RU2529592C2 - Method of electrochemical x-ray contactless lithography - Google Patents
Method of electrochemical x-ray contactless lithography Download PDFInfo
- Publication number
- RU2529592C2 RU2529592C2 RU2012148945/28A RU2012148945A RU2529592C2 RU 2529592 C2 RU2529592 C2 RU 2529592C2 RU 2012148945/28 A RU2012148945/28 A RU 2012148945/28A RU 2012148945 A RU2012148945 A RU 2012148945A RU 2529592 C2 RU2529592 C2 RU 2529592C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ray
- electrode
- electrochemical
- mask
- lithography
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области нанотехнологии, описывает способ электрохимического структурирования поверхности материалов и может быть использовано при изготовлении элементов микроэлектроники, однослойных и многослойных печатных плат, оптических элементов, а также других тонкопленочных структур.The invention relates to the field of nanotechnology, describes a method for electrochemical structuring of the surface of materials and can be used in the manufacture of microelectronics elements, single-layer and multilayer printed circuit boards, optical elements, as well as other thin-film structures.
Способ электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии заключается в проведении гальванической обработки при одновременном облучении поверхности рабочего электрода рентгеновским излучением. Задание требуемого рисунка осуществляется путем пропускания рентгеновского пучка через шаблон, установленный на некотором расстоянии перед электрохимической ячейкой. Рельеф на поверхности электрода создается за счет различных скоростей осаждения/растворения материалов в засвеченных и затененных областях.The method of electrochemical x-ray non-contact lithography is to conduct galvanic processing while simultaneously irradiating the surface of the working electrode with x-ray radiation. The desired pattern is set by passing an X-ray beam through a template installed at a certain distance in front of the electrochemical cell. The relief on the surface of the electrode is created due to different rates of deposition / dissolution of materials in the illuminated and shaded areas.
Технический результат изобретения заключается в расширении возможностей гальванических методов и литографических подходов, а именно в возможности локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит, что может быть использовано для структурирования широкого круга материалов.The technical result of the invention is to expand the capabilities of galvanic methods and lithographic approaches, namely, the possibility of local (with an accuracy of 10 nm) acceleration / deceleration of processes occurring on the electrode / electrolyte interface, which can be used to structure a wide range of materials.
Электрохимические подходы к получению металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий широко применяются в науке и технике. В настоящее время гальванопластика позволяет формировать однородные покрытия на деталях различного размера и формы в промышленных масштабах. Следует отметить, что составы электролитов, используемые для формирования того или иного покрытия, оптимизированы в течение многих десятков лет развития данного метода.Electrochemical approaches to the production of metal, semiconductor and dielectric coatings are widely used in science and technology. Currently, electroforming allows the formation of uniform coatings on parts of various sizes and shapes on an industrial scale. It should be noted that the electrolyte compositions used to form one or another coating have been optimized for many decades of development of this method.
Для контролируемой модификации лишь части поверхности электрода используют методы темплатного электроосаждения (растворения). В этом случае непосредственно на поверхность электрода наносят маску требуемой формы. Неэкранированные участки, на которых в дальнейшем протекает электрохимический процесс, могут быть как макроскопического, так и нанометрового масштабов.For controlled modification of only part of the electrode surface using template electrodeposition (dissolution). In this case, a mask of the desired shape is applied directly to the surface of the electrode. Unshielded areas, in which the electrochemical process subsequently proceeds, can be of either macroscopic or nanometer scale.
Основными достоинствами гальванопластики с применением шаблонов, формирующих структуру покрытия, являются:The main advantages of electroforming using templates that form the coating structure are:
- возможность кулонометрического контроля количества осажденного/растворенного вещества;- the possibility of coulometric control of the amount of precipitated / dissolved substance;
- точное копирование структуры нанесенной на поверхность электрода маски;- exact copying of the structure deposited on the surface of the electrode mask;
- возможность создания требуемого рисунка с точностью до нескольких нанометров (зависит лишь от разрешения при нанесении маски);- the ability to create the desired pattern with an accuracy of several nanometers (depends only on the resolution when applying the mask);
- проведение синтеза при комнатной температуре, что исключает растрескивание образцов вследствие термической усадки.- the synthesis at room temperature, which eliminates cracking of the samples due to thermal shrinkage.
К недостаткам электрохимического подхода можно отнести:The disadvantages of the electrochemical approach include:
- необходимость электрического контакта;- the need for electrical contact;
- необходимость обеспечения совместимости маски (шаблона) с раствором электролита.- the need to ensure compatibility of the mask (template) with an electrolyte solution.
Известен способ селективного анодирования алюминия и его сплавов, основанный на предварительном нанесении фоторезиста на поверхность электрода [1]. Засветка фоторезиста через шаблон необходимой геометрии, его сушка и последующее проявление позволяют сформировать открытые участки поверхности электрода, на которых в дальнейшем и происходит электрохимический процесс. Недостатками данного метода являются: 1) необходимость нанесения защитного слоя на поверхность электрода, 2) большое число технологических стадий, 3) ограниченное разрешение метода, 4) необходимость обеспечения совместимости фоторезиста с раствором электролита и его устойчивость при протекании электрохимических реакций.A known method of selective anodizing of aluminum and its alloys, based on the preliminary application of photoresist on the surface of the electrode [1]. Illumination of the photoresist through a template of the required geometry, its drying and subsequent development allow the formation of open areas of the electrode surface, on which the electrochemical process subsequently occurs. The disadvantages of this method are: 1) the need to apply a protective layer on the surface of the electrode, 2) a large number of technological stages, 3) the limited resolution of the method, 4) the need to ensure the compatibility of the photoresist with the electrolyte solution and its stability during electrochemical reactions.
Известен электрохимический литографический подход, основанный на применении иглы сканирующего зондового микроскопа для создания условий для локального протекания электрохимического процесса [2]. Данный способ потенциально позволяет достичь разрешения 10 нм, однако, являясь контактной методикой, не применим для формирования требуемого рисунка на большой площади.Known electrochemical lithographic approach based on the use of a scanning probe microscope needle to create conditions for the local flow of the electrochemical process [2]. This method potentially allows you to achieve a resolution of 10 nm, however, as a contact method, it is not applicable for the formation of the desired pattern over a large area.
Существует несколько работ, посвященных протеканию электрохимических превращений под действием рентгеновского излучения [3, 4]. Их недостатком является рассмотрение процессов, протекающих в объеме электролита, в то время как способы управления скоростью осаждения/растворения материалов на интерфейсе электрод/электролит с помощью рентгеновского излучения в настоящее время отсутствуют.There are several works devoted to the occurrence of electrochemical transformations under the action of x-ray radiation [3, 4]. Their disadvantage is the consideration of processes occurring in the volume of the electrolyte, while there are currently no methods for controlling the deposition / dissolution rate of materials on the electrode / electrolyte interface using x-ray radiation.
Известны работы, посвященные управляемому протеканию электрохимических процессов под действием света [5, 6], которые могут использованы при разработке техники проекционной электрохимической литографии. Однако применение видимого или УФ-света существенно ограничивает предельное разрешение метода, составляющее не менее половины длины волны излучения. Данные решения выбраны в качестве прототипа настоящего изобретения.Known works on the controlled course of electrochemical processes under the action of light [5, 6], which can be used in the development of projection electrochemical lithography techniques. However, the use of visible or UV light significantly limits the limiting resolution of the method, which is at least half the radiation wavelength. These solutions are selected as a prototype of the present invention.
Настоящее изобретение направлено на решение технической задачи по созданию металлических, полупроводниковых и диэлектрических покрытий с контролируемой морфологией на проводящей поверхности путем гальванической обработки с пространственным разрешением до 10 нм. При этом задание требуемого рисунка рельефа создаваемого покрытия не требует непосредственного контакта маски (шаблона) со структурируемой поверхностью.The present invention is directed to solving the technical problem of creating metal, semiconductor and dielectric coatings with controlled morphology on a conductive surface by galvanic processing with a spatial resolution of up to 10 nm. At the same time, the task of the required relief pattern of the created coating does not require direct contact of the mask (template) with the structured surface.
Технический результат изобретения заключается в расширении возможностей гальванических методов и литографических подходов, а именно в возможности локального (с точностью до 10 нм) ускорения/замедления процессов, протекающих на интерфейсе электрод/электролит, что может быть использовано для структурирования широкого круга материалов.The technical result of the invention is to expand the capabilities of galvanic methods and lithographic approaches, namely, the possibility of local (with an accuracy of 10 nm) acceleration / deceleration of processes occurring on the electrode / electrolyte interface, which can be used to structure a wide range of materials.
Указанный технический результат достигается тем, что гальваническая обработка материала проводится при одновременном облучении поверхности электрода рентгеновским излучением.The specified technical result is achieved in that the galvanic treatment of the material is carried out while irradiating the surface of the electrode with x-ray radiation.
Для облучения поверхности рабочего электрода используют поток рентгеновского излучения с интенсивностью более 1013 фотонов/(с*см2). Энергия фотонов рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.To irradiate the surface of the working electrode using a stream of x-ray radiation with an intensity of more than 10 13 photons / (s * cm 2 ). The energy of X-ray photons is more than 50 eV.
Геометрию создаваемой на поверхности электрода структуры задают распределением интенсивности рентгеновского излучения с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски). Маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.The geometry of the structure created on the electrode surface is set by the distribution of the x-ray intensity using a phase, amplitude or amplitude-phase template (mask). The mask is placed at some distance from the structured surface.
Рабочий электрод выступает в качестве катода (при катодном осаждении) или анода (при анодном получении покрытия). Используют потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.The working electrode acts as a cathode (for cathodic deposition) or anode (for anodic coating). Potentiostatic, galvanostatic and potentiodynamic deposition / dissolution modes are used.
Используют водные, органические и водно-органические электролиты.Use aqueous, organic and aqueous-organic electrolytes.
Сущность изобретения иллюстрируется следующими рисунками.The invention is illustrated by the following figures.
Фиг. 1. Схема проведения электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии. FIG. 1. Scheme of electrochemical x-ray contactless lithography.
Фиг. 2. Микрофотография кремниевой амплитудно-фазовой дифракционной решетки с периодом 4 микрона. FIG. 2. A microphotograph of a silicon amplitude-phase diffraction grating with a period of 4 microns.
Фиг. 3. Распределение интенсивности рентгеновского излучения на поверхности электрода. Более светлые области соответствуют участкам с большей интенсивностью рентгеновского излучения. FIG. 3. The intensity distribution of x-ray radiation on the surface of the electrode. The lighter areas correspond to areas with greater x-ray intensity.
Фиг. 4. Микрофотография поверхности электрода после потенциостатического осаждения никеля на изначально гладкую поверхность золотого электрода. Более светлые области соответствуют участкам с большей толщиной. FIG. 4. Micrograph of the electrode surface after potentiostatic deposition of nickel on the initially smooth surface of the gold electrode. Lighter areas correspond to areas of greater thickness.
Фиг. 5. Модуляция толщины никелевого покрытия вдоль поверхности электрода (по данным локального рентгеноспектрального микроанализа). FIG. 5. Modulation of the thickness of the Nickel coating along the surface of the electrode (according to local x-ray spectral microanalysis).
Предлагаемый способ осуществляют следующим образом (Фиг. 1).The proposed method is as follows (Fig. 1).
Для облучения поверхности рабочего электрода используют потокTo irradiate the surface of the working electrode using a stream
рентгеновского излучения с интенсивностью более 1013 фотонов/(с*см2). X-ray radiation with an intensity of more than 10 13 photons / (s * cm 2 ).
Энергия фотонов рентгеновского излучения составляет более 50 эВ.The energy of X-ray photons is more than 50 eV.
Геометрию создаваемой на поверхности электрода структуры задают распределением интенсивности рентгеновского излучения.The geometry of the structure created on the surface of the electrode is set by the distribution of the x-ray intensity.
Модуляцию интенсивности задают с помощью фазового, амплитудного или амплитудно-фазового шаблона (маски).The intensity modulation is set using a phase, amplitude or amplitude-phase template (mask).
Маску располагают на некотором расстоянии от структурируемой поверхности.The mask is placed at some distance from the structured surface.
Рабочий электрод выступает в качестве катода (при катодном осаждении) или анода (при анодном получении покрытия).The working electrode acts as a cathode (for cathodic deposition) or anode (for anodic coating).
Используют потенциостатические, гальваностатические и потенциодинамические режимы осаждения/растворения.Potentiostatic, galvanostatic and potentiodynamic deposition / dissolution modes are used.
Используют водные, органические и водно-органические электролиты.Use aqueous, organic and aqueous-organic electrolytes.
Нижеследующий пример иллюстрирует сущность изобретения, но никоим образом не ограничивает область его применения.The following example illustrates the invention, but in no way limits its scope.
Пример 1.Example 1
Периодически структурированную пленку никеля получают методом электрохимической рентгеновской бесконтактной литографии следующим образом.A periodically structured nickel film is prepared by electrochemical X-ray non-contact lithography as follows.
В качестве подложки для создания периодически структурированного металлического покрытия используют монокристаллические пластины Si с нанесенным на их поверхность методом вакуумного термического напыления слоем Au толщиной 100 нм. Электроосаждение никеля проводят в трехэлектродной конфигурации (Фиг. 1). В качестве вспомогательного электрода используют платиновую проволоку, свернутую в виде кольца, и расположенную на расстоянии 3 мм от рабочего электрода (Au/Si). В качестве электрода сравнения применяют насыщенный (KCl) Ag/AgCl электрод, подсоединенный к электрохимической ячейке через капилляр Луггина. Электроосаждение проводят из водного раствора, содержащего 0,6 М NiSO4, 0,1 М NiCl2, 0,3 М H3BO3 при комнатной температуре и постоянном потенциале Е d = -0,8 В относительно электрода сравнения. Переднюю стенку электрохимической ячейки изготавливают из каптона - практически прозрачного материала для рентгеновского излучения.As a substrate for creating a periodically structured metal coating using single-crystal Si plates deposited on their surface by vacuum thermal spraying with an Au layer 100 nm thick. The electrodeposition of Nickel is carried out in a three-electrode configuration (Fig. 1). As an auxiliary electrode using a platinum wire, rolled in the form of a ring, and located at a distance of 3 mm from the working electrode (Au / Si). A saturated (KCl) Ag / AgCl electrode connected to the electrochemical cell through a Luggin capillary is used as a reference electrode. The electrodeposition is carried out from an aqueous solution containing 0.6 M NiSO 4 , 0.1 M NiCl 2 , 0.3 M H 3 BO 3 at room temperature and a constant potential E d = -0.8 V relative to the reference electrode. The front wall of the electrochemical cell is made of kapton, an almost transparent material for x-ray radiation.
Перед электрохимической ячейкой устанавливают кремниевую амплитудно-фазовую дифракционную решетку с периодом 4 микрона (Фиг. 2) на расстоянии до образца, равном половине длины Тальбо: ZT/2= d 2/λ (Фиг. 1). Здесь и далее d - периодичность дифракционной решетки, λ - длина волны рентгеновского излучения. Для создания периодического освещения электрода вдоль его поверхности (Фиг. 3), дифракционную решетку освещают пучком коллимированного рентгеновского излучения с длинойIn front of the electrochemical cell, a silicon amplitude-phase diffraction grating is installed with a period of 4 microns (Fig. 2) at a distance to the sample equal to half the length of Talbot: Z T / 2 = d 2 / λ (Fig. 1). Hereinafter, d is the periodicity of the diffraction grating, λ is the x-ray wavelength. To create periodic illumination of the electrode along its surface (Fig. 3), the diffraction grating is illuminated with a beam of collimated x-ray radiation with a length
волны 1 Å, монохроматичностью не хуже Δλ/λ ~ 10-4, характеризующегося потоком фотонов не менее 1015 фотонов/с и расходимостью менее < 0,4 мкрад.1 Å wavelength, monochromaticity no worse than Δλ / λ ~ 10 -4 , characterized by a photon flux of at least 10 15 photons / s and a divergence of less than <0.4 mrad.
Продолжительность выбирают в зависимости от толщины требуемого металлического покрытия. После электроосаждения образец извлекают из электрохимической ячейки и промывают деионизованной водой. Микроструктуру и толщину полученной пленки аттестуют с помощью растровой электронной микроскопии (Фиг. 4) и локального рентгеноспектрального микроанализа (Фиг. 5). Отчетливо видно, что рельеф полученной Ni пленки (Фиг. 4) в точности повторяет распределение интенсивности рентгеновского излучения на поверхности образца (Фиг. 3). На облученных участках образца толщина металлического покрытия оказывается больше. В приведенном примере дифракционная решетка располагалась на расстоянии d 2/λ от плоскости образца, что соответствует воспроизведению дифракционной решетки в плоскости образца: период между выступами металла (Фиг. 5) в точности совпадает с периодом решетки (Фиг. 2). Варьирование расстояния между маской и образцом может быть использовано с целью контроля периодичности создаваемой структуры.Duration is selected depending on the thickness of the desired metal coating. After electrodeposition, the sample is removed from the electrochemical cell and washed with deionized water. The microstructure and thickness of the obtained film is certified using scanning electron microscopy (Fig. 4) and local X-ray microanalysis (Fig. 5). It is clearly seen that the relief of the obtained Ni film (Fig. 4) exactly repeats the distribution of the x-ray intensity on the surface of the sample (Fig. 3). In the irradiated areas of the sample, the thickness of the metal coating is greater. In the above example, the diffraction grating was located at a distance d 2 / λ from the plane of the sample, which corresponds to the reproduction of the grating in the plane of the sample: the period between the protrusions of the metal (Fig. 5) exactly coincides with the period of the grating (Fig. 2). Varying the distance between the mask and the sample can be used to control the frequency of the created structure.
Список литературыBibliography
1. D. Routkevich, US 2002/0118027 A1, 2000.1. D. Routkevich, US 2002/0118027 A1, 2000.
2. F.С.Simeone, С.Albonetti, M. Cavallini, J. Phys. Chem. С 2009, 113, 18987-18994.2. F. C. Simone, C. Albetti, M. Cavallini, J. Phys. Chem. From 2009, 113, 18987-18994.
3. Q. Ma, N. Moldovan, D.C. Mancini, R.A. Rosenberg, J. Appl. Phys. 2001, 89, 3033-3040.3. Q. Ma, N. Moldovan, D.C. Mancini, R.A. Rosenberg, J. Appl. Phys. 2001, 89, 3033-3040.
4. V. Kaajakari, US, WO/2008/080004, 2008.4. V. Kaajakari, US, WO / 2008/080004, 2008.
5. Y.V.Pleskov, Z.A.Rotenberg in Adv. Electrochem. Electrochem. Eng., Vol.11 (Eds.: H. Gerischer, C.W. Tobias), Wiley, New York, 1978, pp.1-124.5. Y. V. Pleskov, Z. A. Rotenberg in Adv. Electrochem. Electrochem. Eng., Vol. 11 (Eds .: H. Gerischer, C.W. Tobias), Wiley, New York, 1978, pp. 1-124.
6. N.M.Alpatova, L.I.Krishtalik, Y.V.Pleskov, in Top.Curr. Chem., Vol.138 (Eds.: M. J. S. Dewar, et al.), Springer, Berlin, 1987, p.149.6. N. M. Alpatova, L. I. Krishtalik, Y. V. Pleskov, in Top. Curr. Chem., Vol. 138 (Eds .: M. J. S. Dewar, et al.), Springer, Berlin, 1987, p. 149.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012148945/28A RU2529592C2 (en) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | Method of electrochemical x-ray contactless lithography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012148945/28A RU2529592C2 (en) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | Method of electrochemical x-ray contactless lithography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012148945A RU2012148945A (en) | 2014-05-27 |
| RU2529592C2 true RU2529592C2 (en) | 2014-09-27 |
Family
ID=50774995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012148945/28A RU2529592C2 (en) | 2012-11-19 | 2012-11-19 | Method of electrochemical x-ray contactless lithography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2529592C2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2296820C2 (en) * | 2001-06-15 | 2007-04-10 | Реплизаурус Текнолоджиз Аб | Method and electrode for replication of patterns in electrically conducting materials |
| US20080073572A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-03-27 | Siegfried Schwarzl | Systems and methods of measuring power in lithography systems |
| RU2426194C1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-08-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method of fabricating nanostructure ohmic contact of photoelectric transducer |
| US20110233487A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-29 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Synthesis of Chalcogenide Ternary and Quaternary Nanotubes Through Directed Compositional Alterations of Bacterial As-S Nanotubes |
-
2012
- 2012-11-19 RU RU2012148945/28A patent/RU2529592C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2296820C2 (en) * | 2001-06-15 | 2007-04-10 | Реплизаурус Текнолоджиз Аб | Method and electrode for replication of patterns in electrically conducting materials |
| US20080073572A1 (en) * | 2006-07-20 | 2008-03-27 | Siegfried Schwarzl | Systems and methods of measuring power in lithography systems |
| US20110233487A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-29 | Gwangju Institute Of Science And Technology | Synthesis of Chalcogenide Ternary and Quaternary Nanotubes Through Directed Compositional Alterations of Bacterial As-S Nanotubes |
| RU2426194C1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-08-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method of fabricating nanostructure ohmic contact of photoelectric transducer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012148945A (en) | 2014-05-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kowalik et al. | Electrodeposition of cadmium selenide | |
| Wang et al. | Fabrication of gold and silver hierarchically micro/nanostructured arrays by localized electrocrystallization for application as SERS substrates | |
| Davydov et al. | Electrochemical local maskless micro/nanoscale deposition, dissolution, and oxidation of metals and semiconductors (a review) | |
| Mendoza-Diaz et al. | High surface area TiO2 photocatalyst for H2 production through silicon micromachining | |
| Larsson et al. | Electrochemical fabrication and characterization of palladium nanowires in nanoporous alumina templates | |
| Wang et al. | Characterizing surface-confined interfacial water at graphene surface by in situ Raman spectroscopy | |
| Voigt et al. | Facile fabrication of nanostructured alumina membranes | |
| RU2529592C2 (en) | Method of electrochemical x-ray contactless lithography | |
| Kim et al. | Photochemical Preparation of Sub‐Wavelength Heterogeneous Laser‐Induced Periodic Surface Structures | |
| Shishov et al. | Laser-induced deposition of copper from deep eutectic solvents: optimization of chemical and physical parameters | |
| Sahoo et al. | Dynamic electrolyte spreading during meniscus-confined electrodeposition and electrodissolution of copper for surface patterning | |
| KR102561196B1 (en) | Method of manufacturing porous nanostructure, 3-dimensional electrode and sensor comprising porous nanostructure manufactured thereby and apparatus for manufacturing porous nanostructure | |
| CN101759143A (en) | Method for controlling growth of micro-nano pore structure on silicon surface | |
| Holubowitch et al. | Porous alumina thin films on conductive substrates for templated 1-dimensional nanostructuring | |
| Ongaro et al. | Electrochemical synthesis and characterization of hierarchically branched ZnO nanostructures on ensembles of gold nanowires | |
| Rosenbaum et al. | Electro-and photochemical studies of gold (III) bromide towards a novel laser-based method of gold patterning | |
| RU151072U1 (en) | DEVICE FOR FORMING METAL NANOSIZED OBJECTS | |
| Borgohain et al. | Effect of conductive and non-conductive substrates on the formation of anodic aluminum oxide (AAO) template for mask-less nanofabrication | |
| Kikuchi et al. | Fabrication of three-dimensional platinum microstructures with laser irradiation and electrochemical technique | |
| Wolf et al. | Laser directed dynamic hydrogen template deposition of porous Pt@ Ag networks | |
| Brinkert et al. | Advancing semiconductor–electrocatalyst systems: application of surface transformation films and nanosphere lithography | |
| Shrestha et al. | Size-controlled synthesis of palladium nanospheres by pulse electrodeposition in 1-butyl-3-methylimmidazolium chloride ionic liquid | |
| US10273592B2 (en) | Method of forming local nano/micro size structures of anodized metal | |
| Ryu et al. | Fabrication of stainless steel metal mask with electrochemical fabrication method and its improvement in dimensional uniformity | |
| Xu et al. | High-efficiency localized electrochemical deposition based on ultrafast laser surface modification |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151120 |