RU2669549C2 - Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света - Google Patents

Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света Download PDF

Info

Publication number
RU2669549C2
RU2669549C2 RU2016133371A RU2016133371A RU2669549C2 RU 2669549 C2 RU2669549 C2 RU 2669549C2 RU 2016133371 A RU2016133371 A RU 2016133371A RU 2016133371 A RU2016133371 A RU 2016133371A RU 2669549 C2 RU2669549 C2 RU 2669549C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
submodules
heated surface
light sources
group
semiconductor light
Prior art date
Application number
RU2016133371A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2016133371A3 (ru
RU2016133371A (ru
Inventor
Хольгер МЁЕНХ
Гюнтер Ханс ДЕРРА
Стефан ГРОНЕНБОРН
Павел ПЕКАРСКИ
Йоханна Софи КОЛЬБ
Ральф Гордон КОНРАДС
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2016133371A publication Critical patent/RU2016133371A/ru
Publication of RU2016133371A3 publication Critical patent/RU2016133371A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2669549C2 publication Critical patent/RU2669549C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B3/00—Ohmic-resistance heating
    • H05B3/0033—Heating devices using lamps
    • H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
    • H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/063—Heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B1/00—Details of electric heating devices
    • H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
    • H05B1/0227—Applications
    • H05B1/023—Industrial applications
    • H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Resistance Heating (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области нагревательных устройств и может быть использовано для регулирования температуры обработки полупроводниковой пластины в процессе выращивания полупроводникового слоя. Данное изобретение описывает нагревательную систему (100) и соответствующий способ нагревания нагреваемой поверхности (180) объекта (150, 950) до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C. Причем нагревательная система (100) содержит полупроводниковые источники (115) света и выполнена с возможностью нагревания элемента площади нагреваемой поверхности (180) с помощью по меньшей мере 50-ти полупроводниковых источников (115) света одновременно. Нагревательная система (100) может быть частью реактора для обработки полупроводниковых структур. Свет, излучаемый посредством полупроводниковых источников (115) света, перекрывается на нагреваемой поверхности (180). Отличия характеристики одного отдельного полупроводникового источника (115) света могут быть размыты на нагреваемой поверхности (180) таким образом, чтобы могло быть обеспечено однородное распределение температуры по поверхности обработки, например, полупроводниковой пластины. Технический результат – повышение однородности распределения температуры по поверхности обработки. 3 н. и 10 з.п. ф-лы, 15 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Данное изобретение относится к нагревательной системе, содержащей полупроводниковые источники света для прямого или непрямого нагревания объекта, такого как OLED-подложка, полупроводниковая пластина и т.п. Данное изобретение дополнительно относится к соответствующему способу нагревания объекта.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОМУ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Для осаждения органических и неорганических полупроводниковых структур необходимо как можно более однородное распределение температуры. Некоторые изменения температуры обработки по всей, например, полупроводниковой пластине изменяют условия выращивания и, таким образом, характеристики выращенного полупроводникового слоя. Примером является выращивание светодиодов, излучающих видимый свет, на основе GaN. Температура выращивания выше 1000°C должна поддерживаться с точностью 0.5°C для предотвращения смещений длины волны светодиодов, что требует в результате дорогостоящей сортировки продуктов.
Патент США 8,222,574 B2 раскрывает, например, устройство и соответствующий способ для достижения равномерного нагревания или охлаждения подложки во время быстрого теплового процесса. Это устройство включает в себя тепловую массу или пластину, смежную с краевым кольцом, для нагревания или охлаждения краевого кольца для управления температурой краевого кольца. Источники тепла, такие как лазерные диоды, могут быть использованы для нагревания краевого кольца и/или подложки. Надежность и однородность процесса нагревания этого устройства является все еще неудовлетворительной.
Заявка на патент США 2010/0038833 Al раскрывает устройство отжига, содержащее множество светодиодов, которое не имеет проблемы уменьшенной светоотдачи в результате уменьшения величины излучения света, вследствие образования тепла, и способно поддерживать стабильные рабочие характеристики.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Таким образом, задачей настоящего изобретения является обеспечение улучшенной нагревательной системы, улучшенного реактора, содержащего такую нагревательную систему, и соответствующего способа нагревания.
Согласно первому аспекту, обеспечена нагревательная система для нагревания нагреваемой поверхности объекта до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C. Эта нагревательная система содержит полупроводниковые источники света, причем эта нагревательная система выполнена с возможностью нагревания элемента площади нагреваемой поверхности посредством приема излучения по меньшей мере от 50 полупроводниковых источников света одновременно.
Элемент площади нагревается конкретным полупроводниковым источником света, если интенсивность, принимаемая элементом площади от конкретного полупроводникового источника света, составляет 1/e2 максимальной интенсивности, излучаемой конкретным источником света (e - число Эйлера, равное 2,71...).
Нагревательная система может быть частью реактора для обработки полупроводниковых структур. Нагревательная система может быть встроена в камеру реактора. Альтернативно, нагревательная система может быть расположена за пределами камеры реактора.
Объектом может быть OLED-подложка (стекло, пластиковая пластина или фольга и т.д.), полупроводниковая пластина (Si, GaAs и т.д.) или носитель, подобный основанию, на котором одна или более таких полупроводниковых пластин могут быть размещены для обработки полупроводниковых слоев. Температура обработки сильно зависит от материала, подлежащего обработке, такого как пластик или Si-пластина. При обработке OLED могут быть предпочтительны температуры 100°C, 150°C или 200°C. Обработка GaAs может потребовать температуры обработки выше 500°C, причем обработка слоев InGaN, используемых для изготовления светодиодов, может потребовать температуры обработки даже выше 1000°C.
Для освещения нагреваемой поверхности объекта используются полупроводниковые источники света, такие как лазеры поверхностного излучения с вертикальным резонатором. Оптическая энергия, обеспечиваемая полупроводниковыми источниками света, нагревает поверхность обработки до необходимой температуры. Поверхность обработки может быть, по меньшей мере частично, идентичной нагреваемой поверхности. Поверхность обработки полупроводниковой пластины может быть в этом случае прямо освещена посредством полупроводниковых источников света. Альтернативно, нагреваемая поверхность и поверхность обработки могут быть отдельными поверхностями. Задняя сторона полупроводниковой пластины может быть освещена, например, посредством полупроводниковых источников света, а передняя сторона полупроводниковой пластины может содержать поверхность обработки. Кроме того, одна или более полупроводниковых пластин могут быть размещены на носителе, таком как графитовое основание. По меньшей мере часть одной стороны носителя может быть освещена посредством полупроводниковых источников света таким образом, чтобы полупроводниковая пластина, обеспеченная на противоположной стороне носителя, была непрямо нагрета до необходимой температуры. Нагревательная система может обеспечить однородное распределение температуры поверхности обработки посредством освещения элемента площади нагреваемой поверхности с использованием по меньшей мере 50 полупроводниковых источников света одновременно. Свет, излучаемый посредством полупроводниковых источников света, перекрывается на нагреваемой поверхности. Отличия характеристики одного отдельного полупроводникового источника света могут быть размыты на нагреваемой поверхности таким образом, чтобы могло быть обеспечено однородное распределение температуры по всей поверхности обработки. Кроме того, может быть улучшена надежность нагревательной системы, поскольку неисправность одного полупроводникового источника света может вызвать только незначительное изменение оптической мощности, обеспечиваемой полупроводниковыми источниками света для элемента площади. Таким образом, может быть предпочтительным обеспечение 100, 200, 500, 1000 или более полупроводниковых источников света для одновременного нагревания элемента площади нагреваемой поверхности. Увеличенное число источников света может уменьшить требования по мощности к единственному полупроводниковому источнику света. В этом случае можно использовать полупроводниковые источники света средней мощности даже в высокотемпературных применениях с температурами обработки 800°C, 900°C или даже выше 1000°C.
Полупроводниковые источники света могут нагревать только часть нагреваемой поверхности в один момент времени, так что необходимо сканирование нагреваемой поверхности. Элемент площади, освещаемый посредством полупроводниковых источников света, сменяется при перемещении объекта и полупроводниковых источников света друг относительно друга. Альтернативно, оптический элемент, такой как зеркало, может быть выполнен с возможностью перемещения таким образом, чтобы нагреваемая поверхность могла быть освещена посредством отраженного света, излучаемого полупроводниковыми источниками света.
В другом статическом подходе соотношение размера нагреваемой поверхности и числа полупроводниковых источников света может быть выбрано таким образом, чтобы вся нагреваемая поверхность могла нагреваться одновременно таким образом, чтобы все элементы площади нагреваемой поверхности освещались посредством по меньшей мере 50 полупроводниковых источников света в соответствующий момент времени. Статический подход может иметь преимущество, состоящее в том, что не нужно дорогостоящее и, возможно, склонное к ошибкам механическое устройство для перемещения осветительного луча, излучаемого полупроводниковыми источниками света. Кроме того, не существует динамического аспекта нагревания нагреваемой поверхности или существует незначительный такой аспект. Таким образом, возможно легче обеспечить однородное распределение температуры по всей поверхности обработки.
Лазеры поверхностного излучения с вертикальным резонатором (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers - VCSEL) могут изготавливаться и испытываться параллельно в масштабе полупроводниковой пластины таким образом, чтобы большое число VCSEL с очень похожими характеристиками могло быть обработано за один цикл. VCSEL излучают меньшую мощность, чем, например, лазеры с торцевым излучением, которые очень хорошо подходят для высокомощных применений. Таким образом VCSEL могут быть предпочтительны, если большое число VCSEL расположено таким образом, чтобы по меньшей мере 50 VCSEL освещали элемент площади нагреваемой поверхности.
Нагревательная система выполнена с возможностью нагревания нагреваемой поверхности таким образом, чтобы первая локальная температура первой части поверхности обработки полупроводниковой пластины отклонялась менее чем на 0,5% от второй локальной температуры второй части поверхности обработки полупроводниковой пластины, которая является отличной от первой части поверхности обработки, так что поверхность обработки полупроводниковой пластины однородно нагревалась до заданной температуры для обработки, например, полупроводниковых слоев. Заданная температура может незначительно отличаться от температуры обработки, если нагреваемая поверхность и поверхность обработки не являются одной и той же поверхностью.
Однородность распределения температуры является существенной в отношении условий выращивания, например, полупроводниковых слоев, и, таким образом, характеристик конечного полупроводникового устройства, содержащего часть полупроводниковых слоев. Размывание излучения большого числа полупроводниковых источников света таким образом, чтобы элемент площади нагреваемой поверхности нагревался посредством по меньшей мере 50 полупроводниковых источников света, может обеспечить такое однородное распределение температуры. Отличия отдельных полупроводниковых источников света усредняются. Это усреднение может быть особенно предпочтительным, если вся нагреваемая поверхность освещается одновременно. Локальные отличия полупроводниковых источников света могут не играть роли в этом случае. Распределение тепла на нагреваемой поверхности может быть в этом случае настолько однородным, что любые два разных неперекрывающихся элемента площади на поверхности обработки пластины действительно могут иметь по существу одинаковую температуру. Температура между двумя элементами площади может отклоняться менее чем на 0,2%, предпочтительно менее чем на 0,1% и более предпочтительно менее чем на 0,05%. Это означает, например, что при температуре обработки 1000°C может быть достигнуто отклонение температуры менее 2°C, предпочтительно 1°C и более предпочтительно 0,5°C между двумя произвольными элементами площади поверхности обработки посредством освещения элемента площади нагреваемой поверхности посредством по меньшей мере 50 полупроводниковых источников света.
Полупроводниковые источники света расположены в подмодулях, причем нагревательная система содержит электрическое возбуждающее устройство, выполненное с возможностью одновременного возбуждения всех полупроводниковых источников света одного подмодуля.
Подмодули могут быть выполнены с возможностью нагревания всей нагреваемой площади, чтобы дополнительно увеличить число полупроводниковых источников света, нагревающих один элемент площади нагреваемой поверхности. Альтернативно или дополнительно, разные подмодули могут быть выполнены с возможностью освещения разных элементов площади нагреваемой поверхности таким образом, чтобы все подмодули вместе были выполнены с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности. Последнее может быть предпочтительным, если существуют локальные эффекты нагреваемой поверхности или вокруг нее, которые могут вызвать неоднородность, которая может быть скомпенсирована при обеспечении разной оптической мощности для разных элементов площади нагреваемой поверхности. Электрическое возбуждающее устройство может быть в этом случае выполнено таким образом, чтобы разные подмодули могли возбуждаться независимо для изменения оптической мощности, излучаемой отдельными подмодулями, а также чтобы было возможно, чтобы все подмодули имели общее возбуждение и были выполнены с возможностью компенсации рассеивания тепла, вызванного геометрическими граничными условиями. Например, подмодули могут содержать разные количества полупроводниковых источников света, нагревающих один и тот же элемент площади нагреваемой поверхности.
Подмодули могут обеспечивать одинаковые или разные распределения интенсивности. В случае круглой нагреваемой поверхности может быть предпочтительным обеспечение первого подмодуля с круговым распределением интенсивности для нагревания центра круглой нагреваемой поверхности. Второй подмодуль с кольцеобразным распределением интенсивности может быть использован для нагревания кольца вокруг центра нагреваемой поверхности, освещаемой посредством первого подмодуля. Кольцеобразное распределение интенсивности может быть использовано для компенсации рассеивания тепла, которое может быть вызвано, например, кольцеобразной подвеской объекта. Распределения интенсивности могут альтернативно иметь, например, шестиугольную форму, так что нагреваемая поверхность покрывается шестиугольным рисунком элементов площади, освещаемых разными подмодулями. Шестиугольный рисунок может обеспечить локальное нагревание для обеспечения однородного нагревания всей нагреваемой поверхности.
Нагревательная система может содержать, согласно другому варианту осуществления, по меньшей мере первую группу подмодулей по меньшей мере с по меньшей мере одним подмодулем и по меньшей мере вторую группу подмодулей с по меньшей мере одним подмодулем, причем первая группа подмодулей выполнена с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности, а упомянутый по меньшей мере один подмодуль второй группы подмодулей выполнен с возможностью нагревания части нагреваемой поверхности, и электрическое возбуждающее устройство, выполненное с возможностью возбуждения упомянутого по меньшей мере одного подмодуля второй группы подмодулей независимо от подмодуля первой группы подмодулей.
В этом случае первая группа подмодулей может быть выполнена с возможностью обеспечения основного нагревания нагреваемой поверхности. Таким образом, может быть предпочтительным обеспечение общего возбуждения подмодулей первой группы подмодулей посредством электрического возбуждающего устройства, чтобы упростить архитектуру электрического возбуждающего устройства. Подмодули могут быть выполнены с возможностью нагревания разных элементов площади нагреваемой поверхности, и/или элементы площади, нагреваемые посредством разных подмодулей, могут перекрываться. Может быть даже предпочтительным, чтобы каждый подмодуль первой группы подмодулей был выполнен с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности. Число полупроводниковых источников света, освещающих один элемент площади, может быть увеличено при обеспечении возможности перекрытия распределений интенсивности подмодулей первой группы подмодулей. Таким образом, каждый подмодуль первой группы подмодулей может освещать всю нагреваемую поверхность. Первая группа подмодулей может обеспечить 70%, 80%, 90% или даже более 95% общей мощности нагревания, необходимой для нагревания нагреваемых поверхностей до температуры обработки. Распределение света, излучаемого подмодулями, может быть настроено посредством оптических элементов, таких как массивы микролинз и/или линзовые устройства.
Вторая группа подмодулей может быть выполнена с возможностью обеспечения остальной мощности нагревания. Вторая группа подмодулей может содержать один подмодуль в комбинации с устройством сканирования для последовательного освещения всей нагреваемой поверхности. Устройство сканирования может содержать механический несущий элемент, поддерживающий подмодуль второй группы подмодулей таким образом, чтобы подмодуль второй группы подмодулей перемещался относительно объекта с нагреваемой поверхностью. Альтернативно или дополнительно, механическое устройство с перемещаемым зеркалом может быть обеспечено для перемещения оптической мощности, излучаемой подмодулем второй группы подмодулей, по всей нагреваемой поверхности. Кроме того, настраиваемые оптические устройства, такие как, например, перемещаемые линзы, могут быть использованы для изменения распределения интенсивности, обеспечиваемого подмодулем второй группы подмодулей на нагреваемой поверхности. Подмодуль второй группы подмодулей обеспечивает остальную оптическую мощность и может необязательно компенсировать рассеивание тепла, которое может быть вызвано расположением объекта, в частности, подвеской, которая может быть необходима для крепления объекта. Способ сканирования и/или распределение интенсивности, необходимое для обеспечения оптической мощности в некоторых элементах площади нагреваемой поверхности, могут быть определены посредством тепловых моделей и/или циклов калибровки.
Альтернативно вторая группа подмодулей может содержать два, три, четыре или более подмодулей, причем каждый подмодуль второй группы подмодулей выполнен с возможностью нагревания по существу другой части нагреваемой поверхности таким образом, чтобы вся нагреваемая поверхность могла быть нагрета посредством подмодулей второй группы подмодулей, и причем электрическое возбуждающее устройство выполнено с возможностью возбуждения каждого подмодуля второй группы подмодулей независимо от других подмодулей второй группы подмодулей.
Подмодули второй группы подмодулей могут обеспечить остальную оптическую мощность для однородного нагревания нагреваемой поверхности до температуры обработки. Один или более подмодулей могут быть возбуждены при разных уровнях мощности, чтобы компенсировать локальное нагревание или охлаждение нагреваемой поверхности, вызванное подмодулями первой группы подмодулей.
Распределение света одного или более подмодулей второй группы подмодулей, проецируемое на нагреваемую поверхность, может частично перекрываться таким образом, чтобы, например, изменения интенсивности в граничной области распределения интенсивности, обеспечиваемого подмодулями второй группы подмодулей, могло быть скомпенсировано. Перекрытие распределений интенсивности может быть дополнительно использовано для компенсации локального рассеивания тепла, которое может быть вызвано, например, подвеской, при локальном увеличении интенсивности.
Вторая группа подмодулей может, альтернативно или дополнительно, содержать два, три, четыре или более подмодулей, причем каждый подмодуль второй группы подмодулей выполнен с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности, причем подмодули второй группы подмодулей выполнены с возможностью обеспечения разных распределений интенсивности на нагреваемой поверхности, и причем электрическое возбуждающее устройство выполнено с возможностью возбуждения каждого подмодуля второй группы подмодулей независимо от других подмодулей второй группы подмодулей.
Разные распределения интенсивности, такие как, например, круговое или кольцеобразное распределения интенсивности, описанные выше, могут быть использованы для обеспечения, в комбинации со всеми другими подмодулями из всех групп, однородного распределения температуры по всей нагреваемой поверхности, с учетом геометрии объекта и дополнительных геометрических и относящихся к материалу граничных условий.
Усилие по определению распределения температуры нагреваемой поверхности при заданной температуре обработки посредством моделей и/или калибровочных измерений может быть большим. Кроме того, может быть затруднительным обеспечение учета изменений граничных условий или флуктуаций состава материала или геометрии. Таким образом, может быть предпочтительным обеспечение датчиков температуры, измеряющих температуру некоторых элементов площади нагреваемой поверхности, для управления полупроводниковыми источниками света. Один или более датчиков температуры могут быть назначены для одной подгруппы полупроводниковых источников света, чтобы обеспечить управляющий параметр для управления подгруппой посредством электрического возбуждающего устройства. Это может быть, например, термопара, обеспеченная на подвеске для крепления объекта, такого как полупроводниковая пластина или основание. Термопара или расположение термопар могут быть выполнены с возможностью измерения локальной температуры объекта рядом с подвеской. Измеренная температура может быть использована для компенсации, например, рассеивания тепла, вызванного подвеской, посредством настройки параметров возбуждения подгруппы полупроводниковых источников света, нагревающих соответствующий элемент площади нагреваемой поверхности. Например, возможно обеспечение основания множеством датчиков температуры по всей нагреваемой поверхности для измерения распределения температуры нагреваемой поверхности основания. Одна или более термопар могут быть назначены для подмодуля, нагревающего соответствующий элемент площади нагреваемой поверхности. Таким образом, возможен контроль распределения температуры нагреваемой поверхности и немедленная настройка мощности нагревания некоторых полупроводниковых источников света и/или одного или нескольких подмодулей для корректирования неоднородности распределения температуры.
Измерение температуры посредством датчиков, обеспеченных на нагреваемой поверхности или вблизи нее, может быть затруднительным, особенно если объект сам является полупроводниковой пластиной. Таким образом, может быть предпочтительным использование оптических датчиков температуры, таких как пирометр, для определения распределения температуры нагреваемой поверхности. Оптические датчики температуры могут быть отдельными устройствами, которые могут быть соединены с соответствующими полупроводниковыми источниками света или подмодулями через электрическое возбуждающее устройство. Альтернативно или дополнительно, может быть предпочтительным встраивание оптического датчика температуры в один или более подмодулей. Оптический датчик температуры может принимать информацию о температуре от элемента площади нагреваемой поверхности, который нагревается подмодулем, содержащим соответствующий датчик температуры.
Таким образом, может быть предпочтительным, чтобы в дополнительном варианте осуществления нагревательной системы по меньшей мере часть подмодулей первой группы и/или второй группы подмодулей содержала по меньшей мере один датчик температуры, выполненный с возможностью определения температуры на части нагреваемой поверхности, освещаемой соответствующим подмодулем, таким образом, чтобы можно было контролировать однородность распределения температуры объекта. Может быть достаточным, чтобы только один подмодуль первой группы подмодулей содержал такой датчик температуры, в частности, оптический датчик температуры для измерения температуры одного местоположения нагреваемой поверхности. Размер местоположения может быть определен оптической системой, используемой для проецирования света, излучаемого подмодулями, или независимой/ дополнительной оптической системой. Это местоположение может быть почти подобным точке или, наоборот, может содержать почти весь элемент площади, освещаемый соответствующим подмодулем. Некоторые или даже все подмодули второй группы подмодулей могут предпочтительно содержать один или более датчиков температуры для определения температуры элемента площади нагреваемой поверхности, освещаемого посредством соответствующего подмодуля второй группы подмодулей. Может быть достаточным, чтобы только некоторые из подмодулей второй группы подмодулей содержали, например, оптический датчик температуры, если разные подмодули действительно имеют перекрывающиеся распределения интенсивности на нагреваемой поверхности. В случае, когда все подмодули второй группы подмодулей излучают свет по существу для разных элементов площади нагреваемой поверхности, может быть предпочтительным, чтобы все подмодули содержали оптический датчик температуры для обеспечения возможности полного контроля распределения температуры нагреваемой поверхности и соответствующую схему возбуждения подмодулей второй группы подмодулей для минимизации температурных различий.
Полупроводниковые источники света излучают свет ограниченного спектра длин волн. Таким образом, может быть предпочтительным, чтобы датчики температуры были оптическими датчиками, измеряющими температуру на длине волны, отличной от длины волны света, излучаемого полупроводниковыми источниками света. Полупроводниковый источник света может излучать свет на одной конкретной длине волны или на двух, трех, четырех или более длинах волн. Полупроводниковые источники света могут даже излучать свет в определенном диапазоне длин волн.
Полупроводниковые источники света могут излучать свет в красной или инфракрасной части оптического спектра. В качестве полупроводниковых источников света могут быть использованы, например, полупроводниковые лазеры, такие как VCSEL. VCSEL могут излучать лазерный свет по существу на единственной длине волны в диапазоне длин волн между 800 нм и 1200 нм. Оптические датчики температуры могут измерять температуру нагреваемой поверхности на длине волны, например, 500 нм или 700 нм или выше длины волны излучения VCSEL. Излучение VCSEL на длине волны, например, 850 нм может, таким образом, не мешать оптическому детектированию температуры. В простом случае пирометр может быть реализован посредством фотодиода, чувствительного к длинным длинам волн (например, снабженного длинноволновым пропускающим фильтром), и являющегося частью VCSEL-сборки, т.е. замещает некоторое число VCSEL-кристаллов на объединенной установочной поверхности.
Длина волны или диапазон длин волн, используемые для измерения температуры, могут быть выбраны в зависимости от материала объекта и, в частности, нагреваемой поверхности. Тонкая полупроводниковая пластина GaAs или Si, например, является практически прозрачной в инфракрасном спектре, так что предпочтительным для предотвращения отрицательного влияния слоев, выращиваемых на поверхности обработки, может быть измерение на более короткой длине волны около 700 нм. Кроме того, фильтры, блокирующие инфракрасное излучение, могут обусловить измерения на более короткой длине волны.
Дополнительно, может быть предпочтительным, чтобы распределение температуры поверхности обработки могло контролироваться дополнительно, если поверхность обработки и нагреваемая поверхность, по меньшей мере частично, не совпадают. В этом случае для дополнительного увеличения однородности распределения температуры поверхности обработки может быть использован контроль поверхности обработки.
Нагревательная система может в предпочтительном варианте осуществления содержать по меньшей мере 50000, 100000, 500000 или даже более полупроводниковых источников света. Использование большего числа полупроводниковых источников света для нагревания нагреваемой поверхности с определенной площадью увеличивает число полупроводниковых источников света, нагревающих один элемент площади нагреваемой поверхности. Надежность нагревательной системы может быть улучшена, поскольку неисправность одного полупроводникового источника света может быть несущественной по сравнению с общей оптической мощностью, излучаемой для нагревания соответствующего элемента площади нагреваемой поверхности.
Поскольку полупроводниковые источники света могут быть дорогостоящими, может быть предпочтительным, чтобы нагревательная система могла содержать нагревательный модуль для обеспечения первого распределения температуры нагреваемой поверхности объекта, а полупроводниковые источники света были выполнены с возможностью обеспечения однородного распределения температуры при температуре обработки. Нагревательный модуль может содержать обычные нагревательные устройства, такие как, например, галогенные лампы для нагревания нагреваемой поверхности до температуры вблизи температуры обработки. Полупроводниковые источники света используют для компенсации неоднородности, которая может быть вызвана нагревательным модулем и/или геометрическим граничным условием. Полупроводниковые источники света могут быть расположены в подмодулях, таких как подмодули второй группы подмодулей, описанных выше, для компенсации локальных различий температуры нагреваемой поверхности. Комбинация обычного нагревательного модуля с полупроводниковыми источниками света может быть дешевле, чем нагревательная система, содержащая только полупроводниковый источник света. Недостатком такой объединенной системы может быть то, что измерение температуры посредством оптических датчиков температуры может быть нарушено широкополосным излучением, например, галогенных ламп.
Реактор для обработки полупроводниковых пластин может содержать нагревательную систему, описанную выше, и камеру реактора, причем нагревательная система выполнена с возможностью нагревания по меньшей мере одной полупроводниковой пластины внутри камеры реактора. Нагревательная система может быть расположена внутри камеры реактора. Может быть предпочтительным отделение нагревательной системы от объекта. Стеклянная пластина со светопропускающим покрытием для света, излучаемого полупроводниковыми источниками света, но отражающим для более длинноволнового теплового излучения от объекта, может способствовать тепловому разделению, что уменьшает, таким образом, необходимую мощность нагревания. Дополнительное разделение может предотвратить прямой поток газа между камерой реактора и полупроводниковыми источниками света нагревательной системы. Это может быть реализовано посредством мембраноподобной конструкции и двух отдельных вакуумных систем, находящихся, тем не менее, внутри камеры реактора, т.е. при одинаковом низком давлении.
Альтернативно, может быть предпочтительным расположение нагревательной системы за пределами камеры реактора. Камера реактора может содержать в этом случае по меньшей мере одно окно реактора, а нагревательная система может быть выполнена с возможностью нагревания полупроводниковой пластины посредством облучения света через окно реактора. Полное отделение нагревательной системы от камеры реактора может иметь преимущество, состоящее в том, что, например, нагревательную систему не нужно адаптировать к условиям в камере реактора. Кроме того, операции технического обслуживания, которые связаны только с нагревательной системой, могут быть независимыми от камеры реактора, так что, например, вакуум внутри камеры реактора может сохраняться. Перекалибровка системы осаждения, например, перекалибровка в реакторе MOCVD или MBE, может не требоваться, так что время, необходимое для операций технического обслуживания, может быть уменьшено.
Полупроводниковые источники света, такие как VCSEL, предпочтительно объединены с такими окнами реактора, поскольку полупроводниковые источники света излучают свет в относительно небольшом телесном угле. VCSEL действительно имеют полуугол расходимости менее 10°, так что можно разместить полупроводниковый источник света за пределами камеры реактора без какой-либо дополнительной оптической системы. Угол расходимости определяют как угол, в котором интенсивность, излучаемая полупроводниковым источником света, уменьшается до уровня 1/e2 максимальной интенсивности, излучаемой конкретным источником света (e - число Эйлера, равное 2,71...). Окна реактора могут быть даже использованы в качестве оптического элемента для проецирования распределения интенсивности света, излучаемого соответствующими полупроводниковыми источниками света, которые могут быть расположены в подмодулях, на нагреваемую поверхность объекта. Геометрия подмодуля может быть адаптирована к геометрии формы окна реактора. Подмодуль, содержащий полупроводниковые источники света в круговом расположении, может быть, например, объединен с круглыми окнами реактора, которые дополнительно могут быть выполнены в виде линз. Камера реактора может содержать одно окно реактора для каждого подмодуля.
Согласно дополнительному аспекту настоящего изобретения, обеспечен способ нагревания нагреваемой поверхности объекта до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C. Этот способ содержит этапы:
- обеспечения нагреваемой поверхности объекта;
- обеспечения полупроводниковых источников света, причем полупроводниковые источники света являются лазерами поверхностного излучения с вертикальным резонатором;
- расположения полупроводниковых источников света в подмодулях;
- обеспечения электрического возбуждающего устройства;
- приспособления электрического возбуждающего устройства для одновременного возбуждения всех полупроводниковых источников света одного подмодуля;
- приспособления нагревательной системы для нагревания нагреваемой поверхности таким образом, чтобы первая локальная температура первой части поверхности обработки полупроводниковой пластины отклонялась менее чем на 0,5% от второй локальной температуры второй части поверхности обработки полупроводниковой пластины, отличной от первой части поверхности обработки, посредством расположения подмодулей и/или электрического возбуждающего устройства;
- нагревания элемента площади нагреваемой поверхности с использованием по меньшей мере 50 полупроводниковых источников света одновременно таким образом, чтобы поверхность обработки полупроводниковой пластины однородно нагревалась до определенной температуры.
Способ может обеспечить возможность однородного и надежного нагревания нагреваемой поверхности объекта.
Способ может содержать дополнительные этапы:
- обеспечения датчиков температуры для измерения температуры разных элементов площади нагреваемой поверхности;
- измерения температур разных элементов площади нагреваемой поверхности;
- управления полупроводниковыми источниками света посредством температуры, измеряемой датчиками температуры, таким образом, чтобы температурные различия нагреваемой поверхности объекта уменьшались.
Следует понимать, что нагревательная система по п. 1 формулы изобретения и способ по п. 15 формулы изобретения имеют подобные и/или идентичные варианты осуществления, в частности, варианты осуществления, определенные в зависимых пунктах формулы изобретения.
Следует понимать, что предпочтительный вариант осуществления данного изобретения может быть также любой комбинацией зависимых пунктов формулы изобретения и соответствующего независимого пункта формулы изобретения. В частности, реактор по п.п. 10-12 формулы изобретения может быть объединен с любой нагревательной системой по п.п. 1-9.
Дополнительные предпочтительные варианты осуществления определены ниже.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Эти и другие аспекты данного изобретения будут очевидны из вариантов осуществления, описанных ниже, и будут разъяснены со ссылкой на них.
Данное изобретение будет теперь описано, в качестве примера, на основе вариантов осуществления со ссылкой на сопутствующие чертежи.
На этих чертежах:
Фиг. 1 показывает принципиальный эскиз первого варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 2 показывает принципиальный эскиз для иллюстрации принципа перекрытия световых конусов
Фиг. 3 показывает принципиальный эскиз второго варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 4 показывает принципиальный эскиз сечения третьего варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 5 показывает принципиальный эскиз вида сверху третьего варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 6 показывает профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем первой группы подмодулей, показанной на фиг. 4 и 5.
Фиг. 7 показывает профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем второй группы подмодулей согласно первому варианту осуществления
Фиг. 8 показывает профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем второй группы подмодулей согласно второму варианту осуществления
Фиг. 9 показывает принципиальный эскиз первого варианта осуществления реактора
Фиг. 10 показывает принципиальный эскиз второго варианта осуществления реактора
Фиг. 11 показывает принципиальный эскиз расположения подмодулей согласно первому варианту осуществления
Фиг. 12 показывает принципиальный эскиз расположения подмодулей согласно второму варианту осуществления
Фиг. 13 показывает принципиальный эскиз четвертого варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 14 показывает принципиальный эскиз пятого варианта осуществления нагревательной системы
Фиг. 15 показывает принципиальный эскиз этапов способа нагревания нагреваемой поверхности объекта
На фигурах подобные ссылочные позиции по всему описанию относятся к подобным объектам. Объекты на фигурах не обязательно приведены в масштабе.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Различные варианты осуществления данного изобретения будут теперь описаны с помощью фигур.
Фиг. 1 показывает принципиальный эскиз сечения первого варианта осуществления нагревательной системы 100. Эта нагревательная система содержит один подмодуль 110 с множеством полупроводниковых источников 115 света, таких как VCSEL. VCSEL излучают лазерный свет на объект 150 с нагреваемой поверхностью 180, с диаметром D, на расстоянии А от светоизлучающей поверхности VCSEL. Нагреваемая поверхность 180 не покрывает полностью верхнюю поверхность объекта 150 рядом с VCSEL. Расстояние А, шаг между лазерами VCSEL и полуугол α расходимости VCSEL выполнены таким образом, чтобы элемент площади нагреваемой поверхности 180 освещался посредством по меньшей мере 50 VCSEL. Угол расходимости определяется как угол, в котором интенсивность, излучаемая полупроводниковым источником света, уменьшается до уровня 1/e2 максимальной интенсивности, излучаемой конкретным источником света (e - число Эйлера, равное 2,71...).
Для квадратного расположения источников света с шагом р это может быть достигнуто при выполнении неравенства π(A*tan α)2>50p2. Элементы площади нагреваемой поверхности 180 являются в этом случае концентрической окружностью и кольцами вокруг центра нагреваемой поверхности 180.
Фиг. 2 показывает принципиальный эскиз для иллюстрации принципа перекрытия световых конусов. Эта фигура показывает только одну секцию подмодуля 110. Полупроводниковые источники 115 света подмодуля 110 расположены в квадратном рисунке с шагом р. Полупроводниковые источники света излучают свет с углом α расходимости. Радиус R конуса света, излучаемого одним полупроводниковым источником 115 света на расстоянии А, при котором свет по меньшей мере 50 смежных полупроводниковых источников 115 света перекрывается, предполагая почти однородное распределение намного большего, чем 50, числа источников 115 света на подмодуле 110, равен приблизительно
R=√(50/π)*p.
Минимальное расстояние А, на котором объект 150 с нагреваемой поверхностью должен быть размещен, определяют следующим образом:
A=R/tan(α).
Минимальное расстояние, на котором объект должен быть размещен, таким образом определяют с помощью угла α расходимости и шага р полупроводниковых источников света. Пример, приведенный выше, является конкретным примером, описанным только в целях иллюстрации. Вычисления зависят от расположения полупроводниковых источников света, распределения интенсивности полупроводниковых источников света (VCSEL, массива VCSEL) и т.д. На угол расходимости можно повлиять, например, обеспечением массива микролинз, коллимирующего свет каждого полупроводникового источника 115 света.
Фиг. 3 показывает принципиальный эскиз второго варианта осуществления нагревательной системы 100. Нагревательная система 100 показана с перспективы нагреваемой поверхности 180 объекта 150. Область 300 нагреваемой поверхности 180, освещаемая одним полупроводниковым источником 115 света, указана пунктирной окружностью, представляющей линию, на которой принимается 1/e2 максимальной интенсивности, принимаемой нагреваемой поверхностью от соответствующего полупроводникового источника света. Полупроводниковые источники 115 света указаны в виде квадратов на подмодуле 110. Если взять элемент площади вблизи центра или в центре нагреваемой поверхности 180 (например, один из квадратов), то очевидно, что свет, излучаемый более чем 50 полупроводниковыми источниками 115 света, перекрывается на соответствующем элементе площади нагреваемой поверхности 180. Минимальный размер подмодуля 110 для обеспечения однородного освещения должен быть в этом варианте осуществления по меньшей мере равен сумме диаметра нагреваемой поверхности 180 и диаметра области 300. Свет, излучаемый полупроводниковыми источниками 115 света, который не падает на нагреваемую поверхность, может падать на остальную поверхность объекта 150 (если существует такая остальная поверхность), или могут быть использованы дополнительные маски для поглощения этого света. Альтернативно или дополнительно, могут быть обеспечены массивы микролинз, направляющие свет, излучаемый с края подмодуля 110 близко к краю нагреваемой поверхности 180. Массив микролинз может быть выполнен в этом случае таким образом, чтобы интенсивность по всей нагреваемой поверхности 180 была по существу постоянной.
Фиг. 4 показывает принципиальный эскиз сечения третьего варианта осуществления нагревательной системы. Фиг. 5 показывает вид сверху нагревательной системы 100, показанной на фиг. 4, причем пунктирная линия 510 указывает линию сечения, показанного на фиг. 4. Показаны две группы подмодулей 110 с множеством полупроводниковых источников света. Каждый подмодуль 110 первой группы 410 подмодулей излучает свет, покрывающий всю нагреваемую поверхность 180 объекта 150, как показано пунктирными линиями. Идеализированный пример профиля 620 интенсивности, обеспечиваемого подмодулем 110 первой группы 410 подмодулей, показан на фиг. 6. Интенсивность является по существу постоянной по всему диаметру D нагреваемой поверхности 180. В реальности профиль интенсивности может быть трапецеидальным, так что область постоянной интенсивности должна покрыть всю нагреваемую поверхность 180. Подмодули 110 второй группы 420 подмодулей излучают свет, покрывающий только части нагреваемой поверхности 180 объекта 150, как показано пунктирными линиями. Идеализированный пример профиля 720 интенсивности, обеспечиваемого подмодулем 110 второй группы 420 подмодулей, показан на фиг. 7. Интенсивность является по существу постоянной по всей половине диаметра D нагреваемой поверхности 180. В этом варианте осуществления может быть достаточно простой оптической системы для проецирования излучения ближнего поля квадратных подмодулей 110 таким образом, чтобы на нагреваемую поверхность 180 проецировался по существу прямоугольный профиль интенсивности, как показано на фиг. 7. Такая оптическая система и более сложная оптическая система являются общеизвестными специалистам в данной области техники. Оптические элементы могут быть выбраны в зависимости от геометрических граничных условий и заданного профиля интенсивности. Разные подмодули 110 второй группы 420 подмодулей расположены таким образом, чтобы освещались смежные элементы площади нагреваемой поверхности 180. В общем, вся нагреваемая поверхность 180 освещена подмодулями 110 второй группы 420 подмодулей. Подмодули 110 электрически запитаны посредством электрического возбуждающего устройства 450, которое встроено в нагревательную систему 100. Подмодули 110 первой группы 410 подмодулей имеют общее возбуждение и обеспечивают около 95% оптической мощности, необходимой для нагревания нагреваемой поверхности 180 до температуры обработки. Остальную оптическую мощность обеспечивают посредством подмодулей 110 второй группы 420 подмодулей. Подмодули 110 второй группы 420 подмодулей имеют независимое возбуждение посредством электрического возбуждающего устройства 450 таким образом, чтобы температурные различия между разными элементами площади нагреваемой поверхности 180 могли быть минимизированы. Такие температурные различия могут быть вызваны, например, подвеской (не показана) на краю объекта 150. Может даже быть предпочтительным обеспечение такой большой мощности (например, 98% или 99%) посредством первой группы 410 подмодулей, чтобы подмодули второй группы 420 подмодулей были необходимы только для обеспечения точной настройки, чтобы обеспечить постоянную температуру нагреваемой поверхности.
Фиг. 8 показывает профиль 820 интенсивности, обеспечиваемый подмодулем 110 второй группы 420 подмодулей согласно второму варианту осуществления. Профиль интенсивности имеет максимум в центре нагреваемой поверхности 180 и понижается до нулевой интенсивности на краю нагреваемой поверхности 180. Другие подмодули 110 второй группы 420 подмодулей излучают кольцеобразный профиль интенсивности с двумя максимумами, расположенными симметрично вокруг центра нагреваемой поверхности 180. Профиль интенсивности в этом случае адаптирован к круглому основанию. Оптическая мощность, обеспечиваемая разными подмодулями 110 второй группы 420 подмодулей, может изменяться для компенсации тепловых потерь, которые могут быть вызваны кольцеобразной подвеской (не показана) для крепления основания. В общем, профили интенсивности должны быть адаптированы посредством расположения полупроводниковых источников 115 света внутри одного подмодуля 110 (расстояний между отдельными полупроводниковыми источниками 115 света, изменения плотности полупроводниковых источников 115 света и т.д.), оптических элементов (массивов микролинз, линз и т.д.) для согласования граничных условий, которые заданы объектом 150 (форма, материал, структура и т.д.), и поддерживающих элементов, таких как подвески и т.п. В общем, должно быть учтено каждое влияние (например, поток газа), которое может вызвать отклонение температуры нагреваемой поверхности 180. Кроме того, относительное расположение подмодулей 110 может быть использовано для обеспечения однородного распределения температуры на нагреваемой поверхности 180.
Фиг. 9 показывает принципиальный эскиз первого варианта осуществления реактора, содержащего нагревательную систему 100. Нагревательная система 100 подобна нагревательной системе, показанной на фиг. 4 и 5, и содержит подмодули 110, которые независимо возбуждаются посредством электрического возбуждающего устройства 450. Каждый второй подмодуль 110 содержит датчик 118 температуры (пирометр) для измерения температуры поверхности элемента площади нагреваемой поверхности 180, освещаемого посредством соответствующего подмодуля 110. Подмодули 110 содержат массивы VCSEL, излучающие лазерный свет на длине волны около 850 нм. Лазерный свет проходит окна 920 реактора камеры 910 реактора и стеклянную пластину 970 с покрытием, которая является прозрачной на длине волны лазера, но отражающей на меньших длинах волн, чтобы уменьшить тепловые потери посредством теплового излучения. Объектом 150 является в этом случае основание 950, на котором размещены полупроводниковые пластины 960. Основание 950 и полупроводниковые пластины 960 размещены внутри камеры реактора. Лазерный свет, излучаемый подмодулями 110, поглощается на нижней поверхности основания 950, которая противоположна поверхности, на которой размещены полупроводниковые пластины 960. Нижняя поверхность основания 950 идентична нагреваемой поверхности 180. Подмодули 110 излучают лазерный свет с перекрывающимися профилями интенсивности, причем профили интенсивности расположены таким образом, чтобы было обеспечено однородное нагревание нагреваемой поверхности 180. Нагреваемая поверхность 180 нагревается до температуры обработки, и полупроводниковые пластины 960 косвенно нагреваются через основание 950, которое может быть выполнено из графита. Однородностью температуры нагреваемой поверхности управляют посредством пирометра, функционирующего на длине волны 700 нм. Подмодулями 110 управляют посредством электрического возбуждающего устройства на основе входных данных, обеспечиваемых пирометрами. Осаждение полупроводниковых слоев начинается, как только достигается однородная и стабильная температура нагреваемой поверхности 180 и, следовательно, поверхности обработки на верхней стороне полупроводниковых пластин 960.
Фиг. 10 показывает принципиальный эскиз второго варианта осуществления реактора с нагревательной системой 100. Подмодули 110 содержат массивы VCSEL, излучающие лазерный свет на длине волны около 850 нм. Лазерный свет проходит окно 920 реактора камеры 910 реактора и падает на поверхность 980 обработки полупроводниковой пластины 960. Поверхность 980 обработки является в этом случае (отличном от варианта осуществления, показанного на фиг. 9) по существу идентичной нагреваемой поверхности 180. Полупроводниковая пластина 960 закреплена посредством подвески 995. Основное нагревание полупроводниковой пластины обеспечено посредством нагревательного модуля 990, содержащего обычные галогенные лампы. Нагревательный модуль 990 расположен внутри камеры реактора на противоположной стороне полупроводниковой пластины относительно поверхности 980 обработки, поглощающей лазерный свет.
Каждый подмодуль 110 отдельно возбуждается посредством электрического возбуждающего устройства и излучает лазерный свет на определенный элемент площади нагреваемой поверхности 180 таким образом, чтобы могли быть скомпенсированы локальные температурные изменения. Элемент площади, освещаемый первым подмодулем 110, может только незначительно перекрываться с элементом площади, освещаемым вторым подмодулем 110. Чем меньше элементы площади, тем лучше может быть управление однородностью температуры поверхности 980 обработки. Элементы площади могут иметь разные размеры, поскольку управление температурой вблизи структурных элементов, таких как подвеска, которые могут вызвать рассеивание тепла, может быть более важным, чем некоторые элементы площади вблизи центра пластины.
Фиг. 11 показывает принципиальный эскиз расположения подмодулей 110 согласно первому варианту осуществления. Подмодули 110 нагревательной системы 100 имеют круглую форму и обеспечены в регулярном рисунке. Каждый из подмодулей отдельно запитан посредством электрического возбуждающего устройства 450. Схема возбуждения подмодулей может учитывать поток тепла внутри объекта с использованием, например, импульсного возбуждения. Смежные подмодули могут, например, не излучать свет одновременно. Последнее может быть, например, предпочтительным в случае косвенного нагревания поверхности обработки через основание, как показано на фиг. 9.
Фиг. 12 показывает принципиальный эскиз расположения подмодулей 110 согласно второму варианту осуществления. Подмодули имеют прямоугольную форму, расположенную радиально относительно длинной стороны прямоугольника. Центральные линии прямоугольников указывают на центр круглой нагревательной системы 100. Для обеспечения возможности однородного нагревания нагреваемой поверхности 180 предусмотрены оптические элементы.
Фиг. 13 показывает принципиальный эскиз четвертого варианта осуществления нагревательной системы 100. Подмодуль 110 с полупроводниковыми источниками 115 света объединен с оптическим элементом 116 (выпуклой линзой) для обеспечения определенного распределения интенсивности на нагреваемой поверхности 180 объекта 150.
Фиг. 14 показывает принципиальный эскиз пятого варианта осуществления нагревательной системы 100. Подмодуль 110 с полупроводниковыми источниками 115 света (VCSEL) объединен с микрооптическим элементом 117 (массивом микролинз) и оптическим элементом 116 (выпуклой линзой) для обеспечения определенного распределения интенсивности на нагреваемой поверхности 180 объекта 150. Массив микролинз может быть, например, использован для изменения угла расходимости излучаемого лазерного света таким образом, чтобы расстояние до объекта 150 могло быть увеличено.
Фиг. 15 показывает принципиальный эскиз этапов способа нагревания нагреваемой поверхности 180 объекта 150. На этапе 1410 обеспечивают нагреваемую поверхность 180 объекта 150. На этапе 1420 обеспечивают полупроводниковые источники 115 света. Нагреваемую поверхность 180 нагревают посредством света, излучаемого полупроводниковыми источниками 115 света, на этапе 1430 таким образом, чтобы элемент площади нагреваемой поверхности 180 принимал свет по меньшей мере 50 полупроводниковых источников 115 света одновременно.
В то время как данное изобретение было проиллюстрировано на чертежах и подробно описано в предшествующем описании, такие иллюстрация и описание должны рассматриваться как иллюстративные или примерные, а не ограничивающие.
Из прочтения настоящего раскрытия, специалистам в данной области техники будут очевидны другие модификации. Такие модификации могут включать в себя другие признаки, которые уже известны в данной области техники и которые могут быть использованы вместо или дополнительно к признакам, уже описанным здесь.
Из изучения чертежей, данного раскрытия и приложенной формулы изобретения, специалистами в данной области техники могут быть поняты и осуществлены варианты к раскрытым вариантам осуществления. В формуле изобретения слово «содержащий» не исключает других элементов или этапов, а форма единственного числа не исключает множества элементов или этапов. Тот факт, что некоторые меры изложены во взаимно отличающихся зависимых пунктах формулы изобретения, не указывает на то, что комбинация этих мер не может быть использована с преимуществом.
Любые ссылочные обозначения в формуле изобретения не должны истолковываться как ограничивающие ее объем.
ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОЧНЫХ ПОЗИЦИЙ
100 нагревательная система
110 подмодуль
115 полупроводниковый источник света
116 оптический элемент
117 микрооптический элемент
118 датчик температуры
150 объект
180 нагреваемая поверхность
300 область нагреваемой поверхности, освещаемая одним полупроводниковым источником света
410 первая группа подмодулей
420 вторая группа подмодулей
450 электрическое возбуждающее устройство
510 линия, указывающая сечение
600 интенсивность
610 сечение поперек нагреваемой поверхности объекта
620 профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем первой группы подмодулей
720 профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем второй группы подмодулей согласно первому варианту осуществления
820 профиль интенсивности, обеспечиваемый подмодулем второй группы подмодулей согласно второму варианту осуществления
910 камера реактора
920 окно реактора
950 основание
960 полупроводниковая пластина
970 стеклянная пластина с покрытием
980 поверхность обработки
990 нагревательный модуль
995 подвеска
1410 этап способа обеспечения нагреваемой поверхности объекта
1420 этап способа обеспечения полупроводниковых источников света
1430 этап способа нагревания элемента площади нагреваемой поверхности.

Claims (20)

1. Нагревательная система (100) для нагревания нагреваемой поверхности (180) объекта (150, 950) до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C, содержащая полупроводниковые источники (115) света и выполненная с возможностью нагревания элемента площади нагреваемой поверхности (180) с помощью по меньшей мере 50-ти полупроводниковых источников (115) света одновременно, отличающаяся тем, что полупроводниковые источники (115) являются лазерами поверхностного излучения с вертикальным резонатором, при этом нагревательная система (100) выполнена с возможностью нагревания нагреваемой поверхности (180) таким образом, чтобы первая локальная температура первой части поверхности (980) обработки полупроводниковой пластины (960) отклонялась менее чем на 0,5% от второй локальной температуры второй части поверхности (980) обработки полупроводниковой пластины (960), отличной от первой части поверхности (980) обработки, при этом полупроводниковые источники (115) света расположены в подмодулях (110), причем нагревательная система (100) содержит электрическое возбуждающее устройство (450), выполненное с возможностью одновременного возбуждения всех полупроводниковых источников (115) света одного подмодуля (110), и при этом подмодули (110) и/или электрическое возбуждающее устройство (450) выполнены таким образом, чтобы поверхность (980) обработки полупроводниковой пластины (960) однородно нагревалась до определенной температуры.
2. Нагревательная система (100) по п. 1, содержащая по меньшей мере первую группу (410) подмодулей с по меньшей мере одним подмодулем (110) и по меньшей мере вторую группу (420) подмодулей с по меньшей мере одним подмодулем (110), причем первая группа (410) подмодулей выполнена с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности (180), и упомянутый по меньшей мере один подмодуль (110) второй группы (420) подмодулей выполнен с возможностью нагревания части нагреваемой поверхности (180), а электрическое возбуждающее устройство (450) выполнено с возможностью возбуждения упомянутого по меньшей мере одного подмодуля (110) второй группы (420) подмодулей независимо от подмодуля (110) первой группы (410) подмодулей.
3. Нагревательная система (100) по п. 2, в которой вторая группа (420) подмодулей содержит два, три, четыре или более подмодулей (110), причем каждый подмодуль (110) второй группы (420) подмодулей выполнен с возможностью нагревания отличающейся части нагреваемой поверхности (180) таким образом, чтобы вся нагреваемая поверхность (180) могла быть нагрета посредством подмодулей (110) второй группы (420) подмодулей, и при этом электрическое возбуждающее устройство (450) выполнено с возможностью возбуждения каждого подмодуля (110) второй группы (420) подмодулей независимо от других подмодулей (110) второй группы (420) подмодулей.
4. Нагревательная система (100) по п. 2, в которой вторая группа (420) подмодулей содержит два, три, четыре или более подмодулей (110), причем каждый подмодуль (110) второй группы (420) подмодулей выполнен с возможностью нагревания всей нагреваемой поверхности (180), при этом подмодули (110) второй группы (420) подмодулей выполнены с возможностью обеспечения разных распределений интенсивности на нагреваемой поверхности (180), и при этом электрическое возбуждающее устройство (450) выполнено с возможностью возбуждения каждого подмодуля (110) второй группы (420) подмодулей независимо от других подмодулей (110) второй группы (420) подмодулей.
5. Нагревательная система (100) по п. 3 или 4, в которой по меньшей мере часть подмодулей (110) первой группы (410) и/или второй группы (420) подмодулей содержит по меньшей мере один датчик температуры, выполненный с возможностью определения температуры на части нагреваемой поверхности (180), освещаемой соответствующим подмодулем (110), таким образом, чтобы однородность распределения температуры объекта могла контролироваться.
6. Нагревательная система (100) по п. 5, в которой датчики температуры являются оптическими датчиками, измеряющими температуру на длине волны, отличной от длины волны света, излучаемого полупроводниковыми источниками (115) света.
7. Нагревательная система (100) по п. 1, содержащая по меньшей мере 50000 полупроводниковых источников (115) света.
8. Нагревательная система (100) по п. 1, выполненная таким образом, чтобы распределение интенсивности, обеспечиваемое полупроводниковыми источниками (115) света, сканировало нагреваемую поверхность объекта (150).
9. Нагревательная система (100) по п. 1, содержащая нагревательный модуль (990) для обеспечения первого распределения температуры объекта, и при этом нагревательный модуль (990) и полупроводниковые источники (115) света выполнены с возможностью обеспечения однородного распределения температуры при температуре обработки.
10. Реактор для обработки полупроводниковых пластин (960), содержащий нагревательную систему (100) по любому из предшествующих пунктов и камеру (910) реактора, причем нагревательная система (100) выполнена с возможностью нагревания по меньшей мере одной полупроводниковой пластины (960) внутри камеры (910) реактора.
11. Реактор по п. 10, в котором камера (910) реактора содержит по меньшей мере одно окно (920) реактора, и нагревательная система (100) выполнена с возможностью нагревания полупроводниковой пластины (960) с помощью облучения светом через окно (920) реактора.
12. Реактор по п. 11, в котором камера (910) реактора содержит одно окно (920) реактора для каждого подмодуля (110).
13. Способ нагревания нагреваемой поверхности (180) объекта (150, 950) до температуры обработки, составляющей по меньшей мере 100°C, содержащий этапы:
- обеспечения нагреваемой поверхности (180) объекта (150);
- обеспечения полупроводниковых источников (115) света, представляющих собой лазеры поверхностного излучения с вертикальным резонатором;
- расположения полупроводниковых источников (115) света в подмодулях (110);
- обеспечения электрического возбуждающего устройства (450);
- приспособления электрического возбуждающего устройства (450) для одновременного возбуждения всех полупроводниковых источников (115) света одного подмодуля (110);
- приспособления нагревательной системы (100) для нагревания нагреваемой поверхности (180) таким образом, чтобы первая локальная температура первой части поверхности (980) обработки полупроводниковой пластины (960) отклонялась менее чем на 0,5% от второй локальной температуры второй части поверхности (980) обработки полупроводниковой пластины (960), отличной от первой части поверхности (980) обработки, с помощью расположения подмодулей (110) и/или электрического возбуждающего устройства (450);
- нагревания элемента площади нагреваемой поверхности (180) с помощью по меньшей мере 50-ти полупроводниковых источников (115) света одновременно таким образом, чтобы поверхность (980) обработки полупроводниковой пластины (960) однородно нагревалась до определенной температуры.
RU2016133371A 2014-01-17 2015-01-09 Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света RU2669549C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14151613 2014-01-17
EP14151613.8 2014-01-17
PCT/EP2015/050359 WO2015107009A1 (en) 2014-01-17 2015-01-09 Heating system comprising semiconductor light sources

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2016133371A RU2016133371A (ru) 2018-02-20
RU2016133371A3 RU2016133371A3 (ru) 2018-06-04
RU2669549C2 true RU2669549C2 (ru) 2018-10-11

Family

ID=49955222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016133371A RU2669549C2 (ru) 2014-01-17 2015-01-09 Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10159113B2 (ru)
EP (1) EP3095128B1 (ru)
JP (1) JP6461168B2 (ru)
CN (1) CN106415810B (ru)
BR (1) BR112016016264A2 (ru)
RU (1) RU2669549C2 (ru)
WO (1) WO2015107009A1 (ru)

Families Citing this family (318)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CA3012164A1 (en) 2016-01-22 2017-07-27 Pressco Ip Llc A system and method for producing an engineered irradiation pattern in a narrowband system
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
DE102016119703A1 (de) * 2016-10-17 2018-04-19 Kraussmaffei Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Formteilen mit einem Halbzeug
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR102147379B1 (ko) * 2016-12-28 2020-08-25 주식회사 비아트론 Vcsel을 이용한 기판 열처리 장치 및 방법
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) * 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
KR102635654B1 (ko) * 2017-06-20 2024-02-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 처리 장치 및 반도체 처리 장치를 미세 조정하기 위한 방법
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
EP3462811A1 (en) 2017-09-29 2019-04-03 Heraeus Noblelight GmbH A device for selectively heating a target with ir radiation
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN108538763B (zh) * 2018-04-24 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 一种加热组件、封装装置和封装方法
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR102658700B1 (ko) * 2019-06-13 2024-04-19 매슨 테크놀로지 인크 투과 스위치 플레이트를 갖는 열 처리 시스템
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102444062B1 (ko) * 2020-06-02 2022-09-16 주식회사 비아트론 Vcsel를 이용한 기판 열처리 장치
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
JP7479266B2 (ja) 2020-09-25 2024-05-08 東京エレクトロン株式会社 検査装置の制御方法、及び、検査装置
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN113471046B (zh) * 2020-12-14 2023-06-20 北京屹唐半导体科技股份有限公司 具有等离子体处理***和热处理***的工件处理装置
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20230068787A (ko) * 2021-11-11 2023-05-18 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
EP4216666A3 (en) * 2022-01-19 2023-08-23 Phoenix Electric Co., Ltd. Lamp for heating and heating apparatus including the same
US20240035161A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 Applied Materials, Inc. Actively controlled pre-heat ring for process temperature control
JP2024070405A (ja) * 2022-11-11 2024-05-23 フェニックス電機株式会社 加熱装置、および、その加熱装置を用いた温度測定方法
CN115740746A (zh) * 2022-11-25 2023-03-07 深圳市鑫宸锐智能科技有限公司 一种vcsel激光焊接设备及焊接方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040026400A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Ptak John C. LED heat lamp arrays for CVD heating
JP2006059931A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Canon Anelva Corp 急速加熱処理装置
US20090098742A1 (en) * 2000-12-21 2009-04-16 Mattson Technology, Inc. System and Process for Heating Semiconductor Wafers by Optimizing Absorption of Electromagnetic Energy
JP2011165693A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US20110222840A1 (en) * 2000-12-21 2011-09-15 Zion Koren Heating Configuration For Use in Thermal Processing Chambers
US20120106585A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Chad Wang High fill-factor efficient vertical-cavity surface emitting laser arrays

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4047496A (en) 1974-05-31 1977-09-13 Applied Materials, Inc. Epitaxial radiation heated reactor
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
EP1077479A1 (en) * 1999-08-17 2001-02-21 Applied Materials, Inc. Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film
US6451152B1 (en) 2000-05-24 2002-09-17 The Boeing Company Method for heating and controlling temperature of composite material during automated placement
US20020137331A1 (en) 2001-03-20 2002-09-26 Ching-Yu Chang Method of forming contact holes of reduced dimensions by using reverse-transcription process
JP2003077857A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP2003077852A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP5138253B2 (ja) 2006-09-05 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 アニール装置
ATE516127T1 (de) * 2006-12-19 2011-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv System und verfahren zum erwärmen von objekten in einer produktionslinie
US7860379B2 (en) * 2007-01-15 2010-12-28 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
US8222574B2 (en) 2007-01-15 2012-07-17 Applied Materials, Inc. Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber
JP2009099925A (ja) * 2007-09-27 2009-05-07 Tokyo Electron Ltd アニール装置
WO2009157484A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 東京エレクトロン株式会社 アニール装置
CN101999160A (zh) * 2008-06-25 2011-03-30 东京毅力科创株式会社 退火装置
US8404499B2 (en) 2009-04-20 2013-03-26 Applied Materials, Inc. LED substrate processing

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090098742A1 (en) * 2000-12-21 2009-04-16 Mattson Technology, Inc. System and Process for Heating Semiconductor Wafers by Optimizing Absorption of Electromagnetic Energy
US20110222840A1 (en) * 2000-12-21 2011-09-15 Zion Koren Heating Configuration For Use in Thermal Processing Chambers
US20040026400A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Ptak John C. LED heat lamp arrays for CVD heating
JP2006059931A (ja) * 2004-08-18 2006-03-02 Canon Anelva Corp 急速加熱処理装置
JP2011165693A (ja) * 2010-02-04 2011-08-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、塗布現像処理システム、熱処理方法、塗布現像処理方法及びその熱処理方法又は塗布現像処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
CN102169812A (zh) * 2010-02-04 2011-08-31 东京毅力科创株式会社 热处理装置及其方法和涂布显影处理***及其方法
US20120106585A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Chad Wang High fill-factor efficient vertical-cavity surface emitting laser arrays

Also Published As

Publication number Publication date
BR112016016264A2 (pt) 2017-08-08
CN106415810B (zh) 2020-03-20
CN106415810A (zh) 2017-02-15
RU2016133371A3 (ru) 2018-06-04
US20160381732A1 (en) 2016-12-29
EP3095128A1 (en) 2016-11-23
WO2015107009A1 (en) 2015-07-23
EP3095128B1 (en) 2023-11-22
RU2016133371A (ru) 2018-02-20
JP6461168B2 (ja) 2019-01-30
US10159113B2 (en) 2018-12-18
JP2017509143A (ja) 2017-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2669549C2 (ru) Нагревательная система, содержащая полупроводниковые источники света
KR101728796B1 (ko) Ｌｅｄ 기판 처리
KR102242822B1 (ko) 웨이퍼 처리 시스템에서의 저온 측정을 위한 장치 및 방법
US8810271B2 (en) Method and apparatus for testing photovoltaic devices
US8432613B2 (en) Multi-stage optical homogenization
KR102434364B1 (ko) 원형 램프 어레이들
KR20150023368A (ko) 급속 열 처리를 위한 장치 및 방법
JP6578297B2 (ja) 改良された熱処理チャンバ
TW202225646A (zh) 利用能帶間隙吸收法之溫度校正
KR102539074B1 (ko) 자화율로 인한 파들의 속도의 변화 및 굴절에 의해 온도를 측정하기 위한 방법
TWI712090B (zh) 加熱碳化矽襯底的系統及加熱方法
TWI710042B (zh) 藉由脈衝或剖面點加熱作磊晶(epi)厚度調諧
CN118266064A (zh) 处理基底的装置以及方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210110