RU2527750C1

RU2527750C1 - Device for controlling amplitude of high-voltage unipolar pulses

Info

Publication number: RU2527750C1
Application number: RU2013117500/08A
Authority: RU
Inventors: Александр Анатольевич Титов; Анатолий Васильевич Семёнов; Рустам Шарифович Ахтямов
Priority date: 2013-04-16
Filing date: 2013-04-16
Publication date: 2014-09-10

Abstract

FIELD: radio engineering, communication.

SUBSTANCE: device for controlling the amplitude of high-voltage unipolar pulses comprises two bipolar transistors, three resistors, two semiconductor diodes, two paired variable resistors and two capacitors.

EFFECT: wider dynamic range of controlling the amplitude of output high-voltage unipolar pulses to values that are double the maximum allowable collector-emitter voltage of bipolar transistors.

2 dwg

Description

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в системах возбуждения СВЧ-генераторов на лавинно-пролетных диодах и диодах Ганна.The invention relates to radio engineering and can be used in excitation systems of microwave generators on avalanche-span diodes and Gunn diodes.

Известно устройство управления амплитудой однополярных импульсов, являющееся одновременно устройством защиты усилителя однополярных импульсов от рассогласования по выходу и от перегрузки по входу [1], содержащее трансформатор тока, выполненный на основе ферритового кольца. Первичная обмотка трансформатора выполнена в виде продетого сквозь ферритовое кольцо полоскового проводника, начало которого подключено к выходу защищаемого усилителя, а конец - к нагрузке усилителя. Вторичная обмотка выполнена из навитого на ферритовое кольцо провода, первый конец которого подключен к общему для усилителя и цепи обратной связи проводнику, а второй конец образует второй выход трансформатора тока. В состав устройства входят также детектор, вход которого подключен ко второму выходу трансформатора тока, блок управления, вход которого соединен с выходом детектора, резистор, выводы которого охватывают ферритовое кольцо с обеих сторон и гальванически соединены между собой, биполярный транзистор, база которого подключена к выходу блока управления, коллектор транзистора соединен с общим для усилителя и цепи обратной связи проводником, а эмиттер транзистора образует выход цепи обратной связи, подключенный к входу усилителя. Недостатком такого устройства управления амплитудой импульсов является малый динамический диапазон сигналов на выходе устройства управления, ограниченный амплитудой выходных импульсов, равной 10…15 В, что обусловлено малыми предельно допустимыми напряжениями база-эмиттер современных транзисторов [2].A device for controlling the amplitude of unipolar pulses is known, which is simultaneously a device for protecting an amplifier of unipolar pulses from output mismatch and input overload [1], containing a current transformer based on a ferrite ring. The primary winding of the transformer is made in the form of a strip conductor threaded through a ferrite ring, the beginning of which is connected to the output of the protected amplifier, and the end to the load of the amplifier. The secondary winding is made of a wire wound on a ferrite ring, the first end of which is connected to a conductor common to the amplifier and the feedback circuit, and the second end forms the second output of the current transformer. The device also includes a detector, the input of which is connected to the second output of the current transformer, a control unit, the input of which is connected to the output of the detector, a resistor whose terminals span a ferrite ring on both sides and are galvanically interconnected, a bipolar transistor, the base of which is connected to the output of the control unit, the collector of the transistor is connected to a conductor common to the amplifier and the feedback circuit, and the emitter of the transistor forms the output of the feedback circuit connected to the input of the amplifier. The disadvantage of such a device for controlling the amplitude of the pulses is the small dynamic range of the signals at the output of the control device, limited by the amplitude of the output pulses equal to 10 ... 15 V, which is due to the small maximum permissible base-emitter voltages of modern transistors [2].

Известно также устройство управления амплитудой однополярных импульсов, содержащее вход и выход устройства управления, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом устройства управления, а коллектор - с общим для всего устройства проводником, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с входом устройства управления, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, и конденсатор, первый вывод которого соединен с базой биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником [3, рис.4.2]. Недостатком такого устройства управления амплитудой однополярных импульсов является малый динамический диапазон сигналов на выходе устройства управления, ограниченный амплитудой выходных импульсов, равной 10... 15 В, что также обусловлено малыми предельно допустимыми напряжениями база-эмиттер современных транзисторов.A device for controlling the amplitude of unipolar pulses is also known, which contains the input and output of the control device, a bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of the control device, and the collector with a conductor common to the entire device, the first resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second the output is with the input of the control device, the second resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second output with a conductor common to the entire device, and nsator, the first output of which is connected to the base of the bipolar transistor, and the second output - with a conductor common to the entire device [3, Fig. 4.2]. The disadvantage of such a device for controlling the amplitude of unipolar pulses is the small dynamic range of the signals at the output of the control device, limited by the amplitude of the output pulses equal to 10 ... 15 V, which is also due to the low maximum permissible base-emitter voltages of modern transistors.

Наиболее близким к заявляемому объекту по максимальному числу существенных признаков является устройство управления амплитудой однополярных импульсов, содержащее вход и выход устройства управления, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом устройства управления, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с входом устройства управления, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, конденсатор, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, и полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом конденсатора [4, рис.1]. Устройство-прототип является частью возбудителя СВЧ-генератора, содержащего кроме устройства управления ограничитель, двухтранзисторной импульсный усилитель и выходной истоковый повторитель напряжения [4, рис.1].Closest to the claimed object by the maximum number of essential features is a device for controlling the amplitude of unipolar pulses, containing the input and output of the control device, a bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of the control device, the first resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second output - with the input of the control device, a second resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second output is shared with the whole device a conductor, the first terminal of which is connected to a conductor common to the entire device, and a semiconductor diode, the anode of which is connected to the base of the bipolar transistor, and the cathode is connected to the second terminal of the capacitor [4, Fig. 1]. The prototype device is part of the exciter of the microwave generator, which contains, in addition to the control device, a limiter, a two-transistor pulse amplifier and an output source voltage follower [4, Fig. 1].

Недостатком устройства-прототипа является малый динамический диапазон сигналов на его выходе, ограниченный допустимым напряжением коллектор-эмиттер используемого управляющего биполярного транзистора.The disadvantage of the prototype device is the small dynamic range of the signals at its output, limited by the admissible collector-emitter voltage of the used control bipolar transistor.

Задача, на достижение которой направлено предлагаемое решение, - создание устройства управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов, обеспечивающего более высокий динамический диапазон сигналов на его выходе (до значений, вдвое превышающих предельно допустимые напряжения коллектор-эмиттер современных биполярных транзисторов).The objective to which the proposed solution is directed is to create a device for controlling the amplitude of high-voltage unipolar pulses, providing a higher dynamic range of signals at its output (up to values twice as high as the maximum allowable collector-emitter voltages of modern bipolar transistors).

Решение поставленной задачи достигается тем, что в устройство управления амплитудой однополярных импульсов, содержащее вход и выход устройства управления, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом устройства управления, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с входом устройства управления, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, конденсатор, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, и полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом конденсатора, введены дополнительный биполярный транзистор, коллектор которого соединен с общим для всего устройства проводником, а эмиттер - с коллектором упомянутого выше биполярного транзистора, дополнительный конденсатор, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, дополнительный полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой дополнительного биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом дополнительного конденсатора, сдвоенные переменные резисторы, первый неподвижный контакт первого переменного резистора соединен с общим для всего устройства проводником, второй неподвижный контакт первого переменного резистора - с источником питания устройства управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов, а его подвижный контакт - с катодом полупроводникового диода, первый неподвижный контакт второго переменного резистора соединен с общим для всего устройства проводником, а его подвижный контакт - с катодом дополнительного полупроводникового диода, и третий резистор, первый вывод которого соединен со вторым неподвижным контактом второго переменного резистора, а его второй вывод - с названным источником питания.The solution to this problem is achieved by the fact that the bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of the control device, into the device for controlling the amplitude of unipolar pulses containing the input and output of the control device, the first resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second output to the input control device, a second resistor, the first terminal of which is connected to the emitter of a bipolar transistor, and the second terminal is with a conductor common to the entire device, a capacitor, the first terminal which is connected to a conductor common to the entire device, and a semiconductor diode, the anode of which is connected to the base of the bipolar transistor, and the cathode to the second output of the capacitor, an additional bipolar transistor is introduced, the collector of which is connected to the conductor common to the entire device, and the emitter to the collector of the aforementioned above the bipolar transistor, an additional capacitor, the first output of which is connected to a conductor common to the entire device, an additional semiconductor diode, the anode of which is connected to the base an additional bipolar transistor, and the cathode with the second output of the additional capacitor, dual variable resistors, the first fixed contact of the first variable resistor is connected to a conductor common to the entire device, the second fixed contact of the first variable resistor is connected to the power source of the device for controlling the amplitude of high-voltage unipolar pulses, and its movable contact - with the cathode of a semiconductor diode, the first fixed contact of the second variable resistor is connected to the common for all devices with a conductor, and its movable contact with the cathode of the additional semiconductor diode, and a third resistor, the first output of which is connected to the second fixed contact of the second variable resistor, and its second output to the named power source.

На фиг.1 и 2 представлены принципиальная электрическая схема предложенного устройства управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов и принципиальная электрическая схема макета такого устройства.Figure 1 and 2 presents a circuit diagram of the proposed device for controlling the amplitude of high voltage unipolar pulses and a circuit diagram of the layout of such a device.

Устройство управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов содержит вход и выход устройства управления, биполярный транзистор 1, эмиттер которого соединен с выходом устройства управления, первый резистор 2, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора 1, а второй вывод - с входом устройства управления, второй резистор 3, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора 1, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, конденсатор 4, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, полупроводниковый диод 5, анод которого соединен с базой биполярного транзистора 1, а катод - со вторым выводом конденсатора 4, дополнительный биполярный транзистор 6, коллектор которого соединен с общим для всего устройства проводником, а эмиттер - с коллектором упомянутого выше биполярного транзистора 1, дополнительный конденсатор 7, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, дополнительный полупроводниковый диод 8, анод которого соединен с базой дополнительного биполярного транзистора 6, а катод - со вторым выводом дополнительного конденсатора 7, сдвоенные переменные резисторы 9 и 10, первый неподвижный контакт первого переменного резистора 9 соединен с общим для всего устройства проводником, второй неподвижный контакт первого переменного резистора 9 - с источником питания, а его подвижный контакт - с катодом полупроводникового диода 5, первый неподвижный контакт второго переменного резистора 10 соединен с общим для всего устройства проводником, а его подвижный контакт - с катодом дополнительного полупроводникового диода 8, и третий резистор 11, первый вывод которого соединен со вторым неподвижным контактом второго переменного резистора 10, а его второй вывод - с источником питания. При равенстве допустимых напряжений коллектор-эмиттер биполярного транзистора 1 и дополнительного биполярного транзистора 6 сопротивления второго переменного резистора 10 и третьего резистора 11 выбираются равными. В этом случае постоянное напряжение на подвижном контакте первого переменного резистора 9, сдвоенных переменных резисторов 9 и 10 в любом положении подвижных контактов будет в два раза превышать напряжение на подвижном контакте второго переменного резистора 10.The amplitude control device for the amplitude of high-voltage unipolar pulses contains the input and output of the control device, a bipolar transistor 1, the emitter of which is connected to the output of the control device, the first resistor 2, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor 1, and the second output is connected to the input of the control device, the second resistor 3, the first terminal of which is connected to the emitter of the bipolar transistor 1, and the second terminal is with a conductor common to the entire device, a capacitor 4, the first terminal of which is connected to the common its devices with a conductor, a semiconductor diode 5, the anode of which is connected to the base of the bipolar transistor 1, and the cathode is connected to the second output of the capacitor 4, an additional bipolar transistor 6, the collector of which is connected to a conductor common to the entire device, and the emitter to the collector of the aforementioned bipolar transistor 1, an additional capacitor 7, the first terminal of which is connected to a conductor common to the entire device, an additional semiconductor diode 8, the anode of which is connected to the base of the additional bipolar trans 6, and the cathode with the second output of the additional capacitor 7, dual variable resistors 9 and 10, the first fixed contact of the first variable resistor 9 is connected to a conductor common to the whole device, the second fixed contact of the first variable resistor 9 is connected to the power source, and its movable the contact is with the cathode of the semiconductor diode 5, the first fixed contact of the second variable resistor 10 is connected to a conductor common to the entire device, and its movable contact is with the cathode of the additional semiconductor diode 8, and a third resistor 11, the first terminal of which is connected to the second fixed terminal of the second variable resistor 10, and its second terminal is connected to a power source. If the permissible voltages are equal, the collector-emitter of the bipolar transistor 1 and the additional bipolar transistor 6, the resistances of the second variable resistor 10 and the third resistor 11 are chosen equal. In this case, the constant voltage at the movable contact of the first variable resistor 9, dual variable resistors 9 and 10 in any position of the movable contacts will be twice the voltage at the movable contact of the second variable resistor 10.

Устройство управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов работает следующим образом. При подаче на вход устройства управления импульсов, имеющих амплитуду, превышающую значение постоянного напряжения, установленного на подвижном контакте первого переменного резистора 9, полупроводниковый диод 5 открывается и на базе биполярного транзистора 1 устанавливается напряжение, равное напряжению на подвижном контакте первого переменного резистора 9. Поэтому, как только амплитуда импульса на выходе устройства управления становится равной напряжению на подвижном контакте первого переменного резистора 9, биполярный транзистор 1 открывается. При открывании биполярного транзистора 1 возрастающее напряжение на его коллекторе приводит к открыванию дополнительного полупроводникового диода 8. На базе дополнительного биполярного транзистора 6 устанавливается напряжение, равное напряжению на подвижном контакте второго переменного резистора 10. Дополнительный биполярный транзистор 6, также как и биполярный транзистор 1, открывается, что препятствует дальнейшему росту импульсного тока в нагрузке. Поскольку напряжение на базе дополнительного биполярного транзистора 6 всегда вдвое меньше напряжения на базе биполярного транзистора 1, напряжения на переходах коллектор-эмиттер биполярного транзистора 1 и дополнительного биполярного транзистора 6 будут всегда равными. Исходя из этого максимальная амплитуда сигналов на выходе устройства управления может достигать значения, равного удвоенной величине допустимого напряжения на переходах коллектор-эмиттер биполярного транзистора 1 и дополнительного биполярного транзистора 6.The control device for the amplitude of high-voltage unipolar pulses works as follows. When applying to the input of the control device pulses having an amplitude exceeding the constant voltage value installed on the movable contact of the first variable resistor 9, the semiconductor diode 5 opens and a voltage equal to the voltage on the movable contact of the first variable resistor 9 is established on the basis of the bipolar transistor 1. Therefore, as soon as the amplitude of the pulse at the output of the control device becomes equal to the voltage at the movable contact of the first variable resistor 9, the bipolar transistor 1 opens. When the bipolar transistor 1 is opened, an increasing voltage on its collector leads to the opening of an additional semiconductor diode 8. On the basis of the additional bipolar transistor 6, a voltage is set equal to the voltage on the moving contact of the second variable resistor 10. The additional bipolar transistor 6, as well as the bipolar transistor 1, opens , which prevents further growth of the pulse current in the load. Since the voltage at the base of the additional bipolar transistor 6 is always half the voltage at the base of the bipolar transistor 1, the voltages at the collector-emitter junctions of the bipolar transistor 1 and the additional bipolar transistor 6 will always be equal. Based on this, the maximum amplitude of the signals at the output of the control device can reach a value equal to twice the allowable voltage at the collector-emitter junctions of the bipolar transistor 1 and the additional bipolar transistor 6.

Транзистор 1 на фиг.1 соответствует транзистору VT2 на фиг.2, резистор 2 на фиг.1 - резистору R4 на фиг.2, и резистор 3 на фиг.1 - резистору R5 на фиг.2. Конденсатор 4 на фиг.1 соответствует конденсатору C2 на фиг.2, полупроводниковый диод 5 на фиг.1 - полупроводниковому диоду VD2 на фиг.2, и транзистор 6 на фиг.1 - транзистору VT1 на фиг.2. Конденсатор 7 на фиг.1 соответствует конденсатору С1 на фиг.2, полупроводниковый диод 8 на фиг.1 - полупроводниковому диоду VD1 на фиг.2. Переменный резистор 9 на фиг.1 соответствует переменному резистору R3 на фиг.2, переменный резистор 10 на фиг.1 - переменному резистору R1 на фиг.2, и резистор 11 на фиг.1 - резистору R2 на фиг.2.The transistor 1 in FIG. 1 corresponds to the transistor VT2 in FIG. 2, the resistor 2 in FIG. 1 to the resistor R4 in FIG. 2, and the resistor 3 in FIG. 1 to the resistor R5 in FIG. 2. The capacitor 4 in FIG. 1 corresponds to the capacitor C2 in FIG. 2, the semiconductor diode 5 in FIG. 1 to the semiconductor diode VD2 in FIG. 2, and the transistor 6 in FIG. 1 to the transistor VT1 in FIG. 2. The capacitor 7 in figure 1 corresponds to the capacitor C1 in figure 2, the semiconductor diode 8 in figure 1 - the semiconductor diode VD1 in figure 2. The variable resistor 9 in FIG. 1 corresponds to the variable resistor R3 in FIG. 2, the variable resistor 10 in FIG. 1 corresponds to the variable resistor R1 in FIG. 2, and the resistor 11 in FIG. 1 to the resistor R2 in FIG. 2.

Экспериментальное исследование макета устройства управления, принципиальная электрическая схема которого приведена на фиг.2, проводилось с использованием модифицированного мощного импульсного усилителя описанного в [5] и позволявшего получать на выходе амплитуду импульса до 120 В. В результате исследований установлено, что при работе на нагрузку с сопротивлением, равным 1 кОм, устройство управления позволяет изменять импульсное напряжение на нагрузке в пределах от 2,7 В до 112 В. Макет устройства управления, реализованный по схеме прототипа, не позволял получать на нагрузке импульсное напряжение более 60 В, что было обусловлено пробоем перехода коллектор-эмиттер транзистора.An experimental study of the layout of the control device, the circuit diagram of which is shown in figure 2, was carried out using a modified high-power pulse amplifier described in [5] and allowing to obtain a pulse amplitude of 120 V at the output. As a result of the studies, it was found that when working on a load with with a resistance of 1 kOhm, the control device allows you to change the pulse voltage at the load in the range from 2.7 V to 112 V. The layout of the control device, implemented according to the prototype scheme Not allowed to receive the load pulse voltage is 60 V, which was due to breakdown of the collector-emitter transistor.

Предложенное устройство управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов по сравнению с устройством-прототипом обеспечивает расширение динамического диапазона сигналов на его выходе до значений, вдвое превышающих предельно допустимые напряжения коллектор-эмиттер современных биполярных транзисторов.The proposed device for controlling the amplitude of high-voltage unipolar pulses in comparison with the prototype device provides an extension of the dynamic range of signals at its output to values twice as high as the maximum allowable collector-emitter voltages of modern bipolar transistors.

Источники информацииInformation sources

1. Титов А.А., Семенов А.В., Пушкарев В.П. Устройство защиты усилителя однополярных импульсов от перегрузки по току / Патент РФ №2328818 - Опубл. 10.07.2008. Бюл. №19.1. Titov A.A., Semenov A.V., Pushkarev V.P. Device for protecting an amplifier of unipolar pulses against overcurrent / RF Patent No. 2328818 - Publ. 07/10/2008. Bull. No. 19.

2. Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги: Справочник в 4-х томах. - М.: КУбК-а, 1997.2. Petukhov V.M. Field and high-frequency bipolar transistors of medium and high power and their foreign counterparts: A Handbook in 4 volumes. - M .: KUBK-a, 1997.

3. Титов А.А. Устройства управления амплитудой на основе эффекта двухстороннего ограничения мощных сигналов биполярным транзистором с закрытыми переходами. - Томск. Изд-во ТУСУРа, 2012. -191 с.3. Titov A.A. Amplitude control devices based on the effect of two-way limitation of powerful signals by bipolar transistors with closed transitions. - Tomsk. TUSUR Publishing House, 2012. -191 p.

4. Пушкарев В.П., Титов А.А., Бахарева Д.В., Кочумеев В.А., Шухлов И.В. Унифицированный СВЧ-генератор для систем ближней радиолокации // Материалы докладов 22-й Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии», Украина, Севастополь, 10-14 сентября 2012 г. - С.108-109. - прототип.4. Pushkarev V.P., Titov A.A., Bakhareva D.V., Kochumeev V.A., Shukhlov I.V. Unified microwave generator for short-range radar systems // Proceedings of the 22nd International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technologies", Ukraine, Sevastopol, September 10-14, 2012 - P.108-109. - prototype.

5. Титов А.А., Пушкарев В.П., Авдоченко Б.И., Пелявин Д.Ю., Юрченко В.И. Импульсный СВЧ-генератор на диоде Ганна // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. - 2010. - Вып.№3. - С.38- 46.5. Titov A.A., Pushkarev V.P., Avdochenko B.I., Pelyavin D.Yu., Yurchenko V.I. Pulsed microwave generator on a Gunn diode // Electronic Technology. Ser. Microwave technology. - 2010. - Issue No. 3. - S. 38-46.

Claims

Устройство управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов, содержащее вход и выход устройства управления, биполярный транзистор, эмиттер которого соединен с выходом устройства управления, первый резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с входом устройства управления, второй резистор, первый вывод которого соединен с эмиттером биполярного транзистора, а второй вывод - с общим для всего устройства проводником, конденсатор, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, и полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом конденсатора, отличающееся тем, что в него введены дополнительный биполярный транзистор, коллектор которого соединен с общим для всего устройства проводником, а эмиттер - с коллектором упомянутого выше биполярного транзистора, дополнительный конденсатор, первый вывод которого соединен с общим для всего устройства проводником, дополнительный полупроводниковый диод, анод которого соединен с базой дополнительного биполярного транзистора, а катод - со вторым выводом дополнительного конденсатора, сдвоенные переменные резисторы, первый неподвижный контакт первого переменного резистора соединен с общим для всего устройства проводником, второй неподвижный контакт первого переменного резистора - с источником питания устройства управления амплитудой высоковольтных однополярных импульсов, а его подвижный контакт - с катодом полупроводникового диода, первый неподвижный контакт второго переменного резистора соединен с общим для всего устройства проводником, а его подвижный контакт - с катодом дополнительного полупроводникового диода, и третий резистор, первый вывод которого соединен со вторым неподвижным контактом второго переменного резистора, а его второй вывод - с названным источником питания. The amplitude control device for the amplitude of high-voltage unipolar pulses, containing the input and output of the control device, a bipolar transistor, the emitter of which is connected to the output of the control device, the first resistor, the first output of which is connected to the emitter of the bipolar transistor, and the second output to the input of the control device, second resistor, first the output of which is connected to the emitter of a bipolar transistor, and the second output is connected to a conductor common to the entire device, a capacitor, the first output of which is connected to a common to all devices with a conductor, and a semiconductor diode, the anode of which is connected to the base of the bipolar transistor, and the cathode is connected to the second output of the capacitor, characterized in that an additional bipolar transistor is introduced into it, the collector of which is connected to the conductor common to the entire device, and the emitter to the collector of the aforementioned above the bipolar transistor, an additional capacitor, the first output of which is connected to a conductor common to the entire device, an additional semiconductor diode, the anode of which is connected to the base a solid bipolar transistor, and the cathode with the second output of the additional capacitor, dual variable resistors, the first fixed contact of the first variable resistor is connected to a conductor common to the whole device, the second fixed contact of the first variable resistor is connected to the power source of the device for controlling the amplitude of high-voltage unipolar pulses, and its movable contact - with the cathode of a semiconductor diode, the first fixed contact of the second variable resistor is connected to a common device conductor, and its movable contact with the cathode of the additional semiconductor diode, and a third resistor, the first terminal of which is connected to the second fixed terminal of the second variable resistor, and its second terminal is connected to the named power source.