RU2525684C1 - Способ сборки микроэлектромеханических устройств - Google Patents

Способ сборки микроэлектромеханических устройств Download PDF

Info

Publication number
RU2525684C1
RU2525684C1 RU2013108395/28A RU2013108395A RU2525684C1 RU 2525684 C1 RU2525684 C1 RU 2525684C1 RU 2013108395/28 A RU2013108395/28 A RU 2013108395/28A RU 2013108395 A RU2013108395 A RU 2013108395A RU 2525684 C1 RU2525684 C1 RU 2525684C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mems
current leads
wire
welding
contact
Prior art date
Application number
RU2013108395/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Алексей Владимирович Близнецов
Максим Владимирович Близнецов
Геннадий Николаевич Корзенев
Галина Петровна Короткова
Светлана Михайловна Лисицына
Евгений Алексеевич Осоченко
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом"
Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом", Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом"
Priority to RU2013108395/28A priority Critical patent/RU2525684C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2525684C1 publication Critical patent/RU2525684C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

Использование: область микроэлектроники, а именно сборка микроэлектромеханических устройств и систем (МЭМС) на основе пьезоэлектрического кварца. Технический результат: повышение надежности функционирования в условиях высоких комплексных внешних воздействий. Сущность: способ включает выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС. При этом предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента ЧЭ и других функциональных элементов МЭМС, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам, выполненным на контактных площадках ПП, изготовленных из чередующихся металлических слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки. Затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС. 2 ил.

Description

Предлагаемое изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам сборки микроэлектромеханических устройств и систем (МЭМС) на основе пьезоэлектрического кварца.
В данной области техники существует проблема надежности функционирования МЭМС, вызванная ограничением величины внешних (ударных, энергетических и иных) воздействующих факторов.
В качестве базовых способов сборки МЭМС используются технологические приемы микроэлектроники, основанные на электрических соединениях методами микросварки или пайки.
Известен в качестве прототипа способ сборки гибридных микросборок, включающий монтаж кристаллов, являющийся первичным преобразователем (ПП) на плату гибридной микросборки, служащей вторичным преобразователем (ВП), при этом перед монтажом на контактных площадках (КП) кристаллов (ПП) сформированы методом термокомпрессионной сварки объемные (булавообразные) выводы (ОВ), припаиваемые на предварительно облуженные КП гибридной микросборки (ВП) (а.с. №1496565, МПК H01L 21/50, публ. 08.10.1987 г.).
К недостаткам известного способа относятся недостаточно высокая теплопроводность сборки, наличие паяных соединений, которые подвержены деструкции при внешних высокоэнергетических воздействиях, в которых эксплуатируются МЭМС, ограничение ремонтоспособности сборок, невысокий уровень интеграции элементов МЭМС, ограниченный свойствами паяных соединений.
Задачей авторов изобретения является разработка способа сборки МЭМС, обеспечивающего высокую надежность функционирования МЭМС в условиях высоких комплексных внешних воздействий.
Технический результат изобретения заключается в повышении надежности функционирования МЭМС за счет гарантированного монтажа, основанного на надежном электрическом соединении всех КП элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца и в повышении ремонтоспособности МЭМС.
Указанная задача и новый технический результат обеспечиваются тем, что в известном способе сборки МЭМС, включающем выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС, согласно предлагаемому изобретению предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента ЧЭ и других функциональных элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам (ОВ), выполненным на контактных площадках, изготовленных из чередующихся слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки, затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС.
Предлагаемый способ сборки МЭМС заключается в следующем.
На фиг.1 изображен вид КП устройства ПП со сформированной системой ОВ, где 1 - объемные выводы сферической формы.
На фиг 2 изображен общий вид сборки МЭМС, где 1 - первичный преобразователь (ПП); 2 - вторичный преобразователь (ВП); 3 - контактная площадка (КП) чувствительного элемента (ЧЭ) ПП; 4 - объемные выводы (ОВ) сферической формы; 5 - проволочные токовыводы из золота; 6 - контактная площадка (КП) ВП.
Перед сборкой МЭМС на КП изготовленного кварцевого ЧЭ ПП, имеющего заданную конструкцию и топологию с напыленными чередующимися металлическими слоями Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, формируют ОВ из золотой проволоки.
Проволока, выходящая из капилляра установки ультразвуковой сварки, расплавляется при помощи электрического разряда до получения шарика, который приваривается к КП кварцевого ПП. Проволока отрывается у основания ОВ. В результате на КП получается золотой ОВ сферической формы.
ЧЭ со сформированной системой токовыводов сферической формы собирают в ПП в условиях высокотемпературной обработки при температуре около 500°C. Данная операция приводит к изменению состава КП, а именно после сборки в составе КП ПП происходит увеличение относительного массового содержания кислорода в составе пленки золота, диффузия хрома в пленку золота, которые приводят к ухудшению или полному отсутствию сварки проволочных токовыводов на КП ПП. Чтобы избежать проявления указанных негативных факторов и предусмотрено формирование ОВ до процесса сборки измерительного блока ПП.
После высокотемпературной сборки, в зонах КП (фиг.2, позиция 3), к сформированным сферическим ОВ (фиг.2, позиция 4) осуществляют контактную сварку проволочными токовыводами из золота (фиг.2, позиция 5). Собранный таким блок ПП присоединяют приваренными проволочными токовыводами методом контактной сварки к КП ВП (фиг.2, позиция 6).
Последовательность операций при сборке МЭМС по предлагаемому способу следующая:
1. Химическая обработка кварцевого ПП.
2. Формирование ОВ сферической формы из золота методом термозвуковой сварки на КП кварцевого ЧЭ ПП.
3. Сборка ПП при температуре 500°C.
4. Контактная сварка проволочных токовыводов из золота к сформированным ОВ.
5. Соединение контактной сваркой проволочных токовыводов из золота с КП ВП.
Формирование ОВ до сборки блока ПП позволяет локально, избирательно, с высокой адгезионной прочностью в нужной точке на КП ПП увеличить толщину золота, не изменяя электрических параметров ПП, и минимизировать увеличение относительного массового содержания Wt% кислорода и диффузию хрома в пленку золота, которые приводят к снижению надежности сварного соединения ПП с ВП в составе МЭМС.
Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет повысить надежность функционирования МЭМС за счет обеспечения гарантированного соединения всех контактных площадок элементов МЭМС из-за замены традиционной пайки методами микросварки и обеспечить повышение их ремонтоспособности и высокий уровень интеграции элементов МЭМС.
Пример 1. На партии ЧЭ 1111 в количестве 6 шт. было проведено 60 сварных соединений (по 10 сварных соединений на каждом) на установке ультразвуковой сварки УС.ИММ-5. Процесс сварки начинается с формирования шарика из золотой проволоки марки кр.Зл.99,99-0,04Т. Золотая проволока направляется в область сварки вертикально через сварочный инструмент для осуществления метода термозвуковой микросварки. Конец проволоки (ось вывода перпендикулярна плоскости КП) предварительно оплавляется с помощью электроискрового генератора, образуя шар. Затем сварочный инструмент опускается на поверхность КП ЧЭ ПП. Шар под давлением деформируется и принимает форму полусферы. При этом нижняя поверхность шара образовывает сварное соединение с материалом КП ПП. Относительная деформация шара при образовании качественных соединений составляет 50-60%. Тепло в зону сварки подводят путем нагрева рабочего инструмента до заданной температуры (порядка 100-120°C), что экспериментально показано для улучшения качества сварки.
Для формирования ОВ сферической формы значения параметров термозвуковой сварки устанавливают таким образом, что после формирования ОВ и выполнения процесса сварки отрыв проволоки произошел в заданном месте (в зоне соединения шара с проволокой). Диаметр сформированного ОВ составляет 2-3 диаметра золотой проволоки. На каждой КП ЧЭ формируют необходимое для соединения с имеющимся количеством элементов МЭМС (в данном случае -5) ОВ. Проводится сборка ПП, состоящая из ЧЭ и функциональных или конструктивных элементов на основе пьезоэлектрического кварца при температуре 500°C.
На ОВ привариваются токовыводы из золотой проволоки кр.Зл.99,99-0,04Т контактной сваркой. Режимы сварки подбираются, исходя из условий получения максимальной прочности сварных соединений. Токовыводы из золотой проволоки привариваются контактной сваркой к КП ВП. Этот способ сборки обеспечивает возможность в случае необходимости замены вышедшего из строя ПП, произвести ремонт МЭМС путем отрыва токовыводов от ПП и его замены без повреждения МЭМС, что не предусмотрено в прототипе.
Применение данного способа сборки повысило надежность функционирования МЭМС за счет гарантированного монтажа, основанного на надежном электрическом соединении ГШ на основе пьезоэлектрического кварца, собранного из функциональных элементов при температуре не более 500°С с ВП методами микросварки, и повысило ремонтоспособность МЭМС.

Claims (1)

  1. Способ сборки микроэлектромеханических устройств (МЭМС), включающий выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС, отличающийся тем, что предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента (ЧЭ) и других функциональных элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам (ОВ), выполненным на контактных площадках, изготовленных из чередующихся слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки, затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС.
RU2013108395/28A 2013-02-26 2013-02-26 Способ сборки микроэлектромеханических устройств RU2525684C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013108395/28A RU2525684C1 (ru) 2013-02-26 2013-02-26 Способ сборки микроэлектромеханических устройств

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013108395/28A RU2525684C1 (ru) 2013-02-26 2013-02-26 Способ сборки микроэлектромеханических устройств

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2525684C1 true RU2525684C1 (ru) 2014-08-20

Family

ID=51384586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013108395/28A RU2525684C1 (ru) 2013-02-26 2013-02-26 Способ сборки микроэлектромеханических устройств

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2525684C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2751605C1 (ru) * 2020-09-04 2021-07-15 Александр Владимирович Подувальцев Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов
RU2800791C2 (ru) * 2019-01-15 2023-07-28 Иксо Имэджинг, Инк. Синтетические линзы для систем ультразвуковой визуализации

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1496565C (ru) * 1987-10-08 1995-06-09 Варламов Анатолий Александрович Способ монтажа кристаллов на облуженные платы микросборок
SU1802652A1 (ru) * 1990-02-05 1996-04-20 Научно-исследовательский технологический институт Способ изготовления микросборки
US6489178B2 (en) * 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US7122905B2 (en) * 2002-02-12 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for mounting microelectronic packages to circuit boards

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1496565C (ru) * 1987-10-08 1995-06-09 Варламов Анатолий Александрович Способ монтажа кристаллов на облуженные платы микросборок
SU1802652A1 (ru) * 1990-02-05 1996-04-20 Научно-исследовательский технологический институт Способ изготовления микросборки
US6489178B2 (en) * 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US6858910B2 (en) * 2000-01-26 2005-02-22 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US7122905B2 (en) * 2002-02-12 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for mounting microelectronic packages to circuit boards

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2800791C2 (ru) * 2019-01-15 2023-07-28 Иксо Имэджинг, Инк. Синтетические линзы для систем ультразвуковой визуализации
RU2751605C1 (ru) * 2020-09-04 2021-07-15 Александр Владимирович Подувальцев Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов
WO2022050873A1 (ru) * 2020-09-04 2022-03-10 Алексей Александрович ПОДУВАЛЬЦЕВ Способ монтажа проволочных проводников к контактным площадкам полупроводниковых приборов
AT525920A1 (de) * 2020-09-04 2023-07-15 Aleksandrovich Poduvaltsev Aleksei Montageverfahren von drahtleitern an anschlussflächen von halbleitergeräten
AT525920B1 (de) * 2020-09-04 2024-02-15 Aleksandrovich Poduvaltsev Aleksei Montageverfahren von drahtleitern an anschlussflächen von halbleitergeräten

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007227893A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20120116373A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
CN101859733B (zh) 半导体封装构造、半导体封装构造用载板及其制造方法
CN103017197B (zh) 一种无引线封装薄膜桥发火器的制造方法
RU2525684C1 (ru) Способ сборки микроэлектромеханических устройств
CN103575589A (zh) 侦测金属化***中的异常弱beol部位
CN101527287A (zh) 打线结构及其制作方法
EP1367644A1 (en) Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof
JP2009099637A (ja) 回路基板、半導体装置、および半導体装置の製造方法
KR20180111215A (ko) 스폿 용접을 이용한 프로브 핀의 조립 방법 및 여기에 사용되는 프로브 핀의 전기-저항 용접 시스템
RU2539999C1 (ru) Способ изготовления термопары
CN103957663A (zh) 一种组装板间中空焊柱垂直互联结构及制作方法
CN102789995B (zh) 制作金属凸块与熔接金属的制程方法
US20080293235A1 (en) Compound wirebonding and method for minimizing integrated circuit damage
CN207529908U (zh) 一种焊点焊接质量监控***
RU2734854C1 (ru) Способ термозвуковой микросварки многокристальных модулей
Schuleit et al. Micro laser welding of NiTi shape memory wires and printed circuit boards
CN111682008A (zh) 用于制造包括固定到引线框架的裸片的集成设备的方法
JP2007335652A (ja) 半導体装置、回路基板及びそれらの製造方法
CN101969033A (zh) 将导线电连接至集成电路芯片的焊盘的方法及电子器件
TWI566346B (zh) Flip chip packaging method
JP2007250999A (ja) 半導体装置の製造方法
US12070812B2 (en) Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints
CN109526155B (zh) 一种焊点虚焊的制作方法
RU2509638C1 (ru) Способ изготовления металлических многослойных панелей