RU2482219C2 - Намоточное вакуумированное устройство - Google Patents

Намоточное вакуумированное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2482219C2
RU2482219C2 RU2011122610/02A RU2011122610A RU2482219C2 RU 2482219 C2 RU2482219 C2 RU 2482219C2 RU 2011122610/02 A RU2011122610/02 A RU 2011122610/02A RU 2011122610 A RU2011122610 A RU 2011122610A RU 2482219 C2 RU2482219 C2 RU 2482219C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
roller
target product
chamber
contact
Prior art date
Application number
RU2011122610/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2011122610A (ru
Inventor
Такайоси ХИРОНО
Исао ТАДА
Original Assignee
Улвак, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Улвак, Инк. filed Critical Улвак, Инк.
Publication of RU2011122610A publication Critical patent/RU2011122610A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2482219C2 publication Critical patent/RU2482219C2/ru

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761Continuous moving
    • H01J37/3277Continuous moving of continuous material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к устройству для вакуумной плазменной обработки гибкого обрабатываемого целевого изделия. Камера (15) способна поддерживать состояние вакуума. Первый электрод (18) в форме ролика установлен в камере (15) с возможностью вращения. Электрод (18) имеет часть, с которой гибкое обрабатываемое целевое изделие (5) находится в контакте, и часть, с которой изделие (5) не находится в контакте. Блок (20) газоснабжения включает в себя второй электрод (23), установленный напротив первого электрода (18) в камере и способный подавать технологический газ в область между изделием (5) и вторым электродом (23). Третий электрод (6) имеет поверхность, расположенную напротив части первого электрода (18), с которой изделие (5) не находится в контакте. Источник (3) переменного тока для подачи напряжения переменного тока в область между третьим электродом (6) и первым электродом (18). Напряжение переменного тока подают к роликовому электроду (18) неконтактным образом, поэтому износ, вызываемый контактом, не происходит, и, таким образом, достигается повышение срока службы электродов. 7 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к намоточному вакуумированному устройству, которое непрерывно разматывает гибкое обрабатываемое целевое изделие в атмосфере с пониженным давлением, приводя высвобождаемое обрабатываемое изделие в тесный контакт с роллерным барабаном, осуществляет заданную обработку целевого изделия, расположенного на роллерном барабане, и сматывает обрабатываемое целевое изделие.
Уровень техники
Обычно существует установка для придания формы тонкой пленке, которая придает форму, при непрерывном разматывании и наматывании магнитного носителя записи посредством ролика, тонкой пленке на ее корпусе. Такая установка для придания формы тонкой пленке генерирует плазму за счет реакционного газа, расположенного между роллерным барабаном и первым анодом, расположенным таким образом, чтобы он при приведении магнитного носителя записи в контакт с роллерным барабаном находился напротив роллерного барабана, заставляя магнитный носитель записи перемещаться. Таким образом, придают форму защитной пленке на магнитном носителе записи (см., например, Японский патент №3429369).
В дополнение, существует устройство для плазменной обработки, которое осуществляет плазменную обработку (например, РИТ-установку (установку на основе реактивного ионного травления)) при непрерывном разматывании и наматывании пластиковой пленки, изготовленной из ПЭТ (полиэтилентерафталата), ПИ (полиимида), и т.п. Такое устройство для плазменной обработки генерирует плазму за счет обработки газа, расположенного между барабаном и анодом, расположенным напротив барабана, при приведении в тесный контакт пластиковой пленки и вращающегося барабана, что заставляет пластиковую пленку перемещаться. Таким образом, можно протравливать пленку и осуществлять модификацию поверхности пленки.
Кстати, в таких устройствах для придания формы тонкой пленке, или в обрабатывающих устройствах, в которых использована плазма, высокочастотный источник электропитания соединен с барабаном, а высокочастотный электрический ток подают посредством высокочастотного источника электропитания при вращении барабана с заданной скоростью. Вращающийся барабан и стационарный высокочастотный источник электропитания соединяют посредством вращающегося вводного элемента (не показан), такого как вращающийся соединитель, в котором использована ртуть, емкостная связь, состоящая из множества противолежащих плоских пластин, или токосъемное кольцо.
Раскрытие изобретения
Задача, решаемая с помощью изобретения
Вращающийся соединитель обладает структурой, включающей в себя электрод, подключенный со стороны барабана таким образом, чтобы он вращался, и фиксированный электрод, подключенный со стороны высокочастотного источника электропитания на обоих концах коробки, в которую герметично помещена ртуть. При приложении высокочастотной волны 13,56 МГц и т.п. к такому вращающемуся соединителю, генерируется тепло и возникает риск разрушения вращающегося соединителя. Поэтому вращающийся соединитель непригоден для подключения между барабаном и высокочастотным источником электропитания.
В емкостной связи, состоящей из множества противолежащих плоских пластинок, множество вращающихся плоских пластинок с одной стороны подключены со стороны барабана, а множество противоположных им фиксированных плоских пластинок, с другой стороны, подключены со стороны высокочастотного источника электропитания. В технологии такой емкостной связи есть риск возникновения пробоя диэлектрика при высоком напряжении в случае, если эти плоские пластины помещены в условия атмосферного давления.
В случае использования токосъемного кольца в качестве соединительной детали высокочастотного источника электропитания, существует риск поломки, вызванной тепловыделением. Кроме того, поскольку токосъемное кольцо имеет электрод контактного типа, происходит изнашивание электрода, вызванное контактом, а токосъемное кольцо становится непригодным для продолжительного срока службы.
Ввиду обстоятельств, описанных выше, задачей настоящего изобретения является обеспечение устройства для вакуумирования наматывания, предотвращающего выход изделия из строя, вызванного тепловыделением, и предотвращающего возникновение пробоя диэлектрика, и пригодного для продолжительного срока службы.
Средство для решения проблемы
Для достижения вышеуказанной цели, согласно варианту воплощения настоящего изобретения, обеспечено намоточное вакуумированное устройство, включающее в себя камеру, первый электрод, блок газоснабжения и третий электрод.
Камера способна поддерживать состояние вакуума.
Первый электрод, имеющий форму ролика, обеспечен в камере таким образом, чтобы он мог вращаться, и он способен заставлять гибкое обрабатываемое целевое изделие перемещаться за счет вращения, причем обрабатываемое целевое изделие находится в контакте с первым электродом.
Блок газоснабжения включает в себя второй электрод, расположенный напротив первого электрода в камере, и он способен подавать технологический газ между обрабатываемым целевым изделием и вторым электродом, причем обрабатываемое целевое изделие находится в контакте с первым электродом.
Третий электрод расположен напротив первого электрода в камере, а источник питания переменного тока подает напряжение переменного тока.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 - схема конфигурации схематически показывает устройство для плазменной обработки, такое как намоточное вакуумированное устройство согласно варианту воплощения настоящего изобретения.
Фиг.2 - вид сбоку, показывает устройство для плазменной обработки.
Фиг.3 - поперечный разрез, показывающий электродный блок согласно другому варианту воплощения.
Наилучшие варианты осуществления изобретения
Согласно варианту воплощения настоящего изобретения, обеспечено намоточное вакуумированное устройство, включающее в себя камеру, первый электрод, блок газоснабжения и третий электрод.
Камера способна поддерживать состояние вакуума.
Первый электрод, имеющий форму ролика, обеспечен в камере таким образом, чтобы он мог вращаться, и он способен заставлять гибкое обрабатываемое целевое изделие перемещаться за счет вращения, причем обрабатываемое целевое изделие находится в контакте с первым электродом.
Блок газоснабжения включает в себя второй электрод, расположенный напротив первого электрода в камере, и способен подавать технологический газ в область между целевым обрабатываемым изделием и вторым электродом, причем целевое обрабатываемое изделие находится в контакте с первым электродом.
Третий электрод расположен напротив первого электрода в камере, а источник переменного тока подает напряжение переменного тока.
Поскольку третий электрод расположен в камере, в случае, когда внутри камеры поддерживается заданный уровень вакуума, возникновение пробоя диэлектрика между первым электродом и третьим электродом можно предотвратить. Кроме того, поскольку третий электрод расположен в заданном промежутке на удалении от первого электрода, иными словами, напряжение переменного тока подается к первому электроду неконтактным образом, износ, вызываемый контактом, не происходит, и можно достигнуть повышения срока службы электрода.
Первый электрод может быть обеспечен таким образом, чтобы он проходил в направлении оси вращения первого электрода.
Поскольку длина третьего электрода в направлении оси вращения первого электрода близка к длине первого электрода в этом направлении, заряд в первом электроде и третьем электроде генерируется неравномерно. Например, в случае, когда источник переменного тока подключен к концу вращающегося вала роллерного барабана через блок введения в действие вращения, как в стандартном случае, сопротивление подаче заряда к другому концу роллерного барабана в направлении оси вращения становится больше, поскольку становится больше длина роллерного барабана в направлении оси вращения. Однако в соответствии с данным воплощением намоточного вакуумированного устройства такая проблема, связанная с электрическим сопротивлением, может быть решена, в результате чего между первым электродом и вторым электродом посредством химически активного газа плазма может генерироваться равномерно.
Первый электрод может иметь внешнюю периферийную поверхность, а третий электрод может иметь поверхность, противолежащую внешней периферийной поверхности первого электрода вдоль внешней периферийной поверхности, при поддержании зазора постоянным.
Следовательно, расстояние между первым электродом и третьим электродом может быть практически постоянным. В результате, плазма между первым электродом и вторым электродом может быть генерирована равномерно из химически активного газа.
Намоточное вакуумированное устройство может дополнительно включать в себя механизм регулирования температуры для охлаждения или нагрева первого электрода.
Следовательно, обрабатываемое целевое изделие, входящее в контакт с первым электродом, можно заставить перемещаться при охлаждении и нагреве.
Намоточное вакуумированное устройство может дополнительно включать в себя механизм охлаждения для охлаждения третьего электрода.
Следовательно, можно предотвратить проблему, вызванную теплом, генерируемым третьим электродом, например, выход из строя третьего электрода. Кроме того, поскольку третий электрод зафиксирован, введение в действие механизма водяного охлаждения в третьем электроде становится легче, чем в стандартном случае, где механизм охлаждения обеспечен для блока приведения в действие вращения.
Здесь и далее, варианты воплощения настоящего изобретения будут описаны со ссылкой на чертежи.
Фиг.1 представляет собой конфигурацию диаграммы, схематически показывающую устройство для плазменной обработки, такое как намоточное вакуумированное устройство согласно варианту воплощения настоящего изобретения. Фиг.2 представляет собой вид сбоку, схематически показывающий устройство 100 для плазменной обработки.
В устройстве 100 для плазменной обработки в качестве обрабатываемого целевого изделия использована, например, лентообразная пленка 5. В качестве составляющего компонента пленки 5 используют, например, смолу, а ее типичные примеры включают в себя материалы, обладающие температурой термостойкости 200° или более, такие как полиимид, полиамид и арамид. Однако пленка 5 не ограничена пленкой на основе смолы и может представлять собой, например, магнитную пленку, используемую в магнитном носителе записи или в другой пленке.
Устройство 100 для плазменной обработки включает в себя вакуумную камеру 15, механизм 10 перемещения, блок 20 газоснабжения, электродный блок 9 и высокочастотный источник 3 электропитания.
Вакуумная камера 15 включает в себя разделительную стенку 16 с соединительной частью 17, с которой соединена выпускная труба (не показана). Вакуумный насос (не показан) соединен с соединительной частью 17 через выпускную трубу, а заданное состояние вакуума поддерживается в вакуумной камере 15 за счет работы вакуумного насоса. Уровень его вакуума может быть установлен в пределах известного диапазона, пригодного для соответствующей плазменной обработки. Следует отметить, что вакуумная камера разделена делительными пластинами 28 на отделение, в котором установлен электродный блок 9, и отделение, в котором установлен блок возбуждения плазмы, включающий в себя противоэлектрод 23, который будет описан далее.
Каждая делительная пластина 28 имеет дуговую часть 28a, обеспеченную напротив боковой поверхности роллерного барабана 13. Эти дуговые части 28a обеспечены таким образом, чтобы теплопроводность газа между отделениями была бы снижена. Снижение теплопроводности между отделениями облегчает регулировку давления в каждом отделении по отдельности. Давление в отделении, в котором установлен блок генерирования плазмы, включающий в себя противоэлектрод 23, регулируют до достижения давления, пригодного для плазменной обработки, а давление в отделении, в котором установлен электродный блок 9, регулируют до достижения давления, при котором между электродным блоком 9 и роллерным барабаном 13 не возникает аномальный разряд, и т.п. Для выпускного средства также является предпочтительным, чтобы оно было соединено с отделением, в котором установлен электродный блок 9, и отдельно - с выпуском воздуха.
Механизм 10 перемещения установлен в вакуумной камере 15, и он заставляет пленку 5 перемещаться таким образом, чтобы пленку 5 можно было подвергать поверхностной обработке. Обычно, механизм 10 перемещения включает в себя разматывающий ролик 11, который подает пленку 5, роллерный барабан 13, который соприкасается и входит в тесный контакт с подаваемой пленкой 5, охлаждая пленку 5 в тесном контакте с ней, и наматывающий ролик 12, который наматывает пленку 5, подаваемую с роллерного барабана 13. Между разматывающим роликом 11 и роллерным барабаном 13 и между наматывающим роликом 12 и роллерным барабаном 13 обеспечены направляющие ролики 14. Пленка 5 входит в контакт с внешней периферийной поверхностью 18a роллерного барабана 13 при заданном угле крепления.
Как показано на Фиг. 2, роллерный барабан 13 имеет цилиндрическую форму, и его вращающий вал 2 поддерживается таким образом, чтобы он мог вращаться посредством, например, опорного элемента 8a и опорной плиты 8b. Роллерный барабан 13 включает в себя дискообразные изоляторы 19, обеспеченные на обоих концах, и роллерный электрод 18, который является проводящим элементом, помещенным между этими изоляторами 19. Механизм охлаждения (не показан) обеспечен в роллерном барабане 13, и в основном охлаждается роликовый электрод 18 роллерного барабана 13. В качестве механизма охлаждения можно использовать механизм системы, в котором циркулирует такой охладитель, как вода или кремнийорганический материал. Охладитель вводят, например, через вводную трубу 29 для охладителя, которая соединяется с вращающим валом 2, и его подают вовнутрь роллерного барабана 13, пропуская через вращающий вал 2.
Двигатели (не показаны) соединяются с разматывающим роликом 11, наматывающим роликом 12 и вращающим валом 2 роллерного барабана 13. Под действием этих двигателей разматывающий ролик 11, наматывающий ролик 12 и роллерный барабан 13 вращаются, придавая пленке 5 энергию для ее перемещения.
Следует отметить, что расположение размоточного ролика 11, намоточного ролика 12, роллерного барабана 13 и направляющих роликов 14 не ограничено тем, что показано на Фиг.1. Кроме того, количество направляющих роликов 14 не ограничено четырьмя, как показано на Фиг.1, и может быть возможным любое количество направляющих роликов 14, до тех пор, пока в пленке 5 поддерживается желаемое натяжение.
Блок 20 газоснабжения включает в себя источник 21 подачи технологического газа, противоэлектрод 23, установленный напротив роллерного барабана 13 ниже роллерного барабана 13, подводящий трубопровод 22, который подает технологический газ из источника 21 газоснабжения в сторону противоэлектрода 23, и т.п. Противоэлектрод 23 устанавливают таким образом, чтобы он находился напротив местоположения роллерного барабана 13, с которым приводят в контакт пленку 5. Противоэлектрод 23 снабжен вводным входом 23a, через который технологический газ подают из подводящего трубопровода 22. Со стороны противоэлектрода 23, обращенной к роллерному барабану, установлена душевая пластина 25, прикрепленная к изолирующему материалу 24, расположенному вокруг противоэлектрода 23. Душевая пластина 25 может быть создана из проводника и может представлять собой часть противоэлектрода 23. Кроме того, технологический газ можно вводить из газового сопла, без использования душевой пластины.
Технологический газ, подаваемый на противоэлектрод 23 из подводящего трубопровода 22 через вводной вход 23a, подают через душевую пластину 25 в зону 27 реакции, образованную между роллерным барабаном 13 и душевой пластиной 25. Потенциал противоэлектрода 23 соответствует, например, потенциалу земли. Поэтому, под действием высокочастотного напряжения высокой частоты, подаваемой между высокочастотным электродом 6 и роликовым электродом 18 посредством высокочастотного источника 3 электропитания, описанного ниже, в зоне реакции 27 из реакционного газа генерируют плазму.
Как и технологический газ, газ для плазменной обработки, реакционный газ для осаждения, очищающий газ, травильный газ, продувочный газ, и т.п. выбирают таким образом, чтобы он был использован надлежащим образом в соответствии с применением. Блок 20 газоснабжения включает в себя подводящий трубопровод 22 для газа, такой как газовый баллон, соответствующий используемому газу.
Технологический газ формируют, по обстоятельствам, в зависимости от типов процессов, таких как плазменная обработка и травление или типов пленок, созданных на пленке 5 посредством химического осаждения из паровой фазы, и т.п. В данном варианте воплощения вводят, например, газообразный аргон или газообразный кислород, и плазму, следовательно, генерируют таким образом, чтобы пленку 5 можно было подвергать поверхностной обработке, подвергая ее плазменной обработке. С использованием равномерной модификации поверхности, можно равномерно повышать адгезионную способность тонкой пленки к пленке 5, а тонкую пленку формируют путем последующей технологии осаждения.
Электродный блок 9 включает в себя высокочастотный электрод 6, высокочастотный источник 3 электропитания, который генерирует высокочастотную энергию, согласующую коробку 4, подключенную между высокочастотным источником 3 электропитания и высокочастотным электродом 6, и осуществляет согласование полного сопротивления, и т.п.
Например, высокочастотный электрод 6 устанавливают на заданном расстоянии от внешней периферийной поверхности части роллерного барабана 13, которая не находится в контакте с пленкой 5, то есть от внешней периферийной поверхности 18a роллерного электрода 18. Это расстояние можно изменять по обстоятельствам. Однако для эффективного распространения высокочастотной волны и предотвращения возникновения короткого замыкания между высокочастотным электродом 6 и роллерным барабаном 13, для этого расстояние является предпочтительным, чтобы оно было отрегулировано, например, на уровне 1-5 мм, хотя оптимальное расстояние различается, в зависимости от давления. Электродный блок 9 включает в себя изолятор 7, несущий элемент 26, который поддерживает изолятор, и высокочастотный электрод 6, и т.п., а несущий элемент 26 поддерживается, например, опорным элементом 8a и несущей плитой 8b. Поверхность 6a высокочастотного электрода 6, расположенная напротив роликового электрода 18, создается в такой форме, которая соответствует цилиндрической форме (например, форме внутренней поверхности цилиндра), которая представляет собой форму внешней периферийной поверхности l8a роликового электрода 18. Область высокочастотного электрода 6, противоположная роликовому электроду 18, повышается, что, таким образом, повышает эффективность распространения высокочастотной волны от высокочастотного электрода 6 до роликового электрода 18. Высокочастотный электрод 6 обеспечен таким образом, чтобы он проходил в направлении оси вращения роллерного барабана 13. Обычно высокочастотный электрод 6 формируют таким образом, чтобы он имел длину, практически ту же самую, что и у роликового электрода 18 в направлении его оси вращения, или длину, близкую к длине роликового электрода 18.
В установке 100 для плазменной обработки, структурированной, как было описано выше, при приложении высокочастотного напряжения к высокочастотному электроду 6, высокочастотное напряжение прикладывают и к роликовому электроду 18 через пространство, образованное между высокочастотным электродом 6 и роликовым электродом 18. Следовательно, плазму создают из реакционного газа в зоне 27 реакции между роликовым электродом 18 и противоэлектродом 23, потенциал которого равен потенциалу земли. Следовательно, пленку 5, которая перемещается при охлаждении или нагреве в тесном контакте с роллерным барабаном 13, подвергают воздействию плазмы, и ее поверхность модифицируется.
Как было описано выше, в настоящем варианте воплощения высокочастотный электрод 6 устанавливают в вакуумной камере 15. Поэтому, для примера, по сравнению со случаем, когда блок введения в действие вращения, такой как емкостная связь, описанная выше, устанавливают в условиях атмосферного давления, если внутри вакуумной камеры 15 поддерживается заданный уровень вакуума, возникновение пробоя диэлектрика между роликовыми электродом 18 и высокочастотным электродом 6 можно предотвратить. Кроме того, с пробоем не возникает никаких проблем, благодаря тепловыделению, происходящему в стандартном блоке приведения в действие вращения, таком как вращающийся соединитель.
Кроме того, поскольку высокочастотный электрод 6 установлен на заданном расстоянии от роликового электрода 18, иными словами, напряжение переменного тока подают к роликовому электроду 18 неконтактным образом, износ, вызванный контактом, не возникает, и поэтому может быть достигнут высокий срок службы высокочастотного электрода 6.
Поскольку высокочастотный электрод 6 обеспечен таким образом, чтобы он проходил в направлении оси вращения роллерного барабана 13, заряд в роликовом электроде 18 и в высокочастотном электроде 6 генерируется равномерно. Например, в случае, когда источник переменного тока соединен с концом вращающегося вала роллерного барабана через блок приведения в действие вращения, как в стандартном случае, сопротивление подаче заряда на другой конец роллерного барабана (на сторону, противоположную концу, описанному выше) будет возрастать с ростом длины роллерного барабана в направлении оси вращения. Однако, согласно этому варианту воплощения, такая проблема электрического сопротивления может быть решена, в результате чего плазма, получаемая из реакционного газа, может быть равномерно генерирована в зоне 27 реакции. Кроме того, высокочастотный электрод 6 легко можно сделать крупнее, и область высокочастотного электрода 6, противоположную роликовому электроду 18, также можно сделать крупнее.
Фиг. 3 представляет собой поперечный разрез, показывающий электродный блок согласно другому варианту воплощения. Механизм воплощения обеспечен в высокочастотном электроде 36 электродного блока, который расположен выше роликового электрода 18. Этот механизм охлаждения обычно включает в себя водяные каналы 37, через которые проходит охлаждающая среда, и используется, например, система охлаждения, в которой жидкофазная среда циркулирует по водяным каналам 37, или система охлаждения, в которой применяется фазовое превращение охладителя, вызванное циркуляцией охладителя. Примеры жидкофазной среды включают в себя воду и кремнийорганическое масло.
Таким образом, высокочастотный электрод 36 охлаждается за счет механизма охлаждения, в результате чего проблема, связанная с тепловыделением на высокочастотном электроде 36 и, например, с выходом из строя высокочастотного электрода 36, может быть устранена. Кроме того, поскольку высокочастотный электрод 36 является фиксированным, введение в действие механизма водяного охлаждения в высокочастотном электроде 36 становится более легким, чем в стандартном случае, когда механизм охлаждения придан блоку введения в действие вращения.
Варианты воплощения согласно настоящему изобретению не ограничены вариантами воплощения, описанными выше, и приемлемыми являются различные варианты воплощения.
Как и намоточное вакуумированное устройство согласно вариантам воплощения, описанным выше, устройство 100 для плазменной обработки было описано в качестве примера. Однако плазменное устройство для химического осаждения из паровой фазы или устройство, в котором использовано плазменное травление или плазма, может быть реализовано до тех пор, пока устройство может обрабатывать гибкое обрабатываемое целевое изделие.
Расположение, размер, и т.п. высокочастотных электродов 6 и 36 и противоэлектрода 23 могут быть заданы, в зависимости от обстоятельств.
Описание ссылочных позиций на чертежах
3 - высокочастотный источник электропитания;
5 - пленка;
6, 36 - высокочастотные электроды;
7 - изолятор;
9 - электродный блок;
10 - перемещающий механизм;
13 - роллерный барабан;
15 - вакуумная камера;
18 - роликовый электрод;
18a - внешняя периферийная поверхность;
20 - блок газоснабжения;
21 - источник газоснабжения;
22 - подводящий трубопровод;
23 - противоэлектрод;
36 - высокочастотный электрод;
37 - водяной канал;
100 - устройство для плазменной обработки.

Claims (8)

1. Устройство для вакуумной плазменной обработки гибкого обрабатываемого целевого изделия, содержащее камеру, способную поддерживать состояние вакуума, первый электрод в форме ролика, который обеспечен в камере с возможностью вращения, включающий в себя часть, с которой гибкое обрабатываемое целевое изделие находится в контакте, и часть, с которой гибкое обрабатываемое целевое изделие не находится в контакте, и способен заставлять гибкое обрабатываемое целевое изделие перемещаться под действием вращения, блок газоснабжения, включающий в себя второй электрод, установленный напротив первого электрода в камере, и способный подавать технологический газ в область между обрабатываемым целевым изделием и вторым электродом, третий электрод, который имеет поверхность, расположенную напротив части первого электрода в камере, с которой обрабатываемое целевое изделие не находится в контакте, и источник переменного тока для подачи напряжения переменного тока в область между третьим электродом и первым электродом.
2. Устройство по п.1, в котором первый электрод обеспечен таким образом, что он проходит в направлении оси вращения первого электрода.
3. Устройство по п.1, в котором первый электрод имеет внешнюю периферийную поверхность, и третий электрод имеет поверхность, расположенную напротив внешней периферийной поверхности первого электрода и вдоль внешней периферийной поверхности.
4. Устройство по п.1, дополнительно содержащее механизм регулирования температуры для охлаждения или нагрева первого электрода.
5. Устройство по п.4, дополнительно содержащее механизм охлаждения для охлаждения третьего электрода.
6. Устройство по п.1, в котором камера включает в себя делительную плиту для разделения камеры на отделение, в котором установлен второй электрод, и отделение, в котором установлен третий электрод, и
давление в отделении, в котором установлен второй электрод, и давление в отделении, в котором установлен третий электрод, устанавливают по отдельности.
7. Устройство по п.6, в котором делительная пластина включает в себя дуговую часть, обеспеченную напротив первого электрода.
8. Устройство по п.1, в котором первый электрод и третий электрод образуют зазор 1-5 мм.
RU2011122610/02A 2008-11-05 2009-10-27 Намоточное вакуумированное устройство RU2482219C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008283914 2008-11-05
JP2008-283914 2008-11-05
PCT/JP2009/005652 WO2010052846A1 (ja) 2008-11-05 2009-10-27 巻取式真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011122610A RU2011122610A (ru) 2012-12-20
RU2482219C2 true RU2482219C2 (ru) 2013-05-20

Family

ID=42152659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011122610/02A RU2482219C2 (ru) 2008-11-05 2009-10-27 Намоточное вакуумированное устройство

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8673078B2 (ru)
JP (1) JP5324596B2 (ru)
KR (1) KR20110060953A (ru)
CN (1) CN102197159B (ru)
DE (1) DE112009002631A5 (ru)
RU (1) RU2482219C2 (ru)
TW (1) TWI498443B (ru)
WO (1) WO2010052846A1 (ru)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5931091B2 (ja) * 2012-01-16 2016-06-08 株式会社アルバック 成膜装置
KR20150003730A (ko) * 2012-04-19 2015-01-09 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 적층 필름
JP6045265B2 (ja) * 2012-09-18 2016-12-14 リンテック株式会社 イオン注入装置
JP6001975B2 (ja) * 2012-09-25 2016-10-05 東レエンジニアリング株式会社 薄膜形成装置
US9275835B2 (en) * 2012-11-29 2016-03-01 Gregory DeLarge Plasma generating device with moving carousel and method of use
EP2762608B1 (en) * 2013-01-31 2019-10-02 Applied Materials, Inc. Gas separation by adjustable separation wall
EP2762607B1 (en) * 2013-01-31 2018-07-25 Applied Materials, Inc. Deposition source with adjustable electrode
JP6451129B2 (ja) * 2013-09-17 2019-01-16 株式会社リコー プラズマ処理装置、印刷装置、印刷システムおよび印刷物の製造方法
JP6347662B2 (ja) * 2014-05-09 2018-06-27 東レエンジニアリング株式会社 薄膜形成装置
KR101602897B1 (ko) * 2014-05-27 2016-03-11 명성기계 주식회사 진공단열재의 제조장치
CN105234130B (zh) * 2015-10-22 2017-10-27 苏州求是真空电子有限公司 适用于可扰曲材料的等离子清洗装置
US10373794B2 (en) 2015-10-29 2019-08-06 Lam Research Corporation Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber
US10043636B2 (en) * 2015-12-10 2018-08-07 Lam Research Corporation Apparatuses and methods for avoiding electrical breakdown from RF terminal to adjacent non-RF terminal
EP3246935A1 (de) * 2016-05-20 2017-11-22 Meyer Burger (Germany) AG Plasmabehandlungsvorrichtung mit einer kontaktlosen hf-spannungszuführung an eine bewegliche plasmaelektrodeneinheit und verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung
CN108559974A (zh) * 2017-12-25 2018-09-21 兰州空间技术物理研究所 一种基于弧形电极结构的pecvd镀膜设备
DE102019124489B3 (de) * 2019-09-12 2020-11-12 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Vakuumanordnungen, Verfahren und Verwendung einer Elektrode im Vakuum
CN113194592A (zh) * 2021-04-16 2021-07-30 清华大学 一种等离子装置、用于儿童玩具质检的装置及方法
CN113426763A (zh) * 2021-06-15 2021-09-24 扬州国兴技术有限公司 一种用于清洗印制电路板钻针胶渣残屑装置及方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51112489A (en) * 1975-03-03 1976-10-04 Airco Inc Process and apparatus for coating substrate
JPH03183782A (ja) * 1989-12-13 1991-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜製造装置
JPH09228054A (ja) * 1996-02-16 1997-09-02 Hitachi Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法と製造装置
RU2167955C2 (ru) * 1999-02-12 2001-05-27 ТОО "Симпла" Установка для нанесения покрытий на ленту
WO2002086932A1 (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Applied Process Technologies Magnetic mirror plasma source
RU2208658C2 (ru) * 2000-04-10 2003-07-20 Розанов Леонид Николаевич Способ и устройство для нанесения вакуумных покрытий на рулонные материалы
RU54375U1 (ru) * 2006-02-27 2006-06-27 Лев Викторович Мисожников Установка для нанесения покрытий в вакууме
RU2285912C2 (ru) * 2004-05-22 2006-10-20 Эплайд Филмз ГмбХ энд Ко. КГ Установка для нанесения покрытия
JP2008031521A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sony Corp ロールツーロール型のプラズマ真空処理装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51125455A (en) * 1975-04-14 1976-11-01 Jiyunkichi Nakai Method of surface treatment of molded article
JPS5849095B2 (ja) * 1978-06-06 1983-11-01 日本真空技術株式会社 真空雰囲気内で作動する回転電極への高周波大電力の供給装置
JPS60237626A (ja) * 1984-05-10 1985-11-26 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体
JPS62274080A (ja) * 1986-05-21 1987-11-28 Hitachi Ltd プラズマ処理方法
US4968918A (en) * 1987-07-06 1990-11-06 Kanebo, Ltd. Apparatus for plasma treatment
DE69312989T2 (de) * 1992-03-13 1997-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma-CVD-Anlage und entsprechendes Verfahren
JPH0676281A (ja) * 1992-06-19 1994-03-18 Sony Corp 磁気記録媒体及びその製造方法、製造装置
FR2703073B1 (fr) * 1993-03-26 1995-05-05 Lorraine Laminage Procédé et dispositif pour le revêtement en continu d'un matériau métallique en défilement par un dépôt de polymère à gradient de composition, et produit obtenu par ce procédé.
JP3429369B2 (ja) * 1994-07-29 2003-07-22 ソニー株式会社 薄膜形成装置
US6116185A (en) * 1996-05-01 2000-09-12 Rietzel; James G. Gas injector for plasma enhanced chemical vapor deposition
US5743966A (en) * 1996-05-31 1998-04-28 The Boc Group, Inc. Unwinding of plastic film in the presence of a plasma
US6110540A (en) * 1996-07-12 2000-08-29 The Boc Group, Inc. Plasma apparatus and method
JP3634599B2 (ja) 1997-11-14 2005-03-30 三洋電機株式会社 回転電極を用いた薄膜形成装置
JP2000355772A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Okura Ind Co Ltd 円筒状基材の表面改質装置、および円筒状基材の表面改質方法
JP2001353804A (ja) * 2000-06-14 2001-12-25 Dainippon Printing Co Ltd バリア性フィルムおよびそれを使用した積層材
JP3509758B2 (ja) * 2001-01-31 2004-03-22 シャープ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理機、並びにプラズマ処理方法
JP2003049273A (ja) 2001-08-08 2003-02-21 Kobe Steel Ltd プラズマcvd装置及びプラズマcvdによる成膜方法
JP4082061B2 (ja) 2002-04-02 2008-04-30 東レ株式会社 コロナ放電処理方法、プラスチックフィルムの製造方法および装置
CN2627658Y (zh) * 2003-07-04 2004-07-21 王红卫 碱性二次电池隔膜处理设备
US8652625B2 (en) * 2004-09-21 2014-02-18 Konica Minolta Holdings, Inc. Transparent gas barrier film
JPWO2006093168A1 (ja) * 2005-03-04 2008-08-07 株式会社ユーテック Cvd装置と、それを用いた多層膜形成方法と、それにより形成された多層膜
US7666766B2 (en) * 2005-09-27 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, method for forming film, and method for manufacturing photoelectric conversion device
JP4803742B2 (ja) 2007-02-07 2011-10-26 株式会社アルバック 巻取式真空成膜装置
JP4870615B2 (ja) * 2007-04-25 2012-02-08 株式会社アルバック プラズマcvd成膜装置およびプラズマcvd成膜方法
JP2009074154A (ja) * 2007-09-25 2009-04-09 Fujifilm Corp 成膜装置
ITBS20080009A1 (it) 2008-01-22 2009-07-23 Simlux S P A Lampada
JP5157741B2 (ja) * 2008-08-12 2013-03-06 コニカミノルタホールディングス株式会社 プラズマ放電処理装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51112489A (en) * 1975-03-03 1976-10-04 Airco Inc Process and apparatus for coating substrate
JPH03183782A (ja) * 1989-12-13 1991-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜製造装置
JPH09228054A (ja) * 1996-02-16 1997-09-02 Hitachi Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法と製造装置
RU2167955C2 (ru) * 1999-02-12 2001-05-27 ТОО "Симпла" Установка для нанесения покрытий на ленту
RU2208658C2 (ru) * 2000-04-10 2003-07-20 Розанов Леонид Николаевич Способ и устройство для нанесения вакуумных покрытий на рулонные материалы
WO2002086932A1 (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Applied Process Technologies Magnetic mirror plasma source
RU2285912C2 (ru) * 2004-05-22 2006-10-20 Эплайд Филмз ГмбХ энд Ко. КГ Установка для нанесения покрытия
RU54375U1 (ru) * 2006-02-27 2006-06-27 Лев Викторович Мисожников Установка для нанесения покрытий в вакууме
JP2008031521A (ja) * 2006-07-28 2008-02-14 Sony Corp ロールツーロール型のプラズマ真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201026875A (en) 2010-07-16
RU2011122610A (ru) 2012-12-20
DE112009002631A5 (de) 2011-09-15
CN102197159B (zh) 2013-07-10
CN102197159A (zh) 2011-09-21
TWI498443B (zh) 2015-09-01
JP5324596B2 (ja) 2013-10-23
US8673078B2 (en) 2014-03-18
WO2010052846A1 (ja) 2010-05-14
US20110209830A1 (en) 2011-09-01
JPWO2010052846A1 (ja) 2012-04-05
KR20110060953A (ko) 2011-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2482219C2 (ru) Намоточное вакуумированное устройство
KR100265866B1 (ko) 반도체 제조장치
KR100898141B1 (ko) 파이프 음극을 갖는 스퍼터 장치 및 스퍼터 장치의작동방법
US20140034240A1 (en) Apparatus for treating substrate
WO2005049883A1 (ja) 巻取式真空蒸着方法及び巻取式真空蒸着装置
US20110284165A1 (en) Plasma processing apparatus
KR101512159B1 (ko) 축전 결합식 플라즈마 발생장치
JP2001060581A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
EP2862956B1 (en) Roller device for vacuum deposition arrangement, vacuum deposition arrangement with roller and method for operating a roller
JP4630874B2 (ja) 大気圧大面積グロープラズマ発生装置
JP2004527071A (ja) 大気圧無線周波数ノンサーマルプラズマ放電内での材料の処理
KR100723019B1 (ko) 표면처리를 위한 플라즈마 발생 장치
JP7186234B2 (ja) 堆積装置、フレキシブル基板をコーティングする方法、及びコーティングを有するフレキシブル基板
KR100819023B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
TW202333228A (zh) 電漿處理裝置
KR100902619B1 (ko) 기판 처리장치 및 그 방법
KR20110094488A (ko) 여기장치를 구비한 플라스마 표면처리장치
KR102085337B1 (ko) 플라즈마 화학 기상 증착 장치
KR100343468B1 (ko) 웨이퍼 홀딩척
KR100368052B1 (ko) 플라즈마를 이용한 고분자막 연속중합장치
KR101568821B1 (ko) 플렉시블 기판 처리장치 및 이를 이용한 플렉시블 기판 처리방법
CN116445879A (zh) 用于涂布柔性基板的处理***、蒸发器及其方法
JP2008027717A (ja) プラズマ装置
JP2004241592A (ja) プラズマ処理装置
JPH01283360A (ja) プラズマ処理装置