RU2565859C1 - Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power - Google Patents

Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power Download PDF

Info

Publication number
RU2565859C1
RU2565859C1 RU2014116024/28A RU2014116024A RU2565859C1 RU 2565859 C1 RU2565859 C1 RU 2565859C1 RU 2014116024/28 A RU2014116024/28 A RU 2014116024/28A RU 2014116024 A RU2014116024 A RU 2014116024A RU 2565859 C1 RU2565859 C1 RU 2565859C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heating
measurement object
pulses
current
temperature
Prior art date
Application number
RU2014116024/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Виталий Иванович Смирнов
Вячеслав Андреевич Сергеев
Андрей Анатольевич Гавриков
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет"
Priority to RU2014116024/28A priority Critical patent/RU2565859C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2565859C1 publication Critical patent/RU2565859C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

FIELD: measurement equipment.
SUBSTANCE: method consists in passage of a sequence of heating current pulses via a measurement object with constant period of repetition and duration, which varies according to harmonic law, measurement in pauses of temperature sensitive parameter - voltage at the object as measurement current through it and determination of object temperature variation caused by modulation of heating capacity. Further with the help of Fourier transform they calculate the amplitude of the first harmonics of object temperature, afterwards they determine thermal resistance as ratio of amplitudes of the first harmonics of temperature and heating power. At the same time during determination of amplitude of the first harmonics of heating power they take into account the value of scattered capacity in the pause between the heating pulses during of passage of measurement current through the object.
EFFECT: increased accuracy.
2 dwg

Description

Изобретение относится к технике измерения теплофизических параметров электронных компонентов и может быть использовано для контроля теплового сопротивления при разработке и производстве нанотранзисторов, нанорезисторов и других компонентов наноэлектроники.The invention relates to a technique for measuring the thermophysical parameters of electronic components and can be used to control thermal resistance in the development and production of nanotransistors, nanoresistors and other components of nanoelectronics.

Параметры разрабатываемых в настоящее время нанотранзисторов и других компонентов наноэлектроники очень чувствительны к изменению их температуры. При малых значениях теплоемкости компонентов наноэлектроники небольшая рассеиваемая мощность может вызвать существенный перегрев их активной области. Это требует контроля теплового сопротивления, характеризующего степень перегрева активной области компонента при единичной рассеиваемой мощности. Тем не менее, средств измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники в настоящее время не существует (Афонский А.А., Дьяконов В.П. Электронные измерения в нанотехнологиях и микроэлектронике - М.: ДМК Пресс, 2011. С. 688).The parameters of currently developed nanotransistors and other components of nanoelectronics are very sensitive to changes in their temperature. For small values of the heat capacity of the components of nanoelectronics, a small dissipated power can cause a significant overheating of their active region. This requires control of thermal resistance, characterizing the degree of overheating of the active region of the component at a unit power dissipation. However, there is currently no means of measuring the thermal resistance of nanoelectronic components (Afonsky A.A., Dyakonov V.P. Electronic Measurements in Nanotechnology and Microelectronics - M .: DMK Press, 2011. P. 688).

Среди существующих способов измерения теплового сопротивления электронных компонентов известен способ измерения теплового сопротивления переход-корпус диодов СВЧ (ГОСТ 19656, 18-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления), заключающийся в том, что через объект пропускают импульсы греющей мощности фиксированной длительности и амплитуды, а в промежутках между импульсами измеряют изменение температурочувствительного параметра UТЧП - прямого напряжения полупроводникового диода при пропускании через него малого измерительного тока. Прямое напряжение полупроводникового диода при пропускании через него малого измерительного тока линейно зависит от температуры, что позволяет косвенно измерить температуру перехода, предварительно определив температурный коэффициент напряжения.Among the existing methods for measuring the thermal resistance of electronic components, there is a known method for measuring the thermal resistance of the transition-package microwave diodes (GOST 19656, 18-84 microwave semiconductor diodes. Methods of measuring the thermal resistance of the transition-package and pulsed thermal resistance), which consists in passing through an object heating power pulses of a fixed duration and amplitude, and in the intervals between pulses measure the change in the temperature- sensitive parameter U of the PMP - direct voltage a diode when passing a small measuring current through it. The direct voltage of a semiconductor diode when a small measuring current is passed through it is linearly dependent on temperature, which allows you to indirectly measure the transition temperature, having previously determined the temperature coefficient of voltage.

Недостатком способа является низкая точность, обусловленная большой погрешностью измерения импульсного напряжения UТЧП(t) из-за влияния переходных тепловых и электрических процессов при переключении полупроводникового диода из режима разогрева в режим измерения.The disadvantage of this method is the low accuracy due to the large error in measuring the pulse voltage U of the PMP (t) due to the influence of transient thermal and electrical processes when the semiconductor diode switches from the heating mode to the measuring mode.

Наиболее близким по технической сущности к заявленному изобретению (прототипом) является способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов (см. патент РФ №2402783. Способ измерения теплового импеданса полупроводниковых диодов, Б.И. №30, 2010 г.), суть которого заключается в следующем. Через полупроводниковый диод в прямом направлении пропускают последовательность импульсов греющего тока, длительность τ которых изменяется по гармоническому законуThe closest in technical essence to the claimed invention (prototype) is a method of measuring the thermal impedance of semiconductor diodes (see RF patent No. 2402783. A method of measuring the thermal impedance of semiconductor diodes, B.I. No. 30, 2010), the essence of which is as follows . Through a semiconductor diode, a sequence of heating current pulses is passed in the forward direction, the duration τ of which varies in harmonic law

Figure 00000001
Figure 00000001

где τ0 - средняя длительность импульсов; а - коэффициент модуляции; ω - частота модуляции. Период следования импульсов Тсл и амплитудное значение греющего тока Iгр на полупроводниковом диоде поддерживают постоянными. В промежутках между импульсами греющего тока через диод пропускают малый измерительный ток Iизм, измеряют температурочувствительный параметр UТЧП - прямое напряжение на p-n-переходе и при известном температурном коэффициенте напряжения КТ определяют изменения температуры p-n-перехода T(t), вызванные пропусканием через диод широтно-импульсно модулированных импульсов греющего токаwhere τ 0 is the average pulse duration; a is the modulation coefficient; ω is the modulation frequency. The pulse repetition period T SL and the amplitude value of the heating current I g on the semiconductor diode are kept constant. In between pulses of the heating current through diode passing a small test current I MOD, measured temperature-parameter U TCHP - direct voltage across pn-junction and at a known temperature coefficient voltage KT determine changes pn-transition temperature T (t), caused by passing through the diode pulse-width modulated heating current pulses

Figure 00000002
Figure 00000002

Среднюю за период следования Тсл греющую мощность

Figure 00000003
определяют по формуле:The average repetition period T for a heating power cl
Figure 00000003
determined by the formula:

Figure 00000004
Figure 00000004

ге

Figure 00000005
- среднее значение греющей мощности; Uгр - напряжение на объекте измерения на вершине греющих импульсов;ge
Figure 00000005
- the average value of the heating power; U gr - voltage at the measurement object at the top of the heating pulses;

Р1=Рср·а - амплитуда переменной составляющей греющей мощности.P 1 = P cf · a is the amplitude of the variable component of the heating power.

По результатам вычисления амплитуд первых гармоник температуры T1(ω) p-n-перехода и греющей мощности Р1(ω) определяют тепловое сопротивление RT(ω) на частоте модуляции ω по формулеAccording to the results of calculating the amplitudes of the first harmonics of the temperature T 1 (ω) of the pn junction and the heating power P 1 (ω), the thermal resistance R T (ω) is determined at the modulation frequency ω by the formula

Figure 00000006
Figure 00000006

Недостатком прототипа является то, что при его применении для измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники появляется значительная погрешность, обусловленная тем, что значение измерительного тока Iизм в паузе между греющими импульсами не является пренебрежимо малым по сравнению с амплитудным значением греющего тока Iгр, в результате чего амплитуда первой гармоники греющей мощности P1 и, как следствие, тепловое сопротивление RT определяются с существенной погрешностью.The disadvantage of the prototype is that in its application for the measurement of nanoelectronic components of the thermal resistance appears much error due to the fact that the value of the measuring current I rev in the interval between the heating pulse is not negligibly small compared with the amplitude value of the heating current I c, whereby the amplitude of the first harmonic of the heating power P 1 and, as a consequence, the thermal resistance R T are determined with a significant error.

Технический результат - повышение точности измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники.EFFECT: increased accuracy of measuring thermal resistance of nanoelectronic components.

Технический результат достигается тем, что, как и в прототипе, через объект измерения пропускают последовательность импульсов греющего тока амплитудой Iгр и постоянным периодом следования Тсл, а в паузах между ними измеряют температурочувствительный параметр UТЧП при постоянном значении Iизм - величине тока через объект измерения в паузе между греющими импульсами. В качестве температурочувствительного параметра может быть использовано, например, электрическое сопротивление жгутов углеродных нанотрубок, которое линейно зависит от температуры (Z.J. Han, К. Ostrikov. Controlled electronic transport in single-walled carbon nanotube networks // Applied Physics Letters 2010, 96, 233115). По измеренным значениям UТЧП - напряжения на объекте измерения в паузе между греющими импульсами и Uгр - напряжения на объекте измерения на вершине греющих импульсов вычисляют амплитуды первых гармоник температуры T1 и рассеиваемой мощности Р1, отношение которых определяет тепловое сопротивление объекта измерения. В отличие от прототипа, в котором измерительный ток Iизм считают пренебрежимо малым по сравнению с греющим током Iгр, в заявляемом изобретении учитывают величину рассеиваемой мощности в паузе между греющими импульсами при пропускании через объект измерительного тока Iизм и расчет средней за период следования Тсл греющей мощности

Figure 00000003
осуществляют по формулеThe technical result is achieved by the fact that, as in the prototype, a sequence of heating current pulses with an amplitude of I g and a constant repetition period T sl is passed through the measurement object, and in the pauses between them the temperature sensitive parameter U of the PMT is measured at a constant value of I meas - the magnitude of the current through the object measurements in a pause between heating pulses. As a temperature-sensitive parameter, for example, the electrical resistance of carbon nanotube bundles can be used, which linearly depends on temperature (ZJ Han, K. Ostrikov. Controlled electronic transport in single-walled carbon nanotube networks // Applied Physics Letters 2010, 96, 233115) . From the measured values of U, the PPI - voltage at the measurement object in the pause between heating pulses and U gr - voltage at the measurement object at the top of the heating pulses, calculate the amplitudes of the first harmonics of temperature T 1 and power dissipation P 1 , the ratio of which determines the thermal resistance of the measurement object. Unlike the prior art, wherein the measuring current I MOD is considered negligible compared to the heating current I c, the claimed invention take into account the magnitude of power dissipation in the interval between the heating pulses when passing through a measurement current object I edited and calculating the average of the repetition period T cl heating power
Figure 00000003
carried out by the formula

Figure 00000007
Figure 00000007

где Рср - среднее значение греющей мощности, которое с учетом (1) вычисляют по формулеwhere P cf - the average value of the heating power, which, taking into account (1), is calculated by the formula

Figure 00000008
Figure 00000008

P1 - амплитуда первой гармоники переменной составляющей греющей мощности, которую с учетом (1) вычисляют по формулеP 1 - the amplitude of the first harmonic of the variable component of the heating power, which, taking into account (1), is calculated by the formula

Figure 00000009
Figure 00000009

При расчете амплитуды первой гармоники P1 переменной составляющей греющей мощности используют допущение, что вариации напряжения на объекте, вызванные циклическим изменением его температуры, существенно меньше напряжения Uгр в момент протекания греющего тока (на вершине греющего импульса) и напряжения UТЧП в паузе между греющими импульсами, что позволяет при расчете Р1 по формуле (5) принять напряжения Uгр и UТЧП постоянными для всех греющих импульсов.When calculating the amplitude of the first harmonic P 1 of the variable component of the heating power, the assumption is used that the voltage variations on the object, caused by a cyclic change in its temperature, are significantly less than the voltage U gr at the time of the heating current (at the top of the heating pulse) and the voltage U of the PMT in the pause between the heating pulses, which allows for the calculation of P 1 according to the formula (5) to take the voltage U gr and U PST constant for all heating pulses.

Зависимость тока I через объект измерения от времени представлена на фиг. 1а. Широтно-импульсная модуляция греющего тока Iгр, осуществляемая по гармоническому закону, вызывает соответствующие изменения рассеиваемой в объекте мощности

Figure 00000010
график которой представлен на фиг. 1б. Модуляция греющей мощности вызывает соответствующие изменения температуры T(t) объекта измерения, сдвинутые по фазе относительно мощности (фиг. 1в). Изменение температуры вызывает соответствующие изменения температурочувствительного параметра UТЧП(t), например напряжения на жгуте из углеродных нанотрубок при протекании через него постоянного измерительного тока Iизм. Зависимость температурочувствительного параметра UТЧП(t) от времени представлена на фиг. 1г.The dependence of the current I through the measurement object on time is shown in FIG. 1a. The pulse-width modulation of the heating current I g , carried out according to the harmonic law, causes corresponding changes in the power dissipated in the object
Figure 00000010
a graph of which is shown in FIG. 1b. Modulation of the heating power causes corresponding changes in the temperature T (t) of the measurement object, shifted in phase relative to the power (Fig. 1B). A temperature change causes corresponding changes in temperature-TCHP parameter U (t), for example the voltage on the wiring of the carbon nanotubes during the flow therethrough of constant measurement current I MOD. The dependence of the temperature- sensitive parameter U of the PMP (t) on time is shown in FIG. 1g

Для измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники, например жгутов из углеродных нанотрубок, через объект пропускают последовательность широтно-импульсно модулированных импульсов греющего тока Iгр с гармоническим законом модуляции и постоянным периодом следования Тсл, измеряют напряжение Uгр на объекте измерения на вершине греющих импульсов и напряжение UТЧП в паузе между ними при протекании через объект измерительного тока Iизм, по формуле (5) определяют амплитуду P1 первой гармоники греющей мощности, а по формуле (2) - изменение температуры объекта T(t), затем с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду T1 первой гармоники переменной составляющей температуры объекта, после чего с помощью формулы (3) определяют тепловое сопротивление RT(ω) на частоте модуляции греющей мощности ω.To measure the thermal resistance of nanoelectronics components, for example, bundles of carbon nanotubes, a sequence of pulse-width modulated heating current pulses I g with a harmonic modulation law and a constant repetition period T sl is passed through an object, voltage U g is measured at the measurement object at the top of the heating pulses and voltage U TCHP a pause therebetween during the flow through the measuring current I edited object, according to the formula (5) P 1 determine the amplitude of the first harmonic of the heating power, and the formula (2) - change in the temperature of the object T (t), then using the Fourier transform, calculate the amplitude T 1 of the first harmonic of the variable component of the temperature of the object, and then using the formula (3) determine the thermal resistance R T (ω) at the modulation frequency of the heating power ω.

Предлагаемый способ может быть реализован с помощью устройства, структурная схема которого показана на фиг. 2. Устройство содержит источник 1 измерительного тока; формирователь 2 греющих импульсов, управляемый микроконтроллером 3; аналого-цифровой преобразователь 4, вход которого соединен с объектом измерения 5, а выход - с микроконтроллером 3.The proposed method can be implemented using a device whose structural diagram is shown in FIG. 2. The device contains a source 1 of a measuring current; driver 2 heating pulses, controlled by a microcontroller 3; analog-to-digital Converter 4, the input of which is connected to the measurement object 5, and the output to the microcontroller 3.

Способ осуществляют следующим образом. С выхода формирователя 2 греющих импульсов на объект измерения 5 поступает заданное микроконтроллером 3 количество импульсов греющего тока Iгр, период следования Тсл которых постоянный, а длительность модулируют по гармоническому закону. Измеряют напряжение Uгр на вершине греющего импульса, а в паузах между греющими импульсами измеряют температурочувствительный параметр - напряжение UТЧП на объекте 5, возникающее при протекании через него измерительного тока Iизм, сформированного источником 1. Напряжение UТЧП с помощью аналого-цифрового преобразователя 4 преобразуют в цифровой код, поступающий в микроконтроллер 3, в результате чего в памяти микроконтроллера 3 формируют массив значений {UТЧП}, который затем преобразуют в массив температур {Т}. С помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду T1 первой гармоники переменной составляющей температуры объекта. Используя измеренные значения напряжений на вершине греющих импульсов Uгр и в паузах между ними UТЧП, вычисляют амплитуду Р1 первой гармоники греющей мощности и далее определяют тепловое сопротивление объекта, равное отношению амплитуд первых гармоник температуры Т1 и греющей мощности Р1.The method is as follows. From the output of the shaper 2 of heating pulses to the measurement object 5, the number of heating current pulses I g specified by the microcontroller 3 is received, the repetition period T sl of which is constant, and the duration is modulated according to harmonic law. Measured voltage U c at the top heating pulse, and in the pauses between pulses of the heating temperature-measured parameter - TCHP voltage U on the object 5, which occurs when the flow through the measuring current I MOD generated by the source 1. The voltage U TCHP via analog-to-digital converter 4 converted into a digital code supplied to the microcontroller 3, as a result of which an array of values {U ТПП } is formed in the memory of the microcontroller 3, which is then converted into an array of temperatures {Т}. Using the Fourier transform, the amplitude T 1 of the first harmonic of the variable component of the temperature of the object is calculated. Using the measured voltage values at the top of the heating pulses U gr and in the pauses between them U UHP , calculate the amplitude P 1 of the first harmonic of the heating power and then determine the thermal resistance of the object equal to the ratio of the amplitudes of the first harmonics of the temperature T 1 and heating power P 1 .

Повышение точности измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники в заявленном способе достигается за счет того, что в отличие от прототипа, в нем при расчете амплитуды P1 первой гармоники греющей мощности учтена тепловая мощность, рассеиваемая в объекте в паузе между греющими импульсами при протекании через него измерительного тока.Improving the accuracy of measuring the thermal resistance of the components of nanoelectronics in the claimed method is achieved due to the fact that, in contrast to the prototype, in calculating the amplitude P 1 of the first harmonic of the heating power, the thermal power dissipated in the object in the pause between the heating pulses when the measuring current flows through it is taken into account .

Claims (1)

Способ измерения теплового сопротивления компонентов наноэлектроники с использованием широтно-импульсной модуляции греющей мощности, заключающийся в том, что через объект измерения пропускают последовательность широтно-импульсно модулированных импульсов греющего тока Iгр с гармоническим законом модуляции и постоянным периодом следования Тсл, измеряют напряжение Uгр на объекте измерения на вершине греющих импульсов и напряжение UТЧП в паузе между ними при протекании через объект измерения измерительного тока Iизм, определяют амплитуду Р1 первой гармоники греющей мощности и изменение температуры объекта измерения T(t), затем с помощью Фурье-преобразования вычисляют амплитуду Т1 первой гармоники переменной составляющей температуры объекта измерения, после чего определяют тепловое сопротивление объекта измерения как отношение амплитуд первых гармоник температуры и греющей мощности, отличающийся тем, что учитывают величину рассеиваемой мощности в паузе между греющими импульсами при пропускании через объект измерения измерительного тока, и расчет амплитуды Р1 первой гармоники греющей мощности осуществляют по формуле
Figure 00000011

где а - коэффициент модуляции импульсов, τ0 - средняя длительность импульсов, Тсл - период следования импульсов, Iгр - амплитуда импульсов греющего тока через объект измерения, Uгр - напряжение на объекте измерения на вершине греющих импульсов, Iизм - величина тока через объект измерения в паузе между греющими импульсами, UТЧП - напряжение на объекте измерения в паузе между греющими импульсами. A method for measuring the thermal resistance nanoelectronic components using pulse width modulation of the heating power, which consists in that, through the measurement object passed sequence of pulse width modulated pulses of the heating current I c with the harmonic law modulation and constant repetition period T cl measured voltage U c to measurement object on top of the heating pulses and the voltage U in TCHP pause therebetween during the flow through the measuring current I MOD measurement object is determined am litudu P 1 of the first harmonic of the heating power and the temperature change of the measurement object T (t), then using the Fourier transform is calculated amplitude T 1 of the first harmonic of the variable component of the object of measurement temperature, after which the thermal resistance of the measurement object as the ratio of amplitudes of the first temperature harmonics and heating power, characterized in that take into account the magnitude of the dissipated power in the pause between the heating pulses when passing through the measurement object of the measuring current, and the calculation of the amplitude P 1 the first harmonic of the heating power is carried out according to the formula
Figure 00000011

where a is the pulse modulation coefficient, τ 0 is the average pulse duration, T sl is the pulse repetition period, I gr is the amplitude of the heating current pulses through the measurement object, U gr is the voltage at the measurement object at the top of the heating pulses, I IS is the current through measurement object in a pause between heating pulses, U ТЧП - voltage on a measurement object in a pause between heating pulses.
RU2014116024/28A 2014-04-21 2014-04-21 Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power RU2565859C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014116024/28A RU2565859C1 (en) 2014-04-21 2014-04-21 Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014116024/28A RU2565859C1 (en) 2014-04-21 2014-04-21 Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2565859C1 true RU2565859C1 (en) 2015-10-20

Family

ID=54327398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014116024/28A RU2565859C1 (en) 2014-04-21 2014-04-21 Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2565859C1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1310754A1 (en) * 1985-06-17 1987-05-15 Ульяновский политехнический институт Method of determining junction-case thermal resistance of digital integrated circuits
RU2402783C1 (en) * 2009-08-04 2010-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes
CN102565559A (en) * 2010-12-28 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Thermistor testing device
RU2504793C1 (en) * 2012-06-26 2014-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determination of heat-transfer resistance for digital cmos integrated circuits

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1310754A1 (en) * 1985-06-17 1987-05-15 Ульяновский политехнический институт Method of determining junction-case thermal resistance of digital integrated circuits
RU2402783C1 (en) * 2009-08-04 2010-10-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes
CN102565559A (en) * 2010-12-28 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 Thermistor testing device
RU2504793C1 (en) * 2012-06-26 2014-01-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет" Method for determination of heat-transfer resistance for digital cmos integrated circuits

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2640089C2 (en) System and method of monitoring working condition of igbt device in real time
US11397209B2 (en) Methods of monitoring conditions associated with aging of silicon carbide power MOSFET devices in-situ, related circuits and computer program products
RU2402783C1 (en) Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes
US10337930B2 (en) Online IGBT junction temperature estimation without the use of a dedicated temperature estimation or measurement device
Baker et al. Online junction temperature measurement using peak gate current
Zhang et al. Online junction temperature monitoring using turn-off delay time for silicon carbide power devices
JP6540062B2 (en) Device and method for evaluating switching energy loss of power semiconductor devices
CN104020405A (en) Pulse type power mode LED voltage-current-junction temperature characteristic testing device
Qiao et al. Online junction temperature monitoring for SiC MOSFETs using turn-on delay time
JP2019536408A (en) Method for managing health of multi-die power module and multi-die health monitoring device
RU2463618C1 (en) Method for determining thermal impedance of cmos digital integrated microcircuits
RU2507526C1 (en) Method to measure thermal impedance of semiconducting diodes with usage of polyharmonical modulation of heating capacity
RU2624406C1 (en) Method of measuring the thermal impedance of leds
RU2565859C1 (en) Method to measure thermal resistance of nanoelectronics components using width-pulse modulation of heating power
RU2613481C1 (en) Method of digital integrated circuits transient thermal characteristics measuring
CN104076265A (en) Method and device for rapidly measuring electrical parameter temperature variation coefficient of semiconductor device
RU2572794C1 (en) Method to measure thermal junction-to-case resistance of high-capacity mis transistors
RU2504793C1 (en) Method for determination of heat-transfer resistance for digital cmos integrated circuits
RU2178893C1 (en) Process determining thermal resistance of junction-package of semiconductor diodes
RU2639989C2 (en) Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products
Kulothungan et al. Novel method for accelerated thermal cycling of gallium nitride power devices to perform reliability assessment
RU2556315C2 (en) Method to measure thermal impedance of light diodes
RU2685769C1 (en) Method of determination of transient thermal resistance of crystal-housing and thermal resistance of crystal-housing in the state of heat equilibrium of transistors with field control
RU2630191C1 (en) Method of measuring thermal impedance of semiconductor diodes using amplitude-pulse modulation of the grapping capacity
Sathik et al. Online electro-thermal model for real time junction temperature estimation for insulated gate bipolar transistor (IGBT)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160422