RU2579546C1 - Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials - Google Patents
Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials Download PDFInfo
- Publication number
- RU2579546C1 RU2579546C1 RU2014154429/28A RU2014154429A RU2579546C1 RU 2579546 C1 RU2579546 C1 RU 2579546C1 RU 2014154429/28 A RU2014154429/28 A RU 2014154429/28A RU 2014154429 A RU2014154429 A RU 2014154429A RU 2579546 C1 RU2579546 C1 RU 2579546C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sample
- defects
- dielectric barrier
- discharge
- solid materials
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области контроля качества высококлассных поверхностей, прозрачных и непрозрачных материалов, включая оптические, монокристаллические и металлические поверхности с целью обнаружения на их поверхности дефектов и сколов.The invention relates to the field of quality control of high-class surfaces, transparent and opaque materials, including optical, single-crystal and metal surfaces in order to detect defects and chips on their surface.
Известен способ дефектоскопии поверхностей [Патент №2069353 РФ, МПК G01N 21/88. Способ дефектоскопии поверхностей / Сапрыкина Н.Н., Сыромятникова Т.Α.; заявитель и патентообладатель Институт проблем машиноведения РАН. - №92015997/25; заявл. 28.12.1992; опубл. 20.11.1996 - 4 с.], в котором исследуемую поверхность активируют в высокочастотной плазме дугового разряда по бескатодному способу в атмосфере аргона при режимах, не допускающих распыления материала исследуемой поверхности. Сразу после активации на поверхность наносят слой жидкого кристалла толщиной 1 мкм, защищенный покровным стеклом, и формируют в слое планарную текстуру. При наблюдении исследуемой поверхности в поляризованном проходящем свете или в отраженном свете визуализируются невидимые при обычных оптических наблюдениях дефекты механической обработки, а также дефекты полиблочности.A known method of flaw detection of surfaces [Patent No. 2069353 of the Russian Federation, IPC G01N 21/88. The method of surface inspection / Saprykina NN, Syromyatnikova T.Α .; Applicant and patent holder Institute for Problems of Engineering Science of the Russian Academy of Sciences. - No. 92015997/25; declared 12/28/1992; publ. November 20, 1996 - 4 pp.], In which the test surface is activated in a high-frequency arc discharge plasma by the cathode-free method in an argon atmosphere under conditions that prevent the material from being sprayed on the test surface. Immediately after activation, a layer of a liquid crystal 1 μm thick, protected by a coverslip, is applied to the surface and a planar texture is formed in the layer. When observing the test surface in polarized transmitted light or in reflected light, defects in machining, as well as defects in multiblockness, are invisible during ordinary optical observations.
Недостатком способа является низкая надежность обнаружения дефектов ввиду необходимости формирования планарной текстуры в слое жидкого кристалла с обязательной активацией поверхности перед его нанесением, что является необходимым условием обеспечения хорошей смачиваемости поверхности образца жидким кристаллом, причем эффект от активации уменьшается со временем, что снижает надежность обнаружения дефектов.The disadvantage of this method is the low reliability of detection of defects due to the need to form a planar texture in the layer of liquid crystal with the obligatory activation of the surface before its application, which is a necessary condition for ensuring good wettability of the sample surface with liquid crystal, and the effect of activation decreases with time, which reduces the reliability of detection of defects.
Известен также способ электромагнитно-акустического неразрушающего контроля изделий [Патент №2049328 РФ, МПК G01N 29/04. Способ электромагнитно-акустического неразрушающего контроля изделий / Лещенко А.С., Торопчин О.П., Косьмирова Н.В.; заявитель и патентообладатель Лещенко А.С., Торопчин О.П., Косьмирова Н.В. - №4954549/28; заявл. 05.05.1991; опубл. 27.11.1995], в котором одновременно с контролем образцов осуществляют воздействие на изделие методами плазменной технологии и металлургии. При контроле качества монокристалла в процессе его получения и контроля зону контроля и подогрева перемещают по изделию в направлении от заготовки монокристалла со скоростью роста монокристалла. Нагретая до температуры расплава и перемещаемая зона контроля изделия активно взаимодействует с плазмой и электромагнитными полями, пропускаемыми через нее в процессе контроля. Контролирующие устройства работают как ловушки и плазменные фильтры.There is also known a method of electromagnetic acoustic non-destructive testing of products [Patent No. 2049328 of the Russian Federation, IPC G01N 29/04. Method of electromagnetic-acoustic non-destructive testing of products / Leshchenko A.S., Toropchin O.P., Kosmirova N.V .; applicant and patent holder A. Leshchenko, O. Toropchin, N.V. Kosmirova - No. 4954549/28; declared 05/05/1991; publ. November 27, 1995], in which, simultaneously with the control of the samples, they effect the product by the methods of plasma technology and metallurgy. When controlling the quality of a single crystal in the process of its production and control, the control and heating zone is moved along the product in the direction from the single crystal blank with a single crystal growth rate. Heated to the temperature of the melt and the movable control zone of the product actively interacts with the plasma and electromagnetic fields passed through it during the control process. Monitoring devices work like traps and plasma filters.
Недостатком способа являются его высокие затраты, так как одновременно с контролем образцов осуществляют воздействие на изделие методами сразу двух технологий - плазменной технологии и металлургии, кроме того изделие в зоне контроля подогревают до температуры расплава, что связано с дополнительными затратами на электроэнергию.The disadvantage of this method is its high costs, since at the same time as the control of the samples, the product is impacted by the methods of two technologies at once - plasma technology and metallurgy, in addition, the product in the control zone is heated to the melt temperature, which is associated with additional energy costs.
Известен способ, в котором плазменная обработка применяется с целью удаления вспомогательных или функциональных слоев [Патент №2474918 C1 РФ, МПК H01L 21/66, G01R 31/26. Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексов / Акимов В.М., Васильева Л.А., Климанов Е.А., Лисейкин В.П., Микертумянц А.Р.; заявитель и патентообладатель ФГУП «НПО «Орион». - №2011134395/28; заявл. 16.08.2011; опубл. 10.02.2013, Бюл. №4 - 4 с.: 5 ил.], в котором для обнаружения скрытых электрических дефектов на одной из стадий обработки проводят плазмохимическое снятие фоторезиста в плазме кислорода.A known method in which plasma processing is used to remove auxiliary or functional layers [Patent No. 2474918 C1 of the Russian Federation, IPC H01L 21/66, G01R 31/26. A method for detecting hidden electrical defects of matrix or linear silicon MOS multiplexes / Akimov V.M., Vasilieva L.A., Klimanov E.A., Liseikin V.P., Mikertumyants A.R .; applicant and patent holder of FSUE NPO Orion. - No. 20111134395/28; declared 08/16/2011; publ. 02/10/2013, Bull. No. 4 - 4 pp.: 5 ill.], In which to detect hidden electrical defects at one of the processing stages, plasmochemical photoresist removal in oxygen plasma is performed.
Недостатком способа является его высокая трудоемкость, связанная с необходимостью проведения целого цикла технологической обработки изделия для принятия решения о его пригодности для дальнейшего использования в качестве сырья выпускаемой продукции.The disadvantage of this method is its high complexity associated with the need to conduct a whole cycle of technological processing of a product to decide on its suitability for further use as a raw material for manufactured products.
Известен способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений [Патент №2525636 РФ, МПК H01L 21/66. Способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений / Мухачев Ю.С., Рябов Е.В., Борзенко С.Ю.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО «Иркутский государственный университет». - №2013109788/28; заявл. 05.03.2013; опубл. 20.08.2014, Бюл. №23 - 7 с.], в котором наблюдают слабое излучение, отходящее от пластин (инжекционную электролюминесценцию в двух полосах с максимумами при 520 нм и 420 нм). Люминесценцию возбуждают электрическим током, пропускаемым через алмазную пластину при приложении электрического поля.There is a method of quality control of diamond plates for the manufacture of ionizing radiation detectors [Patent No. 2525636 of the Russian Federation, IPC H01L 21/66. The method of quality control of diamond plates intended for the manufacture of ionizing radiation detectors / Mukhachev Yu.S., Ryabov E.V., Borzenko S.Yu .; Applicant and patent holder, Irkutsk State University. - No. 2013109788/28; declared 03/05/2013; publ. 08/20/2014, Bull. No. 23 - 7 pp.], In which weak radiation emanating from the plates is observed (injection electroluminescence in two bands with maxima at 520 nm and 420 nm). Luminescence is excited by an electric current passed through a diamond plate when an electric field is applied.
Недостаток этого способа заключается в его узкой направленности по отношению к разновидностям исследуемых образцов. Способ применим в основном только для контроля качества конкретных типов алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений.The disadvantage of this method is its narrow focus in relation to the varieties of the samples. The method is applicable mainly only for quality control of specific types of diamond plates intended for the manufacture of ionizing radiation detectors.
Наиболее близким к заявляемому является способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений [Патент №2525641 РФ, В07С 5/00. Способ контроля качества алмазных пластин, предназначенных для изготовления детекторов ионизирующих излучений / Мухачев Ю.С., Рябов Е.В., Борзенко С.Ю.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВПО «Иркутский государственный университет». - №2013110276/28; заявл. 07.03.2013; опубл. 20.08.2014, Бюл. №23 - 7 с.], заключающийся в регистрации полосы с максимумом при 520 нм, принятии решения по результатам регистрации свечения, нанесении на нижнюю поверхность алмазной пластины электрода, установке пластины на металлический электрод, электрически соединенный с землей. Над поверхностью алмазной пластины, свободной от электрода, зажигают коронный разряд, регистрируют свечение алмазной пластины в зеленой области спектра, по результатам пространственного распределения зеленого свечения делают вывод о пригодности алмазной пластины для изготовления алмазных детекторов. Интерпретируют характер свечения алмазных пластин при условиях инжекционной электролюминесценции, возбуждаемой коронным разрядом. Алмазную пластину признают условно годной для изготовления детекторов среднего качества при наличии зеленого свечения в виде нескольких точек, занимающих малую часть поверхности алмазной пластины.Closest to the claimed is a method for controlling the quality of diamond plates intended for the manufacture of ionizing radiation detectors [Patent No. 2525641 of the Russian Federation, V07C 5/00. The method of quality control of diamond plates intended for the manufacture of ionizing radiation detectors / Mukhachev Yu.S., Ryabov E.V., Borzenko S.Yu .; Applicant and patent holder, Irkutsk State University. - No. 20133110276/28; declared 03/07/2013; publ. 08/20/2014, Bull. No. 23 - 7 pp.], Which consists in registering a band with a maximum at 520 nm, deciding on the results of recording the glow, applying an electrode to the lower surface of the diamond plate, installing the plate on a metal electrode electrically connected to the ground. A corona discharge is ignited above the surface of the diamond plate, which is free from the electrode, the luminescence of the diamond plate is recorded in the green region of the spectrum, and the spatial distribution of the green glow leads to the conclusion that the diamond plate is suitable for the manufacture of diamond detectors. The glow pattern of diamond plates is interpreted under conditions of injection electroluminescence excited by a corona discharge. A diamond plate is considered conditionally suitable for the manufacture of detectors of medium quality in the presence of a green glow in the form of several points occupying a small part of the surface of the diamond plate.
Недостатками данного способа являются, во-первых, высокая трудоемкость, связанная с необходимостью предварительной подготовки образцов перед проведением измерений, заключающейся в нанесении на их поверхности временных электродов из аквадага или контактола, которые, с одной стороны, загрязняют образцы, а с другой, приводят к дополнительным затратам; во-вторых, низкая надежность способа определения дефектов из-за объемного свечения разряда на конце иглы, расположенной над поверхностью образца на удалении 2-5 мм, которое попадает на изображение исследуемой поверхности, затрудняя контроль качества пластин.The disadvantages of this method are, firstly, the high complexity associated with the need for preliminary preparation of samples before measurements, which consists in applying temporary electrodes from aquadag or contactol on their surface, which, on the one hand, pollute the samples, and on the other, lead to additional costs; secondly, the low reliability of the method for determining defects due to the volume glow of the discharge at the end of the needle located above the sample surface at a distance of 2-5 mm, which falls on the image of the investigated surface, making it difficult to control the quality of the plates.
Техническим результатом изобретения является повышение надежности обнаружения дефектов, уменьшение трудоемкости, с одновременным снижением затрат на него и расширением типов контролируемых образцов, для увеличения в дальнейшем выхода годных изделий за счет улучшения выявления дефектных материалов перед началом технологических операций.The technical result of the invention is to increase the reliability of detection of defects, reducing the complexity, while reducing the cost of it and expanding the types of controlled samples, in order to further increase the yield of products by improving the identification of defective materials before starting technological operations.
Указанный результат достигается тем, что в способе обнаружения механических дефектов на поверхности твердых материалов, заключающемся в зажигании разряда, регистрации свечения и принятии решения по нему, согласно изобретению, в качестве разряда используют поверхностный диэлектрический барьерный разряд, локализованный на поверхности одного из двух электродов и одновременно служащего столиком для исследуемого образца материала, при этом диэлектрический барьер выполняют бездефектным и тщательно отполированным, повторяющим конфигурацию поверхности исследуемого образца, плотно прижимают к нему образец, затем приводят в соприкосновение с образцом заостренный конец второго электрода, выполненного в виде стержня из низкокоррозионного проводящего электрический ток материала и подключают питающее напряжение переменного электрического тока, при этом электрическую прочность диэлектрического барьера выбирают превышающей максимальное напряжение источника электрического питания более чем в два раза; для принятия решения о пригодности поверхности твердых материалов используют появляющееся на поверхности исследуемого образца в местах расположения дефектов слабое голубое свечение плазмы воздуха в виде ярких светящихся голубых точек, а признают исследуемую поверхность пригодной при полном отсутствии светящихся голубых точек.This result is achieved by the fact that in the method for detecting mechanical defects on the surface of solid materials, which consists in igniting a discharge, registering a glow and making a decision on it, according to the invention, a surface dielectric barrier discharge localized on the surface of one of two electrodes and simultaneously serving as a table for the material sample under study, while the dielectric barrier is made defect-free and carefully polished, repeating the configuration the surface of the test sample, the sample is pressed tightly against it, then the pointed end of the second electrode made in the form of a rod of a low-corrosion conductive electric current material is brought into contact with the sample and the supply voltage of the alternating electric current is connected, while the dielectric barrier is selected to exceed the maximum voltage more than double the power supply; To make a decision about the suitability of the surface of solid materials, use the weak blue glow of the air plasma in the form of bright luminous blue dots that appears on the surface of the test sample at the locations of the defects, and recognize the test surface as suitable in the complete absence of luminous blue dots.
Технический результат достигается за счет того, что заостренный электрод, плотно прижатый к образцу, распределяет электрическое поле разряда по поверхности образца, причем наивысшая напряженность электрического поля будет приходиться на участки поверхности с дефектами, так как для всех дефектов характерно изменение удельной электрической проводимости по сравнению с не дефектными материалами.The technical result is achieved due to the fact that the pointed electrode, tightly pressed to the sample, distributes the electric field of the discharge over the surface of the sample, and the highest electric field will be on the surface areas with defects, since all defects are characterized by a change in the electrical conductivity compared to not defective materials.
Благодаря наличию бездефектного диэлектрического барьера, повторяющего форму одного из электродов, одновременно служащего столиком для образца, и отсутствую зазора между заостренным электродом и образцом, разряд полностью локализуется на поверхности исследуемого образца в виде светящихся точек, приходящихся на дефекты. Рекомендуемые требования к электрической прочности диэлектрического барьера обеспечивают стабильное свечение точек на поверхности, их цвет не зависит от типа материала образца, что обеспечивает расширение типов контролируемых образцов (от металлов, их сплавов, полупроводниковых кристаллических материалов до диэлектрических) и характера дефектов на его поверхности и будет всегда голубым, так как поверхностный барьерный разряд в способе представляет собой плазму воздуха, основным излучающим компонентом которой в видимой области спектра является азот. Благодаря этим особенностям способа достигается надежное обнаружение механических дефектов на поверхностях твердых материалов с одновременным снижением затрат на процесс контроля и увеличения в дальнейшем выхода годных изделий за счет улучшения выявления дефектных материалов до начала технологических операций с ними. Кроме того, способ позволяет контролировать механические дефекты на поверхности образцов из различных технологических партий изделий, не меняя при этом своей сути и не требуя подготовки образцов, что уменьшает трудоемкость при использовании способа в масштабах работающих предприятий, выпускающих различную по номенклатуре продукцию. Способ осуществляют следующим образом.Due to the presence of a defect-free dielectric barrier that repeats the shape of one of the electrodes, which simultaneously serves as a table for the sample, and the absence of a gap between the pointed electrode and the sample, the discharge is completely localized on the surface of the studied sample in the form of luminous dots attributable to defects. The recommended requirements for the dielectric barrier dielectric strength ensure a stable glow of points on the surface, their color does not depend on the type of sample material, which provides an extension of the types of controlled samples (from metals, their alloys, semiconductor crystalline materials to dielectric) and the nature of the defects on its surface and will always blue, since the surface barrier discharge in the method is an air plasma, the main emitting component of which is in the visible region of the spec Tra is nitrogen. Due to these features of the method, reliable detection of mechanical defects on the surfaces of solid materials is achieved with a simultaneous reduction in the cost of the control process and an increase in the yield of suitable products in the future by improving the identification of defective materials before starting technological operations with them. In addition, the method allows you to control mechanical defects on the surface of samples from various technological batches of products, without changing its essence and without requiring sample preparation, which reduces the complexity when using the method at the scale of operating enterprises that produce products with different nomenclature. The method is as follows.
В качестве разряда используют поверхностный барьерный разряд, локализованный на поверхности одного из двух электродов и одновременно служащий столиком для исследуемого образца материала. Диэлектрический барьер выполняют бездефектным и тщательно отполированным, повторяющим конфигурацию поверхности исследуемого образца и электрода, на котором он располагается. Исследуемый образец, например, круглую монокристаллическую пластину кремния, помещают в зону действия поверхностного барьерного разряда, реализуемого при атмосферном давлении в воздухе, между двумя электродами. При этом исследуемый образец должен полностью помещаться на электроде с диэлектрическим барьером, а сам электрод с диэлектрическим барьером заземляют. При наличии пространства между заземленным электродом и барьером визуальное наблюдение дефектов исследуемого образца будет затруднено из-за эффекта фоновой засветки. Затем к образцу плотно прижимают заостренный конец второго электрода, при этом его выполняют в виде стержня из низкокоррозионного, проводящего электрический ток, материала. Выбор материала первого электрода - не критичен, важно лишь, чтобы он легко обрабатывался и был проводящим. В данном случае оба электрода выполняют из нержавеющей стали. Для обеспечения надежного контакта заостренного электрода с образцом на его поверхности нарезается резьба, являющейся элементом системы его перемещения в направлении диэлектрического барьера в виде винтовой пары. Для контроля дефектов на поверхности образца к электродам подключают питающее напряжение переменного электрического тока для зажигания диэлектрического барьерного разряда (контроль дефектов в виде сколов на кремниевых полупроводниковых пластинах диаметром 120 мм осуществлялся при напряжении источника питания 8 кВ), при этом электрическую прочность диэлектрического барьера выбирают превышающей максимальное напряжение источника электрического питания более чем в два раза (для контроля дефектов полупроводниковых пластин применялось молибденовое стекло марки С-49). На поверхности исследуемого образца в местах расположения механических поверхностных дефектов появляется голубое свечение плазмы воздуха в виде ярких светящихся голубых точек, которые визуально регистрируют и используют для принятия решения о пригодности поверхности твердых материалов. Исследуемую поверхность признают пригодной при полном отсутствии светящихся голубых точек. В случае, если на образце имеются светящиеся точки, то его поверхность признают дефектной и эти образцы отбраковывают.A surface barrier discharge localized on the surface of one of the two electrodes and simultaneously serving as a table for the material sample under study is used as a discharge. The dielectric barrier is made defect-free and carefully polished, repeating the configuration of the surface of the test sample and the electrode on which it is located. The studied sample, for example, a round single-crystal silicon wafer, is placed in the zone of action of a surface barrier discharge realized at atmospheric pressure in air between two electrodes. In this case, the test sample should be completely placed on the electrode with a dielectric barrier, and the electrode with the dielectric barrier is grounded. If there is a space between the grounded electrode and the barrier, visual observation of defects in the test sample will be difficult due to the effect of background illumination. Then, the pointed end of the second electrode is tightly pressed against the sample, while it is made in the form of a rod of low-corrosive, conductive electric current, material. The choice of material of the first electrode is not critical, it is only important that it is easily processed and conductive. In this case, both electrodes are made of stainless steel. To ensure reliable contact of the pointed electrode with the sample, a thread is cut on its surface, which is an element of its movement system in the direction of the dielectric barrier in the form of a screw pair. To control defects on the surface of the sample, the supply voltage of an alternating electric current is connected to the electrodes to ignite the dielectric barrier discharge (defects in the form of chips on silicon semiconductor wafers with a diameter of 120 mm were controlled at a power source voltage of 8 kV), while the dielectric barrier was selected to exceed the maximum strength more than two times the voltage of the electric power source (to control defects in semiconductor wafers, S-49 grade molybdenum glass). On the surface of the test sample at the locations of mechanical surface defects, a blue glow of the air plasma appears in the form of bright luminous blue dots, which are visually recorded and used to decide on the suitability of the surface of solid materials. The investigated surface is considered suitable in the complete absence of luminous blue dots. If there are luminous dots on the sample, then its surface is recognized as defective and these samples are rejected.
Исследуемые образцы могут быть любой геометрической формы, однако следует учитывать тот факт, что на вершинах резких выступов и острых краях также могут наблюдаться светящиеся точки. Если в соответствии с технологическим регламентом таковых быть не должно, то последние должны идентифицироваться как дефекты.The studied samples can be of any geometric shape, however, one should take into account the fact that luminous points can also be observed on the peaks of sharp protrusions and sharp edges. If, in accordance with the technological regulations, such should not be, then the latter should be identified as defects.
Для надежного визуального наблюдения дефектов в отсутствии прямого освещения образца высоковольтный источник питания переменного тока выбирают соответствующим следующим параметрам:For reliable visual observation of defects in the absence of direct illumination of the sample, the high-voltage AC power source is selected according to the following parameters:
- напряжение на выходе - не менее 8 кВ,- output voltage - not less than 8 kV,
- частота - не менее 6 кГц,- frequency - not less than 6 kHz,
- нагрузочный ток - не менее 10 мА.- load current - not less than 10 mA.
Указанные минимальные требования к источнику питания подходят для наблюдения дефектов монокристаллических подложек (полупроводниковых пластин) в технологии микроэлектроники. Для исследования объемных образцов выходное напряжение и частоту увеличивают.The indicated minimum requirements for a power source are suitable for observing defects in single-crystal substrates (semiconductor wafers) in microelectronics technology. To study bulk samples, the output voltage and frequency are increased.
В промышленности выявление дефектных материалов перед началом технологических операций увеличивает выход годных изделий, что снижает экономические затраты на производство и улучшает качество конечного продукта.In industry, the identification of defective materials before the start of technological operations increases the yield of products, which reduces the economic costs of production and improves the quality of the final product.
Предлагаемый способ в микроэлектронике является экспресс ориентированным и предназначен для неразрушающего контроля наличия на поверхности и торцевых граней полупроводниковых материалов (слитков, шайб, пластин) сколов, царапин и микротрещин (размером порядка нескольких десятков микрометров), образующиеся в процессе их обработки, например, шлифования или полирования. Отсутствие необходимости специальной подготовки образцов перед измерениями, например, нанесение на них временных электродов и активации образцов, уменьшает трудоемкость, а широкий спектр материалов анализируемых образцов дает возможность применять данных способ на различных стадиях родственных технологических процессов.The proposed method in microelectronics is express oriented and is intended for non-destructive testing of the presence on the surface and end faces of semiconductor materials (ingots, washers, plates) of chips, scratches and microcracks (about several tens of micrometers in size) that are formed during their processing, for example, grinding or polishing. The absence of the need for special preparation of samples before measurements, for example, the application of temporary electrodes and activation of samples on them, reduces the complexity, and a wide range of materials of the analyzed samples makes it possible to apply this method at various stages of related technological processes.
В машиностроении предлагаемым способом можно обнаружить нарушения сплошности или однородности материала, в металлургии - выявить дефекты, образующиеся в процессе плавки и литья, такие как раковины, поры, зоны рыхлоты, включения, трещины, а также расслоения, пресс-утяжины, рванины, заковы, закаты. Способ также позволяет обнаружить дефекты термической и химико-термической обработки, например зоны грубозернистой структуры, перегрева и пережога, дефекты сварки и пайки (трещины, непропай).In mechanical engineering, the proposed method can detect violations of the continuity or homogeneity of the material, in metallurgy - to identify defects formed during the melting and casting process, such as shells, pores, zones of loosening, inclusions, cracks, as well as delamination, press-pulls, flaws, zakova, sunsets. The method also allows to detect defects in thermal and chemical-thermal treatment, for example, coarse-grained structure zones, overheating and burnout, welding and soldering defects (cracks, non-solder).
Предлагаемый способ обнаружения механических дефектов позволит существенно снизить затраты в производстве при отбраковке дефектных деталей и образцов.The proposed method for detecting mechanical defects will significantly reduce production costs during the rejection of defective parts and samples.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014154429/28A RU2579546C1 (en) | 2014-12-30 | 2014-12-30 | Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014154429/28A RU2579546C1 (en) | 2014-12-30 | 2014-12-30 | Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2579546C1 true RU2579546C1 (en) | 2016-04-10 |
Family
ID=55793562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014154429/28A RU2579546C1 (en) | 2014-12-30 | 2014-12-30 | Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2579546C1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1350587A1 (en) * | 1985-10-18 | 1987-11-07 | Институт Прикладной Физики Ан Бсср | Method of flaw detection of articles |
EP0780677A1 (en) * | 1995-06-12 | 1997-06-25 | Nkk Corporation | Method of determining cause of defects on steel material surface |
RU2167435C1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-05-20 | ЗАО "Техномаш МТ" | Process of manufacture of diamond detectors of ionizing radiations |
US6476597B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-11-05 | Full Circle Research, Inc. | Ionizing dose hardness assurance technique for CMOS integrated circuits |
RU2525641C1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный университет" | Method to control quality of diamond plates designed to manufacture detectors of ionising radiations |
-
2014
- 2014-12-30 RU RU2014154429/28A patent/RU2579546C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1350587A1 (en) * | 1985-10-18 | 1987-11-07 | Институт Прикладной Физики Ан Бсср | Method of flaw detection of articles |
EP0780677A1 (en) * | 1995-06-12 | 1997-06-25 | Nkk Corporation | Method of determining cause of defects on steel material surface |
US6476597B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-11-05 | Full Circle Research, Inc. | Ionizing dose hardness assurance technique for CMOS integrated circuits |
RU2167435C1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-05-20 | ЗАО "Техномаш МТ" | Process of manufacture of diamond detectors of ionizing radiations |
RU2525641C1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Иркутский государственный университет" | Method to control quality of diamond plates designed to manufacture detectors of ionising radiations |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
De Giacomo et al. | Nanoparticle-enhanced laser-induced breakdown spectroscopy of metallic samples | |
Pisonero et al. | Critical evaluation of fast and highly resolved elemental distribution in single cells using LA-ICP-SFMS | |
Kitamura et al. | Clarification of EDM gap phenomena using transparent electrodes | |
KR101240860B1 (en) | Method for inspecting defects, and defect inspecting apparatus | |
US6140131A (en) | Method and apparatus for detecting heavy metals in silicon wafer bulk with high sensitivity | |
Skuratov et al. | Depth-resolved photo-and ionoluminescence of LiF and Al2O3 | |
RU2579546C1 (en) | Method of detecting mechanical defects on the surface of solid materials | |
Momcilovic et al. | Analysis of copper surface features obtained using TEA CO2 laser at reduced air pressure | |
KR101493163B1 (en) | Quality control method of target assembly used in forming thin film for semiconductor layers of thin film transistor | |
Yang et al. | Mechanisms of the sharp decrease of the LIDT from the plastic surface defect to the brittle surface defect on optical surface | |
Ivanov et al. | Strong localized interaction of microplasma discharges with titanium | |
Kuriakose et al. | Fabrication of conductive micro electrodes in diamond bulk using pulsed Bessel beams | |
Huang et al. | Measurement of transit time for femtosecond-laser-driven shock wave through aluminium films by ultrafast microscopy | |
Kuščer et al. | A method for measuring displacement and deformation of electrodes during resistance spot welding | |
Zhi et al. | Mechanic properties modification of SiO2 thin films by femtosecond laser | |
US7511810B2 (en) | Plasma generating electrode inspection device | |
US2110759A (en) | Testing apparatus | |
JP2014222714A (en) | Evaluation system and evaluation method of semiconductor wafer | |
US3097337A (en) | Apparatus and method for electroluminescent non-destructive flaw detection | |
Kuzuhara et al. | Microscopic distribution and coexistence states of tramp elements and valuable metals in recycled steel material by a statistical analysis | |
Chen et al. | In situ probe of GaN film surfaces under plasma conditions by photoluminescence technique | |
Qiu et al. | Investigation of explosive electron emission sites on surface of polished cathodes in vacuum | |
KR101726067B1 (en) | Magnetic particle testing apparatus | |
RU2560112C1 (en) | Method of flaw detection of metal items during their surface treatment | |
CN104820002A (en) | Quenched steel machining white layer detection method based on electrochemical detection device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171231 |