RU2485670C1 - Indicator of microwave radiation field - Google Patents
Indicator of microwave radiation field Download PDFInfo
- Publication number
- RU2485670C1 RU2485670C1 RU2011144922/08A RU2011144922A RU2485670C1 RU 2485670 C1 RU2485670 C1 RU 2485670C1 RU 2011144922/08 A RU2011144922/08 A RU 2011144922/08A RU 2011144922 A RU2011144922 A RU 2011144922A RU 2485670 C1 RU2485670 C1 RU 2485670C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- vibrators
- diodes
- vibrator
- indicator
- equal
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к радиотехнике, в частности к разделу обнаружения излучения СВЧ и определению местоположения его источников с помощью устройства, содержащего приемную антенну и индикатор ее выходного тока. Данный индикатор поля СВЧ излучения может найти применение для поиска и обнаружения источников такого излучения, определения его местоположения, а также для мониторинга уровня основного и побочных радиоизлучений разного рода бытовых, медицинских и промышленных установок, а также для регистрации зондирующих сигналов РЛС с непрерывным и импульсным излучением в диапазонах дециметровых и сантиметровых радиоволн.The invention relates to radio engineering, in particular to the section for detecting microwave radiation and determining the location of its sources using a device containing a receiving antenna and an indicator of its output current. This indicator of the microwave field can be used to search and detect sources of such radiation, determine its location, as well as to monitor the level of the main and secondary radio emissions of various kinds of domestic, medical and industrial installations, as well as to record the probing radar signals with continuous and pulsed radiation in the ranges of decimeter and centimeter radio waves.
Известен индикатор поля - частотомер СВЧ диапазона [1], отличающийся простотой устройства, но обладающий малой чувствительностью по причине использования одиночной вибраторной антенны и простейшего диодного детектора, выход которого подключен ко входу операционного усилителя, выход которого нагружен на индикатор тока - микроамперметр. Другое устройство такого же названия [2] отличается некоторым усовершенствованием, но сохраняется низкая чувствительность. Кроме того, наличие операционного усилителя требует дополнительного автономного источника питания, имеющего ограниченную электрическую емкость. Последнее обстоятельство при продолжительной или непрерывной работе требует периодической замены гальванических элементов или подзарядки аккумуляторной батареи.Known field indicator - microwave frequency counter [1], characterized by the simplicity of the device, but having low sensitivity due to the use of a single vibrator antenna and a simple diode detector, the output of which is connected to the input of the operational amplifier, the output of which is loaded on the current indicator - microammeter. Another device of the same name [2] is distinguished by some improvement, but low sensitivity remains. In addition, the presence of an operational amplifier requires an additional autonomous power source having a limited electric capacity. The latter circumstance during prolonged or continuous operation requires periodic replacement of galvanic cells or recharging the battery.
Таким образом, общим недостатком обоих аналогов является низкая чувствительность и наличие автономного источника питания.Thus, a common drawback of both analogues is the low sensitivity and the presence of an autonomous power source.
От указанных выше недостатков свободны индикаторы поля ВЧ и СВЧ излучения, не имеющие усилительных приборов и не требующих источников питания. Такие приборы имеют простейшую вибрационную антенну, диодный детектор, нагруженный на измеритель постоянного тока - обычно высокочувствительный микроамперметр, и применяются со времен первых опытов по радио в 19-м веке. Но эти индикаторы сохраняют существенный недостаток - низкую чувствительность по причине малой эффективности детекторных диодов. Обычные детекторные диоды на основе германия, кремния и арсенида кремния «открываются» и начинают проводить ток при напряжении сигнала ВЧ и СВЧ более 150-550 мВ, что ограничивает реальную чувствительность детектора. Указанный недостаток устраняется в случае использования для амплитудного детектора обращенных переключающих туннельных диодов на основе арсенида галлия. Последние обладают исключительно высокой эффективностью благодаря тому, что они начинают проводить ток при напряжении, исчисляемом десятками микровольт [3].Indicators of the RF and microwave radiation fields that do not have amplifying devices and do not require power sources are free from the above disadvantages. Such devices have a simple vibration antenna, a diode detector, loaded on a DC meter - usually a highly sensitive microammeter, and have been used since the first radio experiments in the 19th century. But these indicators retain a significant drawback - low sensitivity due to the low efficiency of the detector diodes. Conventional detector diodes based on germanium, silicon, and silicon arsenide "open" and begin to conduct current at an RF and microwave signal voltage of more than 150-550 mV, which limits the real sensitivity of the detector. This drawback is eliminated if inverted switching tunnel diodes based on gallium arsenide are used for an amplitude detector. The latter have extremely high efficiency due to the fact that they begin to conduct current at a voltage of tens of microvolts [3].
Наиболее близким к выполнению заявленных требований можно считать устройство индикатора поля СВЧ [3].The closest to fulfilling the stated requirements can be considered the device of the microwave field indicator [3].
Таким образом, наиболее близким по технической сущности является устройство [3], содержащее полуволновой диполь, два обращенных туннельных диода, измеритель тока и шунтирующий его электрический конденсатор постоянной емкости, которое можно выбрать за прототип.Thus, the closest in technical essence is the device [3], containing a half-wave dipole, two turned tunnel diodes, a current meter and an electric capacitor of constant capacity shunting it, which can be chosen as a prototype.
Недостатком наиболее близкого технического решения является его относительно малая чувствительность в диапазонах дециметровых и сантиметровых радиоволн.The disadvantage of the closest technical solution is its relatively low sensitivity in the ranges of decimeter and centimeter radio waves.
Требуемый технический результат - увеличение чувствительности устройства в диапазонах дециметровых и сантиметровых волн.The required technical result is an increase in the sensitivity of the device in the ranges of decimeter and centimeter waves.
Требуемый технический результат достигается тем, что изменяется состав элементов детектора, а также число вибраторов, детекторов и электрическая связь между ними. Усовершенствование детектора обеспечивается использованием только одного обращенного туннельного диода, соединяющего своими выводами внешние концы обоих вибраторов диполя, а измеритель тока и шунтирующий его конденсатор постоянной емкости соединяют собой внутренние концы вибраторов диполя. Благодаря этому осуществляется оптимальное согласование высокоомных сопротивлений диполя и входного сопротивления детектора, что повышает эффективность детектирования и чувствительность устройства.The required technical result is achieved by changing the composition of the detector elements, as well as the number of vibrators, detectors and the electrical connection between them. The detector is improved by using only one reversed tunneling diode, which connects the external ends of both dipole vibrators with its findings, and the current meter and its constant capacitor shunting it connect the internal ends of the dipole vibrators. Due to this, the optimal coordination of high-resistance dipole resistances and the detector input impedance is achieved, which increases the detection efficiency and sensitivity of the device.
Дальнейшее улучшение технического результата - повышение чувствительности устройства достигается путем введения в устройство дополнительных обращенных туннельных диодов и вибраторов, соединенных между собой последовательно и синфазно, в результате чего суммарное выходное напряжение данной антенной линейки значительно возрастает по сравнению с выходным напряжением двух вибраторов и одного обращенного туннельного диода. При этом в диапазонах дециметровых и сантиметровых волн число диодов может исчисляться десятками.A further improvement in the technical result is an increase in the sensitivity of the device by introducing additional inverted tunnel diodes and vibrators into the device, connected in series and in phase, as a result of which the total output voltage of this antenna line increases significantly compared to the output voltage of two vibrators and one inverted tunnel diode . Moreover, in the ranges of decimeter and centimeter waves, the number of diodes can be in the tens.
Анализ научно-технической и патентной литературы показал, что до даты подачи заявки отсутствовали устройства с указанной совокупностью признаков. Следовательно, заявляемое предложение отвечает требованиям новизны.The analysis of scientific, technical and patent literature showed that prior to the filing date of the application, there were no devices with the indicated set of features. Therefore, the claimed proposal meets the requirements of novelty.
Кроме того, требуемый технический результат достигается всей вновь введенной совокупностью существенных признаков, в частности, использованием только одного обращенного туннельного диода вместо двух, включенного между внешними концами вибраторов диполя и подключением измерителя тока вместе с шунтирующим его конденсатором постоянной емкости к внутренним концам вибраторов, а последовательным однородным соединением дополнительно введенных обращенных туннельных диодов и вибраторов.In addition, the required technical result is achieved by the entire newly introduced set of essential features, in particular, by using only one reversed tunneling diode instead of two connected between the outer ends of the dipole vibrators and connecting a current meter together with a shunt capacitor of constant capacitance to the inner ends of the vibrators, and serial homogeneous connection of additionally introduced reversed tunneling diodes and vibrators.
Результатом реализации данного предложения может быть реальное увеличение чувствительности (выходного напряжения сигнала) в десятки раз. Следовательно, предложение отвечает требованиям изобретательского уровня.The result of the implementation of this proposal may be a real increase in the sensitivity (output voltage of the signal) by a factor of ten. Therefore, the proposal meets the requirements of an inventive step.
Суть предлагаемого устройства раскрывается нижеприведенными графическими материалами и пояснительным текстом.The essence of the proposed device is disclosed below graphic materials and explanatory text.
На фиг.1 приведен эскиз антенны устройства, выбранного в качестве прототипа (а) и его эквивалентная принципиальная схема индикатора поля СВЧ (б).Figure 1 shows a sketch of the antenna of the device selected as a prototype (a) and its equivalent circuit diagram of the microwave field indicator (b).
Фиг.2 дает представление о вольтамперной характеристике обращенного туннельного диода на основе арсенида галлия АИ402 и полярности его включения.Figure 2 gives an idea of the current-voltage characteristic of a reversed tunneling diode based on gallium arsenide AI402 and the polarity of its inclusion.
Фиг.3 изображает конструкцию предлагаемого устройства, где введены следующие условные обозначения:Figure 3 depicts the design of the proposed device, where the following conventions are introduced:
1 - левый по схеме вибратор;1 - left vibrator according to the scheme;
2 - правый по схеме вибратор;2 - the right vibrator according to the scheme;
3 - обращенный туннельный диод;3 - reverse tunnel diode;
4 - шунтирующий конденсатор постоянной емкости;4 - shunt capacitor of constant capacity;
5 - измеритель тока РА;5 - current meter RA;
6 - точки пайки выводов диода 3;6 - soldering points of the conclusions of the
7 - «минусовой» вывод устройства;7 - "negative" output device;
8 - «плюсовой» вывод устройства;8 - "positive" output device;
9 - печатная монтажная плата;9 - printed circuit board;
λ - длина волны;λ is the wavelength;
l=λ/2 - длина вибратора;l = λ / 2 is the length of the vibrator;
λ/4 - ширина вибратора;λ / 4 - the width of the vibrator;
U0 и -U0 - противофазные напряжения СВЧ сигнала на внешних концах вибраторов.U 0 and -U 0 - antiphase voltage of the microwave signal at the external ends of the vibrators.
Фиг.4 поясняет распределение огибающей тока I(l)=I0cos(2πl/λ) и напряжения U(l)=U0sin(2πl/λ) вдоль вибратора общей длиной l=λ/2 при нормальном падении СВЧ волны E0cos(wt).Figure 4 illustrates the distribution of the current envelope I (l) = I 0 cos (2πl / λ) and voltage U (l) = U 0 sin (2πl / λ) along the vibrator with a total length l = λ / 2 for normal incidence of the microwave wave E 0 cos (wt).
Фиг.5 иллюстрирует взаимное положение диаграммы направленности приема/излучения полуволновых диполей при параллельном размещении их в одной плоскости (варианты АС и ВД) и последовательно друг за другом в одну линию (варианты АВ и СД), где θ - угол падения волны СВЧ излучения относительно нормали к центру каждого полуволнового диполя.Figure 5 illustrates the relative position of the radiation pattern of the reception / emission of half-wave dipoles when they are placed in parallel in the same plane (AS and VD variants) and sequentially one after the other in the same line (variants AB and SD), where θ is the angle of incidence of the microwave radiation wave relative to normal to the center of each half-wave dipole.
Фиг.6 представляет собой топологию индикатора поля согласно заявляемому устройству при использовании трех обращенных туннельных диодов и четырех вибраторов, где:6 is a topology of the field indicator according to the claimed device when using three inverted tunnel diodes and four vibrators, where:
1-1 и 1-2 - левые вибраторы;1-1 and 1-2 - left vibrators;
2-1 и 2-2 - правые вибраторы;2-1 and 2-2 - right vibrators;
3-1, 3-2, 3-3 - обращенные туннельные диоды;3-1, 3-2, 3-3 - inverted tunnel diodes;
4 - отсутствует;4 - absent;
5 - отсутствует;5 - absent;
6 - точки пайки;6 - soldering points;
7 - «минусовой» вывод;7 - "minus" conclusion;
8 - «плюсовой» вывод;8 - "positive" conclusion;
9 - печатная монтажная плата;9 - printed circuit board;
l=4λ/2=2λ - длина печатной платы;l = 4λ / 2 = 2λ - the length of the printed circuit board;
λ/4 - ширина вибраторов;λ / 4 - the width of the vibrators;
0,46λ - длина каждого вибратора;0.46λ is the length of each vibrator;
λ/2 - расстояние между точками пайки выводов диодов.λ / 2 - the distance between the soldering points of the conclusions of the diodes.
Фиг.7 представляет собой топологию индикатора поля СВЧ, в котором задействованы 10 обращенных туннельных диодов и 12 вибраторов для длины волны λ=6,0 см, где введены следующие обозначения:Figure 7 represents the topology of the microwave field indicator, in which 10 inverted tunnel diodes and 12 vibrators for a wavelength of λ = 6.0 cm are involved, where the following notation is introduced:
1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6 - шесть левых вибраторов;1-1, 1-2, 1-3, 1-4, 1-5, 1-6 - six left vibrators;
2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5, 2-6 - шесть правых вибраторов;2-1, 2-2, 2-3, 2-4, 2-5, 2-6 - six right vibrators;
3-1, 3-2, 3-3, 3-4, 3-5, 3-6, 3-7, 3-8, 3-9, 3-10 - десять обращенных туннельных диодов;3-1, 3-2, 3-3, 3-4, 3-5, 3-6, 3-7, 3-8, 3-9, 3-10 - ten inverted tunnel diodes;
4 - отсутствует;4 - absent;
5 - отсутствует;5 - absent;
6 - точки пайки;6 - soldering points;
7 - «минусовой» вывод;7 - "minus" conclusion;
8 - «плюсовой» вывод;8 - "positive" conclusion;
9 - печатная монтажная плата;9 - printed circuit board;
10 - дополнительный проводник, соединяющий собой внутренние выводы вибраторов 2-3 и 1-4.10 - an additional conductor connecting the internal terminals of the vibrators 2-3 and 1-4.
Фиг.8 представляет собой зависимость относительной величины эффективной площади поверхности обратного рассеяния, приема и излучения энергии СВЧ излучения σ/λ2 от длины вибратора при его длине l≤λ (2πl/λ≤3) и l≤4λ (2πl/λ≤12). Теоретические данные представлены сплошной линией, данные эксперимента - точками.Fig. 8 is a plot of the relative effective surface area of backscattering, reception and emission of microwave energy σ / λ 2 from the length of the vibrator with its length l≤λ (2πl / λ≤3) and l≤4λ (2πl / λ≤12 ) The theoretical data are represented by a solid line, the experimental data by dots.
Как видно из эскиза и схемы прототипа на фиг.1, антенна - полуволновый диполь длиной l=0,46λ, где λ - длина волны, м, выполненный способом печатным односторонним монтажом на стеклотекстолитовой подложке. Детектор содержит два диода, VD1 и VD2 типа АИ 402 на основе арсенида галлия, нагруженный на микроамперметр РА со шкалой 0-50 мкА и внутренним сопротивлением 500 Ом. По высокой частоте выход детектора зашунтирован конденсатором постоянной емкости C1 200 пФ. Диод VD1 детектирует прямую волну, диод VD2 - обратную.As can be seen from the sketch and scheme of the prototype in figure 1, the antenna is a half-wave dipole of length l = 0.46λ, where λ is the wavelength, m, made by the method of printed one-sided mounting on a fiberglass substrate. The detector contains two diodes, VD1 and VD2 of type AI 402 based on gallium arsenide, loaded on a microammeter RA with a scale of 0-50 μA and an internal resistance of 500 Ohms. At a high frequency, the detector output is shunted with a
Согласно [3], данный индикатор поля благодаря уникальной вольт-амперной характеристике арсенид-галлиевых обращенных переключающих туннельных диодов АИ402, приведенной на фиг.4, обладает высокой чувствительностью [5]. Как следует из фиг.2, вольт-амперная характеристика диодов АИ402 проходит через нуль напряжения, что позволяет детектировать очень слабые сигналы мощностью до 10-9 Вт. Диоды других типов начинают процесс детектирования при напряжении сигнала более нуля, около 0,15 B для германиевых и 0,55 B для кремниевых диодов. Правда, детектирование осуществляется не на прямой, а на обратной ветви характеристики, вследствие чего диоды этого типа называются обращенными [5].According to [3], this field indicator due to the unique volt-ampere characteristic of gallium arsenide inverted switching tunnel diodes AI402, shown in Fig. 4, has high sensitivity [5]. As follows from figure 2, the current-voltage characteristic of the AI402 diodes passes through zero voltage, which allows the detection of very weak signals with a power of up to 10 -9 watts. Other types of diodes begin the detection process when the signal voltage is more than zero, about 0.15 V for germanium and 0.55 V for silicon diodes. True, the detection is carried out not on the direct, but on the reverse branch of the characteristic, as a result of which diodes of this type are called inverted [5].
Обращенный режим сохраняется при амплитуде входного сигнала не более 500-600 мВ, после чего начинает сказываться влияние прямой ветви. Поэтому полярность выходного напряжения детектора на обращенных диодах является обратной графического изображения диода, как показано на фиг.2.The reversed mode is maintained at an input signal amplitude of not more than 500-600 mV, after which the influence of the direct branch begins to affect. Therefore, the polarity of the output voltage of the detector on the inverted diodes is the inverse graphic image of the diode, as shown in figure 2.
Таким образом, с точки зрения главных требований к портативному индикатору поля СВЧ излучения - высокая чувствительность и отсутствие автономного источника тока, устройство, описанное в [3], можно принять за прототип. Согласно описанию [3], прототип способен обнаруживать излучение УКВ радиостанций и определять направление на них по максимуму сигнала на большом расстоянии. И в этом нет ничего удивительного, если регистрировать излучение в метровом диапазоне радиоволн, как это подтверждено в [3]. Покажем это на простом примере.Thus, from the point of view of the main requirements for a portable indicator of the microwave field - high sensitivity and the absence of an autonomous current source, the device described in [3] can be taken as a prototype. According to the description [3], the prototype is able to detect VHF radiation from radio stations and determine the direction of them by the maximum signal at a long distance. And this is not surprising if radiation is recorded in the meter range of radio waves, as confirmed in [3]. We show this with a simple example.
Согласно основам теории радиолокации [7], максимальное значение эффективной площади поверхности излучения, приема и рассеяния энергии электромагнитных излучений, полуволновым диполем определяется простым соотношением:According to the fundamentals of the theory of radar [7], the maximum value of the effective surface area of the radiation, reception and dissipation of the energy of electromagnetic radiation, by a half-wave dipole is determined by a simple relation:
Пусть λ=1,0 м, тогдаLet λ = 1.0 m, then
σ=0,86, м2,σ = 0.86, m 2 ,
что представляет собой значительную величину. При этом выпрямленное напряжение детектора, подключенного к антенне, составитwhich is a significant amount. In this case, the rectified voltage of the detector connected to the antenna will be
где ρ - плотность потока мощности измерения в точке приема, Вт/м2;where ρ is the density of the flow power of the measurement at the receiving point, W / m 2 ;
Rвх - входное сопротивление детектора, Ом.R I - input resistance of the detector, Ohm.
Если предположить средние значения ρ=2,0 мВт/м2 и Rвх=500 Ом, то тогда согласно (2) выходное напряжение детектора должно составлять Uвых=930 мВ, что весьма значительно.If we assume the average values ρ = 2.0 mW / m 2 and R I = 500 Ohms, then according to (2) the output voltage of the detector should be U o = 930 mV, which is very significant.
Однако здесь следует признать, что совершенно иная картина будет наблюдаться в диапазонах дециметровых и сантиметровых волн. Например, на волне λ=0,1 м формула (2) с учетом (1) даетHowever, it should be recognized here that a completely different picture will be observed in the ranges of decimeter and centimeter waves. For example, on the wave λ = 0.1 m, formula (2), taking into account (1), gives
Uвых=9,3 мВ,U out = 9.3 mV,
а на волне λ=0,03 м и того меньше:and on the wave λ = 0.03 m and even less:
Uвых≈1,0 мВ.U out ≈1,0 mV.
Следовательно, в самых распространенных диапазонах СВЧ радиоволны S (3,0-3,9 ГГц) и Хи (8,5 - 12,5 ГГц) индикатор поля [3] будет функционировать неэффективно.Therefore, in the most widespread ranges of microwave radio waves S (3.0-3.9 GHz) and X and (8.5 - 12.5 GHz), the field indicator [3] will function inefficiently.
Низкая эффективность детектора при ранее существовавшей схеме подключения входа детектора в разрыв диполя, находящийся в точке O, связана с очень малым выходным сопротивлением его, равным 73 Ом, тогда как входное сопротивление диодного детектора не менее 0,5 кОм. В этом случае наблюдается резкое рассогласование сопротивления, что снижает КПД преобразования энергии. Обеспечить практически полное согласование обоих сопротивлений можно, если детектор включить между крайними выводами диполя, где согласно данным фиг.4 разность потенциалов и выходное сопротивление максимально. В этом случае нагрузка детектора - измеритель тока и шунтирующий его электрический конденсатор должны быть включены в разрыв диполя, как представлено на фиг.3.The low efficiency of the detector with a pre-existing circuit for connecting the detector input to the dipole gap located at point O is associated with a very small output resistance of 73 ohms, while the input resistance of the diode detector is at least 0.5 kOhm. In this case, a sharp mismatch of resistance is observed, which reduces the energy conversion efficiency. It is possible to ensure almost complete coordination of both resistances if the detector is switched on between the extreme terminals of the dipole, where, according to the data of Fig. 4, the potential difference and the output resistance are maximum. In this case, the load of the detector - the current meter and the electric capacitor shunting it should be included in the gap of the dipole, as shown in Fig.3.
Согласно данным [4], проволочные вибраторные диполи обладают резко выраженным резонансом на частотах, когда их длина кратна нечетному числу полуволн наблюдаемого поля СВЧ излучения. Практика показывает, что резкая резонансная характеристика диполей может быть заметно уменьшена, если увеличить площадь поверхности диполя. Лучше всего это можно сделать путем выполнения диполей плоской формы на диэлектрической подложке методом печатного монтажа. При этом ширина диполя выбирается близкой к величине λ/4.According to [4], wire vibrator dipoles have a pronounced resonance at frequencies when their length is a multiple of an odd number of half-waves of the observed microwave radiation field. Practice shows that the sharp resonant characteristic of dipoles can be significantly reduced if the surface area of the dipole is increased. This can best be done by performing flat dipoles on a dielectric substrate using a printed wiring method. The width of the dipole is chosen close to the value of λ / 4.
Принятие указанных выше мер способствует повышению чувствительности нового устройства по сравнению с прототипом при одновременном сокращении числа используемых диодов с двух до одного.The adoption of the above measures helps to increase the sensitivity of the new device compared to the prototype while reducing the number of diodes used from two to one.
Малые размеры диполей дециметрового и сантиметрового диапазонов СВЧ радиоволн позволяют значительно увеличить чувствительность индикатора поля новой конструкции за счет последовательного синфазного соединения выходов нескольких однотипных измерителей. Например, общая длина выводов обращенного переключаемого туннельного диода АИ402А-АИ402В составляет 3,0 см, следовательно, вариант схемы на фиг.6 пригоден для наблюдения за излучением на длине волны λ=2·3,0=6,0 см.The small size of the dipoles of the decimeter and centimeter ranges of microwave radio waves can significantly increase the sensitivity of the field indicator of the new design due to the serial in-phase connection of the outputs of several meters of the same type. For example, the total length of the terminals of the reversed switched tunnel diode AI402A-AI402B is 3.0 cm, therefore, the variant of the circuit in Fig.6 is suitable for monitoring radiation at a wavelength of λ = 2 · 3.0 = 6.0 cm.
Согласно техническим требованиям к монтажу обращенных туннельных диодов АИ402 и ЗИ402 с любым последующим буквенным индексом [5], допускается укорачивание выводов до 7,5 мм с каждой стороны без приложения механической нагрузки к корпусу прибора. Таким образом, общая длина укороченных выводов диполя может достигать 15 мм, что позволяет создавать индикаторы поля СВЧ излучения с минимальной длины волны λ=2·15=30 мм=3,0 см.According to the technical requirements for the installation of reversed tunnel diodes AI402 and ZI402 with any subsequent letter index [5], it is allowed to shorten the leads to 7.5 mm on each side without applying a mechanical load to the instrument case. Thus, the total length of the shortened conclusions of the dipole can reach 15 mm, which allows you to create indicators of the microwave field with a minimum wavelength of λ = 2 · 15 = 30 mm = 3.0 cm
Дальнейшее значительное повышение чувствительности предлагаемого устройства осуществляется за счет увеличения числа вибраторов и обращенных туннельных диодов, соединенных между собой последовательно и однополярно параллельно в одной плоскости или друг за другом в одной линии, как представлено на фиг.5.A further significant increase in the sensitivity of the proposed device is carried out by increasing the number of vibrators and reversed tunnel diodes connected together in series and unipolar in parallel in the same plane or one after another in the same line, as shown in Fig.5.
При компланарном размещении вибраторов (варианты А, С и В, Д) минимальное расстояние между диполями регламентируется нежелательным влиянием внешних полей соседних диполей друг на друга, так как при этом их диаграммы направленности направлены навстречу друг другу, описываемые какWhen coplanar placement of vibrators (options A, C and B, D), the minimum distance between the dipoles is regulated by the undesirable influence of the external fields of the neighboring dipoles on each other, since their radiation patterns are directed towards each other, described as
где θ - угол между направлением прихода волны E и продольной оси диполя;where θ is the angle between the direction of arrival of the wave E and the longitudinal axis of the dipole;
U0 - максимальное напряжение при нормальном падении волны E, когда θ=0.U 0 is the maximum voltage during normal incidence of the wave E, when θ = 0.
Практически этим влиянием можно пренебречь, когда диоды размещены на границе первой зоны Френеля [7], то есть далее одной длины волны λ друг от друга.In practice, this effect can be neglected when the diodes are located at the boundary of the first Fresnel zone [7], that is, further than one wavelength λ from each other.
Что касается последовательной схемы, то при θ=90° Uвых=0 взаимное влияние практически отсутствует, а поэтому можно допустить электрический контакт между внешними концами соседних диполей, минимизируя при этом геометрические размеры группы пар диполей.With regard to the series circuit, then at θ = 90 ° U out = 0 interference is virtually absent, and therefore it is possible to prevent electrical contact between the outer ends of adjacent dipoles, while minimizing the geometric size of the group of pairs of dipoles.
В соответствии с изложенным выше, в качестве примера ниже приводится описание варианта конструкции индикатора поля СВЧ излучения заявленного изобретения, содержащего 3 обращенных туннельных диода и 4 вибратора, представленного на фиг.6. Конструкции диполей выполнены на основе односторонней фольгированной медью подложке из стеклотекстолита печатным способом, а соединение выводов диодов с поверхностью диполей осуществляется низкотемпературным оловянно-свинцовым припоем.In accordance with the foregoing, as an example, below is a description of a design variant of the indicator of the microwave field of the claimed invention, containing 3 reversed tunnel diodes and 4 vibrators, shown in Fig.6. The structures of the dipoles are made on the basis of a one-sided copper-foil fiberglass substrate by printing, and the connection of the diode leads to the surface of the dipoles is carried out by low-temperature tin-lead solder.
На фиг.6 отсутствуют элементы 4 и 5, указанные выше на фиг.1 и фиг.3. Измеритель тока РА на позиции 5 представлен выводами 7 и 8, которые подключены к прибору. Наличие конденсатора 4 в диапазонах дециметровых и сантиметровых волн не является необходимым, так как шунтирование прибора 5 по переменному току эффективно осуществляется за счет собственной емкости микроамперметра (10 пФ) и паразитной емкости монтажа (2 пФ). Например, на длине волны 10 см (частота 3,0 ГГц) модуль реактивного сопротивления паразитной емкости составляет всегоIn Fig.6 there are no
Очевидно, что на более высокой частоте, например 9 ГГц, модуль сопротивления будет еще меньше, всего 1,6 Ом.Obviously, at a higher frequency, for example 9 GHz, the resistance modulus will be even smaller, only 1.6 ohms.
Если принимать во внимание только паразитную емкость монтажа, то модуль реактивного сопротивления составит 25 и 8 Ом соответственно, что вполне приемлемо для амплитудного детектора.If we take into account only the parasitic capacitance of the installation, then the reactance module will be 25 and 8 Ohms, respectively, which is quite acceptable for an amplitude detector.
Последовательность соединения выходов детекторов достигается тем, что диод 3-1 соединяет по постоянному току плечо 1-1 с вибратором 2-1, которое имеет прямой электрический контакт с вибратором 2-2, а тот через диод 3-2, соединенным непосредственно с вибратором 1-2, имеет контакт с диодом 3-1, соединенным непосредственно с вибратором 2-3. Выходное напряжение отрицательной полярности снимается с точки 7, а положительной - с точки 8. Ширина разрыва между плечами диполей 1-2 мм.The sequence of connecting the outputs of the detectors is achieved by the fact that the diode 3-1 connects the arm 1-1 by direct current to the vibrator 2-1, which has direct electrical contact with the vibrator 2-2, and that through the diode 3-2, connected directly to the vibrator 1 -2, has contact with the diode 3-1, connected directly to the vibrator 2-3. The output voltage of negative polarity is removed from
Как можно видеть из схемы на фиг.6, распайка выводов каждого диода в отдельности производится на расстоянии λ/2 друг от друга, что обеспечивает максимум выходного напряжения каждого диода и всей их совокупности в последовательной цепи.As can be seen from the diagram in Fig.6, the soldering of the outputs of each diode separately is carried out at a distance of λ / 2 from each other, which ensures the maximum output voltage of each diode and their entire combination in a serial circuit.
Если источник СВЧ излучения находится на расстоянии, значительно большем, чем размеры платы устройства, то можно полагать, что выходные напряжения всех трех детекторов равны между собой, а поэтому при их синфазном сложении выходное напряжение устройства с тремя детекторами будет втрое больше, чем для одного. Очевидно, что в случае последовательного соединения N оно будет в N раз больше:If the microwave radiation source is at a distance much larger than the dimensions of the device board, then we can assume that the output voltages of all three detectors are equal to each other, and therefore, when they are in-phase, the output voltage of a device with three detectors will be three times more than for one. Obviously, in the case of a serial connection N, it will be N times larger:
Теоретически число детекторов в предлагаемом изобретении может быть значительным. При этом следует учитывать, что одновременно с увеличением выходного напряжения растет выходное сопротивлениеTheoretically, the number of detectors in the present invention can be significant. It should be borne in mind that at the same time as the output voltage increases, the output resistance grows
Практически диоды АИ402А-АИ402В в режиме малого сигнала имеют выходное сопротивление 1Rвых≅500 Ом, следовательно, в случае использования N детекторов общее выходное сопротивление составитIn practice, AI402A-AI402V diodes in the small signal mode have an output impedance of 1 R output ≅500 Ohms, therefore, in the case of using N detectors, the total output impedance will be
При этом общее число N может составлять от нескольких единиц до нескольких десятков.In this case, the total number N can be from several units to several tens.
В качестве примера на фиг.7 приведена топология печатной монтажной платы индикатора поля СВЧ излучения, на которой размещены N=10 диодов по последовательной схеме и N+2=12 вибраторов.As an example, Fig. 7 shows the topology of the printed circuit board of the indicator of the microwave field field, on which N = 10 diodes are placed in a serial circuit and N + 2 = 12 vibrators.
Из сравнения топологии печатных плат устройства следует, что если число диодов нечетно (3 на фиг.6), то число вибраторов - на единицу больше (4 на фиг.6). В случае четного числа диодов (10 на фиг.7) число вибраторов на 2 больше (12 на фиг.7). Таким образом, если число диодов N=2n+1, то число вибраторов равно N+1, если N=2n, то число вибраторов равно N+2.From a comparison of the topology of the printed circuit boards of the device it follows that if the number of diodes is odd (3 in FIG. 6), then the number of vibrators is one more (4 in FIG. 6). In the case of an even number of diodes (10 in FIG. 7), the number of vibrators is 2 more (12 in FIG. 7). Thus, if the number of diodes is N = 2n + 1, then the number of vibrators is N + 1, if N = 2n, then the number of vibrators is N + 2.
С целью подтверждения технического эффекта заявленного изобретения, были проведены экспериментальные исследования макета индикатора поля СВЧ излучения, рассчитанного на длину радиоволны 6,0 см. Детекторы выполнены на арсенид-галлиевых обращенных переключающих туннельных диодах АИ402В, имеющие при прямом токе 1,0 мА сопротивление обратной ветви 140-160 Ом и прямой 1400-1800 Ом, что обеспечивает эффективное детектирование очень слабых сигналов.In order to confirm the technical effect of the claimed invention, experimental studies were carried out on a prototype of a microwave field indicator designed for a radio wave length of 6.0 cm. The detectors are made of gallium arsenide inverted switching tunnel diodes AI402B having a reverse branch resistance of 1.0 mA 140-160 Ohms and direct 1400-1800 Ohms, which provides effective detection of very weak signals.
Печатная плата - односторонний фольгированный стеклотекстолит толщиной 2,0 мм, пайка выводов диодов осуществлялась оловянно-свинцовым припоем ПОС-61И при температуре накала паяльника +190°C.The printed circuit board is a one-sided foiled fiberglass with a thickness of 2.0 mm, the soldering of the diode leads was carried out with tin-lead solder POS-61I at a soldering iron filament temperature of + 190 ° C.
Проверка работоспособности макета индикатора поля СВЧ излучения осуществлялась с помощью генератора стандартных сигналов НР83711В фирмы Hewlett Packard в диапазоне гармонических колебаний от 1,0 до 20 ГГц. Выходная мощность генератора в пределах от +10 до -90 дБ мВт, уровень нелинейных искажений (гармоник) не более 1,5%. Нагрузкой генератора являлся одновибратор длиной l=5/8λ=37 мм. На расстоянии 0,3 м плотность потока мощности горизонтально поляризованного поля СВЧ составляла 1,5 мВт/м2.The performance check of the microwave radiation field indicator layout was carried out using the Hewlett Packard standard signal generator HP83711B in the harmonic range from 1.0 to 20 GHz. The output power of the generator in the range from +10 to -90 dB mW, the level of non-linear distortion (harmonics) is not more than 1.5%. The generator load was a single vibrator with a length l = 5 / 8λ = 37 mm. At a distance of 0.3 m, the power flux density of the horizontally polarized microwave field was 1.5 mW / m 2 .
В качестве измерительных приборов применялись 3 микроамперметра класса 2,5 со шкалой: 0-20 мкА; 0-50 мкА и 0-150 мкА, а также цифровой милливольтметр со шкалой 0-200 мВт с шагом квантования 100 мкВ Китайского производства типа PMLCD-3-1/2 Didital Panel Meter. При напряжении питания 9,0 В его потребляемый ток составлял 1,2 мА, а входное сопротивление по постоянному току было равно 100 мОм. Срок службы батареи 6LF 22 составил 400 часов. Микроамперметры имели внутреннее сопротивление около 2,0 кОм и шкалу, квантованную с шагом 0,5 мкА; 1,0 мкА и 10 дБ соответственно.As measuring instruments, 3 class 2.5 microammeters were used with a scale: 0-20 μA; 0-50 μA and 0-150 μA, as well as a digital millivoltmeter with a scale of 0-200 mW with a quantization step of 100 μV, made in China, type PMLCD-3-1 / 2 Didital Panel Meter. At a supply voltage of 9.0 V, its current consumption was 1.2 mA, and the input DC resistance was 100 mOhm. The battery life of the 6LF 22 was 400 hours. Microammeters had an internal resistance of about 2.0 kΩ and a scale quantized in increments of 0.5 μA; 1.0 μA and 10 dB, respectively.
Измерения показали, что при использовании микроамперметров отклонение стрелки на одно деление наблюдалось на удалении от 5 до 10 м, а перегрузка («зашкаливание») вблизи источника на расстоянии 0,3-1,0 м. Наибольшая дальность обнаружения наблюдалась при использовании цифрового милливольтметра - до 30 м. На расстоянии 1,0 м напряжение, развиваемое одним детектором, составляло 32 мВ на волне 6,0 см. Суммарное напряжение было примерно в 10 раз больше - 305 мВ.The measurements showed that when using microammeters, the arrow deviation by one division was observed at a distance of 5 to 10 m, and overload (“roll off”) near the source at a distance of 0.3-1.0 m. The greatest detection range was observed when using a digital millivoltmeter - up to 30 m. At a distance of 1.0 m, the voltage developed by one detector was 32 mV at a wavelength of 6.0 cm. The total voltage was approximately 10 times greater - 305 mV.
Сравнение данных измерений с теоретическими расчетами показали занижение на 15-20% за счет дополнительных потерь, не учитываемых в методике. Как и следовало ожидать, микроамперметр со шкалой 0-20 мкА дал наилучшие результаты, но пришлось последовательно с ним включить дополнительный переменный резистор на 15 кОм с целью предотвращения перегрузки (зашкаливания») прибора вблизи источника излучения.Comparison of the measurement data with theoretical calculations showed an underestimation of 15-20% due to additional losses not taken into account in the methodology. As expected, a microammeter with a scale of 0-20 μA gave the best results, but I had to turn on an additional 15 kΩ resistor in series with it in order to prevent overload (scale) of the device near the radiation source.
Возможности генератора стандартных сигналов позволили провести измерения в широкой полосе частот от 1,0 до 20,0 ГГц, то есть на волнах длиной от 1,5 см до 30 см. Оказалось, что устройство, содержащее 10 диодов (две линии по 5 диодов), обладает высокой чувствительностью на более низких частотах, вплоть до 1,0 ГГц, имея ослабление здесь всего на 8 дБ менее чем на резонансной частоте 6,0 ГГц. Это явление можно объяснить тем, что линию из 5 диодов общей длиной 18 см можно рассматривать как полуволновой диполь для λ=2·18=36 см. Это следует из данных фиг.8. Так, для случая одиночного полуволнового диполя (а) наблюдается острый резонанс при l=λ/2 и резкий спад как в области низких частот (рассеяние Рэлея), так и в области более высоких частот. Для вибратора длиной l>>λ/2 наблюдается быстрый рост относительной величины эффективной площади σ/λ2, что подтверждает полученные результаты.The capabilities of the standard signal generator made it possible to carry out measurements in a wide frequency band from 1.0 to 20.0 GHz, that is, on waves from 1.5 cm to 30 cm long. It turned out that a device containing 10 diodes (two lines of 5 diodes) , has high sensitivity at lower frequencies, up to 1.0 GHz, having an attenuation here of only 8 dB less than at the resonant frequency of 6.0 GHz. This phenomenon can be explained by the fact that a line of 5 diodes with a total length of 18 cm can be considered as a half-wave dipole for λ = 2 · 18 = 36 cm. This follows from the data of Fig. 8. So, for the case of a single half-wave dipole (a), there is a sharp resonance at l = λ / 2 and a sharp decrease both in the low-frequency region (Rayleigh scattering) and in the higher-frequency region. For a vibrator of length l >> λ / 2, a rapid increase in the relative effective area σ / λ 2 is observed, which confirms the results.
Таким образом, положительный технический эффект данного заявленного изобретения является очевидным и отличается новизной. При этом суть изобретения заключается в следующем: индикатор поля СВЧ излучения, включающий в себя два вибратора одинаковой длины, обращенный туннельный диод и измеритель постоянного тока, отличающийся тем, что в него дополнительно включены N обращенных переключающих туннельных диодов и N+1 или N+2 вибраторов таким образом, что все вибраторы имеют одинаковую длину, равную половине длины волны СВЧ излучения λ, размещенные в одной плоскости вдоль общей продольной оси симметрии последовательно друг за другом; все диоды соединены между собой также последовательно и однополярно в точках, находящихся в центрах вибраторов; измеритель постоянного тока своим «минусом» соединен с внутренним выводом первого по счету вибратора, а своим «плюсом» - с внутренним выводом последнего по счету вибратора, при этом, если общее число диодов N - нечетное, то число вибраторов равно N+1, а при N - четном число вибраторов равно N+2.Thus, the positive technical effect of this claimed invention is obvious and is new. The essence of the invention is as follows: a microwave field indicator, including two vibrators of the same length, an inverted tunnel diode and a direct current meter, characterized in that it further includes N inverted switching tunnel diodes and N + 1 or N + 2 vibrators in such a way that all vibrators have the same length equal to half the wavelength of microwave radiation λ, placed in the same plane along the common longitudinal axis of symmetry sequentially one after another; all diodes are also connected in series and unipolar at points located in the centers of the vibrators; the DC meter with its “minus” is connected to the internal output of the first vibrator, and its “plus” is connected to the internal output of the last vibrator, while if the total number of diodes N is odd, then the number of vibrators is N + 1, and when N is an even number of vibrators is equal to N + 2.
Источники, принятые во вниманиеSources taken into account
1. Индикатор поля - частотомер СВЧ диапазона. Патент РФ на изобретение №2272300 по заявке №2004132090 от 04.11.2004, зарегистрирован 20.03.2006. Владелец Военная академия РВСН имени Петра Великого, г.Москва. Авторы Омельченко Б.В., Николаев А.В., Васильев В.А., Аксенов С.С.1. Field indicator - microwave frequency counter. RF patent for invention No. 2272300 according to application No. 2004132090 dated November 4, 2004, registered on March 20, 2006. Owner of the Military Academy of the Strategic Missile Forces named after Peter the Great, Moscow. Authors Omelchenko B.V., Nikolaev A.V., Vasiliev V.A., Aksenov S.S.
2. Индикатор поля - частотомер излучения радиодиапазона СВЧ. Патент РФ на изобретение №2308040 по заявке №2006126067 от 19.07.2006, зарегистрирован 10.10.2007. Владелец Военная академия РВСН имени Петра Великого, г.Москва. Авторы Васильев В.А., Аксенов С.С, Пикалов О.Г.2. Field indicator - microwave frequency radiation frequency meter. RF patent for the invention No. 2308040 according to the application No. 2006126067 of 07.19.2006, registered on 10.10.2007. Owner of the Military Academy of the Strategic Missile Forces named after Peter the Great, Moscow. Authors Vasiliev V.A., Aksenov S.S., Pikalov O.G.
3. Индикатор поля // Радио, 2003, №3, с.66.3. Field indicator // Radio, 2003, No. 3, p.66.
4. Котт В.М., Гавриков Г.К. Баваров С.Ф. Туннельные диоды в вычислительной технике. - М.: Советское радио, 1967. - 216 с. См. с.34-36.4. Kott V.M., Gavrikov G.K. Bavarov S.F. Tunnel diodes in computer technology. - M.: Soviet Radio, 1967. - 216 p. See p. 34-36.
5. Полупроводниковые приборы: диоды высокочастотные, диоды импульсные, оптоэлектрические приборы. Справочник. - М.: Радио и связь, 1988.-680 с. См. с.240-255.5. Semiconductor devices: high-frequency diodes, pulsed diodes, optoelectric devices. Directory. - M .: Radio and communications, 1988.-680 p. See p. 240-255.
6. Теоретические основы радиолокации. Под редакцией профессора. Я.Д.Ширмана. - М.: Советское радио, 1970. - 560 с. См. с.35-39.6. Theoretical foundations of radar. Edited by the professor. J.D. Shirman. - M .: Soviet Radio, 1970 .-- 560 p. See p. 35-39.
7. Кинг Р., У Тай-Цзунь. Рассеяние и дифракция электромагнитных волн. Перевод с английского под редакцией Э.Л. Бурштейна. - М.: Иностранная литература, 1962. - 194 с. См. с.95, рис.35а, с.139 рис.47.7. King R., Wu Tai-Tsun. Scattering and diffraction of electromagnetic waves. Translation from English edited by E.L. Burshtein. - M .: Foreign literature, 1962. - 194 p. See p. 95, fig. 35a, p. 139 fig. 47.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011144922/08A RU2485670C1 (en) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | Indicator of microwave radiation field |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011144922/08A RU2485670C1 (en) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | Indicator of microwave radiation field |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011144922A RU2011144922A (en) | 2013-05-20 |
| RU2485670C1 true RU2485670C1 (en) | 2013-06-20 |
Family
ID=48786536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011144922/08A RU2485670C1 (en) | 2011-11-08 | 2011-11-08 | Indicator of microwave radiation field |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2485670C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU172089U1 (en) * | 2017-04-04 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Device for visualizing objects by irradiation with an electromagnetic field in the microwave range |
| RU2636790C1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-11-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ | Microwave radiation field indicator with possibility of signal type recognition |
| RU2724592C1 (en) * | 2020-02-10 | 2020-06-25 | Сергей Викторович Голубчиков | Antenna array with signal processing |
| RU2731111C1 (en) * | 2020-02-18 | 2020-08-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ | Receiving antenna array with signal processing |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU5459U1 (en) * | 1996-03-25 | 1997-11-16 | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева | RADIATION INDICATOR |
| US6803754B2 (en) * | 2000-08-14 | 2004-10-12 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Power sensor |
| RU2272300C1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-03-20 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Field indicator - frequency meter for uhf range |
| RU2308040C1 (en) * | 2006-07-19 | 2007-10-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого | Superhigh frequency radio range field indicator/radiation frequency meter |
-
2011
- 2011-11-08 RU RU2011144922/08A patent/RU2485670C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU5459U1 (en) * | 1996-03-25 | 1997-11-16 | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева | RADIATION INDICATOR |
| US6803754B2 (en) * | 2000-08-14 | 2004-10-12 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Power sensor |
| RU2272300C1 (en) * | 2004-11-04 | 2006-03-20 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого | Field indicator - frequency meter for uhf range |
| RU2308040C1 (en) * | 2006-07-19 | 2007-10-10 | Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого | Superhigh frequency radio range field indicator/radiation frequency meter |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Журнал Радио, 2003, No.3, с.66, рис.3. * |
| Журнал Радио, 2003, №3, с.66, рис.3. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2636790C1 (en) * | 2016-06-10 | 2017-11-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ | Microwave radiation field indicator with possibility of signal type recognition |
| RU172089U1 (en) * | 2017-04-04 | 2017-06-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук | Device for visualizing objects by irradiation with an electromagnetic field in the microwave range |
| RU2724592C1 (en) * | 2020-02-10 | 2020-06-25 | Сергей Викторович Голубчиков | Antenna array with signal processing |
| RU2731111C1 (en) * | 2020-02-18 | 2020-08-28 | ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ КАЗЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого" МИНИСТЕРСТВА ОБОРОНЫ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ | Receiving antenna array with signal processing |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2011144922A (en) | 2013-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ashoor et al. | A planar dipole array surface for electromagnetic energy harvesting and wireless power transfer | |
| RU2485670C1 (en) | Indicator of microwave radiation field | |
| US6369603B1 (en) | Radio frequency coupling apparatus and method for measuring minority carrier lifetimes in semiconductor materials | |
| Gangwar et al. | Characterization and performance measurement of low RCS wideband circularly polarized MIMO antenna for microwave sensing applications | |
| CN109980340B (en) | Conjugate matching-based adaptive microwave energy receiving surface | |
| Trainotti et al. | Vertically polarized dipoles and monopoles, directivity, effective height and antenna factor | |
| Deepa et al. | RF energy harvesting using 900MHz of mobile signal frequency to charging the mobile battery | |
| RU2496123C1 (en) | Marker-subharmonic parametric scatterer | |
| US4647849A (en) | Two dimensional non-field perturbing, diode detected, double gapped, high sensitivity, B-dot electromagnetic field probes | |
| Kim et al. | Design and realization of a discretely loaded resistive vee dipole for ground-penetrating radars | |
| RU2571586C2 (en) | Antenna array with signal processing | |
| RU2495450C1 (en) | Subharmonic parametric scatterer | |
| CN203277643U (en) | Array type photo-conductive antenna structure | |
| Clayton et al. | Radio measurements in the decimetre and centimetre wavebands | |
| Mayekar et al. | Designing and simulation of low frequency cloud to ground lightning receiver for severe weather monitoring application | |
| US20050116701A1 (en) | Power detector with constant voltage decoupling | |
| RU2731111C1 (en) | Receiving antenna array with signal processing | |
| ES2927804T3 (en) | Device comprising a radio communication terminal | |
| US5512824A (en) | Magnetic field probe including symmetrical planar loops for eliminating the current induced by the E-field | |
| Xi et al. | Electromagnetic field enhancement and its application in spin rectification | |
| CN1326324C (en) | Element structure utlizing photoshort circuit for generating sub-carrier lifetime guide electrical pulse | |
| RU110469U1 (en) | ELECTRIC FIELD SENSOR | |
| RU180909U1 (en) | Electromagnetic radiation sensor | |
| RU2295137C1 (en) | Converter of microwave frequency power and a transforming element for it | |
| Tran et al. | Design of highly sensitive H-field probes for near-field EMC & HAC assessment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151109 |