RU2449419C1 - Hybrid integrated microwave circuit - Google Patents
Hybrid integrated microwave circuit Download PDFInfo
- Publication number
- RU2449419C1 RU2449419C1 RU2010154371/28A RU2010154371A RU2449419C1 RU 2449419 C1 RU2449419 C1 RU 2449419C1 RU 2010154371/28 A RU2010154371/28 A RU 2010154371/28A RU 2010154371 A RU2010154371 A RU 2010154371A RU 2449419 C1 RU2449419 C1 RU 2449419C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- capacitors
- resistive element
- metalised
- integrated circuit
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно к гибридным интегральным схемам СВЧ-диапазона, и может быть использовано в твердотельных модулях СВЧ различного назначения.The invention relates to electronic microwave technology, namely to hybrid integrated circuits in the microwave range, and can be used in solid-state microwave modules for various purposes.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона (далее гибридная интегральная схема), содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной - экранное заземляющее металлизационное покрытие, конденсаторы, под которыми расположены металлизированные отверстия, при этом нижние обкладки конденсаторов соединены через металлизированные отверстия с экранным заземляющим металлизационным покрытием. На лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено углубление, в котором расположен кристалл полупроводникового прибора в одной плоскости с лицевой стороной диэлектрической подложки и соединен с ним связующим веществом. Выводы кристалла полупроводникового прибора соединены с верхними обкладками конденсаторов и топологическим рисунком металлизационного покрытия. При этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним связующим электро- и теплопроводящим веществом.A known microwave microwave integrated circuit (hereinafter referred to as the hybrid integrated circuit) containing a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the back there is a screen grounding metallization coating, capacitors, under which metallized holes are located, while the lower plates of the capacitors connected through metallized holes with a screening grounding metallization coating. A recess is made on the front side of the dielectric substrate, in which the crystal of the semiconductor device is located in the same plane as the front side of the dielectric substrate and is connected to it by a binder. The crystal terminals of the semiconductor device are connected to the upper plates of the capacitors and the topological pattern of the metallization coating. In this case, the dielectric substrate is located on the back side on the metal heat sink base and is connected to it by a binder of electrical and heat-conducting substance.
В которой с целью улучшения отвода тепла от кристалла полупроводникового прибора и тем самым повышения надежности и улучшения электрических характеристик гибридной интегральной схемы, металлизированные отверстия выполнены глухими с лицевой стороны диэлектрической подложки с толщиной дна, равной не более 0,5 мм.In which, in order to improve the heat removal from the crystal of the semiconductor device and thereby increase the reliability and improve the electrical characteristics of the hybrid integrated circuit, the metallized holes are made blind from the front of the dielectric substrate with a bottom thickness of not more than 0.5 mm.
Это позволило:It allowed:
- использовать металлизационное покрытие дна глухих отверстий в качестве нижних обкладок конденсаторов;- use a metallization coating of the bottom of blind holes as the lower plates of capacitors;
- использовать остаточную толщину диэлектрической подложки в металлизированных глухих отверстиях в качестве слоя диэлектрика конденсаторов;- use the residual thickness of the dielectric substrate in the metallized blind holes as a dielectric layer of capacitors;
- формировать верхние обкладки конденсаторов в составе топологического рисунка металлизации.- to form the upper plates of the capacitors as part of the topological pattern of metallization.
Все это в свою очередь позволило исключить часть паянных электрических соединений из гибридной интегральной схемы и тем самым повысить ее надежность и улучшить электрические характеристики.All this in turn made it possible to exclude part of the soldered electrical connections from the hybrid integrated circuit and thereby increase its reliability and improve electrical characteristics.
Однако данная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона отличается:However, this hybrid microwave integrated circuit is different:
- низкими массогабаритными характеристиками вследствие практически невозможности получения тонкого слоя диэлектрика конденсатора, толщиной менее 0,05 мм, и что тем самым и определяет значительные его геометрические размеры и соответственно низкие массогабаритные характеристики гибридной интегральной схемы,- low weight and size characteristics due to the impossibility of obtaining a thin layer of a dielectric of a capacitor with a thickness of less than 0.05 mm, and thereby thereby determines its significant geometric dimensions and, accordingly, low weight and size characteristics of the hybrid integrated circuit,
- высокой трудоемкостью и низкой технологичностью изготовления вследствие использования достаточно сложных и трудоемких технологических операций, прежде всего при выполнении углублений с обеих сторон диэлектрической подложки.- high complexity and low manufacturability due to the use of rather complex and labor-intensive technological operations, primarily when performing recesses on both sides of the dielectric substrate.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним электро- и теплопроводящим веществом, по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, электрически соединенную с экранным заземляющим металлизационным покрытием, по меньшей мере, один транзистор с выводами (электродами), по меньшей мере, два конденсатора, расположенные с разных сторон транзистора [2 - прототип].A hybrid microwave integrated circuit is known that contains a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the reverse side there is a screen grounding metallization coating, while the dielectric substrate is located on the reverse side on a metal heat sink and is connected to it by an electric and heat-conducting substance, at least one metallized landing pad, electrically connected to a screen grounding metallization nnym coating at least one transistor with terminals (electrodes), at least two capacitors disposed on different sides of the transistor [2 - prototype].
При этом один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, два другие его вывода электрически соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия, нижние обкладки конденсаторов электрически соединены с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранным заземляющим металлизационным покрытием.In this case, one of the terminals of the transistor is electrically connected to the upper plates of the capacitors, the other two terminals are electrically connected to the topological pattern of the metallization coating, the lower plates of the capacitors are electrically connected to the metallized landing pad and through it to the screen grounding metallization coating.
При этом каждые - транзистор с выводами, оба конденсатора и электрические соединения одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов - выполнены в виде, по меньшей мере, одного единого кристалла монолитной интегральной схемы на полуизолирующей полупроводниковой структуре с заданными активными слоями, упомянутый единый кристалл расположен на металлизированной посадочной площадке.In this case, each - a transistor with leads, both capacitors and electrical connections of one of the terminals of the transistor with the upper plates of the capacitors - is made in the form of at least one single crystal of a monolithic integrated circuit on a semi-insulating semiconductor structure with specified active layers, said single crystal is located on metallized landing pad.
При этом оба конденсатора выполнены пленочными.In this case, both capacitors are made of film.
Верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и электрические соединения, по меньшей мере, одного из выводов транзистора с верхними обкладками конденсаторов выполнены в одном слое металлизационного покрытия единого кристалла монолитной интегральной схемы.The upper plates of the capacitors, the terminals of the transistor and the electrical connections of at least one of the terminals of the transistor with the upper plates of the capacitors are made in one layer of a metallization coating of a single crystal of a monolithic integrated circuit.
В едином кристалле монолитной интегральной схемы непосредственно под нижними обкладками конденсаторов выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой.In a single crystal of a monolithic integrated circuit directly through the lower plates of the capacitors, through metallized holes are made for the electrical connection of the lower plates of the capacitors with a metallized landing pad.
Недостатки данной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона заключаются в сложности, а иногда невозможности подключения дополнительных схемных элементов и особенно в часть схемы, выполненной в составе единого кристалла монолитной интегральной схемы, что ограничивает функциональные возможности, например реализацию режима однополярного питания (так называемый режим автосмещения), и тем самым ограничивает возможности дальнейшего улучшения электрических и массогабаритных характеристик.The disadvantages of this hybrid microwave integrated circuit are the complexity, and sometimes the inability to connect additional circuit elements, and especially the part of the circuit made as part of a single crystal monolithic integrated circuit, which limits functionality, for example, the implementation of unipolar power mode (the so-called auto-bias mode) , and thereby limits the possibility of further improving the electrical and overall dimensions.
Техническим результатом изобретения является улучшение электрических и массогабаритных характеристик и их воспроизводимости, за счет расширения функциональных возможностей гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, повышение технологичности и надежности.The technical result of the invention is to improve the electrical and overall dimensions and their reproducibility, by expanding the functionality of the hybrid integrated circuit microwave range, improving manufacturability and reliability.
Указанный технический результат достигается гибридной интегральной схемой СВЧ-диапазона, содержащейThe specified technical result is achieved by a hybrid microwave integrated circuit containing
- диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним электро- и теплопроводящим веществом,- a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the reverse side is a screen grounding metallization coating, while the dielectric substrate is located on the reverse side on a metal heat sink and is connected to it by an electrically and thermally conductive substance,
- по меньшей мере, одну металлизированную посадочную площадку, электрически соединенную с экранным заземляющим металлизационным покрытием,- at least one metallized landing pad electrically connected to a shield grounding metallization coating,
- по меньшей мере, один транзистор с выводами (электродами),- at least one transistor with leads (electrodes),
- по меньшей мере, два конденсатора, расположенные с разных сторон транзистора,- at least two capacitors located on different sides of the transistor,
- при этом один из выводов транзистора электрически соединен с верхними обкладками конденсаторов, два другие его вывода электрически соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия, нижние обкладки конденсаторов электрически соединены с металлизированной посадочной площадкой и через нее с экранным заземляющим металлизационным покрытием,- in this case, one of the terminals of the transistor is electrically connected to the upper plates of the capacitors, the other two terminals are electrically connected to the topological pattern of the metallization coating, the lower plates of the capacitors are electrically connected to the metallized landing pad and through it to the screen grounding metallization coating,
- при этом каждые - транзистор с выводами, два конденсатора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора - выполнены в виде, по меньшей мере, одного единого кристалла монолитной интегральной схемы на полуизолирующей полупроводниковой структуре с заданными легированными слоями,- each one — a transistor with leads, two capacitors and the aforementioned electrical connections of one of the terminals of the transistor — is made in the form of at least one single crystal of a monolithic integrated circuit on a semi-insulating semiconductor structure with predetermined doped layers,
- упомянутый единый кристалл расположен на металлизированной посадочной площадке,- said single crystal is located on a metallized landing pad,
- оба конденсатора выполнены пленочными,- both capacitors are made of film,
- верхние обкладки конденсаторов, выводы транзистора и упомянутые электрические соединения одного из выводов транзистора выполнены в одном слое металлизационного покрытия упомянутого единого кристалла,- the upper plates of the capacitors, the terminals of the transistor and the aforementioned electrical connections of one of the terminals of the transistor are made in one layer of a metallization coating of said single crystal,
- в последнем выполнены сквозные металлизированные отверстия для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой.- in the latter, through metallized holes are made for the electrical connection of the lower plates of the capacitors with a metallized landing pad.
В которойWherein
- транзистор выполнен в виде полевого транзистора с барьером Шотки (ПТШ) с шириной вывода - электрода затвора не более 500 мкм, с заданными величинами тока насыщения, не превышающего 150 мА, и напряжения отсечки,- the transistor is made in the form of a field-effect transistor with a Schottky barrier (PTSh) with an output width of a gate electrode of not more than 500 μm, with predetermined saturation currents not exceeding 150 mA, and a cut-off voltage,
- каждый единый кристалл монолитной интегральной схемы дополнительно содержит, по меньшей мере, один резистивный элемент с заданным электрическим сопротивлением,- each single crystal monolithic integrated circuit additionally contains at least one resistive element with a given electrical resistance,
- резистивный элемент выполнен пленочным на лицевой поверхности упомянутого единого кристалла или в виде легированного слоя в составе упомянутой полупроводниковой структуры,- the resistive element is made film on the front surface of the aforementioned single crystal or in the form of a doped layer in the composition of the aforementioned semiconductor structure,
- резистивный элемент расположен вне области канала полевого транзистора с барьером Шотки на расстоянии не менее 20 мкм от электрода истока,- the resistive element is located outside the channel field of the field effect transistor with a Schottky barrier at a distance of at least 20 μm from the source electrode,
- при этом один из концов резистивного элемента электрически соединен с верхней обкладкой одного из конденсаторов, а другой - с нижней обкладкой этого конденсатора, электрическое соединение одного из концов резистивного элемента с верхней обкладкой конденсатора выполнено в упомянутом одном слое металлизационного покрытия единого кристалла, а электрическое соединение другого конца резистивного элемента и нижние обкладки конденсаторов - в другом слое этого металлизационного покрытия,- in this case, one of the ends of the resistive element is electrically connected to the upper plate of one of the capacitors, and the other to the lower plate of this capacitor, the electrical connection of one of the ends of the resistive element to the upper plate of the capacitor is made in the aforementioned single layer of metallization coating of a single crystal, and the electrical connection the other end of the resistive element and the lower plates of the capacitors in the other layer of this metallization coating,
- сквозные металлизированные отверстия в упомянутом едином кристалле выполнены вне площади расположения конденсаторов,- through metallized holes in said single crystal are made outside the area of the capacitors,
- при этом электрическое сопротивление резистивного элемента задано исходя из соотношения- while the electrical resistance of the resistive element is set based on the ratio
гдеWhere
Up - заданное напряжение отсечки полевого транзистора с барьером Шотки,U p - the specified voltage cutoff field-effect transistor with a Schottky barrier,
Id - рабочий ток полевого транзистора с барьером Шотки,I d is the operating current of a field effect transistor with a Schottky barrier,
Idss - заданный максимальный ток насыщения при нулевом напряжении на затворе полевого транзистора с барьером Шотки (далее ток насыщения),I dss is the specified maximum saturation current at zero voltage at the gate of the field-effect transistor with a Schottky barrier (hereinafter referred to as saturation current),
а рабочий ток выбран из соотношенияand the operating current is selected from the ratio
Id=(0,15…0,5)×Idss.I d = (0.15 ... 0.5) × I dss .
Полевой транзистор с барьером Шотки может быть выполнен, по меньшей мере, с двумя электродами истока, при этом последние электрически соединены между собой.A field effect transistor with a Schottky barrier can be made with at least two source electrodes, the latter being electrically connected to each other.
Резистивный элемент выполнен в составе упомянутой полупроводниковой структуры в виде того же легированного слоя, в котором выполнен и канал полевого транзистора с барьером Шотки, при этом с длиной, равной длине канала и шириной - 0,15-0,5 от его ширины.The resistive element is made as part of the said semiconductor structure in the form of the same doped layer in which the channel of the field-effect transistor with a Schottky barrier is made, with a length equal to the length of the channel and a width of 0.15-0.5 of its width.
Раскрытие сущности изобретения.Disclosure of the invention.
Заявленная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона, совокупность ее существенных признаков, а именно когда:The claimed hybrid microwave integrated circuit, the set of its essential features, namely when:
- транзистор выполнен в виде полевого транзистора с барьером Шотки с шириной вывода - затвора не более 500 мкм, с заданными величинами тока насыщения, не превышающего 150 мА, и напряжения отсечки;- the transistor is made in the form of a field-effect transistor with a Schottky barrier with a width of the output gate of no more than 500 μm, with predetermined saturation currents not exceeding 150 mA and a cut-off voltage;
- гибридная интегральная схема дополнительно содержит, по меньшей мере, один резистивный элемент с заданным электрическим сопротивлением, который выполнен в составе каждого единого кристалла монолитной интегральной схемы;- the hybrid integrated circuit further comprises at least one resistive element with a given electrical resistance, which is made as part of each single crystal of a monolithic integrated circuit;
- один из концов резистивного элемента электрически соединен с верхней обкладкой одного из конденсаторов, а другой - с нижней обкладкой этого конденсатора,- one of the ends of the resistive element is electrically connected to the top plate of one of the capacitors, and the other to the bottom plate of this capacitor,
- электрическое соединение одного из концов резистивного элемента с верхней обкладкой конденсатора выполнено в упомянутом одном слое металлизационного покрытия единого кристалла,- the electrical connection of one of the ends of the resistive element with the upper lining of the capacitor is made in the aforementioned single layer of metallization coating of a single crystal,
- электрическое соединение другого конца резистивного элемента и нижние обкладки конденсаторов - в другом слое этого металлизационного покрытия.- the electrical connection of the other end of the resistive element and the lower plates of the capacitors are in another layer of this metallization coating.
Это обеспечивает включение полевого транзистора с барьером Шотки в гибридной интегральной схеме по схеме с однополярным питанием (такая схема питания транзистора называется схемой с автосмещением - режим автосмещения), и тем самым обеспечивается:This ensures the inclusion of a field-effect transistor with a Schottky barrier in a hybrid integrated circuit according to a unipolar power scheme (such a power supply circuit of the transistor is called a self-biased circuit - auto bias mode), and thereby provides:
- возможность установления рабочего режима работы полевого транзистора с барьером Шотки по постоянному току,- the ability to establish the operating mode of the field effect transistor with a Schottky barrier for direct current,
- и более того - в автоматическом режиме.- and moreover - in automatic mode.
И как следствие -And as a consequence -
во-первых, благодаря возможности использования небольших рабочих токов и тем самым обеспечения низкой рабочей температуры полевого транзистора с барьером Шотки и, соответственно, единого кристалла монолитной интегральной схемы - улучшение электрических характеристик и, прежде всего, стабильности коэффициента усиления,firstly, due to the possibility of using small operating currents and thereby ensuring a low operating temperature of a field-effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, a single crystal of a monolithic integrated circuit - improving the electrical characteristics and, above all, the stability of the gain,
во-вторых, благодаря сокращению в гибридной интегральной схеме количества сварных соединений, а именно исключению:secondly, due to the reduction in the number of welded joints in the hybrid integrated circuit, namely the exception:
а) разварки электрических проволочных соединений между верхними обкладками конденсаторов и электродом истока полевого транзистора с барьером Шотки,a) uncoupling of electrical wire connections between the upper plates of the capacitors and the source electrode of the field effect transistor with a Schottky barrier,
б) разварки электрических проволочных соединений между верхними обкладками конденсаторов и резистивным элементом.b) the separation of electrical wire connections between the upper plates of the capacitors and the resistive element.
И, как следствие этого (а и б), повышение технологичности и надежности.And, as a consequence of this (a and b), improving manufacturability and reliability.
Кроме того, исключается необходимость использования для гибридной интегральной схемы второго внешнего источника питания - источника питания отрицательной полярности.In addition, the need to use a second external power source — a negative polarity power source — is used for the hybrid integrated circuit.
Выполнение транзистора в виде полевого транзистора с барьером Шотки с шириной вывода - электрода затвора не более 500 мкм, с заданными величинами тока насыщения, не превышающего 150 мА, и напряжения отсечки в совокупности с указанным расположением резистивного элемента, а именно вне области канала полевого транзистора с барьером Шотки на расстоянии, равном не менее 20 мкм от электрода истока, обеспечивает значительное снижение, вплоть до полного исключения, нагрева единого кристалла монолитной интегральной схемы вследствие рассеивания значительной тепловой мощности на резистивном элементе и, как указано выше, тем самым обеспечение низкой рабочей температуры полевого транзистора с барьером Шотки и соответственно единого кристалла монолитной интегральной схемы и, как следствие - улучшение электрических характеристик.The implementation of the transistor in the form of a field-effect transistor with a Schottky barrier with an output width of a gate electrode of not more than 500 μm, with specified saturation currents not exceeding 150 mA, and a cut-off voltage in conjunction with the specified location of the resistive element, namely outside the channel transistor channel area with the Schottky barrier at a distance equal to at least 20 μm from the source electrode provides a significant reduction, up to the complete elimination, of heating a single crystal of a monolithic integrated circuit due to the scattering of thermal power on the resistive element and, as indicated above, thereby ensuring a low operating temperature of the field effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, a single crystal of a monolithic integrated circuit and, as a result, an improvement in electrical characteristics.
Экспериментально установлено, что при рабочих токах больше 75 мА (что соответствует току насыщения, примерно 150 мА) на резистивном элементе рассеиваться значительная мощность, что отрицательно сказывается на тепловом режиме работы полевого транзистора с барьером Шотки и соответственно единого кристалла монолитной интегральной схемы.It was experimentally established that at operating currents greater than 75 mA (which corresponds to a saturation current of approximately 150 mA), a significant power is dissipated by the resistive element, which negatively affects the thermal mode of operation of the field-effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, a single crystal of a monolithic integrated circuit.
Так, для полевого транзистора с барьером Шотки 3П612 с током насыщения 240 мА и напряжением отсечки минус 4 В, рабочий ток должен быть 15-50 процентов от тока насыщения, то есть порядка 36-120 мА.So, for a field-effect transistor with a 3P612 Schottky barrier with a saturation current of 240 mA and a cut-off voltage of minus 4 V, the operating current should be 15-50 percent of the saturation current, that is, about 36-120 mA.
Таким образом, напряжение на электроде истока полевого транзистора с барьером Шотки должно быть 2-3,5 В и, соответственно, рассеиваемая мощность резистивного элемента равнаThus, the voltage at the source electrode of the field-effect transistor with a Schottky barrier should be 2-3.5 V and, accordingly, the dissipated power of the resistive element is equal to
Ррас.=I×U=(2-3,5 В)×(120-36 мА)=126-240 мВт.Ras. = I × U = (2-3.5 V) × (120-36 mA) = 126-240 mW.
Эта дополнительная мощность приведет к повышению температуры полевого транзистора с барьером Шотки и соответственно единого кристалла монолитной интегральной схемы и тем самым - к ухудшению электрических характеристик гибридной интегральной схемы и, прежде всего коэффициента шума и коэффициента усиления.This additional power will lead to an increase in the temperature of a field effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, a single crystal of a monolithic integrated circuit, and thereby to a deterioration in the electrical characteristics of the hybrid integrated circuit and, above all, the noise figure and gain.
Выполнение сквозных металлизированных отверстий в едином кристалле монолитной интегральной схемы для электрического соединения нижних обкладок конденсаторов с металлизированной посадочной площадкой вне площади расположения этих конденсаторов обеспечивает исключение возможных нарушений целостности всех слоев пленочных конденсаторов (нижних и верхних обкладок и слоя диэлектрика) в отличие от случая их выполнения над сквозными металлизированными отверстиями и, как следствие - повышение надежности гибридной интегральной схемы СВЧ.The implementation of through metallized holes in a single crystal of a monolithic integrated circuit for the electrical connection of the lower plates of capacitors with a metallized landing pad outside the area of the location of these capacitors eliminates possible integrity violations of all layers of film capacitors (lower and upper plates and the dielectric layer) in contrast to the case of their execution over through metallized holes and, as a result, increased reliability of the hybrid microwave integrated circuit.
Частные случаи выполнения резистивного элемента, а именно пленочным на лицевой поверхности кристалла монолитной интегральной схемы, равно как и в виде легированного слоя в составе полуизолирующей полупроводниковой структуры с заданными легированными слоями обеспечивают исключение внутрисхемных достаточно длинных соединительных проводников, имеющих значительные паразитные индуктивности и емкости.Particular cases of the implementation of a resistive element, namely, a film on the front surface of the crystal of a monolithic integrated circuit, as well as in the form of a doped layer as part of a semi-insulating semiconductor structure with predetermined doped layers, ensure the exclusion of in-circuit sufficiently long connecting conductors having significant parasitic inductances and capacities.
И как следствие этого -And as a consequence of this -
- улучшение электрических и массогабаритных характеристик,- improvement of electrical and weight characteristics,
- повышение технологичности и надежности гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.- improving the manufacturability and reliability of the hybrid microwave integrated circuit.
Кроме того, технологические процессы, посредством которых выполняют резистивный элемент, являются на сегодня наиболее технологичными и оптимизированными и тем самым дополнительно обеспечивают улучшение электрических и массогабаритных характеристик и повышение их воспроизводимости.In addition, the technological processes by which the resistive element is performed are by far the most technologically advanced and optimized and thereby additionally provide an improvement in the electrical and weight and size characteristics and an increase in their reproducibility.
Указанные математические соотношения в совокупности с другими признаками обеспечивают оптимизацию работы гибридной интегральной схемы с точки зрения улучшения электрических характеристик и повышения их воспроизводимости.These mathematical relationships, together with other features, provide optimization of the hybrid integrated circuit in terms of improving electrical characteristics and increasing their reproducibility.
Итак, совокупность существенных признаков заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона позволит в полной мере реализовать технический результат, а именно - улучшение электрических и массогабаритных характеристик и повышение их воспроизводимости, повышение технологичности и надежности.So, the set of essential features of the declared hybrid integrated circuit microwave range will fully realize the technical result, namely, improving the electrical and weight and size characteristics and increasing their reproducibility, increasing manufacturability and reliability.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На Фиг.1 (а и б) представлен фрагмент заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, частный случай ее выполнения, в котором резистивный элемент выполнен пленочным на лицевой поверхности единого кристалла монолитной интегральной схемы, где:Figure 1 (a and b) shows a fragment of the claimed hybrid microwave integrated circuit, a special case of its implementation, in which the resistive element is made of film on the front surface of a single crystal monolithic integrated circuit, where:
- диэлектрическая подложка - 1,- dielectric substrate - 1,
- топологический рисунок металлизационного покрытия - 2,- topological drawing of a metallization coating - 2,
- экранное заземляющее металлизационное покрытие - 3,- screen grounding metallization coating - 3,
- металлическое теплоотводящее основание - 4,- metal heat sink base - 4,
- электро- и теплопроводящее вещество - 5,- electro-and heat-conducting substance - 5,
- металлизированная посадочная площадка - 6,- metallized landing pad - 6,
- транзистор - 7 в виде полевого транзистора с барьером Шотки,- transistor - 7 in the form of a field effect transistor with a Schottky barrier,
- выводы - электроды транзистора (исток-затвор-сток) - 8, 9, 10 соответственно,- conclusions - transistor electrodes (source-gate-drain) - 8, 9, 10, respectively,
- два конденсатора - 11, 12 соответственно,- two capacitors - 11, 12, respectively,
- верхние обкладки - 13, 14 и нижние обкладки - 15, 16 конденсаторов соответственно,- upper plates - 13, 14 and lower plates - 15, 16 capacitors, respectively,
- электрические соединения - 17, 18 одного из выводов транзистора (электрода истока) с верхними обкладками 13, 14 конденсаторов,- electrical connections - 17, 18 of one of the terminals of the transistor (source electrode) with the upper plates 13, 14 of the capacitors,
- единый кристалл монолитной интегральной схемы - 19,- a single crystal monolithic integrated circuit - 19,
- полуизолирующая полупроводниковая структура 20 с заданными активными - легированными слоями - 21,- semi-insulating semiconductor structure 20 with specified active - doped layers - 21,
- один слой металлизационного покрытия - 22 единого кристалла монолитной интегральной схемы,- one layer of metallization coating - 22 single crystal monolithic integrated circuit,
- сквозные металлизированные отверстия - 23 в едином кристалле монолитной интегральной схемы,- through metallized holes - 23 in a single crystal monolithic integrated circuit,
- резистивный элемент - 24,- the resistive element is 24,
- канал полевого транзистора с барьером Шотки - 25,- channel field-effect transistor with a Schottky barrier - 25,
- электрическое соединение одного из концов резистивного элемента с верхней обкладкой одного из конденсаторов - 26,- electrical connection of one of the ends of the resistive element with the upper lining of one of the capacitors - 26,
- электрическое соединение другого конца резистивного элемента с нижней обкладкой этого конденсатора - 27,- the electrical connection of the other end of the resistive element with the lower lining of this capacitor is 27,
- другой слой металлизационного покрытия - 28 единого кристалла монолитной интегральной схемы.- another layer of metallization coating - 28 single crystal monolithic integrated circuit.
На Фиг.2 (а и б) представлен фрагмент заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, частный случай ее выполнения, в котором резистивный элемент 24 выполнен в виде легированного слоя в составе полупроводниковой эпитаксиальной структуры 20 с заданными легированными слоями 21, при этом того же, в котором выполнен канал 25 полевого транзистора с барьером Шотки.Figure 2 (a and b) shows a fragment of the claimed hybrid microwave integrated circuit, a special case of its implementation, in which the
На фиг.3 представлена электрическая схема заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.Figure 3 presents the electrical circuit of the claimed hybrid integrated circuit microwave range.
Примеры конкретного выполнения заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.Examples of specific performance of the claimed hybrid integrated circuit microwave range.
Пример 1Example 1
Рассмотрен частный случай ее выполнения, в котором резистивный элемент 24 выполнен пленочным на лицевой поверхности единого кристалла монолитной интегральной схемы 19.A special case of its implementation is considered in which the
Прежде осуществляют выполнение единого кристалла монолитной интегральной схемы 19 в едином технологическом цикле посредством классической тонкопленочной технологии (размер кристалла 0,5×0,4×0,1 мм) на полуизолирующей полупроводниковой структуре 20, например на полуизолирующей подложке из арсенида галлия с заданными легированными слоями 21, например, n-типа проводимости толщиной 0,15 мкм и концентрацией 5×1017-5×1018 см-3, содержащий:First, a single crystal of a monolithic integrated circuit 19 is carried out in a single technological cycle by means of classical thin-film technology (crystal size 0.5 × 0.4 × 0.1 mm) on a semi-insulating semiconductor structure 20, for example, on a semi-insulating gallium arsenide substrate with predetermined doped layers 21, for example, n-type conductivity with a thickness of 0.15 μm and a concentration of 5 × 10 17 -5 × 10 18 cm -3 , containing:
- полевой транзистор с барьером Шотки 7, с выводами - электродами (далее электродами) 8, 9, 10 соответственно исток - затвор - сток со структурой металлизационного покрытия: титан - золото толщиной, равной 0,0001 и 0,0007 мм соответственно посредством напыления в вакууме, с последующем гальваническим осаждением золота толщиной, равной 3 мкм. Полевой транзистор с барьером Шотки выполнен с заданными величинами тока насыщения и напряжения отсечки, например 50 мА и 1,25 В соответственно;- field effect transistor with a Schottky barrier 7, with leads - electrodes (hereinafter referred to as electrodes) 8, 9, 10, respectively, source - gate - drain with a metallization coating structure: titanium - gold with a thickness of 0.0001 and 0.0007 mm, respectively, by sputtering in vacuum, followed by galvanic deposition of gold with a thickness of 3 μm. A field effect transistor with a Schottky barrier is made with the specified values of the saturation current and cutoff voltage, for example, 50 mA and 1.25 V, respectively;
- два конденсатора 11, 12, например, одинаковой емкостью 5 пФ, расположены, например, с противоположных сторон полевого транзистора с барьером Шотки 7, при этом оба конденсатора 11, 12 выполнены пленочными, верхние 13, 14 и нижние 15, 16 обкладки конденсаторов выполнены со структурой металлизационного покрытия титан - золото толщиной, равной 0,0001 и 0,0007 мм соответственно посредством напыления в вакууме, с последующим гальваническим осаждением золота толщиной, равной 3 мкм, слой диэлектрика конденсаторов - из двуокиси кремния толщиной, равной 0,0005 мм;- two capacitors 11, 12, for example, with the same capacitance of 5 pF, are located, for example, on opposite sides of a field-effect transistor with a Schottky barrier 7, while both capacitors 11, 12 are made of film, the upper 13, 14 and lower 15, 16 capacitor plates are made with the structure of a metallization coating titanium - gold with a thickness of 0.0001 and 0.0007 mm, respectively, by sputtering in vacuum, followed by galvanic deposition of gold with a thickness of 3 μm, the dielectric layer of the capacitors is made of silicon dioxide with a thickness of 0.0005 mm;
- электрические соединения 17 электрода истока 8 полевого транзистора с барьером Шотки 7 с верхними обкладками 13 одного из конденсаторов, например 11, выполнены из металлизационного покрытия титан - золото толщиной, равной 0,0001 и 0,0007 мм соответственно посредством напыления в вакууме, с последующим гальваническим осаждением золота толщиной, равной 3 мкм;- electrical connections 17 of the source electrode 8 of the field effect transistor with a Schottky barrier 7 with the upper plates 13 of one of the capacitors, for example 11, are made of a metallization coating titanium - gold with a thickness of 0.0001 and 0.0007 mm, respectively, by spraying in vacuum, followed by galvanic deposition of gold with a thickness of 3 μm;
- резистивный элемент 24 выполнен на лицевой поверхности единого кристалла монолитной интегральной схемы 19 пленочным посредством напыления тантала с толщиной слоя, равной 0,05 мкм (что соответствует электрическому сопротивлению примерно 40 Ом/мм2) с последующей фотолитографией,- the
при этомwherein
- электрическое соединение 26 одного из концов резистивного элемента 24 с верхней обкладкой 13 одного из конденсаторов, например 11, выполнены в одном слое металлизационного покрытия 22 единого кристалла 19, также с верхними обкладками 13, 14 конденсаторов 11 и 12, электродами полевого транзистора с барьером Шотки 7 (исток-затвор-сток) 8, 9, 10 соответственно и электрическими соединениями - 17, 18 одного из электродов (истока) полевого транзистора с барьером Шотки с верхними обкладками 13, 14 конденсаторов 11, 12, а электрическое соединение 27 другого конца резистивного элемента 24 и нижние обкладки 15, 16 конденсаторов 11, 12 выполнены в другом слое 28 этого металлизационного покрытия единого кристалла;- electrical connection 26 of one end of the
- в едином кристалле монолитной интегральной схемы 19 выполнены вне площади конденсаторов 11, 12 соответственно два сквозных металлизированных отверстия 23 для электрического соединения нижних обкладок 15, 16 конденсаторов 11, 12 с металлизированной посадочной площадкой 6.- in a single crystal monolithic integrated circuit 19 is made outside the area of the capacitors 11, 12, respectively, two through metallized holes 23 for electrical connection of the lower plates 15, 16 of the capacitors 11, 12 with a metallized landing pad 6.
Далее на диэлектрической подложке 1, например, поликоровой (керамика ВК-100), посредством классической тонкопленочной технологии выполнены:Further, on a dielectric substrate 1, for example, polycrustal (VK-100 ceramics), by means of classical thin-film technology, the following are performed:
- на лицевой ее стороне - топологический рисунок металлизационного покрытия 2,- on its front side is a topological drawing of a
- на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие 3.- on the reverse side - screen
При этом с одинаковой структурой металлизационного покрытия хром - медь - никель - золото (Сr 100 Ом/мм2, Сu 1 мкм, напыленные в вакууме, Сu 3 мкм, Ni 0,6 мкм и Аu 3 мкм, осажденные гальванически;Moreover, with the same metallization coating structure, chromium - copper - nickel - gold (Cr 100 Ohm / mm 2 , Cu 1 μm, sprayed in vacuum,
- металлизированная посадочная площадка 6.- metallized landing pad 6.
Диэлектрическая подложка 1 расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании 4 и соединена с ним электро- и теплопроводящим веществом 5, например припоем золото-кремний эвтектического состава.The dielectric substrate 1 is located on the reverse side on the metal heat sink base 4 and is connected to it by an electric and heat conducting substance 5, for example, a gold-silicon eutectic solder.
При этом металлизированная посадочная площадка 6 электрически соединена через сквозные металлизированные отверстия 23, заполненные припоем золото-кремний эвтектического состава с экранным заземляющим металлизационным покрытием 3.In this case, the metallized landing site 6 is electrically connected through the through metallized holes 23 filled with eutectic gold-silicon solder with a screen
Пример 2Example 2
Частный случай выполнения, в котором резистивный элемент 24 выполнен в виде легированного слоя в составе полупроводниковой эпитаксиальной структуры 20 в одном из заданных легированных слоев 21, при этом том же, в котором выполнен канал 25 полевого транзистора с барьером Шотки.A special case of execution, in which the
Работа заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.The work of the claimed hybrid integrated circuit microwave range.
Как видно из фиг.3, положительный полюс внешнего источника питания через фильтр питания присоединен к электроду стока ПТШ гибридной интегральной схемы. Электрод затвора ПТШ через фильтр питания присоединен к отрицательнму полюсу этого источника питания. Электрод истока ПТШ соединен через резистивный элемент с отрицательным полюсом этого источника питания.As can be seen from figure 3, the positive pole of the external power source through the power filter is connected to the drain electrode of the PTSh hybrid integrated circuit. The PTSh gate electrode through the power filter is connected to the negative pole of this power source. The source PTSh electrode is connected through a resistive element to the negative pole of this power source.
При подаче на электрод стока ПТШ положительного напряжения от внешнего источника питания по цепи - внешний источник питания - сток ПТШ - исток ПТШ - резистивный элемент - потечет ток.When a positive voltage is supplied to the PTSh drain electrode from an external power source through a circuit - an external power source - PTSH drain - PTSH source - resistive element - current flows.
Этот ток, проходя через резистивный элемент, создает напряжение смещения между электродами затвора и истока ПТШ. Последнее автоматически обеспечивает выбранную согласно указанному в формуле изобретения соотношению величину рабочего тока.This current, passing through the resistive element, creates a bias voltage between the gate and source electrodes of the PTSh. The latter automatically provides the value of the operating current selected in accordance with the ratio specified in the claims.
СВЧ сигнал поступает на электрод затвора ПТШ и усиленный, снимается с электрода стока ПТШ гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона.The microwave signal is fed to the PTSh gate electrode and amplified, removed from the PTSH drain electrode of the microwave integrated circuit.
На экспериментальных образцах гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона (примеры 1, 2) были измерены:On experimental samples of a hybrid microwave integrated circuit (examples 1, 2) were measured:
- коэффициент усиления (дБ),- gain (dB),
- коэффициент шума (дБ),- noise figure (dB),
- верхняя предельная рабочая частота (ГГц).- upper limit operating frequency (GHz).
Как показали измерения:As the measurements showed:
- коэффициент усиления составляет 10 дБ на образцах как примера 1, так и примера 2;- the gain is 10 dB on the samples of both example 1 and example 2;
- коэффициент шума составляет 2 дБ на образцах как примера 1, так и примера 2;- the noise figure is 2 dB on samples of both example 1 and example 2;
- верхняя предельная рабочая частота составляет 19,4 ГГц.- The upper limit operating frequency is 19.4 GHz.
Прототип имеет соответственно:The prototype has respectively:
- коэффициент усиления 8,5 дБ,- gain 8.5 dB,
- коэффициент шума 2 дБ,- noise figure 2 dB,
- верхняя предельная рабочая частота 18 ГГц.- The upper operating frequency limit is 18 GHz.
Как видно, по сравнению с прототипом:As can be seen, compared with the prototype:
- коэффициент усиления увеличен на 1,5 дБ,- gain increased by 1.5 dB,
- при сохранении величины коэффициент шума 2 дБ,- while maintaining the value, the noise figure is 2 dB,
- верхняя предельная рабочая частота увеличена на 1,4 ГГц.- The upper limit operating frequency is increased by 1.4 GHz.
Следует отметить, что для класса малошумящих балансных усилителей, в которых применяется режим автосмещения, это достаточно высокие характеристики.It should be noted that for the class of low-noise balanced amplifiers in which the auto-bias mode is used, these are rather high characteristics.
Таким образом, заявленная гибридная интегральная схема СВЧ-диапазона по сравнению с прототипом обеспечит:Thus, the claimed hybrid integrated circuit microwave range in comparison with the prototype will provide:
во-первых, улучшение электрических и массогабаритных характеристик и повышение их воспроизводимости;firstly, the improvement of electrical and overall dimensions and increase their reproducibility;
во-вторых, повышение технологичности и надежности.secondly, improving manufacturability and reliability.
Данная гибридная интегральная схема может найти широкое применение в электронных модулях СВЧ различного назначения и, прежде всего, в балансных малошумящих усилителях СВЧ, где требуется высокий коэффициент усиления и низкий коэффициент шума.This hybrid integrated circuit can be widely used in microwave electronic modules for various purposes and, above all, in balanced low-noise microwave amplifiers, where a high gain and low noise figure are required.
Источники информацииInformation sources
1. Патент РФ №2227345, МПК H01L 27/13, Н05 1/16, приоритет 26.02.2002, опубл. 20.04.04, бюл. №11.1. RF patent No. 2227345, IPC H01L 27/13, H05 1/16, priority 02/26/2002, publ. 04/20/04, bull. No. 11.
2. Патент РФ №2390877, МПК H01L 25/16, Н05К 1/02, приоритет изобретения 08.04.2009, опубл. 27.05.10 - прототип.2. RF patent No. 2390877, IPC H01L 25/16, H05K 1/02, priority of the invention 04/08/2009, publ. 05/27/10 - prototype.
Claims (3)
где Up - заданное напряжение отсечки полевого транзистора с барьером Шотки;
Id - рабочий ток полевого транзистора с барьером Шотки;
Idss - заданный максимальный ток насыщения при нулевом напряжении на затворе полевого транзистора с барьером Шотки, а рабочий ток выбран из соотношения:
Id=(0,15…0,5)·Idss.1. A hybrid microwave integrated circuit containing a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the reverse side is a screen grounding metallization coating, while the dielectric substrate is located on the back side on a metal heat sink and is connected to it by an electric and a heat-conducting substance, at least one metallized landing pad, electrically connected to a screen grounding metallization pad covering at least one transistor with leads, at least two capacitors located on different sides of the transistor, while one of the terminals of the transistor is electrically connected to the upper plates of the capacitors, the other two terminals are with the topological pattern of the metallization coating, the lower plates capacitors - with a metallized landing pad and through it - with a shield grounding metallization coating, each of them - a transistor with leads, two capacitors and the mentioned electrical connections of one of the terminals of the transistor is made in the form of at least one single crystal of a monolithic integrated circuit on a semi-insulating semiconductor structure with predetermined doped layers, said single crystal is located on a metallized landing pad, both capacitors are made of film, the upper plates of the capacitors, the terminals of the transistor and the aforementioned electrical the connections of one of the transistor leads are made in one layer of the metallization coating of the said single crystal, in the last through metallized holes for electrical connection of the lower plates of the capacitors with a metallized landing pad are distinguished, characterized in that the transistor is made in the form of a field-effect transistor with a Schottky barrier with an output width of the gate electrode of no more than 500 μm, with specified saturation currents not exceeding 150 mA, and cutoff voltage, each single crystal of a monolithic integrated circuit further comprises at least one resistive element with a given electrical resistance, resisting the ith element is made film on the front surface of the aforementioned single crystal or in the form of a doped layer in the composition of the aforementioned semiconductor structure, the resistive element is located outside the channel of the field-effect transistor with a Schottky barrier at a distance of at least 20 μm from the output electrode of the source, with one of the ends of the resistive the element is electrically connected to the top plate of one of the capacitors, and the other to the bottom plate of this capacitor, the electrical connection of one of the ends of the resistive element with the upper capacitor lining is made in the aforementioned one layer of the metallization coating of a single crystal, and the electrical connection of the other end of the resistive element and the lower plates of the capacitors are in the other layer of this metallization coating, and the through metallized holes in the said single crystal are made outside the capacitor area, while the electrical resistance the resistive element is set based on the ratio:
where U p - the specified voltage cutoff field-effect transistor with a Schottky barrier;
I d is the operating current of a field effect transistor with a Schottky barrier;
I dss is the specified maximum saturation current at zero voltage at the gate of the field-effect transistor with a Schottky barrier, and the operating current is selected from the relation:
I d = (0.15 ... 0.5) · I dss .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010154371/28A RU2449419C1 (en) | 2010-12-29 | 2010-12-29 | Hybrid integrated microwave circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010154371/28A RU2449419C1 (en) | 2010-12-29 | 2010-12-29 | Hybrid integrated microwave circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2449419C1 true RU2449419C1 (en) | 2012-04-27 |
Family
ID=46297661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010154371/28A RU2449419C1 (en) | 2010-12-29 | 2010-12-29 | Hybrid integrated microwave circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2449419C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2750860C1 (en) * | 2020-09-21 | 2021-07-05 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave hybrid integrated circuit |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592002A2 (en) * | 1992-10-09 | 1994-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit |
| RU2227345C2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Hybrid integrated circuit of shf range |
| RU2298255C1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | High-power hybrid microwave integrated circuit |
| RU2390071C1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Power hybrid microwave integrated circuit |
| RU2390877C1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-05-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Hybrid integrated microwave circuit |
-
2010
- 2010-12-29 RU RU2010154371/28A patent/RU2449419C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0592002A2 (en) * | 1992-10-09 | 1994-04-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave integrated circuit |
| RU2227345C2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Hybrid integrated circuit of shf range |
| RU2298255C1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | High-power hybrid microwave integrated circuit |
| RU2390071C1 (en) * | 2009-01-26 | 2010-05-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Power hybrid microwave integrated circuit |
| RU2390877C1 (en) * | 2009-04-08 | 2010-05-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Hybrid integrated microwave circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2750860C1 (en) * | 2020-09-21 | 2021-07-05 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave hybrid integrated circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9589927B2 (en) | Packaged RF amplifier devices with grounded isolation structures and methods of manufacture thereof | |
| CN102403316B (en) | Monolithic integrated microwave circuit | |
| US3986196A (en) | Through-substrate source contact for microwave FET | |
| US9337774B2 (en) | Packaged RF amplifier devices and methods of manufacture thereof | |
| KR20200068745A (en) | High Electron Mobility Transistor | |
| KR20090031818A (en) | Field effect transistor, semiconductor chip, and semiconductor device | |
| NL8202470A (en) | HIGH-FREQUENCY SWITCHING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FOR APPLICATION IN SUCH A DEVICE. | |
| US5708283A (en) | Flip chip high power monolithic integrated circuit thermal bumps | |
| US6900537B2 (en) | High power silicon carbide and silicon semiconductor device package | |
| JP6346643B2 (en) | Semiconductor package structure based on cascode circuit | |
| US7019362B2 (en) | Power MOSFET with reduced dgate resistance | |
| TWI819195B (en) | Field effect transistor and semiconductor device | |
| EP0015709B1 (en) | Constructional arrangement for semiconductor devices | |
| JP6615414B1 (en) | High frequency amplifier and high frequency amplifier module | |
| RU2390877C1 (en) | Hybrid integrated microwave circuit | |
| RU2449419C1 (en) | Hybrid integrated microwave circuit | |
| US11133303B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor arrangement comprising semiconductor devices | |
| US9000496B1 (en) | Source bridge for cooling and/or external connection | |
| CN105743451B (en) | A kind of radio-frequency power amplifier domain and radio-frequency power amplifier | |
| RU2498455C1 (en) | Powerful hybrid integral circuit of shf range | |
| US10199347B2 (en) | Semiconductor device | |
| RU2541725C1 (en) | Lead frame for multichip semiconductor microwave device | |
| CN112997296B (en) | Package for semiconductor device and semiconductor device | |
| CN220041605U (en) | Broadband chip capacitor, integrated circuit chip and power amplifier based on SLCC | |
| RU2458432C1 (en) | Powerful hybrid integral circuit of microwave range |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |