RU2556183C2 - Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film - Google Patents
Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film Download PDFInfo
- Publication number
- RU2556183C2 RU2556183C2 RU2013119139/02A RU2013119139A RU2556183C2 RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2 RU 2013119139/02 A RU2013119139/02 A RU 2013119139/02A RU 2013119139 A RU2013119139 A RU 2013119139A RU 2556183 C2 RU2556183 C2 RU 2556183C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- titanium
- heterostructure
- silicide
- silicon substrate
- titanium oxide
- Prior art date
Links
Images
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов.The invention relates to a technology for producing semiconductor materials and can be used to create semiconductor devices.
Известны различные способы формирования слоев диоксида титана на подложках путем термического оксидирования пленок титана, где источником атомов окислителя является газовая среда [1, 2]. Также известны различные способы формирования слоев силицидов титана на подложке кремния путем термического окисления пленок титана, где источником атомов окислителя является подложка [3-6]. Что касается формирования пленочных гетероструктур диоксид титана-силицид титана на подложке кремния, то предложенный в работе [7] способ формирования гетероструктуры TiO2 / TiSi2 путем термического оксидирования пленки TiSi2 на подложке монокристаллического кремния не позволяет получить однофазную пленку TiO2, а способ, предложенный в работе [8], основанный на твердофазной реакции разложения пленки TiO2 в контакте с подложкой Si - сплошную пленку TiSi2. К недостаткам последнего способа следует отнести и невозможность получения предельной фазы силицида TiSi2(C54), обусловленную ингибирующим влиянием кислорода на кинетику силицидообразования [9].There are various methods of forming layers of titanium dioxide on substrates by thermal oxidation of titanium films, where the source of oxidizing atoms is a gaseous medium [1, 2]. Various methods are also known for the formation of layers of titanium silicides on a silicon substrate by thermal oxidation of titanium films, where the substrate is the source of oxidizing atoms [3-6]. As for the formation of titanium dioxide-titanium silicide film heterostructures on a silicon substrate, the method proposed in [7] for forming a TiO 2 / TiSi 2 heterostructure by thermal oxidation of a TiSi 2 film on a single-crystal silicon substrate does not allow obtaining a single-phase TiO 2 film, and the method proposed in [8], based on the solid-phase decomposition of a TiO 2 film in contact with a Si substrate, is a continuous TiSi 2 film. The disadvantages of the latter method include the impossibility of obtaining the limiting phase of TiSi 2 silicide (C54), due to the inhibitory effect of oxygen on the kinetics of silicide formation [9].
Наиболее близким аналогом к заявляемому решению является способ получения гетероструктуры TiO2 / TiSi2, предложенный в работе [10]. Этот способ включает следующие стадии:The closest analogue to the claimed solution is a method for producing a TiO 2 / TiSi 2 heterostructure proposed in [10]. This method includes the following steps:
размещение кремниевой подложки в вакуумной камере;placement of the silicon substrate in a vacuum chamber;
очистка кремниевой подложки от естественного оксида;purification of the silicon substrate from natural oxide;
формирование методом магнетронного распыления нанокристаллической пленки титана на поверхности пластины кремния;the formation by magnetron sputtering of a nanocrystalline titanium film on the surface of a silicon wafer;
синтез гетероструктуры TiO2 / TiSi2 происходит в результате активированных термической обработкой в диапазоне температур от 700 до 1000°C в течение 30 мин реакций оксидирования пленки Ti со стороны свободной поверхности и силицидобразования с межфазной границы Ti/Si.the synthesis of the TiO 2 / TiSi 2 heterostructure occurs as a result of oxidation reactions of the Ti film from the free surface and silicide formation from the Ti / Si interface activated by heat treatment in the temperature range from 700 to 1000 ° C for 30 min.
Основным недостатком этого способа является относительно высокая температура и большая длительность процесса формирования гетероструктуры, а также, как и в способе [8], невозможность получения фазы силицида TiSi2(C54), характеризующейся наивысшей электропроводностью.The main disadvantage of this method is the relatively high temperature and long duration of the heterostructure formation process, as well as, as in the method [8], the impossibility of obtaining the TiSi 2 (C54) silicide phase, which is characterized by the highest electrical conductivity.
Изобретение направлено на снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса. Это достигается тем, что проводят фотонную обработку исходной гетероструктуры Si/Ti излучением ксеноновых ламп с диапазоном излучения 0,2-1,2 мкм в атмосфере воздуха пакетом импульсов длительностью 10-2 с в течение 2,0-2,2 с при дозе энергии в интервале 220-240 Дж·см-2 для активации реакций оксидирования и силицидобразования при формировании гетероструктуры оксид титана - силицид титана. Снижение температурной нагрузки происходит за счет уменьшения времени обработки и локализации излучения в приповерхностном слое металла.The invention is aimed at reducing the temperature load on the silicon substrate, reducing the process time. This is achieved by performing photon processing of the initial Si / Ti heterostructure by radiation of xenon lamps with a radiation range of 0.2-1.2 μm in an air atmosphere with a pulse packet of 10 -2 s duration for 2.0-2.2 s at an energy dose in the range of 220-240 J cm -2 to activate oxidation and silicide formation reactions during the formation of a heterostructure titanium oxide - titanium silicide. Reducing the temperature load occurs by reducing the processing time and localization of radiation in the surface layer of the metal.
Способ реализуется следующим образом.The method is implemented as follows.
Формирование гетероструктуры TiO2 / TiSi2 / Si производили на модернизированной установке импульсной фотонной обработки УОЛП-1. Исходную гетероструктуру готовили в процессе магнетронного распыления титановой мишени и нанесения пленки толщиной около 0,4 мкм на поверхность монокристаллической пластины кремния толщиной 450 мкм. Гетероструктуру помещали в рабочую камеру параллельно плоскости, в которой расположены лампы. Импульсную фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха или кислорода в течение 2,0-2,2 с. При этом плотность энергии излучения, поступающего на образец (ЕИ), составляет 220-240 Дж·см-2.The formation of the TiO 2 / TiSi 2 / Si heterostructure was carried out on a modernized installation of pulsed photon processing УОЛП-1. The initial heterostructure was prepared by magnetron sputtering of a titanium target and coating a film with a thickness of about 0.4 μm on the surface of a 450 nm thick single crystal silicon wafer. The heterostructure was placed in the working chamber parallel to the plane in which the lamps are located. Pulse photon processing was carried out in an atmosphere of air or oxygen for 2.0-2.2 s. In this case, the energy density of the radiation entering the sample (E AND ) is 220-240 J · cm -2 .
В результате реакции кислорода с титаном образуется слой диоксида титана, а в результате реакции между титаном и кремнием образуется слой силицида титана. В указанном интервале дозы энергии излучения в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа формируется гетероструктура, в которой толщина слоя силицида и слоя оксида близки по величине.As a result of the reaction of oxygen with titanium, a layer of titanium dioxide is formed, and as a result of the reaction between titanium and silicon, a layer of titanium silicide is formed. In the indicated interval of the dose of radiation energy in the air atmosphere at a pressure of 100 kPa, a heterostructure is formed in which the thickness of the silicide layer and the oxide layer are close in magnitude.
Пример 1. В качестве подложки использовали пластину монокристаллического кремния марки КДБ-10 ориентации (111) диаметром 100 мм. Перед конденсацией Ti поверхность кремния очищали химическим травлением в растворе плавиковой кислоты и промывкой в дистиллированной воде. Из рабочей камеры с помощью вакуумной системы откачивали воздух до получения давления 5·10-3 Па. После откачки в камеру напускали аргон до достижения давления в камере 5,3·10-1 Па. После достижения необходимого давления проводили очистку поверхности подложки ионным пучком. Затем на поверхность ненагретой подложки в процессе магнетронного распыления или электронно-лучевого испарения в сверхвысоком вакууме не хуже 10-5 Па наносили пленку титана. Для предотвращения загрязнения подложки и пленки углеродом откачка вакуумной камеры установки осуществляли безмасляными средствами. Исходную гетероструктуру, представляющую собой пластину монокристаллического кремния толщиной 450 мкм с пленкой титана толщиной около 0,4 мкм, помещали в рабочую камеру установки. Фотонную обработку проводили в атмосфере воздуха при давлении 100 кПа в течение 2,0 с, что соответствовало дозе поступившего на образец излучения 220 Дж·см-2. После обработки образец извлекали из камеры и исследовали фазовый состав методом рентгеновской дифрактометрии на приборе СУР-01 «РЕНОМ» (CuKα излучение). Исследование структуры проводили на электронно-ионном сканирующем микроскопе Quanta 3D и просвечивающем электронном микроскопе Philips ЕМ-430 ST.Example 1. As the substrate used a plate of single crystal silicon grade KDB-10 orientation (111) with a diameter of 100 mm Before Ti condensation, the silicon surface was cleaned by chemical etching in a solution of hydrofluoric acid and washing in distilled water. Using a vacuum system, air was pumped out of the working chamber to obtain a pressure of 5 · 10 -3 Pa. After evacuation, argon was introduced into the chamber until the pressure in the chamber reached 5.3 · 10 -1 Pa. After reaching the required pressure, the surface of the substrate was cleaned with an ion beam. Then, a titanium film was deposited on the surface of an unheated substrate during magnetron sputtering or electron beam evaporation in ultrahigh vacuum no worse than 10 -5 Pa. To prevent contamination of the substrate and the film with carbon, the vacuum chamber was evacuated by oil-free means. The initial heterostructure, which is a 450 μm thick single crystal silicon wafer with a titanium film about 0.4 μm thick, was placed in the working chamber of the installation. Photon processing was carried out in an atmosphere of air at a pressure of 100 kPa for 2.0 s, which corresponded to a dose of 220 J cm –2 radiation received on the sample. After processing, the sample was removed from the chamber and the phase composition was studied by X-ray diffractometry on a SUR-01 RENOM device (CuK α radiation). The structure was studied using a Quanta 3D electron-ion scanning microscope and a Philips EM-430 ST transmission electron microscope.
Установлено, что исходные пленки Ti имеют нанокристаллическую зеренную структуру с сильно выраженной текстурой <0001>, параметры кристаллической решетки соответствовали содержанию до 16% кислорода.It was found that the initial Ti films have a nanocrystalline grain structure with a strongly pronounced texture <0001>, the crystal lattice parameters corresponded to up to 16% oxygen.
На рис. 1 приведены рентгеновская дифрактограмма (а), РЭМ-изображение поперечного среза в отраженном ионном пучке (б) и РЭМ-изображение свободной поверхности во вторичных электронах (в) гетероструктуры TiO2-TiSi2-Si, сформированной в течение 2,0 с, ЕИ=220 Дж·см-2 на воздухе.In fig. Figure 1 shows an X-ray diffraction pattern (a), a SEM image of a cross section in a reflected ion beam (b), and a SEM image of a free surface in secondary electrons (c) of a TiO 2 -TiSi 2 -Si heterostructure formed over 2.0 s, Е And = 220 J · cm -2 in air.
Анализ дифрактограммы показал, что фотонная обработка исходной гетероструктуры приводит к образованию гетероструктуры, состоящей из смеси оксидов титана: TiO2(Р), TiO2(А) и TiO, и смеси двух модификаций конечной фазы силицида титана TiSi2(C49) и TiSi2(C54). На дифрактограмме в области малых углов наблюдается увеличение фона, свидетельствующее о содержании аморфной фазы. При этом установлено, что фазы TiO2(Р) и TiSi2(C54) являются преобладающими из кристаллических фаз.Analysis of the diffraction pattern showed that photon processing of the initial heterostructure leads to the formation of a heterostructure consisting of a mixture of titanium oxides: TiO 2 (P), TiO 2 (A) and TiO, and a mixture of two modifications of the final phase of titanium silicide TiSi 2 (C49) and TiSi 2 (C54). An increase in the background is observed in the diffractogram in the region of small angles, indicating the content of the amorphous phase. It was found that the phases TiO 2 (P) and TiSi 2 (C54) are predominant from the crystalline phases.
Из РЭМ-изображения поперечного среза следует, что гетероструктура состоит из трех слоев: верхний слой - диоксид титана, имеет анизотропную структуру, ниже идет слой диоксида с более дисперсной структурой, причем на границе этих слоев выявляются поры. Слой под оксидными слоями, контактирующий с кремнием, соответствует смеси двух силицидных фаз: TiSi2(C49) и TiSi2(C54).It follows from the cross-sectional SEM image that the heterostructure consists of three layers: the upper layer is titanium dioxide, has an anisotropic structure, and below the layer of dioxide with a more dispersed structure, pores are revealed at the boundary of these layers. The layer under the oxide layers in contact with silicon corresponds to a mixture of two silicide phases: TiSi 2 (C49) and TiSi 2 (C54).
Пример 2. Пример осуществляется аналогично примеру 1. В этом примере плотность энергии излучения, поступающего на образец, составляет 240 Дж·см-2.Example 2. The example is carried out analogously to example 1. In this example, the energy density of the radiation entering the sample is 240 J · cm -2 .
На рис. 2 приведена рентгеновская дифрактограмма синтезированной гетероструктуры. Из нее следует, что гетероструктура состоит из фаз: TiO2, TiSi2(C54) и Si. В результате фотонной обработки формируется слоевая гетероструктура: нижний слой - дисилицид титана структурного типа С54, контактирует с подложкой кремния, верхний слой - диоксид титана в модификации рутила. Тем самым получено изделие, представляющее собой гетероструктуру TiO2-TiSi2(C54)-Si.In fig. Figure 2 shows an X-ray diffraction pattern of a synthesized heterostructure. It follows that the heterostructure consists of the phases: TiO 2 , TiSi 2 (C54) and Si. As a result of photonic processing, a layered heterostructure is formed: the lower layer is a titanium disilicide of structural type C54, is in contact with a silicon substrate, the upper layer is titanium dioxide in the modification of rutile. Thereby, an article is obtained which is a TiO 2 —TiSi 2 (C54) —Si heterostructure.
Реализация предлагаемого способа позволяет получить изделия, состоящие из кремниевой подложки и сформированной гетероструктуры TiO2-TiSi2(C54). В сравнении с известными способами предложенное техническое решение обеспечивает снижение температурной нагрузки на кремниевую подложку, сокращение времени процесса при изготовлении изделия, что позволяет избежать протекания негативных процессов, активируемых продолжительным высокотемпературным нагревом.The implementation of the proposed method allows to obtain products consisting of a silicon substrate and the formed heterostructure TiO 2 -TiSi 2 (C54). In comparison with known methods, the proposed technical solution provides a decrease in the temperature load on the silicon substrate, a reduction in the process time during the manufacture of the product, which avoids the occurrence of negative processes activated by continuous high-temperature heating.
Источники информацииInformation sources
1. Патент RU 2369663, МПК С23С 8/10, 2009; Бай А.С., Лайнер Д.И., Слесарева Е.Н., Цыпин М.И. Окисление титана и его сплавов. М: Металлургия, 1970.1. Patent RU 2369663, IPC С23С 8/10, 2009; Bai A.S., Liner D.I., Slesareva E.N., Tsypin M.I. Oxidation of titanium and its alloys. M: Metallurgy, 1970.
2. Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. Crystallization behaviors of TiO2 films derived from thermal oxidation of evaporated and sputtered titanium films // J. of Alloys and Compounds. 2009.- V.480.- No. 2. - P. 938-941.2. Zhang Y., Ma X., Chen P., Yang D. Crystallization behaviors of TiO 2 films derived from thermal oxidation of evaporated and sputtered titanium films // J. of Alloys and Compounds. 2009.- V.480.- No. 2. - P. 938-941.
3. Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. (ред.). Тонкие Пленки - Взаимная Диффузия и Реакции // М., Мир, 1982. - 576 с. 3. Pout J., Tu K., Meyer J. (eds.). Thin Films - Mutual Diffusion and Reactions // M., Mir, 1982. - 576 p.
4. Мьюрарка С.П. Силициды для БИС. М.: Мир, 1986. - 175 с. 4. Muyrarka S.P. Silicides for LSI. M .: Mir, 1986.- 175 p.
5. Barbarini Е., Guastella S., Pirri C.F. Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers // Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010 18th International Conference on Sept. 28 2010-Oct. 1 2010.- P. 119-122.5. Barbarini E., Guastella S., Pirri C.F. Furnace annealing effects in the formation of titanium silicide Schottky barriers // Advanced Thermal Processing of Semiconductors (RTP), 2010 18th International Conference on Sept. 28 2010-Oct. 1 2010.- P. 119-122.
6. V.A. Pilipenko, V.V. Molofeev, V.N. Ponomar′, A.N. Mikhnyuk, V.A. Gorushko. Modeling of Diffusion Synthesis of Titanium Disilicide // Journal of Engineering Physics and Thermophysics 2005.- V.78. - No. 3. - P.610-615.6. V.A. Pilipenko, V.V. Molofeev, V.N. Ponomar ′, A.N. Mikhnyuk, V.A. Gorushko. Modeling of Diffusion Synthesis of Titanium Disilicide // Journal of Engineering Physics and Thermophysics 2005.- V.78. - No. 3. - P.610-615.
7. G.J. Huang, L.J. Chen Investigation of the oxidation kinetics of C54-TiSi2 on (001)Si by transmission electron microscopy // J. Appl. Phys. 1992.- V.72.-P.3143-3150.7. GJ Huang, LJ Chen Investigation of the oxidation kinetics of C54-TiSi 2 on (001) Si by transmission electron microscopy // J. Appl. Phys. 1992.- V.72.-P.3143-3150.
8. G.J. Yong, Rajeswari M. Kolagani, S. Adhikari, W. Vanderlinde, Y. Liang, K. Muramatsu, S. Friedrich. Thermal stability of SrTiO3 / SiO2/Si Interfaces at Intermediate Oxygen Pressures // Journal of Applied Physics 2010.- V.108.- P.033502-(1-8).8. GJ Yong, Rajeswari M. Kolagani, S. Adhikari, W. Vanderlinde, Y. Liang, K. Muramatsu, S. Friedrich. Thermal stability of SrTiO 3 / SiO 2 / Si Interfaces at Intermediate Oxygen Pressures // Journal of Applied Physics 2010.- V.108.- P.033502- (1-8).
9. J.P. Ponpon, A. Saulnier. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semiconductor Science and Technology 1989.- V.4. - P.526-528.9. J.P. Ponpon, A. Saulnier. Comparison of the growth kinetics of titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semiconductor Science and Technology 1989.- V.4. - P.526-528.
10. Sun Chuan-wei, Wang Yu-tai, Li Nian-qiang. Behavior of Ti Based on Si(l 11) Substrate at High Temperature in Oxygen // Semiconductor Photonics and Technology 2007.- No.2.- P. 161-163.10. Sun Chuan-wei, Wang Yu-tai, Li Nian-qiang. Behavior of Ti Based on Si (l 11) Substrate at High Temperature in Oxygen // Semiconductor Photonics and Technology 2007.- No.2.- P. 161-163.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013119139A RU2013119139A (en) | 2014-10-27 |
| RU2556183C2 true RU2556183C2 (en) | 2015-07-10 |
Family
ID=53380632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013119139/02A RU2556183C2 (en) | 2013-04-24 | 2013-04-24 | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2556183C2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111146410B (en) * | 2018-11-05 | 2021-03-02 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | Negative electrode active material and battery |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Procedure for application of coating by means of pulse laser and object with coating applied by such procedure |
-
2013
- 2013-04-24 RU RU2013119139/02A patent/RU2556183C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5897381A (en) * | 1996-07-11 | 1999-04-27 | Lsi Logic Corporation | Method of forming a layer and semiconductor substrate |
| US6849471B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-02-01 | Reflectivity, Inc. | Barrier layers for microelectromechanical systems |
| EP1538234A2 (en) * | 2003-12-01 | 2005-06-08 | Mori Yasuhiro | Method of modifying solid surface and product obtained |
| RU2425908C2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-08-10 | Пикодеон Лтд. Ой | Procedure for application of coating by means of pulse laser and object with coating applied by such procedure |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Sun Chuan-wei et al, Behaviour of Ti based on Si(111) substrate at high temperature in oxygen, том 13, N2, 05.2007, с.161-163; . * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2013119139A (en) | 2014-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gao et al. | ZnO nanorods/plates on Si substrate grown by low-temperature hydrothermal reaction | |
| Stepanov et al. | Synthesis of porous silicon by ion implantation | |
| Xiong et al. | Solid-state graphene formation via a nickel carbide intermediate phase | |
| JP5563500B2 (en) | Synthesis method of graphene and carbon molecular thin film | |
| TW201919992A (en) | Method and system for growth of graphene nanostripes by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
| Oliveira et al. | High textured AlN thin films grown by RF magnetron sputtering; composition, structure, morphology and hardness | |
| CN104087909A (en) | Preparation method of cubic silicon carbide film | |
| Cho et al. | Growth of monolayer graphene on nanoscale copper-nickel alloy thin films | |
| JP5578639B2 (en) | Graphite film manufacturing method | |
| TWI307558B (en) | Method of facbricating buffer layer on substrate | |
| TWI575327B (en) | Hard mask manufacturing method | |
| Sandin et al. | Improved graphene growth in UHV: Pit-free surfaces by selective Si etching of SiC (0001)–Si with atomic hydrogen | |
| RU2556183C2 (en) | Method of producing titanium oxide - titanium silicide heterostructure on monocrystalline silicon substrate coated with nanocrystalline titanium film | |
| Yang et al. | Hydrothermal–galvanic couple synthesis of directionally oriented BaTiO3 thin films on TiN-coated substrates | |
| Dong et al. | In situ study of atomic layer deposition Al2O3 on GaP (100) | |
| RU2436727C2 (en) | Method to produce nanocrystalline films of rutile | |
| Yuk et al. | Formation mechanisms of metallic Zn nanodots by using ZnO thin films deposited on n-Si substrates | |
| WO2021060366A1 (en) | Method of manufacturing sic semiconductor device and sic semiconductor device | |
| Wang et al. | Diffusion barrier capability of Zr–Si films for copper metallization with different substrate bias voltage | |
| Lu et al. | Effect of sputtering power on the properties of TaN thin films prepared by the magnetron sputtering | |
| Khare et al. | Ion beam sputter deposition of epitaxial Ag films on native oxide covered Si (1 0 0) substrates | |
| RU2634326C2 (en) | METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON | |
| US20210249331A1 (en) | Low-Temperature Deposition of High-Quality Aluminum Nitride Films for Heat Spreading Applications | |
| Yamaguchi et al. | Effect of target compositions on the crystallinity of β-FeSi2 prepared by ion beam sputter deposition method | |
| Tsuji et al. | Growth mechanism of epitaxial CoSi2 on Si and reactive deposition epitaxy of double heteroepitaxial Si/CoSi2/Si |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160425 |