RU2659702C2 - Способ изготовления алмазной дифракционной решетки - Google Patents
Способ изготовления алмазной дифракционной решетки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2659702C2 RU2659702C2 RU2016122159A RU2016122159A RU2659702C2 RU 2659702 C2 RU2659702 C2 RU 2659702C2 RU 2016122159 A RU2016122159 A RU 2016122159A RU 2016122159 A RU2016122159 A RU 2016122159A RU 2659702 C2 RU2659702 C2 RU 2659702C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- implantation
- diffraction grating
- ion
- implanted
- Prior art date
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 96
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 23
- -1 boron ions Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 14
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 14
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 241000272186 Falco columbarius Species 0.000 description 1
- LLQPHQFNMLZJMP-UHFFFAOYSA-N Fentrazamide Chemical compound N1=NN(C=2C(=CC=CC=2)Cl)C(=O)N1C(=O)N(CC)C1CCCCC1 LLQPHQFNMLZJMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000504 luminescence detection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
Способ включает в себя формирование заданной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза с помощью имплантации ионами бора с энергией 10-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску. Технический результат заключается в обеспечении возможности изготовления алмазных дифракционных решеток при помощи непрерывной имплантации ионами бора. 10 ил.
Description
Изобретение относится к оптическому приборостроению устройствам дифракционной оптики [1], а именно, к способам изготовления дифракционных оптических элементов (дифракционных решеток, фотонных кристаллов, киноформов, фокусаторов, корректоров и др.), выполненным на основе алмаза [1, 2]. Использование алмаза в оптике связано с его высокой радиационной (лучевой) стойкостью, а также высокой теплопроводностью. Алмазные оптические элементы, обладая окном прозрачности в широком диапазоне длин волн от 0.2 до 5 мкм, могут работать при резких перепадах температуры, в агрессивной химической среде, при этом сохраняя свои характеристики. На практике алмазные дифракционные элементы используются:
- для преобразования пучков высокомощных лазеров, например, непрерывного СО2-лазера, на котором удается использовать плотности мощности освещающего пучка до 20 кВт/см2, с целью их применения для резки, сварки, закалки и других промышленных технологических операций [1, 3];
- для создания фотонно-кристаллических резонаторов с целью реализации квантовых механизмов хранения информации в устройствах интегральной оптики видимого диапазона [4];
- для управления потоками излучения в рентгеновской оптике, например при использовании алмазных Брегговских зеркал с коэффициентом отражения ~100% [5], и др.
Известен способ изготовления алмазных дифракционных решеток, выбранный в качестве аналога, который заключается в нанесении на алмазную подложку каталитической маски (например, напылением) и последующем нагреве структуры в среде транспортного газа (водорода) широкоапертурным потоком излучения (засветкой) с длиной волны, лежащей в окне прозрачности обрабатываемого материала, что инициирует локально по поверхности реакцию разложения алмаза (Волков А.В., Казанский Н.Л., Моисеев О.Ю., Сойфер В.А. Патент РФ на изобретение №2197006, опубликованный 20.01.2003).
Недостатком способа по аналогу является то, что для изготовления алмазной дифракционной решетки указанным методом требуется обязательное выполнение нескольких дополняющих друг друга технологических операций: (1) нанесение каталитической маски и (2) нагрев структуры в среде транспортного газа широкоапертурным потоком специального излучения.
Известен [6] способ выполнения маркировки на полированной поверхности алмаза, т.е. создания оптически видимого в отраженном свете изображения метки (видимой только с помощью оптического микроскопа), которая осуществляется путем модифицирования ионным пучком с заданной энергией ионов маркируемого участка этой поверхности. В процессе такого модифицирования преобразуется структура поверхностного слоя алмаза с изменением оптических свойств модифицированных участков по отношению к оптическим свойствам необработанных участков маркируемой поверхности алмаза. Модифицирование маркируемого участка осуществляется импульсным ионным пучком (постепенно) через-маску трафарет путем ионной имплантации модификатора в кристаллическую решетку алмаза в области маркируемого участка поверхностного слоя алмаза без разрушения ковалентных связей между атомами кристаллической решетки и, соответственно, без нарушения исходного рельефа этого слоя. Изменение оптических свойств маркируемого участка алмаза обеспечивается путем использования в качестве модификатора такого материала, ионы которого изменяют комплексный показатель преломления алмаза при их имплантации в его кристаллическую решетку в качестве примесных добавок (ионы бора или инертных металлов). При этом ионная имплантация алмаза осуществляется с энергией менее 10 кэВ, преимущественно 5-6 кэВ, с тем, чтобы глубина метки не превышала 5-6 нм.
Эта технология получения меток на поверхности алмаза [6] является наиболее близкой к заявляемому способу изготовления алмазной дифракционной решетки и поэтому выбрана в качестве прототипа.
Недостатки прототипа:
- структуры (метки), полученные на полированной поверхности алмаза, создаются для того, чтобы быть видимыми только на отражение и не могут быть использованы на пропускание;
- создание меток только очень малых размеров, видимых с помощью оптического микроскопа, что исключает микроструктурирование больших площадей алмазных подложек;
- создание меток без нарушения исходного рельефа поверхностного слоя алмаза, что исключает формирование профильных периодических микроструктур на алмазных подложках;
- создание меток осуществляется только импульсным ионным пучком, что ограничивает возможность использования технологии непрерывной имплантации и применения соответствующего ей оборудования;
- получение меток на поверхности алмаза без разрушения ковалентных связей (без разрушения структуры алмаза) ограничивает возможность создания в алмазе периодических областей иного химического или структурного состава, отличающихся от алмаза диэлектрическими константами, определяющими дифракционную способность алмазных решеток;
- ограничение режимов имплантации, т.е. использование энергии менее 10 кэВ, не позволяет создавать модифицированные имплантацией области алмаза, характеризуемые иным химическим или структурным составом, т.е. образуемых при разрушении ковалентных связей.
Решаемая техническая задача в заявляемом способе заключается в обеспечении возможности изготовления алмазной дифракционной решетки.
Поставленная техническая задача в предлагаемом способе изготовления алмазной дифракционной решетки, включающем формирование заданной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза, достигается тем, что формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры осуществляют с помощью имплантации ионами бора с энергией 20-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску.
На фиг. 1 показан чертеж в изометрии фрагмента дифракционной решетки (изделия) содержащей: 1 - алмазную подложку; 2 - имплантированные ионами бора ячейки алмаза; 3 - необлученные перегородки из алмаза между ячейками.
На фиг. 2 показано рассчитанное распределение имплантированного бора по глубине в алмазе, при энергии облучения 40 кэВ.
На фиг. 3 показано изображение, полученное на оптическом микроскопе фрагмента дифракционной решетки, сформированной имплантацией алмаза ионами бора через поверхностную маску. Размер ячейки 40 мкм.
На фиг. 4 показано изображение, полученное на сканирующем электронном микроскопе (СЭМ), поверхности микроструктурированного алмаза (фрагмента дифракционной решетки), сформированного имплантацией ионами бора через поверхностную маску. Наблюдения проведены под углом 70 градусов к плоскости образца.
На фиг. 5 показано 3D-изображение, полученное на оптическом конфокальном микроскопе фрагмента дифракционной решетки, сформированного имплантацией алмаза ионами бора через поверхностную маску. Зондирование проводилось лазерным излучением на длине волны 488 нм.
На фиг. 6 показан Рамановский спектр алмаза, имплантированного ионами бора, измеренный в условиях комнатной температуры при зондировании лазерным излучением на длине волны 522 нм.
На фиг. 7 показано АСМ-изображение поверхности фрагмента алмазной дифракционной решетки в областях необлученной перегородки алмаза (темная часть) и имплантированных ячеек (светлые части). Светлой линией указано направление измерения поперечного сечения.
На фиг. 8 показан профиль поперечного сечения фрагмента алмазной дифракционной решетки, измеренный по направлению (светлой линии), приведенному на фиг. 6.
На фиг. 9 показано изображение картины дифракционного рассеяния, полученное на экране при отражении зондирующего излучения гелий-неонового лазера на длине волны 632.8 нм света от алмазной дифракционной решетки, сформированной имплантацией ионами бора через поверхностную маску.
На фиг. 10 показано изображение картины дифракционного рассеяния, полученное на экране при пропускании через образец зондирующего излучения гелий-неонового лазера на длине волны 632.8 нм света через алмазную дифракционную решетку, сформированную имплантацией ионами бора через поверхностную маску.
Рассмотрим способ изготовления алмазной дифракционной решетки, включающий формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза предлагаемым способом, заключающимся в формировании заданной дифракционной периодической микроструктуры с помощью непрерывной имплантации на ускорителе ИЛУ-3 ионами В+ с энергией Е=40 кэВ, дозой облучения D=1.3⋅1018 ион/см2 в поверхностной области облучаемого алмаза при плотности тока ионного пучка J=3⋅1014 ион/см2⋅с через поверхностную маску - металлическую сетку с размерами ячейки 40 мкм. Размер алмазной дифракционной решетки ограничивается только размером облучаемого образца, и для данного примера составляет примерно 0.5×0.5 см.
На фиг. 1 показан в изометрии чертеж алмазной дифракционной решетки (изделия), содержащей алмазную полированную подложку 1 с дифракционной периодической микроструктурой на ее поверхности, элементами которой являются области, подвергнутые непрерывному ионному облучению - имплантированные участки (ячейки) 2. Имплантированные ячейки 2 являются графитизированными участками (областями) в алмазе, частично погруженными в приповерхностную область облучаемого алмаза, также частично возвышающимися над его поверхностью. Перегородки 3 находящиеся между имплантированными участками 2 являются необлученными областями алмаза 1.
Моделирование концентрационных профилей распределения имплантированного бора с энергией 40 кэВ по глубине облучаемого образца с помощью компьютерного алгоритма SRIM-2013 [7] (фиг. 2), показало, что в приповерхностном имплантированном слое алмаза происходит накопление атомов бора. Как следует из расчетов, для рассматриваемой энергии ускорения ионов бора глубина имплантированного слоя в алмазе составляет порядка 100 нм.
На фиг. 3 приведено изображение фрагмента алмазной дифракционной решетки, сформированной непрерывной имплантацией ионами бора через поверхностную маску, наблюдаемую на оптическом микроскопе ПОЛАР-1 (Микромед). Как видно из приведенного изображения, периодическая микроструктура состоит из чередующихся темных квадратных ячеек, относящихся к имплантированным участкам поверхности образца, разделенных стенками (светлые области) неимплантированного алмаза. Размер имплантированных ячеек соответствует размеру ячеек используемой поверхностной маски 40 мкм.
На фиг. 4 приведено изображение дифракционной решетки, полученной непрерывной имплантацией ионами бора через поверхностную маску, наблюдаемой под углом 70 градусов к поверхности алмаза на сканирующем электронном микроскопе Merlin (Carl Zeiss). На изображении отчетливо видны периодически чередующиеся темные шероховатые участки имплантированного алмаза, заключенные в светлосерую гладкую сетку неимплантированного образца.
Подтверждение формирования алмазной решетки при непрерывной имплантации алмаза ионами бора через поверхностную маску следует из наблюдения образца на оптическом конфокальном микроскопе - LSM 780 (Carl Zeiss). В качестве зондирующего сигнала использовалось излучение полупроводникового лазера на длине волны 488 нм, а регистрация оптического изображения образца осуществлялась в спектральной области 508-526 нм через отсекающие фильтры. Воздействие изучения на длине волны 488 нм приводит к возбуждению люминесценции алмаза в видимом диапазоне спектра [8]. На фиг. 5 показано оптическое 3D-изображение, сформированное в результате люминесценции алмаза (зеленое свечение) на участках поверхности (стенок решетки), закрытых во время имплантации маской. Области алмаза (ячейки решетки), подвергнутые имплантации, практически не люминесцируют и поэтому наблюдаются на фигуре темными квадратными участками (ячейками решетки).
Полученная алмазная дифракционная решетка, показанная на фиг. 3, 4 и 5, соответствует чертежу, приведенному на фиг. 1.
На фиг. 6 приведен спектр Рамановского рассеяния алмаза, подвергнутого имплантации ионами бора, измеренный в условиях комнатной температуры при зондировании излучением аргонового лазера на длине волны 522 нм. На низкочастотном участке спектра присутствует хорошо известная линия с максимумом 1336 см-1, соответствующая алмазу, используемому в качестве подложки [9]. После проведения имплантации алмаза ионами бора в длинноволновой области спектра появляется линия с максимумом 1558 см-1, характеризуя образование в образце графитизированных участков в местах разрушаемого алмаза.
Информация о состоянии имплантированного ионами бора алмазного слоя, сформированного при изготовлении дифракционной решетки, была получена при наблюдении образца на атомно-силовом микроскопе - (ACM) Innova Bruker. На фиг. 7 приведено АСМ-изображение фрагмента алмазной дифракционной решетки вблизи стенки (темная область) между имплантированными ячейками (светлые шероховатые области). На фиг. 8 представлен профиль поперечного сечения, измеренный по направлению, указанному на фиг. 7. Из фиг. 8 следует, что имплантированные ионами бора участки поверхности алмаза (ячейки) возвышаются над поверхностью алмаза примерно на 100 нм. При этом графитизированные ячейки дифракционной решетки являются оптически прозрачными. Такое возвышение имплантированных участков объясняется эффектом распухания облучаемых участков (ячеек решетки) образца, характеризуемого меньшей плотностью (ρграфит=2.09-2.23 г/см3) по сравнению с алмазом (неграфитизированным материалом) (ρалмаз=3.47-3.55 г/см3) [10].
Имплантация алмаза ионами бора ведет как к изменению химического состава (накопление бора в образце), так и к модификации его фазовой углеродной структуры, т.е. образованию периодических областей графитизированного материла. В результате имплантации алмаза через поверхностную маску формируется рельефная микроструктура с периодически-изменяемым распределением оптических констант материала, т.е. между стенками алмаза с показателем преломления «nалмаз=2.42 и графитизированными ячейками решетки (nграфит=2.1-2.23).
Таким образом, сформированная имплантацией микроструктура с периодически изменяемым показателем преломления представляет собой алмазную дифракционную решетку. На фиг. 9 и 10 приведены дифракционные изображения, регистрируемые при зондировании сформированной алмазной решетки гелий-неоновым лазером на длине волны 632.8 нм света на отражение от образца и на пропускание через него.
По сравнению с прототипом предлагаемый способ позволяет изготавливать алмазные дифракционные решетки при помощи непрерывной имплантации ионами бора. Полученные алмазные дифракционные решетки могут быть созданы на больших площадях образца в несколько квадратных сантиметров и использованы на практике как для отраженного, так и для проходящего света.
Выбор режимов ионной имплантации, E=10-100кэВ и D=1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2, обуславливается тем, что за границами этих режимов не достигается необходимый технический результат, и качество изготовленных алмазных дифракционных решеток не будет соответствовать необходимым требованиям.
Доза облучения определяется необходимым количеством атомов имплантируемого вещества, чтобы, во-первых, обеспечить высокий контраст в разнице показателей преломления формируемых элементов дифракционной решетки. Это условие, согласно нашим исследованиям зависимости формирования графитизированных участков алмаза от дозы имплантации, выполняется при дозе облучения ионами бора порядка D=1⋅1015 ион/см2. Во-вторых, формирование дифракционной решетки на поверхности алмаза не должно превышать разумной длительности ионной имплантации и по нашим оценкам достигаемая при этом доза составляет не более D=1.0⋅1020 ион/см2.
Энергия иона Е обуславливает величину его среднего проекционного пробега, которое определяет глубину залегания имплантированного иона, а, следовательно, толщину модифицированного слоя и дифракционной решетки. Сверху энергия ускорения иона ограничена величиной E=100 кэВ, поскольку при увеличении данной энергии имплантации и разумной длительности облучения не достигается требуемая концентрация примеси. Ограничение снизу величиной E=10 кэВ связано с тем, что при дальнейшем уменьшении Е рельеф поверхности алмаза, требуемый для функционирования дифракционной решетки, не формируется.
По сравнению с прототипом предлагаемый способ позволяет изготавливать рельефные дифракционные решетки на алмазе при непрерывной имплантации ионами бора через поверхностную маску с возможностью использования решетки как для отраженного, так и для проходящего света.
Литература
1. Сойфер В.А. Методы компьютерной оптики. - М.: Физматлит 2003.
2. Раткин Л. Научные исследования в сфере фотоники. Приоритетные направления. Фотоника. 2011. №4. С. 18-23.
3. Коненко В.В., Конов В.И., Пименов СМ., Прохоров A.M., Павельев B.C., Сойфер В.А. Алмазная дифракционная оптика для мощных СО2-лазеров. Квантовая электроника. 1999. Т. 26. №1. С. 9-10.
4. Тукмаков К.Н., Володин Б.О., Павельев B.C., Комленок М.С., Хомич А.А. Фотонно-кристаллический резонатор на алмазной пленке. Вестник Самарского государственного аэрокосмического университета. 2012. Т. 7. Вып. 38. С. 112-116.
5. Shvydko Y., Stopin S., Blank V., Terentev S. Near 100% Bragg reflectivity. Nat. Photon. 2011. V. 5. P. 539-542.
6. Низенко Ю.К. Способ формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий и ценное изделие. Патент WO 2010128891 А1. 2010.
7. Ziegel J.B., Biersak J.R., Littmark U. The stopping and range of ions in solids. N.Z.: Pergamon, 1996.
8. Collins A.T. The characterization of point defects in diamond luminescence spectroscopy. Diamond and related materials. 1992. V. LP. 457-469.
9. Deslandes A., Guenette M.C., Belay K., Elliman R.G., Karatchevtseva I., Thomsen L., Riley D.P., Lumpkin G.R. Diamond structure recovery during ion irradiation at elevated temperatures. Nucl. Instr. Metn. Phys. Res. B. 2015. V. 365. P.331-335.
10. Хмельницкий P.А. Радиационное повреждение и графитизация алмаза при ионной имплантации. Диссертация. Москва, 2008, 97 с.
Claims (1)
- Способ изготовления алмазной дифракционной решетки, включающий формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры на поверхности полированного алмаза, отличающийся тем, что формирование заданной дифракционной периодической микроструктуры осуществляют с помощью имплантации ионами бора с энергией 10-100 кэВ, дозой облучения 1⋅1015-1.0⋅1020 ион/см2 через поверхностную маску.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016122159A RU2659702C2 (ru) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | Способ изготовления алмазной дифракционной решетки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016122159A RU2659702C2 (ru) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | Способ изготовления алмазной дифракционной решетки |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2016122159A RU2016122159A (ru) | 2017-12-08 |
RU2659702C2 true RU2659702C2 (ru) | 2018-07-03 |
Family
ID=60580777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016122159A RU2659702C2 (ru) | 2016-06-03 | 2016-06-03 | Способ изготовления алмазной дифракционной решетки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2659702C2 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2120653C1 (ru) * | 1997-08-19 | 1998-10-20 | Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН | Способ получения голограмм на кремнии |
WO2004092789A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und werkzeug zur herstellung transparenter optischer elemente aus polymeren werkstoffen |
WO2009057586A1 (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Konica Minolta Opto, Inc. | ガラス材料、光学素子及びその製造方法 |
WO2016102628A1 (fr) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de réalisation de motifs |
-
2016
- 2016-06-03 RU RU2016122159A patent/RU2659702C2/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2120653C1 (ru) * | 1997-08-19 | 1998-10-20 | Казанский физико-технический институт Казанского научного центра РАН | Способ получения голограмм на кремнии |
WO2004092789A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und werkzeug zur herstellung transparenter optischer elemente aus polymeren werkstoffen |
WO2009057586A1 (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Konica Minolta Opto, Inc. | ガラス材料、光学素子及びその製造方法 |
WO2016102628A1 (fr) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de réalisation de motifs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2016122159A (ru) | 2017-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhizhchenko et al. | Light‐emitting nanophotonic designs enabled by ultrafast laser processing of halide perovskites | |
Richter et al. | On the fundamental structure of femtosecond laser‐induced nanogratings | |
Mizeikis et al. | Tailoring and characterization of photonic crystals | |
De Vries et al. | X-ray diffraction studies of potassium dihydrogen phosphate (KDP) crystal surfaces | |
Sheng et al. | Microsteganography on all inorganic perovskite micro-platelets by direct laser writing | |
Cesca et al. | Dichroic nonlinear absorption response of silver nanoprism arrays | |
Lagomarsino et al. | Complex refractive index variation in proton-damaged diamond | |
Tatarinov et al. | High‐Quality CsPbBr3 Perovskite Films with Modal Gain above 10 000 cm− 1 at Room Temperature | |
Spratt et al. | Optical mode confinement and selection in single-crystal sapphire fibers by formation of nanometer scale cavities with hydrogen ion implantation | |
Cheng et al. | Epitaxial growth of optically thick, single crystalline silver films for plasmonics | |
Zograf et al. | Local crystallization of a resonant amorphous silicon nanoparticle for the implementation of optical nanothermometry | |
RU2659702C2 (ru) | Способ изготовления алмазной дифракционной решетки | |
RU166144U1 (ru) | Алмазная дифракционная решетка | |
Stepanov et al. | A diffraction grating created in diamond substrate by boron ion implantation | |
RU2661520C2 (ru) | Алмазная дифракционная решетка | |
RU2347739C1 (ru) | Способ получения наноструктур | |
Stepanov et al. | A diamond diffraction grating formed via ion implantation | |
Paula et al. | Fabrication of micro patterns on BaTiO3: Er3+/Yb3+ perovskite films by femtosecond laser micromachining | |
RU163672U1 (ru) | Оптическое термометрическое устройство на полимерной основе | |
Stepanov et al. | NANOSTRUCTURING OF DIAMOND AND OPTICAL DIFFRACTION GRID FORMATION BY BORON ION IMPLANTATION | |
RU2687889C1 (ru) | Способ изготовления фазовых периодических микроструктур на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников | |
RU2544873C1 (ru) | Способ изготовления дифракционной решетки | |
Wong et al. | Spatially localized photoluminescence at 1.5 micrometers wavelength in direct laser written optical nanostructures | |
Kavetskyy et al. | The formation of periodic diffractive plasmonic nanostructures with implanted copper nanoparticles by local ion etching of silica glass | |
RU2821972C1 (ru) | Способ формирования пленки оксинитрида титана TiON термическим окислением плазмонного материала |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |