RU2679272C1 - Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности - Google Patents
Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2679272C1 RU2679272C1 RU2018112139A RU2018112139A RU2679272C1 RU 2679272 C1 RU2679272 C1 RU 2679272C1 RU 2018112139 A RU2018112139 A RU 2018112139A RU 2018112139 A RU2018112139 A RU 2018112139A RU 2679272 C1 RU2679272 C1 RU 2679272C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- bolometers
- current
- matrix
- active
- compensation
- Prior art date
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012883 sequential measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J5/22—Electrical features thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области детектирования электромагнитного излучения, в частности инфракрасного, на основе болометрических детекторов. Технический результат заключается в компенсации технологического разброса значений сопротивлений болометров матрицы в широком диапазоне температур без использования термостабилизирующих элементов, в устройствах для регистрации инфракрасного излучения. Для этого устройство содержит матрицу болометрических детекторов, состоящую из болометров, чувствительных к падающему инфракрасному излучению, называемых «активными», и нечувствительных к инфракрасному излучению болометров, называемых «термозакороченными», сформированных на полупроводниковой подложке, содержащей схему считывания, состоящую из множеств пар транзисторов различных типов проводимости, подключенных истоками к «активным» и «термозакороченным» болометрам соответственно, получающих некоторые напряжения смещения, с объединенными стоками, которые подключены к входам интеграторов, к которым с помощью набора ключей, управляемых цифровым кодом компенсации разрядности n, один из разрядов которого определяет знак тока компенсации, также подключены источники положительного и отрицательного тока компенсации, представляющих собой токовые зеркала с заданными коэффициентами умножения тока, которые мультиплицируют для каждого столбца и умножают с заданным коэффициентом ток, сформированный средством формирования опорного компенсационного тока на основе двух дополнительных «термозакороченных» болометров, расположенных вне поля матрицы, получающих смещения от транзисторов в точности идентичных транзисторам смещения «активных» и «термозакороченных» болометров и смещенных точно такими же напряжениями смещения. 3 ил.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к области инфракрасной техники и может быть использовано при изготовлении устройств, детектирующих излучение в инфракрасном диапазоне. Уровень техники
Из существующего уровня техники по патенту US 5286976 А, 15.02.1994 «Microstructure design for high IR sensitivity» известно применение устройств, называемых детекторами, характеризующихся изменением значения некоторой физической величины при изменении температуры детектора вследствие поглощения им инфракрасного излучения, в частности для болометрического детектора данной физической величиной является его электрическое сопротивление. Устройства для получения одно- и двухмерного изображения используют соответствующие матрицы подобных детекторов. Обычно матрицы болометрических детекторов выполняются на подложке, в общем случае из кремния, содержащей интегрально выполненные средства для измерения значений требуемой физической величины каждого детектора с последующим выводом полученных значений в виде электрических сигналов. Измерение значений требуемой физической величины детекторов матрицы может происходить последовательно, одновременно, а также возможно одновременное измерение значений детекторов, входящих в группу, объединенных по некоторому признаку, например, по принадлежности к одной строке, с последовательным измерением таких групп.
В случае двухмерных матриц болометрических детекторов получило распространение построчное измерение значений электрических сопротивлений, при этом в заданном интервале времени одновременно замеряются значения сопротивлений всех детекторов заданной строки, усиливаются и последовательно передаются на выход с заданным коэффициентом усиления. В следующий аналогичный интервал времени производится измерение и последовательный вывод значений сопротивлений всех детекторов, входящих в следующую строку. Данный процесс продолжается до тех пор, пока не будут поочередно замерены и переданы на выход значения сопротивлений всех строк болометрической матрицы. Данные значения формируют кадр изображения.
Сложностью, связанной с регистрацией инфракрасных изображений, является сравнительно малое изменение температуры болометра вследствие поглощения инфракрасного излучения на фоне изменения температуры подложки в целом, связанного с саморазогревом от протекающих токов, колебаниями температуры окружающей среды и другими факторами. Для решения этой проблемы в болометрических матрицах используют компенсационные структуры, которые содержат так называемые «термозакороченные» болометры. «Термозакороченные» болометры конструктивно выполняются таким образом, чтобы их температура была максимально близка к температуре подложки, а их температурный коэффициент сопротивления соответствовал температурному коэффициенту сопротивления «активных» болометров. При построчном считывании значений сопротивлений «активных» болометров необходимое количество компенсационных структур равняется количеству столбцов матрицы. Типовая схема считывания описывается, например, в следующих статьях:
- «Uncooled amorphous silicon TEC-less 
VGA IRFPA with 25 μm pixel-pitch for high volume applications», C. Minassian, J.L. Tissot, M. Vilain, O. Legras; Infrared Technology and applications XXXIV, SPIE vol. 6940, 2008;
- «320×240 uncooled microbolometer 2D array for radiometric and process control applications», B. Fieque et al; Optical Systems Design Conference, SPIE 5251, 2003.
На фиг. 1 приводится типовая электрическая схема считывания одного столбца матрицы. КМОП-транзисторы 16 и 17, объединенные стоками в узле 23, работают в режиме насыщения и задают номинальные токи, протекающие через «активный» 15 и «термозакороченный» 18 болометры соответственно. Величина тока, равная алгебраической разнице токов, протекающих через «активный» 15 и «термозакороченный» 18 болометры подается на вход интегратора тока 5, выполненного на основе операционного усилителя 20 и подключенного к нему в обратную связь конденсатора, также называемого емкостью интегрирования. Данная схема присутствует в каждом столбце матрицы.
Так как транзисторы 16 и 17 работают в режиме насыщения, их токи задаются выражениями:
где Vдет1 - напряжение на «активном» болометре; Vсм1 - напряжение смещения транзистора 16; Vзи16 - напряжение затвор-исток транзистора 16; Vдет2 - напряжение на «термозакороченном» болометре 18; Vсм2 - напряжение смещения; Vзи17 - напряжение затвор-исток транзистора 17.
Напряжения Vсм1 и Vсм2 подбираются таким образом, чтобы при отсутствии внешнего излучения выполнялось равенство:
где Iинт - ток на входе интегратора.
Напряжения Vсм1 и Vсм2 требуют высокой точности (на современном уровне техники данные напряжения формируются цифро-аналоговыми преобразователями с разрядностью не менее 14) и устанавливаются одинаковыми для всех «активных» и «термозакороченных» болометров соответственно. При изменении температуры кристалла требуется коррекция напряжений Vсм1 и Vсм2 для сохранения номинальных значений токов I16, I17. Таким образом, для известного температурного диапазона работы инфракрасного фотоприемного устройства требуется таблица наборов значений напряжений Vсм1 и Vсм2 для каждого интервала температур, на которые разбивается заданный температурный диапазон работы. Чем меньше температурный интервал, в котором используются фиксированные напряжения Vсм1 и Vсм2, тем меньше разброс токов I16, I17 при изменении температуры. В современной технике принято выбирать подобные температурные интервалы от 5°С до 15°С.
Альтернативным методом является использование термостабилизации на основе элементов Пельтье. В этом случае температура кристалла поддерживается на постоянном уровне и не зависит от температуры окружающей среды. Известным недостатком данного метода является большое энергопотребление устройства в целом.
Известной сложностью, связанной с регистрацией инфракрасных изображений, является разброс фактических значений сопротивлений болометров по полю матрицы, вызванный флуктуациями технологического процесса. Данный разброс значений сопротивлений значительно превышает изменение сопротивления, вызванное изменением температуры вследствие поглощения инфракрасного излучения. Таким образом, погрешность измерения, связанная с технологическим разбросом сопротивления болометров, значительно превышает замеряемую величину - изменение сопротивления, вызванное нагревом болометра вследствие поглощения инфракрасного излучения.
Кроме того, токи, задаваемые транзисторами 16 и 17, можно записать как функции уравнения тока в инжекционных МОП-транзисторах согласно следующим выражениям:
где μ1 - подвижность неосновных носителей заряда; Сох - удельная емкость подзатворного диэлектрика; W16 - ширина канала транзистора 16; Lпор16 - длина канала транзистора 16; Vпор16 - пороговое напряжение транзистора 16.
где μ2 - подвижность неосновных носителей заряда; Сох - удельная емкость подзатворного диэлектрика; W17 - ширина канала транзистора 17; L17 - длина канала транзистора 17; Vпор17 - пороговое напряжение транзистора 17.
Величины многих параметров в уравнениях (4) и (5) имеют разброс значений в пределах одного кристалла, связанный с технологическими особенностями микроэлектронного производства.
Описанные выше проблемы на практике приводят к тому, что при считывании болометров, имеющих отличное от номинального значение электрического сопротивления, наблюдается некоторый ток Iинт в отсутствии внешнего сигнала, причем этот ток может быть как втекающим в интегратор, так и вытекающим.
Данная проблема может решаться при внешней обработке выходного сигнала известными методами одно- и двухточечной коррекции, описанными в статье "Long Wavelength Infrared 128×128 Alx Gal-x As/GaAs Quantum Well Infrared Camera and Imaging System", C.G. Bethea, IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 40, No. 11, November 1993, pp. 1957-1963. Недостатком этого решения, используемого в чистом виде, является то, что электрический диапазон выходного сигнала обычно ограничен напряжением питания устройства, в связи с чем возникает необходимость ограничения усиления схемы таким образом, чтобы полученные значения электрического сигнала не выходили из диапазона возможных значений выходного сигнала. В связи с этим целесообразно делать компенсацию смещения нулевого уровня непосредственно в устройстве считывания сигналов матрицы, причем до интегрирования разностного тока, получаемого с матрицы, т.к. диапазон возможных значений на выходе интегратора также ограничен напряжением питания.
Наиболее близким техническим решением - прототипом, является устройство, описанное в патенте US 6028309 А, 22 февраля 2000 года, «Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array» (Методы и схемы коррекции ошибок, вызванных изменением температуры, в микроболометрическом фотоприемном устройстве). В прототипе предложено применение цифроаналоговых преобразователей (ЦАП) в каждом канале считывания. При считывании сигнала ЦАП индивидуально для каждого «активного» болометра корректируют напряжение питания «активного» болометра 15 (фиг. 2а), или напряжение смещения токозадающего транзистора 16 (фиг. 2б) для компенсации отклонения значений сопротивлений как «активного» болометра, так и соответствующего ему «термозакороченного» болометра путем коррекции тока, протекающего через «активный» болометр.
В предложенных в прототипе способах коррекция осуществляется путем подбора напряжения Vдет1 - Vсм1 - Vзи16 индивидуально для каждого болометра матрицы таким образом, чтобы для каждого из них выполнялось равенство (3) с точностью до младшего разряда компенсации. Коэффициенты подбираются один раз при заводской калибровке матрицы. Подборка напряжения осуществляется корректирующими ЦАП. Из уравнений (1) и (4) выражаем Vзи16:
где 
При компенсации предложенным методом должно выполняться равенство:
Согласно выражению (1) получаем:
где R15 - номинальное сопротивление болометра, ΔR15 - отклонение сопротивления от номинального.
Для выполнения условия (3) при некоторой температуре Т0, называемой температурой калибровки, требуется напряжение, определяемое следующим образом:
Или с учетом (1) получаем:
Зависимость электрического сопротивления болометрического материала от температуры определяется выражением:
где 
- сопротивление болометра при температуре (Т0+ΔТ), Т0 - температура калибровки, ΔТ - отклонение температуры от температуры калибровки, 
- сопротивление при температуре калибровки, α - температурный коэффициент сопротивления.
При изменении температуры, согласно (11) и (8), ток через активный болометр будет определяться выражением:
где 
- напряжение затвор-исток транзистора 16 при температуре (Т0+ΔТ), которое может быть выражено с учетом (6) следующим образом:
Ток интегратора может быть записан как:
С учетом (3), (10), (11), и (14) получаем:
Из выражений (13) и (15) легко увидеть, что при температуре, отличной от температуры калибровки (ΔТ≠0) и значении сопротивления болометра отличного от номинального (ΔR≠0) существует не равный нулю ток Iинт, что нарушает выполнение равенства (3). Это вызывает появление неравномерного фонового изображения в выходном сигнале, неравномерность которого усиливается с увеличением разницы между фактической температурой болометра и температурой болометра при калибровке, что существенно усложняет актуальную на сегодняшний день задачу отказа от использования термостабилизации матрицы.
Раскрытие сущности изобретения
Задачей изобретения является построение устройства для регистрации инфракрасного излучения со схемой считывания, позволяющей скомпенсировать технологический разброс значений сопротивлений болометров матрицы в широком диапазоне температур без использовании термостабилизирующих элементов.
Технический результат достигается введением источника опорного тока, характеризуемого точно такой же зависимостью выходного тока от температуры и напряжений смещений болометров, как и у тока, протекающего через «активный» болометр. Предлагаемый источник опорного тока содержит два дополнительных «термозакороченных» болометра, размещенных вне поля матрицы, с заданным соотношением значений номинальных сопротивлений, ток через которые задается транзисторами, в точности повторяющими транзисторы, задающие ток через «активные» и «термозакороченные» болометры матрицы. Причем транзисторы, задающие токи через болометры в источнике опорного тока, смещаются точно такими же напряжениями, как и транзисторы, задающие ток через «активные» и «термозакороченные» болометры матрицы.
Осуществление изобретения
Для решения данной задачи предложено устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов (фиг. 3), состоящей из болометров 15, чувствительных к падающему инфракрасному излучению, называемых «активными», и нечувствительных к инфракрасному излучению болометров 18, называемых «термозакороченными», сформированных на полупроводниковой подложке, содержащей схему считывания, состоящую из множеств транзисторов 16 и 17, подключенных истоками к «активным» и «термозакороченным» болометрам соответственно, имеющих разный тип проводимости и получающих смещения напряжениями Vсм1 и Vсм2 соответственно, с объединенными стоками подключенными к входам интеграторов 5. При этом отличительным признаком изобретения является средство формирования опорного компенсационного тока 4 на основе двух дополнительных «термозакороченных» болометров 6 и 9, расположенных вне поля матрицы, получающих смещения от транзисторов 7 и 8, в точности идентичных транзисторам 16 и 17 соответственно, получающих смещение точно таким же напряжениями Vсм1 и Vсм2 соответственно с объединенными стоками. Величина тока, равная разнице токов, протекающих через болометры 6 и 9, подается на средство копирования компенсационного тока для каждого столбца матрицы 3, представляющего собой токовые зеркала, выходы которых подключены к входам соответствующих источников положительного 12 и отрицательного 14 тока компенсации, представляющие собой токовые зеркала с заданными коэффициентами умножения тока, которые подключаются ко входам интеграторов 5 с помощью ключей 21 и 22, управляемых цифровым кодом коэффициента компенсации k разрядности n, один из разрядов которой выбирает знак тока компенсации. Общее количество источников компенсации n выбирается в зависимости от требуемой точности установки сигнала видео выхода и максимально возможного для данной технологии разброса значений сопротивлений болометров. Площадь транзисторов в источниках тока компенсации выбирается таким образом, чтобы каждый последующий транзистор имел соотношение W/L в 2 раза больше предыдущего. В этом случае n источников компенсации обеспечат 2n возможных значений токов компенсации.
При заводской калибровке для каждого болометра индивидуально методом подбора находится значение коэффициента тока компенсации при котором выполняется равенство:
где k - коэффициент компенсации, 
- ток компенсации младшего разряда.
Выражение (16) должно быть справедливо при изменении температуры подложки. Из (1), (2), (11) следует, что токи, протекающие через «активный» и «термозакороченный» болометры, при изменении температуры определяются выражениями:
Температура «активного» болометра зависит не только от температуры подложки, но и от поглощенной болометром энергии инфракрасного излучения. Ток активного болометра 15 при воздействии инфракрасного излучения может быть записан в виде:
где ΔТик - изменение температуры, вызванное поглощением инфракрасного излучения.
Рассмотрим источник опорного тока 4 (фиг. 3), состоящий из двух дополнительных «термозакороченных» болометров 6 и 9, токозадающих транзисторов 7 и 8 и транзистора 10, представляющего собой средство копирования тока. Болометры 6 и 9 имеют точно такой же температурный коэффициент сопротивления, как и «активный» и «термозакороченный» болометр, а для значений их сопротивлений выполняется неравенство:
Транзисторы 7 и 8 аналогичны по конструкции и размерам транзисторам 16 и 17 соответственно. Следовательно, транзисторы 7 и 8 также работают в режиме насыщения, а их токи задаются выражениями:
где Vзи7 - напряжение затвор-исток транзистора 7, Vзи8 - напряжение затвор-исток транзистора 8.
При изменении температуры выражения (21) и (22) с учетом (11) можно переписать в виде:
Опорный ток компенсации при изменении температуры будет определяться выражением:
Ток интегратора, с учетом (17), (18), (25), будет определяться следующим выражением:
Очевидно, что равенство (26) будет выполняться в случае выполнения равенства (16) при любых ΔT.
При наличии инфракрасного излучения ток считывания с учетом равенств (19) и (26) будет определяться равенством:
При считывании сигнала с помощью наборов ключей 21 и 22 подключаются источники компенсации, формирующие требуемое значение тока компенсации и его знака. Затем включается ключ «Сброс» интегратора 5. При этом, на выходе формируется напряжение, определяемое выражением:
Где Vоп - опорное напряжение интегратора.
Через время, достаточное для формирования на выходе напряжения, определяемого выражением (28), ключ «Сброс» размыкается и замыкаются ключи 1 и 2. С этого момента конденсатор 19 начинает заряжаться током Iинт до момента отключения ключа 2. Время, на которое включается ключ 2, обозначим как 
Напряжение, сформированное на выходе интегратора, будет определяться следующим образом:
где Тинт - время интегрирования, Синт - емкость конденсатора 19.
В общем случае, с учетом выражения (27), выходное напряжения интегратора будет определяться выражением:
Краткое описание чертежей
На фиг. 1 показана типовая схема считывания сопротивления болометра без компенсации неоднородности матрицы.
На фиг. 2 показаны схемы считывания с компенсацией неоднородности матрицы, предложенные в прототипе:
а) компенсация за счет коррекции напряжения Vдет1;
б) компенсация за счет коррекции напряжения Vсм1.
На фиг. 3 показана предложенная схема считывания с компенсацией неоднородности матрицы.
Claims (1)
- Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе болометрических детекторов, содержащее матрицу болометрических детекторов, состоящую из болометров, чувствительных к падающему инфракрасному излучению, называемых «активными», и нечувствительных к инфракрасному излучению болометров, называемых «термозакороченными», сформированных на полупроводниковой подложке, содержащей схему считывания, состоящую из множеств пар транзисторов различных типов проводимости, подключенных истоками к «активным» и «термозакороченным» болометрам соответственно, получающих некоторые напряжения смещения, с объединенными стоками, которые подключены к входам интеграторов, отличающееся тем, что считывающая схема содержит: средство формирования опорного компенсационного тока на основе двух дополнительных «термозакороченных» болометров, расположенных вне поля матрицы, получающих смещения от транзисторов, в точности идентичных транзисторам смещения «активных» и «термозакороченных» болометров и смещенных точно такими же напряжениями смещения, объединенные стоки которых подключаются к средству копирования компенсационного тока для каждого столбца матрицы, представляющим собой токовые зеркала, выходы которых подключены к входам соответствующих источников положительного и отрицательного тока компенсации, представляющих собой токовые зеркала с топологически заданными коэффициентами умножения тока, которые подключаются ко входам интеграторов с помощью набора ключей, управляемых цифровым кодом компенсации разрядности n, один из разрядов которого определяет знак тока компенсации.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018112139A RU2679272C1 (ru) | 2018-04-04 | 2018-04-04 | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018112139A RU2679272C1 (ru) | 2018-04-04 | 2018-04-04 | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2679272C1 true RU2679272C1 (ru) | 2019-02-06 |
Family
ID=65273714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018112139A RU2679272C1 (ru) | 2018-04-04 | 2018-04-04 | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2679272C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2745484C1 (ru) * | 2020-07-27 | 2021-03-25 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности, учитывающей эффект саморазогрева |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028309A (en) * | 1997-02-11 | 2000-02-22 | Indigo Systems Corporation | Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array |
| RU2008147122A (ru) * | 2007-12-12 | 2010-06-10 | Юлис (Fr) | Устройство для обнаружения инфракрасного излучения, содержащее резистивный создающий изображение болометр, система, содержащая матрицу из таких болометров, и способ считывания создающего изображение болометра, интегрированного в такую систему |
| RU2008148795A (ru) * | 2007-12-12 | 2010-06-20 | Юлис (Fr) | Устройство для детектирования электромагнитного излучения, содержащее резистивный болометр формирования изображения, система, содержащая матрицу из таких устройств, и способ считывания болометра формирования изображения такой системы |
| US20170211984A1 (en) * | 2014-10-16 | 2017-07-27 | Flir Systems, Inc. | Bolometer circuitry and methods for difference imaging |
-
2018
- 2018-04-04 RU RU2018112139A patent/RU2679272C1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6028309A (en) * | 1997-02-11 | 2000-02-22 | Indigo Systems Corporation | Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array |
| RU2008147122A (ru) * | 2007-12-12 | 2010-06-10 | Юлис (Fr) | Устройство для обнаружения инфракрасного излучения, содержащее резистивный создающий изображение болометр, система, содержащая матрицу из таких болометров, и способ считывания создающего изображение болометра, интегрированного в такую систему |
| RU2008148795A (ru) * | 2007-12-12 | 2010-06-20 | Юлис (Fr) | Устройство для детектирования электромагнитного излучения, содержащее резистивный болометр формирования изображения, система, содержащая матрицу из таких устройств, и способ считывания болометра формирования изображения такой системы |
| US20170211984A1 (en) * | 2014-10-16 | 2017-07-27 | Flir Systems, Inc. | Bolometer circuitry and methods for difference imaging |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2745484C1 (ru) * | 2020-07-27 | 2021-03-25 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности, учитывающей эффект саморазогрева |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6028309A (en) | Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array | |
| US5756999A (en) | Methods and circuitry for correcting temperature-induced errors in microbolometer focal plane array | |
| US6274869B1 (en) | Digital offset corrector | |
| US6953932B2 (en) | Microbolometer focal plane array with temperature compensated bias | |
| US6538250B2 (en) | Microbolometer focal plane array with controlled bias | |
| US20230236067A1 (en) | Readout circuits and methods | |
| US8080793B2 (en) | Device for detecting infrared radiation comprising a resistive imaging bolometer, a system comprising an array of such bolometers and a method for reading an imaging bolometer integrated into such a system | |
| US6249002B1 (en) | Bolometric focal plane array | |
| US20140239180A1 (en) | Bolometric Detector With A Temperature-Adaptive Biasing | |
| KR101158259B1 (ko) | 적외선 센서의 신호 검출 회로 및 그 보정방법 | |
| US20020166968A1 (en) | Apparatus and method of measuring bolometric resistance changes in an uncooled and thermally unstabilized focal plane array over a wide temperature range | |
| WO2007015235A1 (en) | Circuitry for balancing a differential type focal plane array of bolometer based infra-red detectors | |
| US6683310B2 (en) | Readout technique for microbolometer array | |
| RU2679272C1 (ru) | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности | |
| Liu et al. | Low‐noise readout circuit for thermo‐electrical cooler‐less uncooled microbolometer infrared imager | |
| EP0835586B1 (en) | Digital offset corrector for microbolometer array | |
| KR101533404B1 (ko) | 볼로미터의 불균일도를 보정할 수 있는 신호취득회로 | |
| Jo et al. | TEC-less ROIC with self-bias equalization for microbolometer FPA | |
| CN111829670B (zh) | 一种非制冷红外焦平面阵列读出电路 | |
| RU2745484C1 (ru) | Устройство для регистрации инфракрасного излучения на основе матрицы болометрических детекторов со схемой компенсации неоднородности, учитывающей эффект саморазогрева | |
| Zhou et al. | A CMOS readout with high-precision and low-temperature-coefficient background current skimming for infrared focal plane array | |
| CN114353959A (zh) | 非制冷红外探测器及其自动增益校正电路 | |
| EP0870330B1 (en) | Bolometric focal plane array | |
| JP2009071302A (ja) | 電流制限のある電磁放射の検出デバイス | |
| Tepegoz et al. | Resistance non-uniformity correction method using bias heating for resistive type uncooled microbolometer FPAs |