RU2592629C1 - Способ получения кремния - Google Patents

Способ получения кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2592629C1
RU2592629C1 RU2015130689/05A RU2015130689A RU2592629C1 RU 2592629 C1 RU2592629 C1 RU 2592629C1 RU 2015130689/05 A RU2015130689/05 A RU 2015130689/05A RU 2015130689 A RU2015130689 A RU 2015130689A RU 2592629 C1 RU2592629 C1 RU 2592629C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
irradiation
decomposition
processing
production
Prior art date
Application number
RU2015130689/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Павлович Чесноков
Ольга Валерьевна Наумова
Денис Игоревич Францкевич
Вероника Алексеевна Чернова
Артур Васильевич Бигулов
Original Assignee
Борис Павлович Чесноков
Ольга Валерьевна Наумова
Денис Игоревич Францкевич
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Борис Павлович Чесноков, Ольга Валерьевна Наумова, Денис Игоревич Францкевич filed Critical Борис Павлович Чесноков
Priority to RU2015130689/05A priority Critical patent/RU2592629C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2592629C1 publication Critical patent/RU2592629C1/ru

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород при получении полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для изготовления солнечных коллекторов и элементов электронной техники. Способ включает разрушение и переработку кремнистой породы до получения порошкообразного кремнезема, его облучение, очистку и восстановление до кремния, при этом после облучения порошкообразный кремнезем подвергают прокалке при 950-1000°C в защитной или восстановительной среде. Изобретение позволяет увеличить глубину разложения рудных компонентов, воздействуя на кинетику разложения сырьевого материала на ранней стадии получения кремния, снизить концентрацию примесей и энергетические затраты при помоле. 4 табл., 4 пр.

Description

Изобретение относится к металлургической промышленности, в частности к переработке кремнистых пород при получении полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для изготовления солнечных коллекторов и элементов электронной техники.
Известен способ получения кремния, включающий разрушение кремнистых пород на куски, измельчение, обогащение, восстановление кремнезема в электрической печи, химико-металлургическую очистку и получение слитков (Брук В.А., Гаршенин В.В., Курносов А.И. Производство полупроводниковых приборов. Учебник для индивидуального бригадного обучения рабочих на производстве. Изд. 2-е перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1968, с. 49-52).
Недостатком известного способа является то, что при разложении сырьевых компонентов остается повышенное содержание примесей, которые приводят к структурным неоднородностям в слитке и, следовательно, невозможности получения кремния высокой чистоты.
Известен способ получения монокристаллов кремния путем облучения с последующей зонной плавкой в вакууме (SU 793412, МПК С30В 13/06, 30.12.1980).
Недостатком данного способа является то, что облучение кремния проводят тепловыми нейтронами в процессе выращивания монокристаллов, т.е. на позднем этапе формирования структуры твердого тела, что не позволяет получать кремний высокого кристаллографического совершенства.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является способ получения кремния, включающий разрушение и переработку кремнистой породы до порошкообразного состояния, очистку, облучение гамма квантами или нейтронами и восстановление кремнезема в электрической дуге до получения кремния, химико-металлургическую очистку и измельчение в порошок (RU 2441838, МПК С01В 33/02, C30B 29/06, C30B 30/00, 10.02.2012).
Недостатком прототипа является невозможность обеспечения необходимой глубины разложения и соответственно получения кремния высокой чистоты.
Технический результат сводится к увеличению глубины разложения сырьевых компонентов при помоле, снижению концентрации примесей и энергетических затрат. Это достигается тем, что в способе получения кремния, включающем разрушение и переработку кремнистой породы до порошкообразного состояния, облучение гамма квантами, очистку, согласно изобретению в технологический процесс вводят операцию прокалки с последующим восстановлением до кремния.
Предлагаемый способ позволит увеличить глубину разложения рудных компонентов, воздействуя на кинетику разложения сырьевого материала на ранней стадии получения кремния, снизить концентрацию примесей и энергетические затраты при помоле.
Механизм разрушения твердого тела под действием облучения непосредственно связан с физическими особенностями структуры на атомно-молекулярном уровне. В порошкообразном концентрате облучение способствует созданию дополнительных активных центров, приводящих к ослаблению связи между зернами, а нагрев стимулирует подвижность дефектов, приводящих к разрыву внутримолекулярных связей, образуя зародышевые трещины. По таким микротрещинам разрушение происходит с меньшими затратами энергии при дальнейшем измельчении, обеспечивая выравнивание структуры. Кроме того, измельченное сырье характеризуется высокой открытой пористостью, а выход примесей на поверхность порошковых компонентов облегчает процесс очистки.
Способ получения кремния осуществляют следующим образом.
Кремнистую породу разрушают и перерабатывают до получения порошкообразного кремнезема, подвергают облучению, прокалке. Причем прокалку осуществляют в аргоне или вакууме при 950-1000°С. Затем восстанавливают расплавлением в электропечи до кремния. Полученный после восстановления кремний подвергают химико-металлургической очистке с последующим выращиванием монокристаллов.
Достижение технического результата подтверждается экспериментальными данными, полученными при осуществлении данного способа.
Пример 1. Кремнистую породу разрушают и перерабатывают до получения порошкообразного кремнезема, подвергают облучению, а затем прокалке при 950°С в вакууме, восстанавливают расплавлением в электрической печи и подвергают химико-металлургической очистке с последующим выращиванием монокристаллов (табл. 1).
Figure 00000001
Пример 2. Кремнистую породу разрушают и перерабатывают до получения порошкообразного кремнезема, подвергают облучению гамма-квантами, а затем прокалке при 950°С в вакууме, восстанавливают расплавлением в электрической печи и подвергают химико-металлургической очистке с последующим выращиванием монокристаллов, (табл. 2).
Figure 00000002
Пример 3. Кремнистую породу разрушают и перерабатывают до получения порошкообразного кремнезема, подвергают облучению гамма-квантами, а затем прокалке при 1000°С в аргоне, восстанавливают расплавлением в электрической печи и подвергают химико-металлургической очистке с последующим выращиванием монокристаллов (табл. 3).
Figure 00000003
Пример 4. Кремнистую породу разрушают и перерабатывают до получения порошкообразного кремнезема, подвергают облучению гамма-квантами, а затем прокалке при 1000°С в аргоне, восстанавливают расплавлением в электрической печи и подвергают химико-металлургической очистке с последующим выращиванием монокристаллов.
Прокалка облученного сырья в защитной среде для снятия внутренних напряжений и последующего провоцирования зарождения и раскрепощения примесных включений приводит к существенному изменению зернистости, а последующая обработка в 20% HCl обеспечивает дополнительную очистку от примесей (табл. 4).
Figure 00000004
Использование предлагаемого способа по сравнению с прототипом позволит снизить энергетические затраты при помоле, увеличить глубину разложения рудных компонентов и уменьшить концентрацию примесей.

Claims (1)

  1. Способ получения кремния, включающий разрушение и переработку кремнистой породы до получения порошкообразного кремнезема, его облучение, очистку и восстановление до кремния, отличающийся тем, что после облучения порошкообразный кремнезем подвергают прокалке при температурах 950-1000°C в защитной или восстановительной среде.
RU2015130689/05A 2015-07-23 2015-07-23 Способ получения кремния RU2592629C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015130689/05A RU2592629C1 (ru) 2015-07-23 2015-07-23 Способ получения кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015130689/05A RU2592629C1 (ru) 2015-07-23 2015-07-23 Способ получения кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2592629C1 true RU2592629C1 (ru) 2016-07-27

Family

ID=56556971

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015130689/05A RU2592629C1 (ru) 2015-07-23 2015-07-23 Способ получения кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2592629C1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2055812C1 (ru) * 1988-12-08 1996-03-10 Элкем А/С Кремниевый порошок и способ его непрерывного получения
RU2441838C1 (ru) * 2010-10-15 2012-02-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационное предприятие СКГМИ (ГТУ) "Стройкомплект-Инновации" Способ получения кремния
RU128874U1 (ru) * 2012-12-13 2013-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Технологический комплекс для получения монокристаллического кремния

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2055812C1 (ru) * 1988-12-08 1996-03-10 Элкем А/С Кремниевый порошок и способ его непрерывного получения
RU2441838C1 (ru) * 2010-10-15 2012-02-10 Общество с ограниченной ответственностью Научно-инновационное предприятие СКГМИ (ГТУ) "Стройкомплект-Инновации" Способ получения кремния
RU128874U1 (ru) * 2012-12-13 2013-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" Технологический комплекс для получения монокристаллического кремния

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104386719B (zh) 一种α-氧化铝的制备方法
WO2009126922A3 (en) Methods and apparatus for recovery of silicon and silicon carbide from spent wafer-sawing slurry
CN103332694A (zh) 石英坩埚用原料砂的制备方法
CN103643295A (zh) 一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法
WO2020199232A1 (zh) 低品位菱镁矿煅烧脱钙除硅制备高纯轻烧氧化镁的方法
JP2018016498A (ja) 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法
RU2592629C1 (ru) Способ получения кремния
SG11201900068PA (en) Single crystal silicon plate-shaped body and production method therefor
MY166519A (en) Method for producing high purity silicon
Li et al. Influences of Na2CO3 roasting and H3PO4 hot-pressure leaching on the purification of vein quartz to achieve high-purity quartz
US1679857A (en) Recovery of precious minerals
RU2441838C1 (ru) Способ получения кремния
KR20120074355A (ko) 페로니켈 슬래그로부터 마그네슘을 침출하는 방법
JP2014125407A (ja) 高純度の炭化ケイ素の製造方法
Long et al. Desiliconisation of alkaline leaching solution of roasted stone coal with carbonation method
CN106365161B (zh) 金刚石提纯方法及其应用
MY187928A (en) Process for producing silicon single crystal
CN107459024B (zh) 铝质岩中制备超微细粒磷酸二氢铝粉体的方法
RU2588627C1 (ru) Способ рафинирования металлургического кремния
Syvertsen et al. Remelting and purification of Si-kerf for PV-wafers
CN110963498A (zh) 一种迭代水热法提纯石英砂的工艺及高纯石英砂
Zhaboedov et al. Quartz concentrates from quartzites of the Eastern Sayan
SU631209A1 (ru) Способ измельчени минералов
CN111252769A (zh) 一种太阳能多晶硅的制备方法
MX2020008001A (es) Un metodo para el procesamiento y tratamiento de minerales de alunita.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180724