антенна, 3 - генератор СВЧ, 4 - антенна возбуждения поверхностных волн Е-типа, 5 - металлическая поверхность; 6 - многослойное диэлектрическое покрытие с числом слоев N и неизвестными значениями относительных диэлектрических проницаемостей εn, εn+1, …, εN и толщин bn, bn+1, …, bN слоев, 7 - блок определения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин многослойного покрытия. Назначение элементов схемы.
Назначение блока измерения коэффициентов затухания поверхностной волны Е-типа 1 следует из названия самого блока. Измерение коэффициентов затухания может быть осуществлено по результатам косвенных измерений напряженности поля поверхностной волны Е-типа по нормали к поверхности покрытия [Федюнин П.А., Казьмин А.И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. М.: Физматлит. 2013. стр. 122].
Блок измерения коэффициентов затухания поверхностной волны Е-типа 1 может быть реализован, например, на основе детекторных СВЧ-диодов, аналогово-цифрового преобразователя, микроконтроллера и персональной электронной вычислительной машины (ПЭВМ) [Branislav Korenko и Marek 
Автономный цифровой вольтметр на многоканальном АЦП. Электронный журнал Радиолоцман, 2012, ноябрь. С. 67-70. URL: http://www.rlocman.ru /book/book.html?di=144227 (Дата обращения: 11.07.2018)].
Приемная антенна 2 присуща аналогу. Приемная антенна может быть реализована на основе полуволнового вибратора [Федюнин П.А., Казьмин А.И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. М: Физматлит. 2013. стр. 117].
Генератор СВЧ 3 присущ аналогу и реализует формирование СВЧ сигнала на заданной длине волны для антенны возбуждения поверхностных волн Е-типа 4. Генератор СВЧ может быть построен на основе микросхем типа HMC586LC4B и ADF4158 [Direct Modulation / Generating. 6,1 GHz Fractional-N Frequency Synthesizer. [Электронный ресурс] URL: http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data- sheets /ADF4158.pdf (Дата обращения: 11.07.2018)].
Антенна возбуждения поверхностных волн Е-типа 4 присуща аналогу и реализует последовательное возбуждение поверхностных волн Е-типа в многослойном диэлектрическом покрытии с числом слоев N и неизвестными значениями относительных диэлектрических проницаемостей εn, εn+1, …, εN и толщин bn, bn+1, …, bN слоев 6 на металлическом основании 5. Антенна возбуждения поверхностных волн Е-типа может быть реализована на основе пирамидального рупора [Федюнин П.А., Казьмин А.И. Способы радиоволнового контроля параметров защитных покрытий авиационной техники. М.: Физматлит. 2013. С. 117, С. 146-147].
Назначение блока определения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин многослойного покрытия 7 следует из названия самого блока. Блок определения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин многослойного покрытия 7 может быть реализован путем решения 2N - дисперсионных уравнений, полученных обобщением метода поперечного резонанса [David М. Pozar Microwave engineering. USA: John Wiley & Sons, 2012. PP 153-154] для случая покрытия с числом слоев N.
Каждое из 2N дисперсионных уравнений составляется следующим образом.
В качестве исходных данных для составления дисперсионного уравнения принимают, что многослойное диэлектрическое покрытие характеризуется относительными диэлектрическими проницаемостями εn и толщинами bn, 
, где N - количество слоев покрытия. Область над многослойным покрытием для удобства составления дальнейших расчетных выражений формально берется в виде отдельного слоя покрытия с номером N+1 и диэлектрической проницаемостью εN+1=ε0, где ε0 - электрическая постоянная.
На фиг. 2 приведена расчетная схема для нахождения дисперсионного уравнения многослойного диэлектрического покрытия на металлическом основании с числом слоев N+1 методом поперечного резонанса.
На основе метода поперечного резонанса [David М. Pozar Microwave engineering. USA: John Wiley & Sons, 2012. PP 153-154] каждому слою многослойного диэлектрического покрытия сопоставляется в соответствие четырехполюсник, который представляет собой отрезок линии передачи с длиной равной толщине слоя bn и соответствующим характеристическим сопротивлением Zn. Таким образом, многослойное диэлектрическое покрытие заменяется эквивалентной схемой связанных линий передачи. Эквивалентная схема многослойного диэлектрического покрытия приведена на фиг. 3.
Дисперсионное уравнение многослойного диэлектрического покрытия на основе полученной эквивалентной схемы составляется при условии работы ее в «резонанс» - момента, когда в многослойном диэлектрическом покрытии поверхностная волна имеет критическую частоту. При этом в качестве дисперсионного уравнения для собственных волн в многослойном диэлектрическом покрытии может использоваться уравнение поперечного резонанса, записанное относительно произвольно выбранного опорного сечения у0 [формула (3.206) Р. 154 [David М. Pozar Microwave engineering. USA: John Wiley & Sons, 2012]:
где 
и 
- эквивалентные характеристические сопротивления «вверх» и «вниз» относительно произвольно выбранного опорного сечения у0.
Для удобства дальнейших преобразований в качестве опорного сечения у0 выбирают границу между металлическим основанием и первым слоем покрытия.
Коэффициент затухания поля поверхностной волны αу связан с постоянной распространения γ и коэффициентом фазы qn поверхностной волны отдельных слоев многослойного диэлектрического покрытия следующими зависимостями [Баскаков С.И. Электродинамика и распространение радиоволн. М.: Высшая школа. 1992. С. 311, С. 314]:
- область над многослойным покрытием с числом слоев N:
где γ - постоянная распространения поверхностной волны; k0 - волновое число свободного пространства, 
λ - длина волны генератора;
- в каждом слое многослойного диэлектрического покрытия с числом слоев N:
где kn - волновое число n-слоя покрытия, 
εn - относительная диэлектрическая проницаемость n-слоя покрытия; N - число слоев покрытия.
С учетом выражений (2, 3) характеристические сопротивления слоев покрытия для поверхностных волн Е-типа Zn, Zn+1, …, ZN+l [формула 5, Р.89 [Andreas Patrovsky, Ke Wu Dielectric Slab Mode Antenna for Integrated Millimeter-wave Transceiver Front-ends // Universal Journal of Electrical and Electronic Engineering, 2013. № 1(3)] выражаются через коэффициент затухания поля поверхностной волны αy:
-характеристическое сопротивление области над многослойным покрытием с числом слоев N:
где ω=2πƒ - круговая частота, 
с - скорость света в свободном пространстве; λ - длина волны генератора, ε0 - электрическая постоянная; 
- мнимая единица; Z0 - характеристическое свободного пространства;
- характеристические сопротивления каждого слоя многослойного диэлектрического покрытия с числом слоев N:
где qn - коэффициент фазы поверхностной волны, определяемое по выражению (3); ε0 - электрическая постоянная; ω=2πƒ - круговая частота, 
с - скорость света в свободном пространстве, λ - длина волны генератора; εn - относительная диэлектрическая проницаемость n-слоя покрытия; N - число слоев покрытия.
Характеристическое сопротивление «вверх» 
относительно опорного сечения у0 представляет собой эквивалентное характеристическое сопротивление слоев с 
. Его можно получить путем последовательного применения формулы трансформации волновых сопротивлений методом теории цепей [формула 4, Р.89 [Andreas Patrovsky, Ke Wu Dielectric Slab Mode Antenna for Integrated Millimeter-wave Transceiver Front-ends // Universal Journal of Electrical and Electronic Engineering, 2013. №1(3)]:
где 
- характеристическое сопротивление n-слоя покрытия, нагруженного на характеристическое сопротивление n+1-слоя покрытия; Zn - характеристическое сопротивление n-слоя покрытия; Zn+1 - характеристическое сопротивление n+1 -слоя покрытия.
Расчетная схема для нахождения характеристического сопротивления «вверх» 
путем трансформации сопротивлений слоев многослойного покрытия приведена на фиг 3.
На основании фиг. 3 и выражения (8) последовательные этапы трансформации представляются следующей рекурсивной формулой, справедливой при числе слоев покрытия N от 2 и более:
Таким образом, эквивалентное характеристическое сопротивление «вверх» 
относительно опорного сечения у0 равно характеристическому сопротивлению 
полученному в результате последовательной трансформации сопротивлений слоев с номерами 
Характеристическое сопротивления «вниз» относительно опорного сечения у0 принимается равным нулю 
так как ниже его слоев покрытия нет.
Таким образом, итоговое дисперсионное уравнение для многослойного диэлектрического покрытия на основе (1) представляется в следующем виде:
где 
- эквивалентное характеристическое сопротивление слоев покрытия 
определяемое по рекурсивной формуле (9).
Устройство работает следующим образом.
Перед началом проведения измерений в блок определения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин 7 вводят количество слоев N исследуемого многослойного диэлектрического покрытия.
С помощью генератора СВЧ 3 и антенны возбуждения поверхностных волн Е-типа 4 в исследуемом многослойном диэлектрическом покрытии, с числом слоев N, последовательно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа на 2N - длинах волн 
.
С помощью приемной антенны 2 и блока измерения коэффициентов затухания 1 для каждой из 2N поверхностных волн Е-типа производят измерение значений коэффициентов затухания 
, соответственно.
Измеренные коэффициенты затухания 
поступают в блок определения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин 7.
Для каждой из 2N поверхностных волн Е-типа с длинами волн 
и коэффициентами затухания 
соответственно, составляют дисперсионное уравнение вида (11). Получают 2N - дисперсионных уравнений.
Решение системы из 2N - дисперсионных уравнений с 2N неизвестными εn, εn+1, …, εN и bn, bn+1, …, bN:
где 
- дисперсионные уравнения многослойного покрытия с числом слоев N для каждой длины волны поверхностной волны Е-типа 
соответственно,
позволяет произвести селективное определение относительных диэлектрических проницаемостей εn, εn+1, …, εN и толщин bn, bn+1, …, bN многослойного покрытия с числом слоев N.
Для проверки работоспособности способа проведены экспериментальные исследования по измерению относительных диэлектрических проницаемостей и толщин многослойных СВЧ-диэлектрических материалов. Были исследованы СВЧ диэлектрические материалы фирмы Rogers широко применяемые для изготовления многослойных печатных плат. Были изготовлены и исследованы двух, трех и четырех слойные покрытия на основе данных материалов [Богданов Ю., Кочемасов В., Хасьянов Е. Фольгированные диэлектрики - как выбрать оптимальный вариант для печатных плат ВЧ/СВЧ-диапазонов. Часть 1 // Печатный монтаж. 2013. №2. С. 156-168].
Измерения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин образцов покрытий осуществлялось в лабораторных условиях при комнатной температуре. Рабочие длины волн генератора следующие: 
Значения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин соответствуют данным приведенным в [Богданов Ю., Кочемасов В., Хасьянов Е. Фольгированные диэлектрики - как выбрать оптимальный вариант для печатных плат ВЧ/СВЧ-диапазонов. Часть 1 // Печатный монтаж. 2013. №2. С. 156-168].
Средние погрешности измерения относительных диэлектрических проницаемостей и толщин усредненные по 50 замерам для каждого образца приведены в таблице.
Приведенные экспериментальные данные многослойных СВЧ-диэлектрических покрытий показали принципиальную возможность измерения относительной диэлектрической проницаемости с относительной погрешностью не более 5% и толщины покрытия с относительной погрешностью не более 3% на основе разработанного способа.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет повысить достоверность и точность измерения относительной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий при их селективном контроле с получением информации о каждом слое в отдельности.
Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ
Claims (1)
- Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ, заключающийся в создании СВЧ-электромагнитного поля бегущей поверхностной волны типа Е над поверхностью диэлектрик-металл в одномодовом режиме, измерении по нормали к поверхности диэлектрик-металл коэффициента затухания и определении относительной диэлектрической проницаемости покрытия ε и его толщины b, отличающийся тем, что дополнительно возбуждают поверхностные электромагнитные волны Е-типа последовательно на 2N-длинах волн, N - количество слоев покрытия, измеряют коэффициент затухания каждой поверхностной электромагнитной волны, по результатам измерения составляют систему 2N-дисперсионных уравнений, а относительные диэлектрические проницаемости εn, εn+1,…, εN и толщины bn, bn+1,…, bN слоев многослойного покрытия определяют путем решения этой системы.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018129400A RU2694110C1 (ru) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018129400A RU2694110C1 (ru) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2694110C1 true RU2694110C1 (ru) | 2019-07-09 |
Family
ID=67252392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018129400A RU2694110C1 (ru) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2694110C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2750119C1 (ru) * | 2020-10-15 | 2021-06-22 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий в диапазоне свч |
| RU2758390C1 (ru) * | 2020-12-29 | 2021-10-28 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Способ определения электрофизических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий с частотной дисперсией в диапазоне свч |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2039352C1 (ru) * | 1992-04-30 | 1995-07-09 | Научно-исследовательский центр "Резонанс" | Способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев многослойной среды |
| JPH0996673A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Japan Radio Co Ltd | 厚み測定装置 |
| RU2193184C2 (ru) * | 2001-01-23 | 2002-11-20 | Тамбовский военный авиационный инженерный институт | Свч-способ определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических покрытий на металле |
| US6496018B1 (en) * | 1998-09-25 | 2002-12-17 | Oji Paper Co., Ltd. | Method and device for measuring dielectric constant |
| RU2258214C1 (ru) * | 2004-03-17 | 2005-08-10 | Тамбовский военный авиационный инженерный институт | Свч-способ измерения длины, толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрического покрытия на металлической поверхности |
| WO2006091161A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Kambo Skans Ab | System and method for determining characteristics of a moving material by using microwaves |
| RU2552106C1 (ru) * | 2014-04-29 | 2015-06-10 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч-способ определения диэлектрической проницаемости и толщины покрытий на металле |
-
2018
- 2018-08-10 RU RU2018129400A patent/RU2694110C1/ru active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2039352C1 (ru) * | 1992-04-30 | 1995-07-09 | Научно-исследовательский центр "Резонанс" | Способ определения диэлектрических проницаемостей и толщин слоев многослойной среды |
| JPH0996673A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Japan Radio Co Ltd | 厚み測定装置 |
| US6496018B1 (en) * | 1998-09-25 | 2002-12-17 | Oji Paper Co., Ltd. | Method and device for measuring dielectric constant |
| RU2193184C2 (ru) * | 2001-01-23 | 2002-11-20 | Тамбовский военный авиационный инженерный институт | Свч-способ определения диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических покрытий на металле |
| RU2258214C1 (ru) * | 2004-03-17 | 2005-08-10 | Тамбовский военный авиационный инженерный институт | Свч-способ измерения длины, толщины и диэлектрической проницаемости диэлектрического покрытия на металлической поверхности |
| WO2006091161A1 (en) * | 2005-02-24 | 2006-08-31 | Kambo Skans Ab | System and method for determining characteristics of a moving material by using microwaves |
| RU2552106C1 (ru) * | 2014-04-29 | 2015-06-10 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Свч-способ определения диэлектрической проницаемости и толщины покрытий на металле |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2750119C1 (ru) * | 2020-10-15 | 2021-06-22 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий в диапазоне свч |
| RU2758390C1 (ru) * | 2020-12-29 | 2021-10-28 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил "Военно-воздушная академия имени профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина" (г. Воронеж) Министерства обороны Российской Федерации | Способ определения электрофизических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий с частотной дисперсией в диапазоне свч |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3198263B1 (en) | A biosensor with integrated antenna and measurement method for biosensing applications | |
| Liu et al. | An SIW resonator sensor for liquid permittivity measurements at C band | |
| RU2694110C1 (ru) | Способ определения диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий на металле в диапазоне СВЧ | |
| US11079339B2 (en) | Biosensor with integrated antenna and measurement method for biosensing applications | |
| RU2473889C1 (ru) | Способ измерения физической величины | |
| RU2604094C1 (ru) | Свч способ обнаружения неоднородностей в диэлектрических покрытиях на металлической подложке | |
| RU2702698C1 (ru) | Способ измерения положения границ раздела между компонентами трехкомпонентной среды в емкости | |
| RU2647182C1 (ru) | Способ измерения положения границы раздела двух сред в емкости | |
| RU2758390C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров диэлектрических и магнитодиэлектрических покрытий с частотной дисперсией в диапазоне свч | |
| Fallahi et al. | On the dielectric measurement of thin layers using open-ended coaxial probes | |
| RU2750119C1 (ru) | Способ определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины многослойных диэлектрических покрытий в диапазоне свч | |
| RU2730053C1 (ru) | Способ обнаружения и оценки дефектов в многослойных диэлектрических покрытиях в диапазоне свч | |
| Dvorsky et al. | Microwave surface conductivity measurement using an open-ended circular waveguide probe | |
| Chernyshov et al. | Testing electrophysical parameters of multilayer dielectric and magnetodielectric coatings by the method of surface electromagnetic waves | |
| RU2721472C1 (ru) | Способ определения диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков | |
| Bielik et al. | Determination of FR-4 dielectric constant for design of microstrip band-stop filter purposes | |
| Di Massa et al. | Accurate circuit model of open resonator system for dielectric material characterization | |
| RU2721156C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров метаматериалов | |
| Low et al. | Estimation of dielectric constant for various standard materials using microstrip ring resonator | |
| RU2576552C1 (ru) | Способ и устройство измерения физических параметров материала | |
| Ait Benali et al. | New FDTD method to estimate the dielectric constant and loss tangent of a bilayer dielectric material at x-band frequencies | |
| Melezhik et al. | Numerical‐analytical method for determining the dielectric constant of 1D inhomogeneous plate in a waveguide | |
| RU2475766C1 (ru) | Способ определения передаточной функции линейной радиоэлектронной системы | |
| RU2777835C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров ферритовых материалов в диапазоне свч | |
| WO2016043629A1 (ru) | Способ и устройство измерения физических параметров материала |