RU2573891C1 - Key element with high safety level - Google Patents

Key element with high safety level Download PDF

Info

Publication number
RU2573891C1
RU2573891C1 RU2014125908/03A RU2014125908A RU2573891C1 RU 2573891 C1 RU2573891 C1 RU 2573891C1 RU 2014125908/03 A RU2014125908/03 A RU 2014125908/03A RU 2014125908 A RU2014125908 A RU 2014125908A RU 2573891 C1 RU2573891 C1 RU 2573891C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
keys
circuit
voltage
bipolar transistor
key element
Prior art date
Application number
RU2014125908/03A
Other languages
Russian (ru)
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "АВТЭКС"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "АВТЭКС" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "АВТЭКС"
Priority to RU2014125908/03A priority Critical patent/RU2573891C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2573891C1 publication Critical patent/RU2573891C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: device is made in the form of a successive circuit of at least two controlled keys, and a power source, and has a unit of pairwise voltages comparison on the controlled keys. It has also a bipolar transistor connected in series in the circuit of the said keys, wherein the controlled keys are made as field transistors. In the circuit of the bipolar transistor base a high voltage diode is connected matched.
EFFECT: increased authenticity of keys control, possibility of the use of single keys.
4 cl, 2 dwg

Description

Изобретение относится к средствам автоматики и телемеханики и может быть использовано в качестве высоконадежного переключающего элемента с малым временем переключения, в частности, в системах с блоками безопасности, для контроля исправности силовых управляемых ключей.The invention relates to automation and telemechanics and can be used as a highly reliable switching element with a short switching time, in particular, in systems with safety units, for monitoring the health of power controlled keys.

Известно устройство, содержащее управляемые ключи, к выходам которых через диоды подключены исполнительные органы, которое содержит также контрольное устройство, первый блок включения, через который общие точки управляемых ключей связаны с первой шиной источника питания, второй блок включения, включенный последовательно в цепь связи общих точек исполнительных органов со второй шиной источника питания, и токозадающие элементы, например резисторы, подключенные одними выводами к выходам управляемых ключей, а другими выводами - ко второй шине источника питания, вход контрольного устройства подключен параллельно первому блоку включения. Устройство позволяет проверить работоспособность каждого из выходных каскадов без нарушения функционирования системы управления, в которой оно установлено. При этом косвенно проверяется и сама система управления (см. патент РФ 2101748, G05B 23/00, G05B 23/02, 1996).A device is known that contains controlled keys, the outputs of which are connected via actuators to diodes, which also contains a control device, a first switching unit through which common points of controlled keys are connected to the first bus of the power supply, a second switching unit connected in series to the communication circuit of common points executive bodies with a second bus of the power source, and current-setting elements, for example, resistors, connected by one output to the outputs of controlled keys, and by other outputs to the second the power supply bus, the input of the control device is connected in parallel with the first switching unit. The device allows you to check the operability of each of the output stages without disrupting the functioning of the control system in which it is installed. At the same time, the control system itself is indirectly verified (see RF patent 2101748, G05B 23/00, G05B 23/02, 1996).

После включения питания перед проведением теста все ключи в известном устройстве закрыты. При этом ток через управляемые ключи устройства не протекает, исполнительные органы выключены, цепи токозадающих элементов разомкнуты, на входе фиксирующего устройства напряжение равно нулю и сигнал на его выходе отсутствует. В данном случае, отсутствие сигнала на выходе фиксирующего устройства свидетельствует об отсутствии неисправности типа короткозамкнутого ключа.After turning on the power before the test, all keys in the known device are closed. In this case, the current does not flow through the controlled keys of the device, the actuators are turned off, the circuits of the current-sensing elements are open, the voltage at the input of the fixing device is zero and there is no signal at its output. In this case, the absence of a signal at the output of the locking device indicates the absence of a fault such as a short-circuited key.

Для контроля управляемых ключей необходимо поочередно формировать команды на их открытие и не подавать управляющие сигналы на открытие блоков включения. В этом случае через соответствующий токозадающий элемент и открытый управляемый ключ потечет ток в цепь управления фиксирующего устройства, которое сработает на время подачи команды на ключ и выключится после ее снятия (в то время как при пробое любого ключа фиксирующего устройство будет формировать выходной сигнал постоянно).To control the controlled keys, it is necessary to form commands to open them one by one and not to send control signals to open the switching units. In this case, current will flow through the corresponding current-collecting element and the open controlled key to the control circuit of the fixing device, which will work for the time the command is issued to the key and turn off after it is removed (while the breakdown of any key of the fixing device will generate an output signal continuously).

Таким образом, известное устройство для проверки ключей требует перевода их в тестовый режим, что существенно ограничивает область его применения. В частности, его использование для контроля нормально замкнутых ключей блока безопасности возможно только при отключении данного блока на время тестирования. Это же обстоятельство снижает достоверность контроля, поскольку последний осуществляется не постоянно, а лишь периодически, при переводе устройства безопасности в тестовый режим.Thus, the known device for checking keys requires translating them into test mode, which significantly limits the scope of its application. In particular, its use for monitoring normally closed keys of a security unit is possible only when the unit is turned off during testing. The same circumstance reduces the reliability of the control, since the latter is not carried out continuously, but only periodically, when the safety device is put into test mode.

Наиболее близким к предложенному является ключевой элемент высоковольтного вентильного преобразователя, в который введены блок резисторов, блок измерения сигналов, а силовые ключи высоковольтного вентиля разделены на две части, образующие среднюю точку, соединенную с общей шиной питания блока измерения сигналов. С одной стороны от средней точки токоограничивающие резисторы соединены с первыми выводами силовых ключей высоковольтного вентиля, а с другой - с их вторыми выводами. Первые выводы каждого из резисторов блока резисторов подключены к общей шине питания блока измерения сигналов, а их вторые выводы соединены соответственно со вторыми выводами токоограничивающих резисторов и входами блока измерения сигналов, выходы которого соединены с входами оптопередатчика (см. Патент РФ 2417498, Н02Н 7/10, 05.04.2010).Closest to the proposed one is a key element of a high-voltage valve converter, into which a resistor unit, a signal measuring unit are inserted, and the power switches of the high-voltage valve are divided into two parts, forming a midpoint connected to a common power supply bus of the signal measuring unit. On the one hand from the midpoint, current-limiting resistors are connected to the first terminals of the power switches of the high-voltage valve, and on the other, to their second terminals. The first conclusions of each of the resistors of the resistor block are connected to a common power supply bus of the signal measuring unit, and their second conclusions are connected respectively to the second conclusions of current-limiting resistors and the inputs of the signal measuring unit, the outputs of which are connected to the inputs of the optical transmitter (see RF Patent 2417498, Н02Н 7/10 04/05/2010).

В этом устройстве силовые ключи высоковольтного вентиля закрыты и на них присутствует переменное напряжение, которое поступает на входы блока измерения сигналов через токоограничивающие резисторы, где оно ограничивается резисторами блока резисторов, образующими с токоограничивающими резисторами так называемые делители напряжения. При «пробитом» силовом ключе высоковольтного вентиля напряжение равно нулю. При исправном силовом ключе высоковольтного вентиля величина напряжения отлична от нуля. Блок измерения сигналов измеряет величину напряжения на силовых ключах высоковольтного вентиля, соединенных со средней точкой высоковольтного вентиля непосредственно. Величину напряжения на остальных силовых ключах высоковольтного вентиля блок измерения сигналов определяет через разность напряжений между соседними делителями напряжения, выполняя в этом режиме функции блока сравнения со средней точкой.In this device, the power switches of the high-voltage valve are closed and an alternating voltage is present on them, which is supplied to the inputs of the signal measuring unit through current-limiting resistors, where it is limited by the resistors of the resistor block, which form the so-called voltage dividers with current-limiting resistors. With a “broken” power key of a high-voltage valve, the voltage is zero. If the power switch of the high-voltage valve is operational, the voltage value is non-zero. The signal measuring unit measures the voltage across the power switches of the high voltage valve connected directly to the midpoint of the high voltage valve. The signal measurement unit determines the voltage value on the remaining power switches of the high-voltage valve through the voltage difference between adjacent voltage dividers, performing in this mode the functions of a comparison unit with a midpoint.

Данное устройство может быть использовано для контроля ключей блоков безопасности, однако в нем контроль состояния силовых ключей выполняется в определенных условиях: до и после работы преобразователя, когда напряжение подано, но силовые ключи высоковольтного вентиля выключены (либо во время работы преобразователя в моменты выключенного состояния силового ключа). Во время работы преобразователя силовые ключи высоковольтного вентиля находятся в открытом состоянии, поэтому режим контроля их исправности и измерение их нагрева заявляемым устройством в этом случае блокируются.This device can be used to control the keys of safety blocks, but in it the state of power switches is monitored under certain conditions: before and after operation of the converter, when voltage is applied, but the power switches of the high-voltage valve are turned off (or during operation of the converter when the power is off) key). During operation of the converter, the power switches of the high-voltage valve are in the open state, therefore, the mode of monitoring their health and measuring their heating by the claimed device are blocked in this case.

Таким образом, и данному устройству по существу присущ тот же недостаток: в рабочем состоянии ключ не контролируется, контроль его исправности осуществляется только в тестовом режиме.Thus, this device essentially has the same drawback: in the working state, the key is not controlled, its serviceability is monitored only in test mode.

К недостаткам известного устройства следует отнести также ограниченную сферу использования - ряд измерений возможен только для блоков, содержащих множество одинаковых силовых ключей.The disadvantages of the known device should also include a limited scope of use - a number of measurements are possible only for blocks containing many identical power keys.

Техническим результатом, ожидаемым от использования изобретения, является повышение достоверности контроля ключей, что имеет определяющее значение для ключей блоков безопасности, за счет осуществления непрерывного контроля в процессе работы. Кроме того, предлагаемое устройство применимо для одиночных ключей, что также весьма важно для использования в блоках безопасности, имеющих, как правило, управляющий ключ на выходе, в безопасном состоянии замкнутый и размыкающийся только при возникновении нештатной ситуации.The technical result expected from the use of the invention is to increase the reliability of key control, which is crucial for the keys of security blocks, due to the implementation of continuous monitoring during operation. In addition, the proposed device is applicable for single keys, which is also very important for use in security units, which, as a rule, have a control key at the output, in a safe state, closed and open only in case of emergency.

Указанный результат достигается тем, что ключевой элемент с высоким уровнем безопасности, выполненный в виде последовательной цепи из не менее двух контролируемых ключей и содержащий блок сравнения напряжений на двух и более контролируемых ключах, снабжен биполярным транзистором, включенным последовательно в цепь указанных ключей, при этом в цепь базы упомянутого биполярного транзистора согласно включен высоковольтный диод, а контролируемые ключи выполнены в виде полевых транзисторовThis result is achieved in that the key element with a high level of security, made in the form of a serial circuit of at least two controlled keys and containing a voltage comparison unit on two or more controlled keys, is equipped with a bipolar transistor connected in series to the circuit of these keys, while the base circuit of the mentioned bipolar transistor according to the included high-voltage diode, and the controlled keys are made in the form of field-effect transistors

Кроме того, биполярный транзистор может быть выполнен составным.In addition, the bipolar transistor can be made integral.

При этом точка с наименьшим потенциалом цепи управления биполярного транзистора может быть соединена с истоком одного из полевых транзисторов.In this case, the point with the smallest potential of the control circuit of the bipolar transistor can be connected to the source of one of the field effect transistors.

И наконец, блок сравнения напряжений на контролируемых ключах может быть выполнен с возможностью контроля суммарного напряжения на последних и/или на выходах ключевого элемента.And finally, the unit for comparing the voltages at the controlled switches can be configured to control the total voltage at the last and / or outputs of the key element.

Рассмотрим сначала простейшую реализацию предлагаемого устройства, а затем поясним возможные варианты.Consider first the simplest implementation of the proposed device, and then explain the possible options.

Принципиальная схема предлагаемого устройства изображена на фиг. 1, 2, где обозначено:A schematic diagram of the proposed device is shown in FIG. 1, 2, where indicated:

1, 2, 3 - цепи управления ключами,1, 2, 3 - key management circuits,

4 - источник питания,4 - power source,

5 - биполярный транзистор (ключ), на фиг. 2 показан составным,5 - bipolar transistor (key), in FIG. 2 shows a composite

6, 7 - контролируемые полевые транзисторы (ключи),6, 7 - controlled field effect transistors (keys),

8 - нагрузка,8 - load

9, 10 - клеммы, являющиеся выходами ключевого элемента,9, 10 - terminals that are the outputs of the key element,

11 - блок сравнения напряжений на контролируемых ключах,11 is a block comparing voltages on controlled keys,

12 (фиг. 1) - высоковольтный диод.12 (Fig. 1) is a high voltage diode.

Контролируемые полевые транзисторы 6 и 7 включены в последовательную цепь с биполярным транзистором 5 и нагрузкой 8. Входы блока 11 сравнения напряжений на контролируемых ключах в рассматриваемом примере подключены к стоку и истоку каждого из полевых транзисторов 6, 7, выполненных по возможности идентичными, а блок 11 выполняется с возможностью сравнения входных напряжений, например, в виде двух входных дифференциальных усилителей, выходы которых соединены со входами схемы сравнения, или в виде двух аналогово-цифровых преобразователей, выходы которых через соответствующий интерфейс и образуют информационный выход блока 11 сравнения напряжений на контролируемых ключах. Для контроля суммарного падения напряжения на ключах 6, 7 или 5, 6, 7 блок 11 снабжается дополнительным дифференциальным усилителем, входы которого подключаются к эмиттеру биполярного транзистора 5 и клемме 10 в первом случае и клеммам 9, 10 во втором, а выход - к аналогово-цифровому преобразователю или схеме сравнения.Monitored field-effect transistors 6 and 7 are connected in series with a bipolar transistor 5 and load 8. The inputs of the voltage comparison block 11 for monitored switches in this example are connected to the drain and source of each of the field-effect transistors 6, 7, made as identical as possible, and block 11 it is possible to compare the input voltages, for example, in the form of two input differential amplifiers, the outputs of which are connected to the inputs of the comparison circuit, or in the form of two analog-to-digital converters, the output which, through the corresponding interface, form the information output of the voltage comparison block 11 on the controlled keys. To control the total voltage drop on the keys 6, 7 or 5, 6, 7, block 11 is equipped with an additional differential amplifier, the inputs of which are connected to the emitter of the bipolar transistor 5 and terminal 10 in the first case and terminals 9, 10 in the second, and the output to analog -digital converter or comparison circuit.

Высоковольтный диод 12 включен в цепь базы биполярного транзистора 5 согласно, то есть за р-n-областями диода 12 следуют р-n-области базы и эмиттера транзистора 5, и наоборот. Как показано на фиг. 1, 2, точка 13 с наименьшим потенциалом цепи управления биполярного транзистора 5 подключена к истоку последнего, считая от биполярного транзистора 5, полевого транзистора 7, то есть точке схемы с наименьшим потенциалом, что обеспечивает зависимое управление.The high-voltage diode 12 is included in the base circuit of the bipolar transistor 5 according to, i.e., the pn regions of the diode 12 are followed by the pn regions of the base and emitter of the transistor 5, and vice versa. As shown in FIG. 1, 2, point 13 with the smallest potential of the control circuit of the bipolar transistor 5 is connected to the source of the latter, counting from the bipolar transistor 5, the field effect transistor 7, that is, the point of the circuit with the lowest potential, which provides dependent control.

Блок 11 при N>2 выполняется с возможностью сравнения напряжений не только на соседних ключах (полевых транзисторах), но и на других их парах, что способствует существенному увеличению надежности контроля и работы схемы в целом. Например, при N=3, сопоставляя напряжения на парах 1-2, 2-3 и 1-3, а также между клеммами 9, 10, мы имеем возможность не реагировать на случайные броски токов утечки (например, ключа 1 в паре 1-2, если такой же бросок не зафиксирован в паре 1-3 и т.п.).Block 11 for N> 2 is performed with the ability to compare voltages not only on adjacent switches (field effect transistors), but also on their other pairs, which contributes to a significant increase in the reliability of control and operation of the circuit as a whole. For example, with N = 3, comparing the voltages at pairs 1-2, 2-3 and 1-3, as well as between terminals 9, 10, we are able to not respond to random surges of leakage currents (for example, key 1 in pair 1- 2, if the same throw is not fixed in a pair of 1-3, etc.).

Необходимо подчеркнуть, что полевые транзисторы 6, 7 могут относиться как к одному функциональному блоку, так и к различным, в частности контролируемой системе автоматического управления, блоку контроля или блоку безопасности в любой комбинации.It must be emphasized that field-effect transistors 6, 7 can relate to one functional unit as well as different ones, in particular, a controlled automatic control system, a control unit, or a safety unit in any combination.

В случае, когда ключевой элемент или его часть представляют собой последовательно включенные каналы полевых транзисторов, а безопасным состоянием является разомкнутое, методом контроля работоспособности является обычно кратковременное размыкание ключей с проверкой состояния цепи. При этом во многих случаях частое полное отключение является нежелательным (ввиду срабатывания управляемых ключевым элементом цепей безопасности), а кратковременное отключение без срабатывания основных систем затруднено. В этом случае нормально замкнутый ключевой элемент на интервалах между отключениями может оказаться неконтролируемым, что недопустимо для систем безопасности.In the case when the key element or part of it is a series-connected channels of field-effect transistors, and the safe state is open, the method of monitoring operability is usually a short-time opening of the keys with checking the status of the circuit. Moreover, in many cases, frequent complete shutdown is undesirable (due to the triggering of the safety circuits controlled by a key element), and short-term shutdown without triggering of the main systems is difficult. In this case, a normally closed key element in the intervals between outages may be uncontrollable, which is unacceptable for security systems.

Так, например, полное замыкание низкоомного канала полевого транзистора вследствие электрического пробоя или механического смещения проводников может оказаться не выявленным ввиду того, что не изменит существенно ток в цепи. Между тем, это вполне реальная ситуация, например, при бросках напряжения питания или разрядах напряжения в окружающих силовых цепях (в том числе имеющих емкостную или индуктивную конструктивную связь с цепями ключевого элемента). Предлагаемое устройство позволяет исключить данную ситуацию посредством непрерывного контроля равенства токов в каналах обоих ключей 6, 7 (при частичном пробое может возникнуть существенный ток утечки, нарушающий это равенство), а также неизменность сопротивлений каналов обоих транзисторов (при частичном пробое или полном замыкании эта величина сразу же изменяется).So, for example, a complete short circuit of the low-resistance channel of a field-effect transistor due to electrical breakdown or mechanical displacement of the conductors may not be detected due to the fact that the current in the circuit does not change significantly. Meanwhile, this is a very real situation, for example, during power surges or voltage discharges in the surrounding power circuits (including those having a capacitive or inductive constructive connection with the key element circuits). The proposed device allows to eliminate this situation by continuously monitoring the equality of currents in the channels of both keys 6, 7 (in case of partial breakdown, a significant leakage current may occur that violates this equality), as well as the immunity of the resistance of the channels of both transistors (in case of partial breakdown or full circuit, this value immediately changes).

Выполнение блока 11 сравнения напряжений на контролируемых ключах с высокоомными и высоковольтными входами не допускает пробоя на напряжениях существенно выше используемых в цепях ключей.The implementation of block 11 comparing the voltages on the controlled keys with high-resistance and high-voltage inputs does not allow breakdown at voltages significantly higher than those used in the key circuits.

В наиболее простом варианте, когда сопротивления ключей 6 и 7 (каналов транзисторов) равны, блок 11 в зависимости от модуля разности двух входных напряжений и выбранного допустимого порога срабатывания (разбаланса) генерирует, например, логический «0» для разницы меньше порога и логическую «1» при более существенном разбалансе. Последнее говорит о неисправности. При разомкнутых ключевых элементах 6, 7 данная измерительная схема фактически контролирует саму себя и, помимо этого, равенство токов утечки двух транзисторов (6 и 7), что при положительном результате контроля также соответствует логическому «0» на выходе, а при разбалансе цепей - логической «1». Для более точного измерения напряжений и в случае, когда используются разнотипные полевые транзисторы с несколько различающимися сопротивлениями каналов, в схему сравнения целесообразно включать аналогово-цифровой преобразователь с многоканальным устройством выборки-хранения, подключенный к микроконтроллеру для соответствующей обработки цифровых значений измеряемых напряжений.In the simplest case, when the resistances of the keys 6 and 7 (transistor channels) are equal, block 11, for example, generates a logical “0” for the difference less than the threshold and a logical “ 1 ”with a more significant imbalance. The latter indicates a malfunction. With the key elements 6, 7 open, this measuring circuit actually controls itself and, in addition, the equality of the leakage currents of the two transistors (6 and 7), which with a positive control result also corresponds to a logical “0” at the output, and if the circuit is unbalanced, to a logical "one". For a more accurate measurement of voltages, and in the case when different types of field-effect transistors with slightly different channel resistances are used, it is advisable to include an analog-to-digital converter with a multi-channel sampling and storage device connected to a microcontroller for the corresponding processing of digital values of the measured voltages.

Следует заметить, что при смене полярности источника питания 4 соответственно используются полупроводниковые приборы противоположной проводимости. Если в последовательной цепи источника питания 4, нагрузки 8, биполярного транзистора 5 используется N>2 полевых транзисторов, то при их четном количестве блок 11 осуществляет сравнение напряжений, например, на соседних полевых транзисторах: первом и втором, третьем и четвертом и т.д. Если же N нечетное, один из контролируемых полевых транзисторов используется при контроле дважды: первый со вторым и первый с третьим, например, при N=3.It should be noted that when changing the polarity of the power source 4, respectively, semiconductor devices of opposite conductivity are used. If N> 2 field-effect transistors are used in the serial circuit of power supply 4, load 8, bipolar transistor 5, then with an even number of them, block 11 compares the voltages, for example, on neighboring field-effect transistors: first and second, third and fourth, etc. . If N is odd, one of the monitored field effect transistors is used twice during the control: the first with the second and the first with the third, for example, with N = 3.

Если блок 11 выполняется с возможностью контроля напряжения на полевых транзисторах 6, 7, то дополнительных соединений не требуется, если же с возможностью контроля суммарного падения на всем ключевом элементе, то есть включая биполярный транзистор 5, клемма 9 соединяется с дополнительным входом блока 11.If block 11 is configured to control voltage across field-effect transistors 6, 7, then no additional connections are required, but if it is possible to control the total drop across the entire key element, that is, including bipolar transistor 5, terminal 9 is connected to the additional input of block 11.

Диод 12 служит для увеличения надежности биполярного ключа 5 и защиты цепей цепи управления 1 от пробоя при выходе из строя транзистора 5, что в противном случае могло бы привести к замыканию всего ключа.The diode 12 serves to increase the reliability of the bipolar switch 5 and to protect the control circuit 1 circuits from breakdown during the failure of the transistor 5, which otherwise could lead to the closure of the entire switch.

Поясним теперь критерии выбора подключения точки с наименьшим потенциалом цепи управления биполярного транзистора 5. Для получения зависимого управления очень удобно иметь в цепи эмиттера несколько полевых транзисторов (группу), для чего мы и подключаем нижнюю точку цепи управления биполярного транзистора 5 к истоку последнего в этой группе полевого транзистора 7. Срабатывание хотя бы одной цепи управления полевого транзистора 6, 7 (а они независимы и в случае аварии есть вероятность, что хоть одна из них уцелеет и обеспечит его размыкание) не просто разрывает всю последовательную цепь, поскольку один этот элемент размыкается, но, что очень важно, делает это штатным образом, сразу же вовлекая в процесс отключения биполярный транзистор 5 (даже если управляющий сигнал на размыкание по штатной цепи управления к нему не дошел). Тот, выходя из режима насыщения, в свою очередь, принимает на себя основные коммутационные проблемы (бросок мощности на ключе, бросок напряжения и пр.), чем существенно увеличивает стойкость системы и вероятность отключения в экстремальной ситуации.We now explain the selection criteria for connecting the point with the lowest potential of the control circuit of bipolar transistor 5. To obtain dependent control, it is very convenient to have several field-effect transistors (group) in the emitter circuit, for which we connect the lower point of the control circuit of bipolar transistor 5 to the source of the last in this group field-effect transistor 7. Operation of at least one control circuit of field-effect transistor 6, 7 (and they are independent and in case of an accident there is a possibility that at least one of them will survive and ensure its opening ) not only breaks the entire serial circuit, since this one element is opened, but, which is very important, it does it in a regular way, immediately involving the bipolar transistor 5 in the shutdown process (even if the control signal did not reach it to open on the standard control circuit) . He, leaving the saturation mode, in turn, assumes the main switching problems (power surge on the key, power surge, etc.), which significantly increases the system stability and the probability of shutdown in an extreme situation.

При независимом управлении предельное напряжение на разомкнутом ключе определяется просто суммой допустимых напряжений на каждом из транзисторов (с учетом распределения потенциалов и влияния высокоомных цепей схемы измерения, там, где есть ее подключения). Имея, например, биполярный транзистор 5 на 1200 В и три полевых на 600 В, можно получить в сумме 3000 В. Тогда как при зависимом управлении управляющая (базовая) цепь биполярного транзистора 5 шунтирует группу полевых транзисторов 6, 7 (фиг. 1, 2), к истоку последнего из которых (7) подключена точка ее нижнего потенциала. В этом случае предельное напряжение определяется уже суммой такового для биполярного транзистора 5, для его базовой цепи (оно фактически определяется напряжением пробоя введенного туда диода 12) и полевых транзисторов за пределами группы (на фиг. 1, 2 не показаны). Так, если в предыдущем примере зависимым управлением охватить два из трех последовательных полевых транзисторов (подключить нижний потенциал к истоку второго полевого транзистора), и имея напряжение пробоя упомянутого диода, например, 500 В, получим уже 1200+500+600=2300 В, что существенно ниже предыдущих 3000 В. Подключив же к истоку «последнего» полевого транзистора, сколько бы их ни было в схеме, получим лишь 1200 В + 500 В = 1700 В.With independent control, the limit voltage on an open key is determined simply by the sum of the permissible voltages on each of the transistors (taking into account the distribution of potentials and the influence of high-resistance circuits of the measurement circuit, where there are its connections). Having, for example, a bipolar transistor 5 for 1200 V and three field-effect transformers for 600 V, you can get a total of 3000 V. Whereas with dependent control, the control (base) circuit of the bipolar transistor 5 shunts a group of field-effect transistors 6, 7 (Fig. 1, 2 ), to the source of the last of which (7) is connected the point of its lower potential. In this case, the limit voltage is already determined by the sum of that for the bipolar transistor 5, for its base circuit (it is actually determined by the breakdown voltage of the diode 12 introduced there) and field-effect transistors outside the group (not shown in Figs. 1, 2). So, if in the previous example, two of three consecutive field-effect transistors are covered by dependent control (connect the lower potential to the source of the second field-effect transistor), and having the breakdown voltage of the diode mentioned, for example, 500 V, we get already 1200 + 500 + 600 = 2300 V, which significantly lower than the previous 3000 V. Connecting to the source of the "last" field effect transistor, no matter how many are in the circuit, we get only 1200 V + 500 V = 1700 V.

Таким образом, выбирать точку подключения нужно отдельно в каждом конкретном случае, находя компромисс между требуемой вероятностью срабатывания (отключения) в системе безопасности и требуемым напряжением пробоя.Thus, it is necessary to choose a connection point separately in each specific case, finding a compromise between the required probability of operation (shutdown) in the security system and the required breakdown voltage.

Отдельно следует рассматривать максимальный ток, протекающий через ключ в режиме пробоя (например, при пробое цепи управления биполярного транзистора 5), который, в свою очередь, может быть ограничен схемотехническими методами (соответствующие резистивные цепи, предохранители и пр.) до величины ниже критического тока в системе (он определяется величиной тока «отпускания», например, таких исполнительных электромагнитных устройств, как клапана, задвижки и пр.).Separately, one should consider the maximum current flowing through the switch in the breakdown mode (for example, during breakdown of the control circuit of the bipolar transistor 5), which, in turn, can be limited by circuit methods (corresponding resistive circuits, fuses, etc.) to a value below the critical current in the system (it is determined by the magnitude of the "release" current, for example, of such executive electromagnetic devices as valves, valves, etc.).

Данное решение предназначено, прежде всего, для применения в тех ключах безопасности, где нагрузка включена последовательно и безопасным состоянием является разомкнутый ключ (т.е. нагрузка обесточена). Особенностью данного варианта является то, что большую часть рабочего времени ключ находится в замкнутом состоянии, и размыкание его для тестирования с нужной периодичностью невозможно или нежелательно. Тогда как все диагностические мероприятия должны проводиться в реальном времени и обеспечивать требуемую высокую вероятность размыкания ключа при соответствующей команде для осуществления функции безопасности. Ситуация дополнительно осложняется тем, что в процессе работы и при аварийных ситуациях цепи нагрузки могут подвергаться кратковременному воздействию высоких напряжений и токов, после чего информация о работоспособности ключа наиболее актуальна.This solution is intended primarily for use in those safety keys where the load is connected in series and the open state is safe (i.e. the load is de-energized). A feature of this option is that most of the working time the key is in a closed state, and opening it for testing at the right frequency is impossible or undesirable. While all diagnostic measures should be carried out in real time and provide the required high probability of opening the key with the appropriate command to implement the security function. The situation is further complicated by the fact that during operation and in emergency situations, load circuits can be subjected to short-term exposure to high voltages and currents, after which information about the key's operability is most relevant.

Наличие высоковольтного биполярного транзистора 5, как одного из силовых элементов ключа, решает вопрос ограничения тока при перегрузках, к которым так чувствительны полевые транзисторы 6, 7 (avalanche energy), что с высокой вероятностью приводит к локальному пробою и замыканию канала (в данном случае биполярный транзистор 5 просто выходит из режима насыщения, принимая на себя всю мощность внешнего воздействия и разгружая полевые транзисторы 6, 7). То же происходит и при переходном процессе в момент переключения. Находясь в таких идеальных и облегченных условиях работы, полевые транзисторы 6, 7 обеспечивают максимально возможные показатели по надежности для своего типа. Зависимое управление (когда сопротивления каналов полевых транзисторов оказываются в цепи эмиттерной отрицательной обратной связи биполярного транзистора 5) обеспечивает более точное ограничение по току, а также гарантирует безаварийное размыкание ключа в случае, когда хотя бы одна из цепей управления сохраняет работоспособность, что увеличивает безопасность. В данной схеме наибольшая вероятность деградации приходится на биполярный транзистор 5, который должен выбираться с большим запасом прочности из типов, демонстрирующих именно постепенную деградацию при критических воздействиях. Причем этот процесс контролируется по увеличению тока утечки в закрытом состоянии (при известных - напряжении в цепи и температуре), что оценивают по сумме падения напряжений на закрытых каналах полевых транзисторов 6, 7. В случае их работоспособности падение напряжения тока утечки транзистора 5 определяется проводимостью измерительных цепей блока 11. В целом же распределение напряжений на закрытом ключе при самом высоковольтном и аварийном воздействии (удар молнии, попадание на ключ самого высокого из присутствующих в системе силовых напряжений и т.п.), исходя из которых производится выбор типов транзисторов по предельным значениям, определяется утечками в цепях и может регулироваться добавлением соответствующих высоковольтных резисторов.The presence of a high-voltage bipolar transistor 5, as one of the key power elements, solves the problem of current limitation during overloads, to which field effect transistors 6, 7 (avalanche energy) are so sensitive, which with a high probability leads to a local breakdown and channel closure (in this case, bipolar transistor 5 just leaves the saturation mode, taking on all the power of external influences and unloading field-effect transistors 6, 7). The same thing happens during the transition process at the time of switching. Being in such ideal and light working conditions, field effect transistors 6, 7 provide the highest possible reliability indicators for their type. Dependent control (when the resistance of the channels of the field-effect transistors are in the circuit of the emitter negative feedback of the bipolar transistor 5) provides a more accurate current limitation, and also ensures trouble-free opening of the key in the case when at least one of the control circuits remains operational, which increases safety. In this scheme, the greatest likelihood of degradation falls on the bipolar transistor 5, which should be selected with a large margin of safety from the types that demonstrate gradual degradation during critical impacts. Moreover, this process is controlled by increasing the leakage current in the closed state (at known voltage in the circuit and temperature), which is estimated by the sum of the voltage drop across the closed channels of the field effect transistors 6, 7. In case of their operability, the drop in the leakage voltage of the transistor 5 is determined by the conductivity circuits of unit 11. In general, the distribution of voltages in the closed key during the highest voltage and emergency impacts (lightning strike, hit on the key of the highest power supply in the system voltages, etc.), based on which the types of transistors are selected according to the limit values, is determined by leaks in the circuits and can be controlled by the addition of the corresponding high-voltage resistors.

Таким образом, заявленное устройство позволяет достаточно эффективно контролировать исправное состояние ключей, относящихся, как отмечено выше, к контролируемому блоку, в том числе безопасности, прежде всего в замкнутом состоянии, то есть состоянии высокой проводимости. Но с его помощью также может проводиться диагностика ключа по утечкам его элементов и в разомкнутом состоянии при низкой проводимости ключевого элемента.Thus, the claimed device allows you to effectively control the working condition of the keys related, as noted above, to the monitored unit, including security, especially in the closed state, that is, the state of high conductivity. But with its help, the key can also be diagnosed by leaks of its elements and in the open state with a low conductivity of the key element.

Claims (4)

1. Ключевой элемент с высоким уровнем безопасности, выполненный в виде последовательной цепи из не менее двух контролируемых ключей и содержащий блок попарного сравнения напряжений на контролируемых ключах, отличающийся тем, что он снабжен биполярным транзистором, включенным последовательно в цепь указанных ключей, при этом в цепь базы упомянутого биполярного транзистора согласно включен высоковольтный диод, а контролируемые ключи выполнены в виде полевых транзисторов.1. The key element with a high level of security, made in the form of a serial circuit of at least two controlled keys and containing a pairwise voltage comparison unit for the controlled keys, characterized in that it is equipped with a bipolar transistor connected in series to the circuit of these keys, while in the circuit the base of the mentioned bipolar transistor according to the included high-voltage diode, and the controlled keys are made in the form of field-effect transistors. 2. Ключевой элемент по п. 1, отличающийся тем, что биполярный транзистор выполнен составным.2. The key element according to claim 1, characterized in that the bipolar transistor is made integral. 3. Ключевой элемент по п. 1, отличающийся тем, что точка с наименьшим потенциалом цепи управления биполярного транзистора соединена с истоком одного из полевых транзисторов.3. A key element according to claim 1, characterized in that the point with the smallest potential of the control circuit of the bipolar transistor is connected to the source of one of the field effect transistors. 4. Ключевой элемент по п. 1, отличающийся тем, что блок попарного сравнения напряжений на контролируемых ключах выполнен с возможностью контроля суммарного напряжения на последних и/или на выходах ключевого элемента. 4. The key element according to claim 1, characterized in that the pairwise voltage comparison unit on the monitored switches is configured to control the total voltage at the last and / or outputs of the key element.
RU2014125908/03A 2014-06-26 2014-06-26 Key element with high safety level RU2573891C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014125908/03A RU2573891C1 (en) 2014-06-26 2014-06-26 Key element with high safety level

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014125908/03A RU2573891C1 (en) 2014-06-26 2014-06-26 Key element with high safety level

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2573891C1 true RU2573891C1 (en) 2016-01-27

Family

ID=55237019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014125908/03A RU2573891C1 (en) 2014-06-26 2014-06-26 Key element with high safety level

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2573891C1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU421076A1 (en) * 1972-11-24 1974-03-25 В. П. Вельский, Б. С. Иванов , Ю. А. Карасев DEVICE FOR MEASUREMENT OF VOLTAGE BATTERY VOLTAGE
RU2065663C1 (en) * 1991-07-22 1996-08-20 Научно-исследовательский институт автоматики Generator of bipolar pulses of reference current
RU2101748C1 (en) * 1996-04-02 1998-01-10 Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Monitoring device for controlled switches
RU2138850C1 (en) * 1998-05-05 1999-09-27 Акционерное общество открытого типа Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Load simulator for testing controllable switch
UA22218U (en) * 2006-04-12 2007-04-25 Public Corp Mi Heating Equipme Bracket for fixation of cast-iron radiator
RU2417498C1 (en) * 2010-04-05 2011-04-27 Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" Device for monitoring of high-voltage valve converter switch condition

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU421076A1 (en) * 1972-11-24 1974-03-25 В. П. Вельский, Б. С. Иванов , Ю. А. Карасев DEVICE FOR MEASUREMENT OF VOLTAGE BATTERY VOLTAGE
RU2065663C1 (en) * 1991-07-22 1996-08-20 Научно-исследовательский институт автоматики Generator of bipolar pulses of reference current
RU2101748C1 (en) * 1996-04-02 1998-01-10 Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Monitoring device for controlled switches
RU2138850C1 (en) * 1998-05-05 1999-09-27 Акционерное общество открытого типа Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им.С.П.Королева Load simulator for testing controllable switch
UA22218U (en) * 2006-04-12 2007-04-25 Public Corp Mi Heating Equipme Bracket for fixation of cast-iron radiator
RU2417498C1 (en) * 2010-04-05 2011-04-27 Открытое акционерное общество "Всероссийский научно-исследовательский проектно-конструкторский и технологический институт релестроения с опытным производством" Device for monitoring of high-voltage valve converter switch condition

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10042002B2 (en) System and method for contact measurement circuit
US9931957B2 (en) Battery system with a battery, which is designed to supply a high-voltage network with electric energy, and a measuring device for measuring at least one insulation resistance of the battery
US20180045783A1 (en) Solid state circuit breaker and motor driving system
US9728956B2 (en) Surge protection device for multi-protection mode communications
US20150137828A1 (en) Device for diagnosing a circuit arrangement
KR102653766B1 (en) Method and apparatus for automatically testing switching members
US20160025792A1 (en) Device and method for monitoring and switching a load circuit
US20140312909A1 (en) Programmable contact input apparatus and method of operating the same
ES2814099T3 (en) Switching device drive circuit for electrical power control
ES2527451T3 (en) Safe input circuit with single-channel peripheral connection for the input of a bus user
US20140312923A1 (en) Contact input apparatus supporting multiple voltage spans and method of operating the same
US20180189129A1 (en) Bus failure detection transceiver architecture and transceiver operation method
US9960588B2 (en) Power switch device
US5815353A (en) Overvoltage protector
US20220029412A1 (en) Electronic Barrier Device for Intrinsically Safe Systems
RU148178U1 (en) HIGH SECURITY SERIAL KEY ELEMENT AND REAL-TIME CONTROL
RU2573891C1 (en) Key element with high safety level
SE510730C2 (en) Device for monitoring at a high voltage converter station
JP2016165032A (en) Semiconductor switch
US11054444B2 (en) System and method for limiting voltage
US20120176706A1 (en) Reliable signaling of fault conditions in battery systems with series-connected cells
CN110958002A (en) Solid state power switching device
PL191165B1 (en) Ac switch operation monitoring circuit
RU2568655C1 (en) Key element with real-time diagnostic function
CN102866324B (en) Output channel leakage current detection circuit