RU2608302C1 - Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method - Google Patents
Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2608302C1 RU2608302C1 RU2015145430A RU2015145430A RU2608302C1 RU 2608302 C1 RU2608302 C1 RU 2608302C1 RU 2015145430 A RU2015145430 A RU 2015145430A RU 2015145430 A RU2015145430 A RU 2015145430A RU 2608302 C1 RU2608302 C1 RU 2608302C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- horizontal
- junction
- junctions
- anode
- cathode
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005282 brightening Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N Cobalt-60 Chemical compound [60Co] GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
Description
Настоящее изобретение относится к области фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) применяемых в качестве приемников оптических излучений и солнечных батарей космического назначения.The present invention relates to the field of photoelectric converters (PECs) used as receivers of optical radiation and solar cells for space purposes.
Известны «традиционная» однопереходная (ОП) конструкция ФЭП с перпендикулярно расположенным к направлению потока светового излучения светопринимающей поверхности p+-n--n+ (p+-p--n+) перехода - горизонтальной диодной ячейки (ДЯ), на поверхности которого расположено светопросветляющее покрытие (фиг. 1а, б). Такие ФЭП имеют невысокий коэффициент полезного действия (КПД), около 14%, и не позволяют получить высокое значение выходного напряжения более 0,6 B, что ограничивает область их применения в солнечных батареях с концентраторами излучения [1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. 1972 г.].The "traditional" single-junction (OP) PEC design with perpendicular to the direction of the light radiation flux of the light receiving surface p + -n - -n + (p + -p - -n + ) junction is known - a horizontal diode cell (DJ), on the surface of which a light-brightening coating is located (Fig. 1a, b). Such solar cells have a low efficiency (efficiency), about 14%, and do not allow to obtain a high value of the output voltage of more than 0.6 V, which limits the scope of their application in solar cells with radiation concentrators [1. Zi S. Physics of semiconductor devices. 1972].
Известна конструкция (фиг. 2) многопереходного (МП) кремниевого монокристаллического ФЭП, содержащая диодные ячейки (ДЯ) с размещенными на их светопринимающей поверхности светопросветляющего покрытия и с расположенными в них одиночными p+-n--n+ (p+-p--n+) переходами, в направлении, перпендикулярном светопринимающей поверхности, соединенными в единую конструкцию металлическими анодными и катодными электродами [2. Патент РФ №2127472, опубл. 03.10.1999; 3. Е.Г. Тук и др. Характеристики кремниевого многопереходного солнечного элемента с вертикальными p-n-переходами. Ж-л. Физика и техника полупроводников. 1997 г. Т. 31, №7, с. 855-858].A known design (Fig. 2) of a multi-junction (MF) silicon single-crystal photomultiplier tube containing diode cells (DJ) with a light-brightening coating placed on their light-receiving surface and with single p + -n - -n + (p + -p - -) located therein n + ) transitions, in the direction perpendicular to the light-receiving surface, connected into a single structure by metal anode and cathode electrodes [2. RF patent №2127472, publ. 10/03/1999; 3. E.G. Tuk et al. Characteristics of a silicon multi-junction solar cell with vertical pn junctions. Fr. Physics and technology of semiconductors. 1997 T. 31, No. 7, p. 855-858].
Такой ФЭП обладают невысоким КПД, (менее 12%), поскольку имеет относительно небольшой объем области пространственного заряда (ОПЗ) p-n-перехода, примыкающего к фоточувствительной поверхности ФЭП.Such PECs have a low efficiency (less than 12%), since they have a relatively small volume of the space charge region (SCR) of the pn junction adjacent to the photosensitive surface of the PEC.
Известна, взятая за прототип (фиг. 3), конструкция МП кремниевого монокристаллического ФЭП, содержащая диодные ячейки с расположенными в них, перпендикулярно горизонтальной (перпендикулярно к направлению света) светопринимающей поверхности, вертикальных p+-p--p+ (p+-n--n+) переходов и расположенными в солнечных элементах параллельно к светопринимающей поверхности горизонтальных n-p- (p+-n-) переходов, все переходы соединены в единую конструкцию (электрическую схему) металлическими катодными и анодными электродами, расположенными соответственно на боковых поверхностях областей - n+ (p+) типа перпендикулярных одиночных n+-p--p+ (p+-n--n+) переходов [4. Мурашев В.Н и др. «Полупроводниковый фотопреобразователь и способ его изготовления», Патент РФ №2377695 от 27.12.2009].Known, taken as a prototype (Fig. 3), the design of an MF silicon single-crystal photomultiplier, containing diode cells with located in them, perpendicular to the horizontal (perpendicular to the direction of light) of the light-receiving surface, vertical p + -p - -p + (p + -n - -n +) junctions and solar cells arranged in parallel to the light-receiving surface of the horizontal n - p - (p + -n -) transitions, all transitions are joined into a unitary structure (diagram) metal cathode and anode electrodes disposed respectively governmental domains on the lateral surfaces - n + (p +) type perpendicular single n + -p - -p + (p + -n - -n +) junctions [4. Murashev V.N. et al. “Semiconductor photoconverter and method for its manufacture”, RF Patent No. 2377695 dated 12/27/2009].
Способ ее изготовления, включающийA method for its manufacture, including
- формирование на поверхности пластин из монокристаллического кремния вертикальных одиночных p+-n--n+ (p+-p--n+) переходов, металлизацию поверхности пластин, сборки пластин в столбик с прокладками из алюминиевой фольги, сплавления в вакуумной печи, резанья столбика на структуры, формирование горизонтальных p+-n+ переходов, присоединения токовыводящих контактов и нанесение диэлектрического светопросветляющего покрытия.- the formation of vertical single p + -n - -n + (p + -p - -n + ) junctions on the surface of single-crystal silicon wafers, metallization of the wafer surface, assembly of wafers into a column with gaskets made of aluminum foil, alloying in a vacuum furnace, cutting a column on the structures, the formation of horizontal p + -n + junctions, the connection of current-carrying contacts and the application of a dielectric light-brightening coating.
Недостатками конструкции прототипа также является низкая радиационная стойкость, ограничение величины КПД фотопреобразователя, связанные с превышением планарных размеров ячеек диффузионной длины неосновных носителей заряда, а также технологическая проблемы, связанные с «ручной» сборкой стопки пластин, ее механической резки и шлифовки поверхности.The disadvantages of the prototype design are also low radiation resistance, a limitation of the efficiency of the photoconverter associated with exceeding the planar cell sizes of the diffusion length of minority charge carriers, as well as technological problems associated with the “manual” assembly of a stack of plates, its mechanical cutting and grinding of the surface.
Целями изобретения является повышение радиационной стойкости и КПД фотопреобразователя и упрощение технологии его изготовления.The objectives of the invention is to increase the radiation resistance and efficiency of the photoconverter and simplify the technology of its manufacture.
Первая и вторая цели достигаются путем создания «монолитной» конструкции ФП, в которой каждая диодная ячейка (и их вертикальные p-n-переходы) изолирована от соседних сбоку - слоем диэлектрика, снизу - дополнительным горизонтальным p-n-переходом, образованным подложкой p- (n-) типа проводимости и нижним горизонтальным n+ (p+) слоем p-n-перехода, на горизонтальной верхней поверхности ячейки расположен верхний горизонтальный p-n-переход, на n+ (p+) слое которого расположен электрод катода (анода), а на p+ (n+) слое - электрод анода (катода), электроды анодов и катодов соседних ячеек последовательно соединены между собой.The first and second goals are achieved by creating a “monolithic” FP design in which each diode cell (and their vertical pn junctions) is isolated from the neighboring ones from the side by a dielectric layer, and from below by an additional horizontal pn junction formed by the p - (n - ) substrate of the conductivity type and the lower horizontal n + (p + ) pn junction layer, the upper horizontal pn junction is located on the horizontal upper surface of the cell, the cathode (anode) electrode is located on the n + (p + ) layer, and p + (n + ) layer - anode (cathode) electrode, anode electrodes in and cathodes of adjacent cells are connected in series.
При этом планарные размеры диодных ячеек много меньше диффузионной длины неосновных носителей тока, а вертикальные превышают величину глубины поглощения оптического спектра излучения (40 мкм).In this case, the planar dimensions of the diode cells are much smaller than the diffusion length of minority current carriers, and the vertical ones exceed the absorption depth of the optical radiation spectrum (40 μm).
Третья цель достигается путем применения технологии ФЭП, исключающей механическую сборку и резку кремниевых пластин, состоящей в формировании на поверхности подложки p- (n-) типа слоя n+ (p+) типа нижнего горизонтального p-n-перехода, наращивания эпитаксиального слоя и формирования путем проведения первой и второй фотолитографий на его поверхности n+ (p+) слоев верхнего горизонтального p-n-перехода, формирования рельефа путем проведения третьей фотолитографии и травления щелей в кремнии на глубину, превышающую глубину залегания нижнего горизонтального p-n-перехода, формирования вертикальных p-n-переходов путем проведения диффузии донорной (акцепторной) примеси в поверхность щелей, термического окисления поверхности щелей, осаждения на поверхность пластины диэлектрического светопросветляющего покрытия, формирования четвертой фотолитографией контактных окон, осаждения металла и формирования пятой фотолитографией последовательно соединенных между собой электродов анода и катода ячеек фотопреобразователя.The third goal is achieved through the use of photomultiplier technology, which excludes the mechanical assembly and cutting of silicon wafers, which consists in the formation of a p - (n - ) layer type n + (p + ) layer type on the substrate surface, such as the lower horizontal pn junction, epitaxial layer growth and formation by a first and a second photolithography on the surface of n + (p +) layers of the upper horizontal pn-junction, patterning through photolithography and etching of the third slits in silicon at a depth greater than the depth of the lower hot the pn junction, the formation of vertical pn junctions by diffusion of the donor (acceptor) impurity into the surface of the gaps, thermal oxidation of the surface of the gaps, deposition of a dielectric light-coating coating on the surface of the plate, formation of contact windows by fourth photolithography, metal deposition and the formation of fifth photolithography connected in series between electrodes of the anode and cathode of the cells of the photoconverter.
Конструкция и топология (вид сверху) монолитного кремниевого фотоэлектрического преобразователя показаны соответственно на фиг. 4,.б, который согласно изобретению содержит полупроводниковую подложку 1 p (n) типа, на поверхности которой расположены диодные ячейки 2, на верхней поверхности каждой диодной ячейки расположено светопросветляющее покрытие 3, оно расположено на поверхности верхнего горизонтального p-n-перехода, на области n (p+) 5 которого расположен электрод катода (анода) 6, а на области p+ (n+) которого расположен электрод анода (катода) 7, электроды катодов 6 и анодов 7 соседних ячеек последовательно соединены металлическими проводниками 8, на нижней поверхности диодных ячеек расположена n+ (p+) область нижнего горизонтального p-n-перехода 9, образующая p-n-переход с подложкой 1 p (n) типа проводимости и слаболегированной областью p- (n-) 10, расположенной в объеме диодной ячейки, при этом область 10 образует с четырьмя областями n+ (p+) типа 11, расположенными на ее боковых поверхностях, вертикальные p-n-переходы, диодные ячейки ФЭП изолированы друг от друга с четырех боковых сторон слоем диэлектрика 12.The design and topology (top view) of a monolithic silicon photovoltaic converter are shown respectively in FIG. 4b, which according to the invention contains a semiconductor substrate 1 p (n) type, on the surface of which
Технология изготовления. (Пример реализации) ФЭП, согласно изобретению, может быть изготовлен по относительно простой технологии, показанной на фиг. 5а, б, в, г, которая состоит в следующем:Manufacturing technology. (Implementation Example) The photomultiplier according to the invention can be manufactured using the relatively simple technology shown in FIG. 5a, b, c, d, which consists in the following:
а) в пластинах p--типа КДБ 1 Ом⋅см проводят диффузию сурьмы при температуре T=1100°C в течение времени t=1 час, затем выращивают эпитаксиальный слой p-типа толщиной 20-40 мкм;a) antimony is diffused at a temperature of T = 1100 ° C for t = 1 hour in p -
б) формируют путем проведения первой фотолитографии и ионного легирования фосфора дозой Д=500 мкКл n+-область верхнего горизонтального p-n-перехода, затем проводят вторую фотолитографию формируют ионным легированием дозой Д=500 мкКл p+-верхнего горизонтального p-n-перехода, удаляют фоторезист и проводят термический отжиг радиационных дефектов при температуре Т=950°C в течение времени t=40 минут;b) the n + region of the upper horizontal pn junction is formed by first photolithography and ion doping of phosphorus with a dose of D = 500 μC, the second photolithography is formed by ion doping with a dose of D = 500 μC p + of the upper horizontal pn junction, the photoresist is removed, and conduct thermal annealing of radiation defects at a temperature of T = 950 ° C for a time t = 40 minutes;
в) формируют рельеф поверхности на глубину превышающую глубину залегания нижнего горизонтального p-n-перехода - путем проведения третьей фотолитографии и плазмохимического травления щелей (решетки) в эпитаксиальном слое и кремнии. Затем формируют вертикальные p-n-переходы путем проведения диффузии фосфора T=850°C в течение t=30 минут в поверхность щелей. Проводят термическое окисление поверхности щелей, при температуре T=850°C в течение 20 минут в атмосфере сухого кислорода - O2), осаждают на поверхность пластины диэлектрическое светопросветляющее покрытие и формируют четвертой фотолитографией контактные окна, осаждают алюминий и формируют пятой фотолитографией последовательное соединение между собой электродов анода и катода диодных ячеек фотопреобразователя.c) form a surface relief to a depth exceeding the depth of the lower horizontal pn junction — by means of a third photolithography and plasma-chemical etching of the gaps (lattice) in the epitaxial layer and silicon. Then, vertical pn junctions are formed by diffusing phosphorus T = 850 ° C for t = 30 minutes into the surface of the slits. Thermal oxidation of the surface of the slits is carried out, at a temperature of T = 850 ° C for 20 minutes in an atmosphere of dry oxygen (O 2 ), a dielectric light-coating is deposited on the surface of the plate and contact windows are formed by fourth photolithography, aluminum is deposited and fifth series lithography is formed by the fifth photolithography electrodes of the anode and cathode of the diode cells of the photoconverter.
Следует отметить, что с целью дальнейшего упрощения технологии области n+-типа вертикальных p-n-переходов могут быть инверсионными слоями образованными положительным зарядом в оксиде щелей в результате облучения фотопреобразователя, например потоком ионизирующей радиации от изотопа кобальт-60 дозой свыше 1,0 Мрад.It should be noted that, in order to further simplify the technology, the regions of the n + type of vertical pn junctions can be inversion layers formed by a positive charge in the gap oxide as a result of irradiation of the photoconverter, for example, a stream of ionizing radiation from a cobalt-60 isotope with a dose of more than 1.0 Mrad.
Электрическая эквивалентная схема предлагаемого ФЭП. показанная на рис. 6 отличается от известных наличием, изолирующих диодов - Dиз.The electrical equivalent circuit of the proposed solar cells. shown in fig. 6 differs from the known ones by the presence of isolating diodes - D from .
Здесь обозначены:Indicated here:
- Dяч – диоды, образованные p-n-переходами диодных ячеек;- D cells — diodes formed by pn junctions of diode cells;
- Dиз – диоды, образованные изолирующими p-n-переходами нижний n+ (p+) горизонтальный слой -p+ (n+) подложка- D of - diodes formed by insulating pn junctions lower n + (p + ) horizontal layer -p + (n + ) substrate
Технические преимущества изобретения.Technical advantages of the invention.
Как видно из фиг. 3, 4 и 5, ширина диодной ячейки (ее один из размеров по горизонтали, равный расстоянию между щелями) может быть весьма малой, т.е. 10 мкм и менее, что существенно меньше диффузионной длины неосновных носителей тока. Это позволяет собирать практически все носители заряда, генерируемые в дали (середине) p-области. Данное обстоятельство соответственно приводит к большему КПД ФЭП, его малой чувствительности к радиации уменьшающей время жизни и диффузионной длины неосновных носителей заряда. Вторым фактором является высокое качество поверхности на границе раздела кремний проводник по сравнению в предлагаемой конструкции качеством поверхности границы раздела кремний-металл в прототипе, приводящее к увеличению рекомбинации носителей тока и соответственно КПД ФЭП.As can be seen from FIG. 3, 4 and 5, the width of the diode cell (its one of the horizontal dimensions equal to the distance between the slits) can be very small, i.e. 10 μm or less, which is significantly less than the diffusion length of minority current carriers. This allows you to collect almost all charge carriers generated in the distance (middle) of the p-region. This circumstance, respectively, leads to a higher efficiency of the photomultiplier, its low sensitivity to radiation, which reduces the lifetime and diffusion length of minority charge carriers. The second factor is the high quality of the surface at the silicon conductor interface compared to the quality of the silicon-metal interface in the prototype, which leads to an increase in the recombination of current carriers and, accordingly, the photomultiplier efficiency.
Преимущества по технологии изготовления заключаются в отсутствии необходимости механической резки пластин, сборки и сплавления их в стопку, а затем механической полировки их поверхности.The advantages in manufacturing technology are that there is no need for mechanical cutting of the plates, assembly and fusion of them into a stack, and then mechanical polishing of their surface.
Несмотря на несколько более высокую стоимость, по сравнению с традиционными планарными батареями, монолитные ФЭП вполне конкурентоспособны и перспективны, учитывая их высокий КПД, высокую радиационную стойкость и соответственно возможность их работы с концентраторами излучения.Despite a slightly higher cost, compared to traditional planar batteries, monolithic solar cells are quite competitive and promising, given their high efficiency, high radiation resistance and, accordingly, the possibility of their work with radiation concentrators.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015145430A RU2608302C1 (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015145430A RU2608302C1 (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2608302C1 true RU2608302C1 (en) | 2017-01-17 |
Family
ID=58455900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015145430A RU2608302C1 (en) | 2015-10-22 | 2015-10-22 | Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2608302C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117080284A (en) * | 2023-08-17 | 2023-11-17 | 中山大学 | Divided triple-well type on-chip solar cell and division optimization method thereof |
| RU223705U1 (en) * | 2023-08-04 | 2024-02-29 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | SILICON STRUCTURE WITH DIELECTRIC INSULATION |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2127472C1 (en) * | 1996-03-28 | 1999-03-10 | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Method for production of semiconductor photodetector |
| RU2377695C1 (en) * | 2008-07-28 | 2009-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Semiconductor photoconverter and method of making said converter |
| US20100037943A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Sater Bernard L | Vertical multijunction cell with textured surface |
| RU2453013C1 (en) * | 2011-01-19 | 2012-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Photoconverter |
| RU2502156C1 (en) * | 2012-07-20 | 2013-12-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Comb type silicon photoelectric converter and method for production thereof |
-
2015
- 2015-10-22 RU RU2015145430A patent/RU2608302C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2127472C1 (en) * | 1996-03-28 | 1999-03-10 | Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства | Method for production of semiconductor photodetector |
| RU2377695C1 (en) * | 2008-07-28 | 2009-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Semiconductor photoconverter and method of making said converter |
| US20100037943A1 (en) * | 2008-08-14 | 2010-02-18 | Sater Bernard L | Vertical multijunction cell with textured surface |
| RU2453013C1 (en) * | 2011-01-19 | 2012-06-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский Электротехнический институт им. В.И. Ленина" (ФГУП ВЭИ) | Photoconverter |
| RU2502156C1 (en) * | 2012-07-20 | 2013-12-20 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Comb type silicon photoelectric converter and method for production thereof |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU223705U1 (en) * | 2023-08-04 | 2024-02-29 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | SILICON STRUCTURE WITH DIELECTRIC INSULATION |
| CN117080284A (en) * | 2023-08-17 | 2023-11-17 | 中山大学 | Divided triple-well type on-chip solar cell and division optimization method thereof |
| RU2815653C1 (en) * | 2023-11-13 | 2024-03-19 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) | Method of forming solar battery cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4110122A (en) | High-intensity, solid-state-solar cell device | |
| KR101613843B1 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| US4330680A (en) | Integrated series-connected solar cell | |
| US4283589A (en) | High-intensity, solid-state solar cell | |
| US3433677A (en) | Flexible sheet thin-film photovoltaic generator | |
| KR20140027047A (en) | Photovoltaic device and module with improved passivation and a method of manufacturing | |
| JP2009164544A (en) | Passivation layer structure of solar cell, and fabricating method thereof | |
| KR20160084261A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| RU2539109C1 (en) | Multijunction silicone monocrystalline converter of optic and radiation emissions | |
| KR20140126819A (en) | Solar cell | |
| KR102148427B1 (en) | Photoelectric device and the manufacturing method thereof | |
| JP5667280B2 (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| JP7168800B1 (en) | Solar cells and photovoltaic modules | |
| KR102547804B1 (en) | Bifacial silicon solar cell and method for manufacturing the same | |
| RU2377695C1 (en) | Semiconductor photoconverter and method of making said converter | |
| EA013788B1 (en) | Photoconverter | |
| RU2608302C1 (en) | Design of monolithic silicon photoelectric converter and its manufacturing method | |
| US8697986B2 (en) | Photovoltaic device with double-junction | |
| RU2502156C1 (en) | Comb type silicon photoelectric converter and method for production thereof | |
| KR20120129013A (en) | Back contact solar cell and method for fabricating the same | |
| KR20120004174A (en) | Back contact type solar cell and method of fabricating the same | |
| KR101198438B1 (en) | Bifacial Photovoltaic Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof | |
| KR101198430B1 (en) | Bifacial Photovoltaic Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof | |
| KR20140140200A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR101181625B1 (en) | Localized Emitter Solar Cell and Method for Manufacturing Thereof |