RU2624839C1 - Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver - Google Patents

Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver Download PDF

Info

Publication number
RU2624839C1
RU2624839C1 RU2016110746A RU2016110746A RU2624839C1 RU 2624839 C1 RU2624839 C1 RU 2624839C1 RU 2016110746 A RU2016110746 A RU 2016110746A RU 2016110746 A RU2016110746 A RU 2016110746A RU 2624839 C1 RU2624839 C1 RU 2624839C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silver
solution
etching
silicon
filaments
Prior art date
Application number
RU2016110746A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Ольга Вениаминовна Воловликова
Алексей Алексеевич Дронов
Сергей Александрович Гаврилов
Артем Владимирович Сыса
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ)
Priority to RU2016110746A priority Critical patent/RU2624839C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2624839C1 publication Critical patent/RU2624839C1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Abstract

FIELD: chemistry.
SUBSTANCE: method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching using silver consists in growing a layer of porous silicon nanowires by chemical etching of single crystal silicon with the crystallographic orientation of the surface of the p-type plate (100) in places covered with silver in a solution containing hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, with further washing in a 65% nitric acid solution to remove silver particles and reaction products, the resistivity of both p- and n-type conductivity is in the range from 10 mΩ·cm up to 12 Ω·cm, the etching solution contains deionized water, the volume of which is 1/10 part of the etching solution HF:H2O2:H2O with a component ratio of 25:10:4, respectively, and silver with a concentration in the solution of 2.9·10-4 to 26·10-4 mol/l.
EFFECT: providing an opportunity to improve the quality of layers of porous silicon nano-filaments.
1 cl

Description

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии создания металлстимулированным травлением с использованием серебра в качестве катализатора полупроводниковых структур с развитой поверхностью, таких как нитевидные нанокристаллы, пористые слои, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники.The invention relates to the field of microelectronics, in particular, to the technology of creating metal-stimulated etching using silver as a catalyst for semiconductor structures with a developed surface, such as whisker nanocrystals, porous layers, which are the elemental base of functional microelectronics.

Известен способ, согласно которому нитевидные кристаллы кремния получают способом, который включает две стадии, на первой из которых выдержку подложки кремния осуществляют в водном растворе: фтористоводородной кислоты или ее соли, при концентрации от 1,5 до 10 М; соли металла при содержании от 5 до 100 мМ, способной к химическому осаждению металла на поверхность кремния в присутствии ионов фторида, и спирта при содержании от 1 до 40 об. % при температуре от 0 до 30°С, например 20°С, в течение от 5 до 15 мин, а на второй, следующей за первой, во втором растворе, содержащем фтористоводородную кислоту и соль трехвалентного железа, например Fe(NO3)3, или другие вещества, вызывающие увеличение содержания нитрат-ионов, температуру раствора повышают до 40-75°С на время 40-45 мин [1]. Недостатком данного способа является необходимость повышения температуры раствора для увеличения высоты кремниевых столбиков.A known method according to which whiskers of silicon is obtained by a method that includes two stages, in the first of which the exposure of the silicon substrate is carried out in an aqueous solution: hydrofluoric acid or its salt, at a concentration of from 1.5 to 10 M; metal salts with a content of 5 to 100 mm, capable of chemical deposition of metal on a silicon surface in the presence of fluoride ions, and alcohol with a content of 1 to 40 vol. % at a temperature from 0 to 30 ° C, for example 20 ° C, for 5 to 15 minutes, and in the second, following the first, in the second solution containing hydrofluoric acid and a ferric salt, for example Fe (NO 3 ) 3 , or other substances that cause an increase in the content of nitrate ions, the temperature of the solution is increased to 40-75 ° C for a period of 40-45 minutes [1]. The disadvantage of this method is the need to increase the temperature of the solution to increase the height of the silicon columns.

Известен способ, по которому формирование массива нанонитей кремния производят в растворах HF, Н2О2 и Н2О или NH4F, Н2О2, и Н2О с использованием многослойной пористой пленки металла [2]. Недостатком данного способа является необходимость использования пористой маски металла, что является технологически сложным процессом, так как требует ее нанесение и последующее удаление.A known method in which the formation of an array of silicon nanowires is produced in solutions of HF, H 2 O 2 and H 2 O or NH 4 F, H 2 O 2 , and H 2 O using a multilayer porous metal film [2]. The disadvantage of this method is the need to use a porous metal mask, which is a technologically complex process, since it requires its application and subsequent removal.

Наиболее близким является способ, заключающийся в том, что на подложке монокристаллического кремния р-типа проводимости с кристаллографической ориентацией поверхности (100) с удельным сопротивлением от 1 до 10 мОм⋅см выращивается слой пористых кремниевых нанонитей методом последовательного выдерживания в следующих растворах: вначале в водном растворе нитрата серебра с концентрацией от 0.02 до 0.04 моль/л и плавиковой кислоты с концентрацией 5 моль/л в соотношении 1:1 в течение времени от 30 до 60 с для нанесения наночастиц серебра на поверхность кремниевой пластины; затем в смеси плавиковой кислоты с концентрацией 5 моль/л и 30% перекиси водорода в соотношении 10:1 в течение времени от 20 до 60 мин для образования кремниевых нанонитей в результате химического травления кремниевой пластины в местах, покрытых наночастицами серебра; и в завершении - в 65%-ном растворе азотной кислоты в течение времени от 10 до 20 мин для удаления наночастиц серебра и стабилизации поверхности кремниевых нанонитей, в результате чего получаются пористые кремниевые нанонити с длиной от 2 до 5 мкм, размером поперечного сечения от 30 до 300 нм, обладающие люминесценцией в диапазоне от 650 до 850 нм, интенсивность которой зависит от присутствия молекул кислорода [3]. Недостатком данного способа является узкий спектр длины получаемых кремниевых нанонитей и широкий спектр длины поперечного сечения, а также не указана возможность контроля данных параметров.The closest method is that a layer of porous silicon nanowires is grown by sequential aging in the following solutions on a substrate of p-type monocrystalline silicon with a crystallographic orientation of the surface (100) with a specific surface resistance of 1 to 10 mOhm⋅cm: first, in aqueous a solution of silver nitrate with a concentration of from 0.02 to 0.04 mol / L and hydrofluoric acid with a concentration of 5 mol / L in a 1: 1 ratio for a time of 30 to 60 s for applying silver nanoparticles to the surface silicon wafer; then in a mixture of hydrofluoric acid with a concentration of 5 mol / l and 30% hydrogen peroxide in a ratio of 10: 1 for a time from 20 to 60 minutes for the formation of silicon nanowires as a result of chemical etching of the silicon wafer in places coated with silver nanoparticles; and finally, in a 65% nitric acid solution over a period of 10 to 20 minutes to remove silver nanoparticles and stabilize the surface of silicon nanowires, resulting in porous silicon nanowires with a length of 2 to 5 μm, a cross-sectional size of 30 up to 300 nm, having luminescence in the range from 650 to 850 nm, the intensity of which depends on the presence of oxygen molecules [3]. The disadvantage of this method is the narrow spectrum of the length of the obtained silicon nanowires and a wide range of lengths of the cross section, and the ability to control these parameters is not indicated.

Задачей изобретения является улучшение качества слоев пористых нанонитей кремния за счет узкого диапазона поперечного сечения, широкого диапазона длины, возможности их саморегулирования.The objective of the invention is to improve the quality of the layers of porous silicon nanowires due to a narrow range of cross sections, a wide range of lengths, the possibility of self-regulation.

Способ формирования нитей кремния металлстимулированным травлением с использованием серебра, заключающийся в выращивании слоя пористых кремниевых нанонитей химическим травлением монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией поверхности пластины (100) р-типа проводимости в местах, покрытых серебром, в растворе, содержащем плавиковую кислоту, перекись водорода, с дальнейшим промыванием в 65%-ном растворе азотной кислоты для удаления частиц серебра и продуктов реакции, отличающийся тем, что удельное сопротивление пластин как p-, так и n-типа проводимости находится в диапазоне от 10 мΩ⋅cм до 12 Ω⋅см, раствор для травления содержит деионизованную воду, объем которой составляет 1/10 часть раствора для травления НF:H2O2:Н2О с соотношением компонентов 25:10:4 соответственно, и серебро с концентрацией в растворе от 2,9⋅10-4 до 26⋅10-4 моль/л.The method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching using silver, which consists in growing a layer of porous silicon nanowires by chemical etching of single-crystal silicon with crystallographic orientation of the surface of the p-type conductivity plate (100) in places coated with silver in a solution containing hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, s further washing in a 65% solution of nitric acid to remove silver particles and reaction products, characterized in that the specific resistance yn like p-, and n-type conductivity is in the range from 10 to 12 mΩ⋅cm Ω⋅sm, the etching solution comprises deionized water, the volume of which is 1/10 of the etching solution of HF: H 2 O 2: H 2 O with a ratio of components of 25: 10: 4, respectively, and silver with a concentration in solution of 2.9⋅10 -4 to 26⋅10 -4 mol / l.

Удельное сопротивление пластины кремния в диапазоне от 10 мΩ⋅cм до 12 Ω⋅см является необходимым условием для решения задачи, поскольку при значениях ρ, превышающих 12 Ω⋅см, длина формируемых нитей будет ниже 450 мкм вследствие меньшей концентрации основных носителей заряда h+. Концентрация серебра в растворе от 2,9⋅10-4 до 26⋅10-4 моль/л является необходимым условием для решения задачи, поскольку только такая концентрация Ag позволяет формировать массив нанонитей Si. При концентрации серебра в растворе ниже 2,9⋅10-4 моль/л на поверхности кремния образуется пористый слой, при концентрации серебра в растворе выше 26⋅10-4 моль/л происходит полное растворение кремния. Добавка 1/10 части воды в раствор способствует уменьшению концентрации Н2О2 и HF, вследствие чего обеспечивается размер поперечного сечения кремниевых нанонитей от 100 до 300 нм.The specific resistance of the silicon wafer in the range from 10 mΩ⋅cm to 12 Ω⋅cm is a necessary condition for solving the problem, since for ρ values exceeding 12 Ω⋅cm, the length of the formed filaments will be below 450 μm due to the lower concentration of the main charge carriers h + . The silver concentration in the solution from 2.9⋅10 -4 to 26⋅10 -4 mol / L is a necessary condition for solving the problem, since only such a concentration of Ag allows the formation of an array of Si nanowires. At a silver concentration in the solution below 2.9⋅10 -4 mol / L, a porous layer forms on the silicon surface; at a silver concentration in the solution above 26⋅10 -4 mol / L, silicon completely dissolves. The addition of 1/10 of the water to the solution reduces the concentration of H 2 O 2 and HF, as a result of which the cross-sectional size of silicon nanowires from 100 to 300 nm is ensured.

Способ выполняется следующим образом. Очищенную по стандартной методике подложку кремния р- и n-типа проводимости с кристаллографической ориентацией поверхности (100) с удельным сопротивлением от 0,01 до 12 Ω⋅см помещают во фторопластовую ячейку для жидкостного химического травления в раствор следующего состава: 25 частей плавиковой кислоты HF (40%); 10 частей перекиси водорода Н2О2 (30%); 4 частей деионизованной воды, содержащего серебро с концентрацией в растворе от 2,9⋅10-4 до 26⋅10-4 моль/л до образования кремниевых нанонитей длиной от 2 до 450 мкм вследствие последовательно протекающих реакций осаждения серебра на поверхность кремния и травления. Окончание травления визуально фиксируется при остановке процесса газовыделения, так как все серебро переходит в водонерастворимое соединение силиката серебра. После этого пластина с кремниевыми нанонитями промывается в деионизованной воде, сушится и погружается в азотную кислоту (65%) на 15 минут для удаления Ag2SiO3. После этого пластина кремния еще раз промывается в деионизованной воде и высушивается. Все действия проводятся при комнатной температуре.The method is as follows. The p- and n-type silicon substrate, purified by the standard method, with a crystallographic surface orientation of (100) with a specific resistance of 0.01 to 12 Ω⋅cm is placed in a fluoroplastic cell for liquid chemical etching in a solution of the following composition: 25 parts of hydrofluoric acid HF (40%); 10 parts of hydrogen peroxide H 2 O 2 (30%); 4 parts of deionized water containing silver with a concentration in the solution from 2.9 -10 -4 to 26⋅10 -4 mol / l until the formation of silicon nanowires from 2 to 450 μm in length due to the successive reactions of silver deposition on the silicon surface and etching. The end of the etching is visually fixed when the gas evolution process is stopped, since all silver goes into a water-insoluble silver silicate compound. After that, the silicon nanowire wafer is washed in deionized water, dried and immersed in nitric acid (65%) for 15 minutes to remove Ag 2 SiO 3 . After that, the silicon wafer is washed again in deionized water and dried. All actions are carried out at room temperature.

Пример конкретного выполнения. Саморегулируемый способ позволяет формировать пористые нити кремния длиной от 2 до 450 мкм и поперечного сечения от 100 до 300 нм, заключающийся в том, что на пластине кремния, легированной бором или фосфором, с кристаллографической ориентацией поверхности (100) с удельным сопротивлением от 0,01 до 12 Ом⋅см методом металлстимулированного травления в растворе HF:H2O2:H2O (25:10:4), содержащем серебро с концентрацией в растворе от 2,9⋅10-4 до 26⋅10-4 моль/л, при температуре от 20 до 30°С в течение времени от 20 до 60 мин формируется слой пористых кремниевых нитей, образуемых вследствие последовательно протекающих реакций осаждения серебра на поверхность Si и травления, причем длина нитей строго определяется концентрацией серебра в растворе; далее подложки кремния с локально расположенными пористыми нитями выдерживают в 65%-ном растворе азотной кислоты в течение времени 15 минут для удаления водонерастворимого силиката серебра, образование которого способствует остановке травления кремния за счет перехода ионов серебра в связанное состояние и постепенного истощения.An example of a specific implementation. The self-regulating method allows the formation of porous silicon filaments with a length of 2 to 450 μm and a cross section of 100 to 300 nm, which consists in the fact that on a silicon plate doped with boron or phosphorus, with a crystallographic surface orientation (100) with a resistivity of 0.01 up to 12 Ohm⋅cm by metal-stimulated etching in a solution of HF: H 2 O 2 : H 2 O (25: 10: 4) containing silver with a concentration in the solution from 2.9⋅10 -4 to 26⋅10 -4 mol / l, at a temperature of from 20 to 30 ° C over a period of 20 to 60 minutes, a layer of porous silicon filaments is formed, about duce due to reactions occurring successively deposition of silver on the surface of Si and etching, wherein the length filaments are strictly determined by the concentration of silver in solution; Further, silicon substrates with locally located porous filaments are kept in a 65% solution of nitric acid for a period of 15 minutes to remove water-insoluble silver silicate, the formation of which helps to stop the etching of silicon due to the transition of silver ions to the bound state and gradual depletion.

Процесс травления является саморегулируемым, то есть травление останавливается вследствие истощения катализатора при переходе ионов серебра в силикат серебра. Это позволяет контролировать длину нитей кремния путем введения серебра концентрацией от 2,9⋅10-4 до 26⋅10-4 моль/л в раствор HF-H2O2-H2O.The etching process is self-regulating, that is, etching is stopped due to depletion of the catalyst during the transition of silver ions to silver silicate. This allows you to control the length of the silicon filaments by introducing silver with a concentration of from 2.9 · 10 -4 to 26 · 10 -4 mol / l in a solution of HF-H 2 O 2 -H 2 O.

Источники информацииInformation sources

[1] Патент РФ №2429553.[1] RF patent No. 2429553.

[2] Патент СА 2532991 А1.[2] Patent CA 2532991 A1.

[3] Патент РФ №2539120.[3] RF patent No. 2539120.

Claims (1)

Способ формирования нитей кремния металлстимулированным травлением с использованием серебра, заключающийся в выращивании слоя пористых кремниевых нанонитей химическим травлением монокристаллического кремния с кристаллографической ориентацией поверхности пластины (100) р-типа проводимости в местах, покрытых серебром, в растворе, содержащем плавиковую кислоту, перекись водорода, с дальнейшим промыванием в 65%-ном растворе азотной кислоты для удаления частиц серебра и продуктов реакции, отличающийся тем, что удельное сопротивление пластин как р-, так и n-типа проводимости находится в диапазоне от 10 мΩ·см до 12 Ω·см, раствор для травления содержит деионизованную воду, объем которой составляет 1/10 часть раствора для травления HF:H2O2:H2O с соотношением компонентов 25:10:4 соответственно, и серебро с концентрацией в растворе от 2,9·10-4 до 26·10-4 моль/л.The method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching using silver, which consists in growing a layer of porous silicon nanowires by chemical etching of single-crystal silicon with crystallographic orientation of the surface of the p-type conductivity plate (100) in places coated with silver in a solution containing hydrofluoric acid, hydrogen peroxide, s further washing in a 65% solution of nitric acid to remove silver particles and reaction products, characterized in that the specific resistance yn both p- and n-type conductivity in the range of 10 mΩ · cm to 12 Ω · cm, the etching solution comprises deionized water, the volume of which is 1/10 of the etching solution HF: H 2 O 2: H 2 O with a component ratio of 25: 10: 4, respectively, and silver with a concentration in solution of 2.9 · 10 -4 to 26 · 10 -4 mol / L.
RU2016110746A 2016-03-24 2016-03-24 Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver RU2624839C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016110746A RU2624839C1 (en) 2016-03-24 2016-03-24 Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016110746A RU2624839C1 (en) 2016-03-24 2016-03-24 Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2624839C1 true RU2624839C1 (en) 2017-07-07

Family

ID=59312899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016110746A RU2624839C1 (en) 2016-03-24 2016-03-24 Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2624839C1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111468109A (en) * 2020-04-21 2020-07-31 王永芝 Needle-like alumina carrier
CN111484052A (en) * 2020-04-21 2020-08-04 王永芝 Preparation method of needle-punched alumina carrier
CN114836769A (en) * 2022-06-10 2022-08-02 浙江工业大学 2, 6-diaminopyridine/silver porous photoelectrode material and preparation method and application thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815706B2 (en) * 2002-12-17 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano optical sensors via molecular self-assembly
RU2359359C1 (en) * 2007-11-15 2009-06-20 Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук Method for manufacture of nanosensor
RU2429553C2 (en) * 2006-01-23 2011-09-20 Нексеон Лтд. Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method
RU2539120C1 (en) * 2013-07-01 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Method of making silicon sensitive element for luminescent oxygen nanosensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815706B2 (en) * 2002-12-17 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nano optical sensors via molecular self-assembly
RU2429553C2 (en) * 2006-01-23 2011-09-20 Нексеон Лтд. Etching method of material on basis of silicon with formation of silicon columns and lithium rechargeable battery with anode made from material etched with use of this method
RU2359359C1 (en) * 2007-11-15 2009-06-20 Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук Method for manufacture of nanosensor
RU2539120C1 (en) * 2013-07-01 2015-01-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Method of making silicon sensitive element for luminescent oxygen nanosensor

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
К.А. Гончар, Л.А. Осминкина, В. Сиваков, В. Лысенко, В.Ю. Тимошенко. Оптические свойства нитевидных наноструктур, полученных металлстимулированным химическим травлением пластин слабо легированного кристаллического кремния, Физика и техника полупроводников, том 48, вып. 12, 2014. *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111468109A (en) * 2020-04-21 2020-07-31 王永芝 Needle-like alumina carrier
CN111484052A (en) * 2020-04-21 2020-08-04 王永芝 Preparation method of needle-punched alumina carrier
CN111468109B (en) * 2020-04-21 2023-06-20 天津泽希新材料有限公司 Alumina material
CN111484052B (en) * 2020-04-21 2023-07-07 哈尔滨霈泽材料科技有限公司 Preparation method of needled alumina carrier
CN114836769A (en) * 2022-06-10 2022-08-02 浙江工业大学 2, 6-diaminopyridine/silver porous photoelectrode material and preparation method and application thereof
CN114836769B (en) * 2022-06-10 2024-03-22 浙江工业大学 2, 6-diaminopyridine/silver porous photoelectrode material and preparation method and application thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lin et al. Synthesis and photoluminescence properties of porous silicon nanowire arrays
Qu et al. Porous silicon nanowires
Bai et al. One-step synthesis of lightly doped porous silicon nanowires in HF/AgNO3/H2O2 solution at room temperature
RU2624839C1 (en) Method of forming silicon filaments by metal-stimulated etching with the use of silver
CN102040192B (en) Method for preparing sequentially arranged bent silicon nano-wire array
CN102084467A (en) Process for fabricating nanowire arrays
Brahiti et al. Metal-assisted electroless etching of silicon in aqueous NH4HF2 solution
Geng et al. Monodisperse GaN nanowires prepared by metal-assisted chemical etching with in situ catalyst deposition
Gonchar et al. Optical properties of silicon nanowires fabricated by environment-friendly chemistry
US7998359B2 (en) Methods of etching silicon-containing films on silicon substrates
Brahiti et al. Enhanced photocatalytic degradation of methylene blue by metal-modified silicon nanowires
Gonchar et al. Structural and optical properties of silicon nanowire arrays fabricated by metal assisted chemical etching with ammonium fluoride
Wang et al. Electrochemically controlled fabrication of lightly doped porous Si nanowire arrays with excellent antireflective and self-cleaning properties
Bachtouli et al. Formation mechanism of porous silicon nanowires in HF/AgNO3 solution
Amri et al. Effect of porous layer engineered with acid vapor etching on optical properties of solid silicon nanowire arrays
CN105967139A (en) Method for etching holes on silicon substrate, silicon substrate with holes and semiconductor device
Karbassian et al. Formation of luminescent silicon nanowires and porous silicon by metal-assisted electroless etching
Lin et al. Combined metal-assisted chemical etching and anisotropic wet etching for anti-reflection inverted pyramidal cavities on dendrite-like textured substrates
Megouda et al. Lithographically patterned silicon nanostructures on silicon substrates
Ghosh et al. Label-free glucose detection over a wide dynamic range by mesoporous Si nanowires based on anomalous photoluminescence enhancement
Cao et al. Effect of AgNO3 concentration on structure of aligned silicon nanowire arrays fabricated via silver–assisted chemical etching
Megouda et al. Formation of aligned silicon nanowire on silicon by electroless etching in HF solution
Douani et al. Formation of aligned silicon-nanowire on silicon in aqueous HF/(AgNO3+ Na2S2O8) solution
CN114012103B (en) Method for preparing silver nanoparticles with controllable size on silicon surface
RU2013129971A (en) METHOD FOR PRODUCING SILICON SENSITIVE ELEMENT FOR LUMINESCENT OXYGEN NANOSENSOR