RU2494496C2 - Semiconductor photoelectric generator (versions) - Google Patents

Semiconductor photoelectric generator (versions) Download PDF

Info

Publication number
RU2494496C2
RU2494496C2 RU2011153586/28A RU2011153586A RU2494496C2 RU 2494496 C2 RU2494496 C2 RU 2494496C2 RU 2011153586/28 A RU2011153586/28 A RU 2011153586/28A RU 2011153586 A RU2011153586 A RU 2011153586A RU 2494496 C2 RU2494496 C2 RU 2494496C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
generator
working surface
semiconductor photoelectric
diode
planes
Prior art date
Application number
RU2011153586/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2011153586A (en
Inventor
Дмитрий Семенович Стребков
Владимир Иванович Поляков
Original Assignee
Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) filed Critical Российская академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии)
Priority to RU2011153586/28A priority Critical patent/RU2494496C2/en
Publication of RU2011153586A publication Critical patent/RU2011153586A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2494496C2 publication Critical patent/RU2494496C2/en

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: semiconductor photoelectric generator with double-sided working surface is made as a matrix from switched microphoto cells with n+-p-p+(p+n-n+) diode structures, in which one or two linear dimensions of the microphoto cell are comparable with diffusion length of minor current carriers in the base area, and planes of diode structures are inclined at the angle φ, 30°<φ<150° to the working surface of the generator, along the entire area of the working surface at two sides of the generator there is a passivating film with thickness of 10-60 nm, arranged on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminium, molybdenum and tungsten, and above the passivating film there is a layer of a clearing coating. In the other version along the entire area of the working surface of the generator at two sides of the generator there are passivating and clearing films, made on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminium, molybdenum and tungsten, and also silicon nitride or carbide.
EFFECT: increased efficiency of a photoelectric generator and increased efficiency of electromagnetic radiation conversion.
4 cl, 2 dwg, 2 ex

Description

Изобретение относится к электронной технике, а именно к приборам, преобразующим энергию электромагнитного излучения в электрическую, и технологии их изготовления, в частности к полупроводниковым фотоэлектрическим генераторам.The invention relates to electronic equipment, namely to devices that convert the energy of electromagnetic radiation into electrical energy, and the technology for their manufacture, in particular to semiconductor photoelectric generators.

Известен полупроводниковый фотоэлектрический генератор (а.с 288163 СССР, 1967 г., МПК H01L 31/042), выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости p-n-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора.Known semiconductor photoelectric generator (AS 288163 USSR, 1967, IPC H01L 31/042), made in the form of a matrix of commutated microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the plane pn junctions are perpendicular to the working surface of the generator.

Недостатком указанного преобразователя является недостаточно высокая эффективность преобразования.The disadvantage of this Converter is not a high conversion efficiency.

В качестве прототипа принята конструкция полупроводникового фотоэлектрического генератора, выполненного в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости р-n-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от n-p-переходов, размещена изолирующая пленка толщиной 10-30 нм, на которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм с расстоянием между нанокластерами 60-120 нм, а над нанокластерами расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.As a prototype, the design of a semiconductor photoelectric generator, made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the plane of the pn junctions is perpendicular to the working surface of the generator, on the surface of the micropotentifiers, is adopted free of np junctions, an insulating film 10–30 nm thick is placed on which metal nanoclusters 10–40 nm in size with standing between nanoclusters of 60-120 nm, and above the nanoclusters there is a layer of a passivating antireflection coating of dielectric.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, выполненного в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-p-переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от p-n-переходов, размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, а над пленкой расположен слой пассивирующего антиотражающего покрытия из диэлектрика.In a design variant of a semiconductor photoelectric generator, made in the form of a matrix of switched microphotoconverters, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the np-junction planes are perpendicular to the generator’s working surface, on the microphotoconverters surface free of pn -transitions, an insulating film is placed in which metal nanoclusters 10-40 nm in size are placed, and a layer of passivation is located above the film dielectric antireflection coating.

В другом варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, выполненного в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых один или два линейных размера соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости n-p - переходов перпендикулярны рабочей поверхности генератора, на поверхности микрофотопреобразователей, свободной от p-n -переходов, размещена изолирующая пленка, в которой размещены нанокластеры металлов размером 10-40 нм, при этом изолирующая пленка выполняет функцию пассивирующего антиотражающего покрытия (патент РФ №2336596, 2007, МПК H01L 31/042. Опубл. 20.10.2008. Бюл. №29).In another embodiment, the design of a semiconductor photoelectric generator made in the form of a matrix of switched microphototransducers, in which one or two linear sizes are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the np-transition planes are perpendicular to the generator’s working surface, on the microphototransmitter surface free of pn junctions, an insulating film is placed in which metal nanoclusters 10-40 nm in size are placed, while the insulating film olnyaet function passivating antireflection coating (RF patent №2336596, 2007 IPC H01L 31/042. Publ. 20.10.2008. Bull. №29).

Недостатком указанного полупроводникового фотоэлектрического генератора является недостаточно высокая эффективность преобразования.The disadvantage of this semiconductor photoelectric generator is not a high conversion efficiency.

Задачей предлагаемого изобретения является повышение КПД фотоэлектрического генератора, повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения.The objective of the invention is to increase the efficiency of the photoelectric generator, increasing the conversion efficiency of electromagnetic radiation.

Вышеуказанный результат достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе с двухсторонней рабочей поверхностью, выполненном в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-p-p+(p+n-n*) диодными структурами, у которых один или два линейных размера микрофотопреобразователя соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости диодных структур наклонены под углом φ, 30°<φ<150°, к рабочей поверхности генератора, по всей площади рабочей поверхности с двух сторон генератора размещена пассивирующая пленка толщиной 10-60 нм, выполненная на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а над пассивирующей пленкой расположен слой просветляющего покрытия.The above result is achieved by the fact that in a semiconductor photovoltaic generator with a two-sided working surface, made in the form of a matrix of commutated microphotoconverters with n + -pp + (p + nn *) diode structures, in which one or two linear dimensions of the microphotoconverter are comparable with the diffusion length of minor current carriers in the base region, and the planes of the diode structures are inclined at an angle φ, 30 ° <φ <150 °, to the working surface of the generator, over the entire area of the working surface on both sides of the generator A passivating film 10–60 nm thick was placed on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminum, molybdenum, and tungsten, and a layer of an antireflection coating is located above the passivating film.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора плоскости пассивирующей пленки и просветляющего покрытия выполнены перпендикулярно плоскости диодных n+-p-p+(p+-n-n+) структур.In the design variant of the semiconductor photoelectric generator, the planes of the passivating film and the antireflection coating are perpendicular to the plane of the diode n + -pp + (p + -nn + ) structures.

Также повышение КПД и эффективности преобразования достигается тем, что в полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе с двухсторонней рабочей поверхностью, выполненном в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-p-p+(p+-n-n+) диодными структурами, у которых один или два линейных размера микрофотопреобразователей соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости диодных структур наклонены под углом φ, 30°<φ<150°, к рабочей поверхности генератора, по всей площади рабочей поверхности генератора с двух сторон генератора размещены пассивирующие и просветляющие пленки, выполненные на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а также нитрида или карбида кремния.Also, an increase in efficiency and conversion efficiency is achieved by the fact that in a semiconductor photoelectric generator with a two-sided working surface, made in the form of a matrix of switched microphotoconverters with n + -pp + (p + -nn + ) diode structures, which have one or two linear sizes of microphotoconverters commensurate with the diffusion length of minority current carriers in the base region, and the planes of diode structures are inclined at an angle φ, 30 ° <φ <150 °, to the working surface of the generator, over the entire area of the working surface ited generator with two sides of the generator placed passivating and antireflection films formed on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminum, molybdenum and tungsten, and nitride or silicon carbide.

В варианте конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора плоскости пассивирующей и просветляющей пленки выполнены перпендикулярно плоскости диодных n+-p-p+(p+-n-n+) структур.In the design variant of the semiconductor photoelectric generator, the planes of the passivating and antireflection films are made perpendicular to the plane of the diode n + -pp + (p + -nn + ) structures.

Сущность изобретения поясняется фиг.1-2.The invention is illustrated figure 1-2.

На фиг.1 показаны основные элементы конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, которого плоскости диодных p+-n-n+ структур наклонены под углом 60° к рабочей поверхности генератора с пассивирующей пленкой на основе окисла цинка и просветляющим покрытием из диэлектрика. На фиг.2 показаны основные элементы конструкции полупроводникового фотоэлектрического генератора, которого плоскости диодных n+-p-p+ структур перпендикулярны рабочей поверхности генератора с пассивирующей пленкой на основе оксида алюминия и оксида цинка на двух поверхностях генератора, которая совмещена с просветляющим покрытием.Figure 1 shows the basic structural elements of a semiconductor photoelectric generator, whose planes of diode p + -nn + structures are inclined at an angle of 60 ° to the working surface of the generator with a passivation film based on zinc oxide and an antireflective coating of dielectric. Figure 2 shows the basic structural elements of a semiconductor photoelectric generator, the planes of diode n + -pp + structures perpendicular to the working surface of the generator with a passivating film based on aluminum oxide and zinc oxide on two surfaces of the generator, which is combined with an antireflective coating.

На фиг.1 фотоэлектрический генератор состоит из микрофотопреобразователей 1 с диодными p+-n-n+ структурами, плоскости которых наклонены под углом φ=60° к рабочей поверхности 2 генератора, содержащих p+-область 3, p+-n-переходы 4, базовую область 5 n-типа и p+-область 6, внешних металлических контактов 7, внутренних металлических контактов 8, пассивирующей пленки 9, просветляющего покрытия из диэлектрика 10. Один или два линейных размера микрофотопреобразователей 1 соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области 5. Пассивирующая пленка 9 выполнена из оксида цинка и расположена на двух рабочих поверхностях 3 по всей площади поверхности генератора, толщина пленки 9 10-60 нм. Над пленкой 9 расположен слой просветляющего покрытия из диэлектрика 10.In Fig. 1, the photoelectric generator consists of microphotoconverters 1 with diode p + -nn + structures, the planes of which are inclined at an angle φ = 60 ° to the working surface 2 of the generator, containing p + -region 3, p + -n-junctions 4, the base n-type region 5 and p + -region 6, external metal contacts 7, internal metal contacts 8, passivating film 9, antireflective coatings from dielectric 10. One or two linear sizes of microphotoconverters 1 are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region 5 Passy iruyuschaya film 9 made of zinc oxide and is located on the two work surfaces 3 over the entire area of the generator surface 9, the film thickness of 10-60 nm. Above the film 9 is a layer of antireflection coating of dielectric 10.

На фиг.2 микрофотопреобразователи 1 с диодными n+-p-p+ структурами, плоскости которых перпендикулярны рабочей поверхности 2 генератора, содержат n+-область 11, n+-p переход 12, базовую область 13 p-типа и p+-область 14, на каждой из двух рабочих поверхностях 2 генератора по всей их площади нанесена пассивирующая пленка 15, выполненная из оксида алюминия и оксида цинка, которая выполняет также функцию просветляющего покрытия.In Fig.2, microphotoconverters 1 with diode n + -pp + structures, the planes of which are perpendicular to the working surface 2 of the generator, contain an n + -region 11, n + -p transition 12, a base region 13 p-type and p + -region 14, on each of the two working surfaces 2 of the generator, a passivating film 15 made of aluminum oxide and zinc oxide, which also serves as an antireflection coating, is applied over their entire area.

Полупроводниковый фотоэлектрический генератор работает следующим образом.A semiconductor photoelectric generator operates as follows.

Падающее на рабочую поверхность 2 (фиг.1) электромагнитное излучение через просветляющее покрытие 10 и пассивирующую пленку 9 поступает на рабочие поверхности 2 микрофотопреобразователей 1. Происходит поглощение фотонов, сопровождающееся образованием электронно-дырочных пар и появлением неосновных неравновесных носителей заряда. Электронно-дырочные пары разделяются полем p+-n - перехода 4, что вызывает во внешней цепи фототок, направленный к базовой области 5. Одновременно излучение поступает на пассивирующую пленку 15. Встроенные электрические заряды в пассивирующей пленке активизируются излучением и создают электрическое поле, которое ускоряет неосновные носители заряда - дырки в базовой области n - типа при их движении от рабочей поверхности 2.Electromagnetic radiation incident on the working surface 2 (Fig. 1) through the antireflection coating 10 and the passivating film 9 enters the working surfaces 2 of the microphotoconverters 1. Photon absorption occurs, accompanied by the formation of electron-hole pairs and the appearance of minority non-equilibrium charge carriers. Electron-hole pairs are separated by a p + -n field - transition 4, which causes a photocurrent in the external circuit directed to the base region 5. Simultaneously, the radiation enters the passivating film 15. The built-in electric charges in the passivating film are activated by radiation and create an electric field that accelerates minority charge carriers - holes in the base region of n - type when they move from the working surface 2.

Это приводит к снижению потерь на поверхностную рекомбинацию на рабочих поверхностях 2 генератора и увеличению фототока и КПД в 10 раз.This leads to a decrease in losses on surface recombination on the working surfaces 2 of the generator and an increase in photocurrent and efficiency by 10 times.

В полупроводниковом фотоэлектрическом генераторе на фиг.2 электромагнитное излучение поступает непосредственно на пассивирующую пленку 15, которая выполняет функцию просветляющего покрытия. Сочетание оптических и зарядовых характеристик позволяет в ряде случаев использовать пассивирующую пленку 15 в качестве просветляющего покрытия. Для полупроводникового фотоэлектрического генератора с вертикальными диодными структурами на фиг.2 функция генерации не зависит от расстояния от n+-p-перехода 12, что создает возможность равномерной генерации носителей заряда в пространстве базовой области 13 между n+-p-переходом 12 и изотипным p-p+-переходом и модуляции проводимости базовой области 13 под действием излучения и электрических зарядов в пассивирующей пленке 15, что приводит к снижению последовательного сопротивления и увеличению коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики в реальных условиях эксплуатации по сравнению с известными конструкциями генераторов.In the semiconductor photoelectric generator of FIG. 2, electromagnetic radiation is supplied directly to a passivating film 15, which acts as an antireflection coating. The combination of optical and charge characteristics makes it possible in some cases to use a passivating film 15 as an antireflection coating. For a semiconductor photoelectric generator with vertical diode structures in Fig. 2, the generation function does not depend on the distance from the n + p junction 12, which makes it possible to uniformly generate charge carriers in the space of the base region 13 between the n + p junction 12 and the isotype pp + junction modulation and the base region 13 under the influence of radiation and conduction of electric charges in the passivation film 15, which leads to lower series resistance and increasing the duty ratio of the current-voltage the Features acteristics in actual use compared to the known design of the generator.

Пример выполнения полупроводникового фотоэлектрического генератора.An example of a semiconductor photoelectric generator.

Пример 1. Фотоэлектрический генератор представляет собой матрицу из скоммутированных микрофотопреобразователей 1 с вертикальными диодными n+-p-p+ структурами. Микрофотопреобразователи 1 выполнены из кремния p-типа с вертикальными диффузионными n+-p и p+-p-переходами и сплошными вертикальными омическими контактами из никеля и олова. На двух рабочих поверхностях генератора размещена пассивирующая пленка 15 окиси алюминия Al2O3 толщиной 30 нм, на которой расположен слой просветляющего покрытия 10 из диэлектрика типа нитрида кремния SixNy.Example 1. The photoelectric generator is a matrix of commutated microphotoconverters 1 with vertical diode n + -pp + structures. Microphotoconverters 1 are made of p-type silicon with vertical diffusion n + -p and p + -p junctions and continuous vertical ohmic contacts made of nickel and tin. On two working surfaces of the generator a passivating film 15 of alumina Al 2 O 3 with a thickness of 30 nm is placed, on which a layer of an antireflective coating 10 of a dielectric such as silicon nitride Si x N y is located .

Пример 2. Фотоэлектрический генератор представляет собой многослойную матрицу из диодных n+-p+ структур с базовой областью n-типа. На двух рабочих поверхностях 2 генератора размещена пассивирующая пленка 9 оксида цинка ZnO толщиной 60-100 нм, которая выполняет функции просветляющего покрытия.Example 2. A photoelectric generator is a multilayer matrix of diode n + -p + structures with an n-type base region. On two working surfaces 2 of the generator there is a passivation film 9 of zinc oxide ZnO with a thickness of 60-100 nm, which acts as an antireflection coating.

Следует отметить, что указанные примеры осуществления никак не ограничивают притязания заявителя, которые могут быть определены прилагаемой формулой изобретения, и множество модификаций и усовершенствований может быть сделано в рамках настоящего изобретения. Например, возможно создание в микрофотопреобразователях дополнительных р-n- или изотопных переходов, а также создание косоугольных матриц.It should be noted that these examples of implementation do not limit the claims of the applicant, which can be determined by the attached claims, and many modifications and improvements can be made in the framework of the present invention. For example, it is possible to create additional pn or isotope transitions in microphototransducers, as well as the creation of oblique matrices.

Claims (4)

1. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор с двухсторонней рабочей поверхностью, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-p-p+(p+n-n+) диодными структурами, у которых один или два линейных размера микрофотопреобразователя соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости диодных структур наклонены под углом φ, 30°<φ<150°, к рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что по всей площади рабочей поверхности с двух сторон генератора размещена пассивирующая пленка толщиной 10-60 нм, выполненная на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а над пассивирующей пленкой расположен слой просветляющего покрытия на основе диэлектрика.1. A semiconductor photoelectric generator with a double-sided working surface, made in the form of a matrix of switched microphotoconverters with n + -pp + (p + nn + ) diode structures, in which one or two linear dimensions of the microphotoconverter are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region and the planes of the diode structures are inclined at an angle φ, 30 ° <φ <150 °, to the working surface of the generator, characterized in that the passivation is placed on the entire surface of the working surface on both sides of the generator A 10–60 nm thick film made on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminum, molybdenum, and tungsten, and a layer of an antireflection coating based on a dielectric is located above the passivating film. 2. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что плоскости пассивирующей пленки и просветляющего покрытия выполнены перпендикулярно плоскости диодных n+-p-p+(p+n-n+)-структур.2. The semiconductor photoelectric generator according to claim 1, characterized in that the planes of the passivating film and antireflection coating are made perpendicular to the plane of the diode n + -pp + (p + nn + ) structures. 3. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор с двухсторонней рабочей поверхностью, выполненный в виде матрицы из скоммутированных микрофотопреобразователей с n+-p-p+(p+n-n+) диодными структурами, у которых один или два линейных размера микрофотопреобразователей соизмеримы с диффузионной длиной неосновных носителей тока в базовой области, а плоскости диодных структур наклонены под углом φ, 30°<φ<150°, к рабочей поверхности генератора, отличающийся тем, что по всей площади рабочей поверхности генератора с двух сторон генератора размещены пассивирующие и просветляющие пленки, выполненные на основе одного или двух окислов следующих металлов: тантала, цинка, алюминия, молибдена и вольфрама, а также нитрида или карбида кремния.3. A semiconductor photoelectric generator with a two-sided working surface, made in the form of a matrix of switched microphototransducers with n + -pp + (p + nn + ) diode structures, in which one or two linear sizes of microphototransducers are comparable with the diffusion length of minority current carriers in the base region and the planes of the diode structures are inclined at an angle φ, 30 ° <φ <150 °, to the working surface of the generator, characterized in that over the entire area of the working surface of the generator on both sides of the generator is placed passivating and antireflection films made on the basis of one or two oxides of the following metals: tantalum, zinc, aluminum, molybdenum and tungsten, as well as nitride or silicon carbide. 4. Полупроводниковый фотоэлектрический генератор по п.3, отличающийся тем, что плоскости нассивирующей просветляющей пленки выполнены перпендикулярно плоскости диодных n+-p-p+(p+n-n+)-структур. 4. The semiconductor photoelectric generator according to claim 3, characterized in that the planes of the absorbing antireflection film are made perpendicular to the plane of the diode n + -pp + (p + nn + ) structures.
RU2011153586/28A 2011-12-28 2011-12-28 Semiconductor photoelectric generator (versions) RU2494496C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011153586/28A RU2494496C2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2011153586/28A RU2494496C2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011153586A RU2011153586A (en) 2013-07-10
RU2494496C2 true RU2494496C2 (en) 2013-09-27

Family

ID=48787284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011153586/28A RU2494496C2 (en) 2011-12-28 2011-12-28 Semiconductor photoelectric generator (versions)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2494496C2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601732C2 (en) * 2015-02-11 2016-11-10 Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ) Two-sided silicon solar cell and method of making same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU288163A1 (en) * Д. С. Стребков , В. С. Косарев SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC GENERATOR
RU2331139C1 (en) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Photo-electric converter and method of its production (versions)
RU2336596C1 (en) * 2007-04-11 2008-10-20 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator (versions)
RU2357325C1 (en) * 2007-10-29 2009-05-27 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator and method of making it
RU84625U1 (en) * 2009-03-11 2009-07-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" PHOTOELECTRIC CONVERTER
RU2369941C2 (en) * 2007-08-01 2009-10-10 Броня Цой Converter of electromagnet radiation (versions)
RU2371811C1 (en) * 2008-05-06 2009-10-27 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator (versions) and method of making said generator (versions)
RU2373607C1 (en) * 2008-05-06 2009-11-20 Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator and method of making said generator
RU2374720C1 (en) * 2008-04-21 2009-11-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" Photoelectric converter (versions) and method of making said converter
RU92243U1 (en) * 2009-11-30 2010-03-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" SEMICONDUCTOR PHOTO CONVERTER (OPTIONS)
RU2387048C1 (en) * 2009-03-10 2010-04-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" Photoelectric converter

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU288163A1 (en) * Д. С. Стребков , В. С. Косарев SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC GENERATOR
RU2331139C1 (en) * 2007-02-28 2008-08-10 Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ) Photo-electric converter and method of its production (versions)
RU2336596C1 (en) * 2007-04-11 2008-10-20 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator (versions)
RU2369941C2 (en) * 2007-08-01 2009-10-10 Броня Цой Converter of electromagnet radiation (versions)
RU2357325C1 (en) * 2007-10-29 2009-05-27 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator and method of making it
RU2374720C1 (en) * 2008-04-21 2009-11-27 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" Photoelectric converter (versions) and method of making said converter
RU2371811C1 (en) * 2008-05-06 2009-10-27 Российская академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator (versions) and method of making said generator (versions)
RU2373607C1 (en) * 2008-05-06 2009-11-20 Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) Semiconductor photoelectric generator and method of making said generator
RU2387048C1 (en) * 2009-03-10 2010-04-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" Photoelectric converter
RU84625U1 (en) * 2009-03-11 2009-07-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" PHOTOELECTRIC CONVERTER
RU92243U1 (en) * 2009-11-30 2010-03-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Энергетические Технологии" SEMICONDUCTOR PHOTO CONVERTER (OPTIONS)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2601732C2 (en) * 2015-02-11 2016-11-10 Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ) Two-sided silicon solar cell and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
RU2011153586A (en) 2013-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Masuko et al. Achievement of more than 25% conversion efficiency with crystalline silicon heterojunction solar cell
JP2011165668A (en) Conductive aluminum paste and its manufacturing method, solar cell, and its module
KR20200005534A (en) Perforated PERC double-sided solar cell and its assembly, system and manufacturing method
Sater et al. High voltage silicon VMJ solar cells for up to 1000 suns intensities
KR20130016848A (en) Heterojunction with intrinsic thin layer solar cell
EP2375455A1 (en) Voltage matched multijunction solar cell
RU2336596C1 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions)
KR101252171B1 (en) Solar cell and manufacturing method of the same
WO2014134159A1 (en) Vertical multi-junction photovoltaic cell with reverse current limiting element
RU2494496C2 (en) Semiconductor photoelectric generator (versions)
JP2012064990A (en) Photoelectric conversion device using semiconductor nano materials and manufacturing method thereof
RU2357325C1 (en) Semiconductor photoelectric generator and method of making it
Hertanto et al. Back amorphous-crystalline silicon heterojunction (BACH) photovoltaic device
KR101275583B1 (en) Solar cell
KR101327092B1 (en) Structure of building applied photovoltaic
Kiaee et al. Characterization of lateral structure of the p–i–n diode for thin-film silicon solar cell
KR101172619B1 (en) Solar cell having AlN passivation layer
Arefinia et al. Modeling of the graphene based Schottky barrier solar cells on InGaN substrate
RU2601732C2 (en) Two-sided silicon solar cell and method of making same
RU106443U1 (en) SEMICONDUCTOR MULTI JUNCTION STRUCTURE
Axelevitch et al. Improvement of PV cell efficiency by rectifying antenna
CN103178124A (en) High efficiency solar cell method
Pandey et al. Interdigitated back contact silicon solar cell with perovskite layer for front surface passivation and ultraviolet radiation stability
RU2387048C1 (en) Photoelectric converter
RU2444088C2 (en) Semiconductor photoelectric converter and method of making said converter (versions)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20131229