RU2533347C1 - Device for independent recording of pulse magnetic field - Google Patents
Device for independent recording of pulse magnetic field Download PDFInfo
- Publication number
- RU2533347C1 RU2533347C1 RU2013129617/28A RU2013129617A RU2533347C1 RU 2533347 C1 RU2533347 C1 RU 2533347C1 RU 2013129617/28 A RU2013129617/28 A RU 2013129617/28A RU 2013129617 A RU2013129617 A RU 2013129617A RU 2533347 C1 RU2533347 C1 RU 2533347C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetic field
- bridge
- magnetoresistive
- thin
- magnetoresistors
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Description
Предлагаемое изобретение, относится к измерительной технике, а именно к устройствам автономной регистрации амплитуды напряженности однократного импульсного магнитного поля.The present invention relates to measuring technique, namely to devices for autonomous registration of the amplitude of the intensity of a single pulsed magnetic field.
Известно устройство [1] для измерения индукции сильных магнитных полей в диапазоне 1-10 Т, содержащее преобразователи магнитосопротивления, имеющие в этом диапазоне линейную калибровочную характеристику, в котором магнитоспоротивление помещено в одно из плеч резистивной мостовой схемы, запитываемой от источника постоянного напряжения. Напряжение разбаланса моста, возникающее в результате изменения величины магнитосопротивления под действием магнитного поля, измеряется непосредственно в период действия магнитного поля с помощью стрелочного или цифрового прибора. С целью увеличения чувствительности устройства для электропитания мостовой схемы может использоваться источник переменного напряжения, позволяющий использовать избирательный усилитель с наиболее предпочтительными характеристиками.A device [1] is known for measuring the induction of strong magnetic fields in the range of 1-10 T, containing magnetoresistance transducers having a linear calibration characteristic in this range, in which magnetoresistance is placed in one of the arms of a resistive bridge circuit powered from a constant voltage source. The unbalance voltage of the bridge, resulting from a change in the magnitude of the magnetoresistance under the influence of a magnetic field, is measured directly during the period of action of the magnetic field using a pointer or digital device. In order to increase the sensitivity of the device for powering the bridge circuit, an AC voltage source can be used, which allows the use of a selective amplifier with the most preferred characteristics.
Однако чувствительность данного устройства недостаточна для измерения величины магнитных полей в диапазоне менее 1 Т.However, the sensitivity of this device is insufficient to measure the magnitude of the magnetic fields in the range of less than 1 T.
Известны также способ и устройство [2] измерения величины магнитного поля, содержащее два магниторезистивных датчика, которые запитывают периодическим разнополярным напряжением одинаковой амплитуды, синхронно с ним создают поле подмагничивания датчиков, получая при этом в измеряемом магнитном поле чередование положительных и отрицательных приращений магнитносопротивлений датчиков, по величине которых определяют величину магнитного поля. По сравнению с устройством [1] выходной сигнал устройства имеет удвоенную величину, что увеличивает чувствительность при данном способе преобразования.There is also known a method and device [2] for measuring the magnitude of a magnetic field, containing two magnetoresistive sensors, which are fed with periodic bipolar voltage of the same amplitude, and simultaneously create a magnetization field of the sensors, while receiving in the measured magnetic field an alternation of positive and negative increments of the magnetoresistance of the sensors, the magnitude of which determines the magnitude of the magnetic field. Compared with the device [1], the output signal of the device is doubled, which increases the sensitivity with this conversion method.
Однако диапазон измерений устройства в пределе относится к диапазону 0,1-10 Т и не позволяет проводить измерения магнитных полей в диапазоне менее 0,1 Т.However, the measuring range of the device in the limit refers to the range of 0.1-10 T and does not allow measurements of magnetic fields in the range of less than 0.1 T.
Наиболее близким по своей технической сущности (прототипом) является устройство [3], содержащее в общем случае магниторезистивный мост, выполненный по тонкопленочной интегральной технологии, электрический соединитель, проводную линию связи, блок питания и балансировки магниторезистивного моста, блок считывания измерительной информации.The closest in its technical essence (prototype) is a device [3], which generally contains a magnetoresistive bridge made using thin-film integrated technology, an electrical connector, a wired communication line, a power supply and balancer for the magnetoresistive bridge, a reading unit for measuring information.
Перед измерением магниторезистивный мост с помощью электрического соединителя и линии связи подключают к блоку питания и балансировки и блоку считывания измерительной информации, запитывают и балансируют мост. Затем магниторезистивный мост помещают в измерительное магнитное поле и с помощью блока считывания измерительной информации производят измерения разбаланса моста, вызванного воздействием на него измеряемого магнитного поля. Процесс измерения протекает непрерывно в режиме реального времени.Before measurement, the magnetoresistive bridge is connected to the power and balancing unit and the reading unit for measuring information using an electrical connector and a communication line, and the bridge is powered and balanced. Then, the magnetoresistive bridge is placed in a measuring magnetic field and, using the measuring information reading unit, measurements are made of the unbalance of the bridge caused by the action of a measured magnetic field on it. The measurement process runs continuously in real time.
Тонкопленочные магниторезисторы прототипа больше, чем "монолитные", подходят для измерения слабых магнитных полей величиной менее 0,1 Т. Их порог чувствительности, характеризующийся многими параметрами (остаточным напряжением, уровнем собственных шумов, величиной тока управления, температурой окружающей среды и т.д.), близок к предельному для применяемого магниторезистивного материала. Кроме того, их температурная стабильность и преобразующая способность в диапазоне единиц миллитесла в 5-10 раз выше, чем у "монолитных" [4].Thin-film magnetoresistors of the prototype are larger than "monolithic" ones, suitable for measuring weak magnetic fields of less than 0.1 T. Their sensitivity threshold, characterized by many parameters (residual voltage, level of intrinsic noise, magnitude of the control current, ambient temperature, etc. ) is close to the limit for the magnetoresistive material used. In addition, their temperature stability and converting ability in the range of millitesla units is 5-10 times higher than that of "monolithic" [4].
Прототип при удовлетворительной линейности обладает чувствительностью, необходимой для измерения величины магнитного поля в диапазоне 0,8-40 мТ.The prototype, with satisfactory linearity, has the sensitivity necessary to measure the magnetic field in the range of 0.8-40 mT.
Недостатками прототипа является недостаточная чувствительность магниторезистивного устройства, а также влияние на результат измерений электрических наводок. Прототип не позволяет проводить измерения импульсных магнитных полей в диапазоне 0,01-0,8 мТ, характерном для испытаний технических средств на электромагнитную стойкость, например на стойкость к воздействию молниевого разряда. Кроме того, в условиях проведения испытаний на электромагнитную стойкость наличие в процессе измерений в составе прототипа проводной линии связи приводит к наведению в ней электрической помехи, препятствующей достоверным измерениям и искажающей их результат.The disadvantages of the prototype is the lack of sensitivity of the magnetoresistive device, as well as the impact on the measurement result of electrical interference. The prototype does not allow the measurement of pulsed magnetic fields in the range of 0.01-0.8 mT, which is typical for testing technical equipment for electromagnetic resistance, for example, resistance to lightning. In addition, in the conditions of conducting electromagnetic resistance tests, the presence of a wired communication line in the measurement process as a part of the prototype leads to the induction of electrical noise in it, which impedes reliable measurements and distorts their result.
Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение чувствительности магниторезистивного устройства к измеряемому магнитному полю, исключение влияния электрических наводок на результат измерений.The technical result of the invention is to increase the sensitivity of the magnetoresistive device to the measured magnetic field, eliminating the influence of electrical interference on the measurement result.
Технический результат достигается тем, что устройство автономной регистрации импульсного магнитного поля, содержащее магниторезистивный мост, выполненный по тонкопленочной интегральной технологии, электрический соединитель, содержит индукционный первичный преобразователь с концентратором магнитного поля и катушкой, намотанной на концентратор магнитного поля и соединенной последовательно с резистором и отрезком тонкого провода, уложенного на поверхность двух из четырех магниторезисторов, образующих противоположные плечи магниторезистивного моста, причем тонкопленочные магниторезисторы выполнены из ферромагнитного сплава, обладающего прямоугольной петлей гистерезиса.The technical result is achieved in that the device for the autonomous registration of a pulsed magnetic field containing a magnetoresistive bridge made by thin-film integrated technology, an electrical connector, contains an induction primary converter with a magnetic field concentrator and a coil wound on a magnetic field concentrator and connected in series with a resistor and a thin segment a wire laid on the surface of two of the four magnetoresistors forming the opposite shoulders of the magnet resistive bridge, wherein the thin film magnetoresistors made of a ferromagnetic alloy having a rectangular hysteresis loop.
Структурная схема предлагаемого устройства автономной регистрации импульсного магнитного поля представлена на фиг.1.The structural diagram of the proposed device autonomous registration of a pulsed magnetic field is presented in figure 1.
На фиг.1 приняты следующие обозначения:In figure 1, the following notation:
1 - индукционный первичный преобразователь с концентратором магнитного поля и с намотанной на концентратор магнитного поля катушкой;1 - induction primary converter with a magnetic field concentrator and with a coil wound on a magnetic field concentrator;
2 - резистор нагрузки;2 - load resistor;
3 - отрезок тонкого провода;3 - a piece of thin wire;
4 - магниторезистивный мост с тонкопленочными магниторезисторами 5, 6, 7, 8 из ферромагнитного сплава с прямоугольной петлей гистерезиса;4 - magnetoresistive bridge with thin-
9 - электрический соединитель магниторезистивного моста 4;9 - electrical connector
10 - проводная линия связи;10 - wire line;
11 - электрический соединитель проводной линии связи 10;11 - electrical connector wireline 10;
12 - блок считывания измерительной информации;12 - unit for reading measurement information;
13 - блок намагничивания.13 - block magnetization.
Устройство автономной регистрации импульсного магнитного поля содержит индукционный первичный преобразователь с концентратором магнитного поля и катушкой, намотанной на концентратор магнитного поля 1, нагруженной на резистор 2, и отрезок тонкого провода 3, уложенного на поверхность тонкопленочных магниторезисторов 5, 6 из ферромагнитного сплава с прямоугольной петлей гистерезиса, образующих совместно с тонкопленочными магниторезисторами 7, 8 из идентичного с магниторезисторами 5, 6 ферромагнитного сплава с прямоугольной петлей гистерезиса, противоположные плечи магниторезистивного моста 4, диагонали которого соединены с электрическим соединителем 9.The device for autonomous registration of a pulsed magnetic field contains an induction primary converter with a magnetic field concentrator and a coil wound on a
Устройство автономной регистрации импульсного магнитного поля работает следующим образом.Device autonomous registration of a pulsed magnetic field works as follows.
Перед началом цикла измерений амплитуды импульсного магнитного поля, магниторезистивные элементы 5, 6, 7, 8 магниторезистивного моста 4 намагничивают до насыщения в магнитном поле блока намагничивания 13. Затем устройство, содержащее индуктивный первичный преобразователь 1, соединенный последовательно с резистором 2 и отрезком тонкого провода 3, уложенного на поверхность магниторезистивных элементов 5, 6, и магниторезистивного моста 4, помещают в контролируемую точку пространства с необходимой пространственной ориентацией первичного преобразователя. При воздействии импульса измеряемого магнитного поля (например, от имитатора молниевого разряда) на первичный преобразователь 1 в его катушке индуцируется импульс тока, который протекает по резистору нагрузки 2 и отрезку провода 3, возбуждая вокруг отрезка провода 3 вторичное импульсное магнитное поле, силовые линии которого лежат в плоскости тонкопленочных магниторезисторов 5, 6, размагничивая их тем больше, чем сильнее измеряемое магнитное поле. При этом происходит пропорциональное изменение величины их сопротивлений и соответствующая разбалансировка моста 4. Ферромагнитные магниторезистивные элементы 5, 6, 7, 8 регистрируют (запоминают) это состояние. После прохождения импульса измеряемого магнитного поля магниторезистивный мост 4 через электрические соединители 9, 11 и линию связи 10 подключают к блоку считывания измерительной информации 12, с помощью органов управления блока 12 подают на одну диагональ моста 4 напряжение питания, а на другой диагонали моста 4 измеряют напряжение разбаланса, пропорциональное амплитуде измеряемого импульсного магнитного поля.Before starting the measurement cycle of the amplitude of the pulsed magnetic field, the
Количественную оценку эффекта предлагаемого изобретения можно провести следующим образом.A quantitative assessment of the effect of the invention can be carried out as follows.
Зададим внешнее магнитное поле H в общем виде как функцию времени бесконечной длительностиWe define the external magnetic field H in general as a function of time of infinite duration
H(t)=Hm1(t),H (t) = H m 1 (t),
где Hm - величина напряженности магнитного поля;where H m is the magnitude of the magnetic field;
1(t) - единичная функция времени («ступенька»).1 (t) is the unit time function (“step”).
Тогда ЭДС, индуцируемая в катушке первичного преобразователя 1, запишется какThen the EMF induced in the coil of the
где Ψ(t) - потокосцепление, обусловленное внешним магнитным полем;where Ψ (t) is the flux linkage due to an external magnetic field;
µ0 - магнитная проницаемость воздуха;µ 0 - magnetic permeability of air;
µэф - относительная эффективная магнитная проницаемость концентратора (сердечника) первичного преобразователя 1;µ eff is the relative effective magnetic permeability of the concentrator (core) of the
Sкат - площадь поперечного сечения катушки первичного преобразователя 1;S cat - the cross-sectional area of the coil of the
W - число витков в катушке первичного преобразователя 1.W is the number of turns in the coil of the
Для упрощения выкладок перейдем от оригиналов функций H(t) и ε(t) к их изображениям по Лапласу:To simplify the calculations, we pass from the originals of the functions H (t) and ε (t) to their Laplace images:
H(p)=Hm/p,H (p) = H m / p,
ε(p)=µ0µэфSкатWpH(p)=µ0µэфSкатWHm,ε (p) = µ 0 µ eff S cat WpH (p) = µ 0 µ eff S cat WH m ,
где p - оператор Лапласа, и найдем ток в последовательном контуре первичного преобразователя 1 с э.д.с. ε(p) и пассивными элементами Lкат и Rн в пренебрежении импедансом отрезка тонкого провода 3:where p is the Laplace operator, and we find the current in the series circuit of the
где Lкат - индуктивность катушки первичного преобразователя 1;where L cat - the inductance of the coil of the
Rн - сопротивление нагрузки 2;R n - load resistance 2;
По изображению (1) находим оригинал переходной функции тока в цепи нагрузки первичного преобразователя 1.From the image (1) we find the original of the transition function of the current in the load circuit of the
Положив катушку плоской, квадратного сечения, можно ее индуктивность с учетом [5] представить в видеHaving put the coil of a flat, square section, it is possible to inductance its taking into account [5] in the form
где c - размер стороны квадрата катушки;where c is the side size of the square of the coil;
r - толщина намотки;r is the thickness of the winding;
Ф=Ф(ρ) - числовая функция параметра ρ;Ф = Ф (ρ) is the numerical function of the parameter ρ;
Считая обмотку тонкой, такой, что 
Подставляя (4) в (2), с учетом того, что Sкат=c2, имеемSubstituting (4) into (2), taking into account the fact that S cat = c 2 , we have
Поскольку отрезок провода 3 непосредственно прилегает к поверхности тонкопленочных (плоских) магниторезистивных элементов 5, 6 магниторезистивного моста 4, то величина магнитного поля Hвоз(t) тока i(t), воздействующего на элементы 5, 6 при примерном равенстве диаметра dпр провода 3 и ширины элементов 5, 6 будет определяться поверхностной плотностью тока j(t) на проводе 3:Since the length of wire 3 is directly adjacent to the surface of thin-film (flat)
Тогда величина эффекта повышения чувствительности в предлагаемом устройстве, по сравнению с прототипом, будет обуславливаться коэффициентом усиления Kус магнитного поля Hвоз(t) по сравнению с внешнем полем H(t) и для всех импульсных воздействий, для которых выполняется tхар<<τ, где tхар - характерная длительность импульса, и с учетом (5) и (6) будет равнаThen the magnitude of the effect of increasing the sensitivity in the proposed device, in comparison with the prototype, will be determined by the gain K us magnetic field H cart (t) in comparison with the external field H (t) and for all pulsed actions for which t char <<< τ , where t har is the characteristic pulse duration, and taking into account (5) and (6) it will be equal to
Подставляя в (7) реальные численные значения параметров c≈10 мм, dпр≈0,1 мм при W→1, получаем Kус≈160, т.е. составляет не менее двух порядков.Substituting in (7) the real numerical values of the parameters c≈10 mm, d ave ≈0,1 mm at W → 1, we obtain K yc ≈160, i.e. is at least two orders of magnitude.
Удержать постоянную времени τ на необходимом для измерений значении при одном витке в катушке первичного преобразователя 1 можно, оптимизируя сочетание параметров µэфф, с и Rн.It is possible to keep the time constant τ at the value required for measurements at one turn in the coil of the
Достигнутый динамический диапазон амплитуд напряженностей и импульсного магнитного поля, в котором предлагаемое устройство линейно и успешно функционирует, составил 5-500 А/м, или примерно 0,006-0,6 мТ по индукции поля.The achieved dynamic range of the amplitudes of the intensities and the pulsed magnetic field, in which the proposed device is linearly and successfully functioning, was 5-500 A / m, or approximately 0.006-0.6 mT by field induction.
С целью повышения точности измерений для каждого устройства автономной регистрации импульсного магнитного поля необходимо строить калибровочный график, помещая его чувствительную к полю сборку в импульсное магнитное поле с известной амплитудой напряженности, или индукции. Типовой калибровочный график зависимости напряжения разбалансировки магниторезистивного моста (выходная характеристика устройства) Uвых от амплитуды напряженности внешнего магнитного поля Hm представлен на фиг.2. Из этого графика следует, что выходной сигнал устройства во всем динамическом диапазоне вполне приемлем для восприятия обычными цифровыми приборами.In order to increase the accuracy of measurements for each device for the autonomous registration of a pulsed magnetic field, it is necessary to construct a calibration graph by placing its field-sensitive assembly in a pulsed magnetic field with a known amplitude or induction amplitude. A typical calibration graph of the voltage imbalance of the magnetoresistive bridge (output characteristic of the device) Uout of the amplitude of the external magnetic field Hm is shown in Fig.2. From this graph it follows that the output signal of the device in the entire dynamic range is quite acceptable for perception by conventional digital devices.
Достигнутая основная погрешность измерения в диапазоне 5-500 А/м при длительностях импульсов от 1 нс до 1 мкс составила ±15%. Максимальное время хранения зафиксированного состояния разбаланса моста - не менее 6 месяцев.The achieved main measurement error in the range of 5-500 A / m with pulse durations from 1 ns to 1 μs was ± 15%. The maximum storage time of the fixed state of the bridge unbalance is at least 6 months.
Таким образом, благодаря принятым техническим решениям, в предлагаемом устройстве по сравнению с прототипом чувствительность к величине магнитного поля увеличилась не менее чем на два порядка, а также, благодаря автономной регистрации, исключено помеховое влияние электромагнитных полей на результат измерения.Thus, thanks to the adopted technical solutions, in the proposed device, in comparison with the prototype, the sensitivity to the magnitude of the magnetic field increased by at least two orders of magnitude, and also, due to the autonomous recording, the interference effect of electromagnetic fields on the measurement result is excluded.
ЛитератураLiterature
1. Ю.В. Афанасьев, Н.В. Студенцов и др. Средства измерений параметров магнитного поля. Л.: Энергия, 1979, стр.166.1. Yu.V. Afanasyev, N.V. Studentsov et al. Measuring instruments for magnetic field parameters. L .: Energy, 1979, p. 166.
2. Авторское свидетельство СССР, №702325, кл. G01R 33/06, 1979.2. Copyright certificate of the USSR, No. 702325, cl. G01R 33/06, 1979.
3. М.Л. Бараночников. Микромагнитоэлектроника, T.1. M. ДМК Пресс, 2001, стр.140 (таблица 2.18, п.4).3. M.L. Lamb. Micromagnetoelectronics, T.1. M. DMK Press, 2001, p. 140 (table 2.18, p. 4).
4. М.Л. Бараночников Микромагнитоэлектроника, T.1. M. ДМК Пресс, 2001, стр.77.4. M.L. Barannikov Micromagnetoelectronics, T.1. M. DMK Press, 2001, p. 77.
5. П.Л. Калантаров, Л.А. Цейтлин. Расчет индуктивностей. Л.: Энергоатомиздат, 1986, стр.360-361.5. P.L. Kalantarov, L.A. Zeitlin Calculation of inductances. L .: Energoatomizdat, 1986, pp. 360-361.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013129617/28A RU2533347C1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Device for independent recording of pulse magnetic field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013129617/28A RU2533347C1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Device for independent recording of pulse magnetic field |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2533347C1 true RU2533347C1 (en) | 2014-11-20 |
Family
ID=53382670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013129617/28A RU2533347C1 (en) | 2013-06-28 | 2013-06-28 | Device for independent recording of pulse magnetic field |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2533347C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2630716C2 (en) * | 2015-08-11 | 2017-09-12 | Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533" | Combined magnetoresistive sensor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU702325A1 (en) * | 1977-08-01 | 1979-12-05 | Уфимский авиационный институт им. Орджоникидзе | Electric to magnetic value transducer |
| RU2134890C1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-08-20 | Войсковая часть 35533 | Device recording magnetic field |
| US6433545B1 (en) * | 1998-07-29 | 2002-08-13 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Method for evaluating signals of magnetoresistive sensors with high band width |
| RU2217846C1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-11-27 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive transducer |
-
2013
- 2013-06-28 RU RU2013129617/28A patent/RU2533347C1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU702325A1 (en) * | 1977-08-01 | 1979-12-05 | Уфимский авиационный институт им. Орджоникидзе | Electric to magnetic value transducer |
| RU2134890C1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-08-20 | Войсковая часть 35533 | Device recording magnetic field |
| US6433545B1 (en) * | 1998-07-29 | 2002-08-13 | Lust Antriebstechnik Gmbh | Method for evaluating signals of magnetoresistive sensors with high band width |
| RU2217846C1 (en) * | 2002-04-08 | 2003-11-27 | Войсковая часть 35533 | Magnetoresistive transducer |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Бараночников М. Л. Микромагнитоэлектроника. Т. 1. - М.: ДМК Пресс, 2001. - 544 с. ил. (серия "Учебник"). Электронная версия 373 с. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2630716C2 (en) * | 2015-08-11 | 2017-09-12 | Федеральное государственное казенное учреждение "Войсковая часть 35533" | Combined magnetoresistive sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100993928B1 (en) | Magnetic bridge type current sensor, magnetic bridge type current detecting method, and magnetic bridge for use in that sensor and detecting method | |
| CN104808042A (en) | Magnetic-flux-gate current sensor | |
| CN207067224U (en) | A kind of leakage current sensor | |
| SU973040A3 (en) | Method and apparatus for measuring parameters of mechanical load on ferromagnetic body | |
| Yang et al. | A new compact fluxgate current sensor for AC and DC application | |
| EP0365603A1 (en) | Single-winding magnetometer | |
| JP2009210406A (en) | Current sensor and watthour meter | |
| CN108732404A (en) | A kind of current sensor and its more balance of flux control circuits | |
| JP6166319B2 (en) | Non-contact type DC current sensor and DC current measuring system using the non-contact type DC current sensor | |
| JP2008532012A (en) | Current sensor with annular coil | |
| JP4716030B2 (en) | Current sensor | |
| RU2533347C1 (en) | Device for independent recording of pulse magnetic field | |
| US4050013A (en) | Magnetic field probe which measures switching current of magnetic element at moment the element switches as measure of external field | |
| Chirtsov et al. | Rectangular array current transducer with integrated microfluxgate sensors | |
| CN107144801A (en) | Room temperature smart active member | |
| JP6014544B2 (en) | Inspection circuit for magnetic field detection device and inspection method thereof | |
| CN103901368A (en) | Magnetic parameter measuring device for magnetic material | |
| JPH0784021A (en) | Very weak magnetism measuring apparatus and non-destructive inspection method | |
| KR102527257B1 (en) | Vehicle Battery Current Sensing System | |
| Doan et al. | Magnetization measurement system with giant magnetoresistance zero-field detector | |
| JPH0950601A (en) | Device for testing magnetic sensitive characteristic of magneto-resistance sensor and method therefor | |
| US5831424A (en) | Isolated current sensor | |
| RU2539726C1 (en) | Ferroprobe magnetometer and method to measure components of induction of magnetic field by means of vector compensation | |
| CN219811394U (en) | Magnetic core and coil assembly based on TMR weak current sensor | |
| RU2805248C1 (en) | Device for measuring the magnetic characteristics of a ferromagnet |