RU2440642C1 - Voltage converter - Google Patents

Voltage converter Download PDF

Info

Publication number
RU2440642C1
RU2440642C1 RU2010142907/28A RU2010142907A RU2440642C1 RU 2440642 C1 RU2440642 C1 RU 2440642C1 RU 2010142907/28 A RU2010142907/28 A RU 2010142907/28A RU 2010142907 A RU2010142907 A RU 2010142907A RU 2440642 C1 RU2440642 C1 RU 2440642C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
packet
semiconductor chips
voltage
switching element
converter
Prior art date
Application number
RU2010142907/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Бьерн ЯКОБСОН (SE)
Бьерн ЯКОБСОН
Гуннар АСПЛУНД (SE)
Гуннар АСПЛУНД
Original Assignee
Абб Текнолоджи Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Абб Текнолоджи Аг filed Critical Абб Текнолоджи Аг
Priority to RU2010142907/28A priority Critical patent/RU2440642C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2440642C1 publication Critical patent/RU2440642C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: multisectional voltage converter comprises at least one phase output connected to opposite poles of DC converter voltage, and subsequent connection of switching elements, besides, each switching element has at one side at least two semiconductor chips, and at the other side there is at least one capacitor that accumulates energy. The middle point of the serial connection forms a phase output, which is configured with the possibility of connection to the side of AC converter voltage and division of phase output into a branch of upper valves and a branch of lower valves. The semiconductor chips of switching elements are arranged in packets comprising at least two chips. The converter comprises a layout, for application of pressure to opposite ends of each packet for provision of electric contact between chips in the packet. Chips have plate structure and are arranged so that their larger sides are directed towards continuation of the packet. At least two semiconductor chips are related to one switching element, and adjacent chips related to one switching element are divided by a metal plate for provision of electric contact.
EFFECT: invention makes it possible to create an improved voltage converter with increased reliability of connections.
19 cl, 11 dwg

Description

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИFIELD OF TECHNOLOGY

Настоящее изобретение относится к преобразователю напряжения, имеющему, по меньшей мере, один фазовый вывод, соединенный с противоположными полюсами стороны постоянного напряжения преобразователя, и содержащему последовательное соединение переключающих элементов, причем каждый переключающий элемент имеет с одной стороны, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа, каждый из которых имеет полупроводниковое устройство запираемого типа и обратный диод, подключенные параллельно ему, а с другой стороны, по меньшей мере, один запасающий энергию конденсатор, при этом средняя точка последовательного соединения образует фазовый выход, сконфигурированный с возможностью подключения к стороне переменного напряжения преобразователя и разделения фазового вывода на ветвь верхних вентилей и ветвь нижних вентилей, причем каждый переключающий элемент сконфигурирован с возможностью получения двух переключающих состояний путем управления полупроводниковыми устройствами каждого переключающего элемента, а именно первого переключающего состояния и второго переключающего состояния, в которых напряжение, по меньшей мере, на одном запасающем энергию конденсаторе и нулевое напряжение соответственно прикладываются к контактам переключающего элемента для получения определенного переменного напряжения на фазовом выходе.The present invention relates to a voltage converter having at least one phase terminal connected to opposite poles of the DC side of the converter and comprising a series connection of the switching elements, each switching element having at least two semiconductor chips on one side, each of which has a lockable semiconductor device and a reverse diode connected in parallel with it, and on the other hand, at least one storage energy is a capacitor, while the midpoint of the series connection forms a phase output configured to connect the converter to the AC voltage side and separate the phase output into the branch of the upper valves and the branch of the lower valves, and each switching element is configured to receive two switching states by controlling semiconductor devices each switching element, namely the first switching state and the second switching state scattering, in which the voltage of at least one capacitor to store energy and a zero voltage respectively applied to the terminals of the switching element to obtain a certain alternating voltage on the phase output.

Такие преобразователи содержат любое число фазовых выводов, но они обычно имеют три таких фазовых вывода для получения трехфазного переменного напряжения на стороне переменного напряжения.Such converters contain any number of phase terminals, but they usually have three such phase terminals to produce a three-phase alternating voltage on the alternating voltage side.

Преобразователь напряжения указанного типа может применяться во всевозможных ситуациях, в которых постоянное напряжение должно преобразовываться в переменное напряжение или наоборот, при этом к примерам таких применений относятся подстанции электростанций постоянного тока высокого напряжения, в которых постоянное напряжение обычно преобразуется в трехфазное переменное напряжение или наоборот, либо так называемые возвратные станции, в которых переменное напряжение сначала преобразуется в постоянное напряжение, а затем оно преобразуется в переменное напряжение. Он также может использоваться для поглощения или введения реактивной мощности в сети переменного напряжения.A voltage converter of the indicated type can be used in all kinds of situations in which a direct voltage must be converted to an alternating voltage or vice versa, while examples of such applications include substations of high voltage direct current power plants in which a constant voltage is usually converted to a three-phase alternating voltage or vice versa, or the so-called return stations, in which the alternating voltage is first converted to direct voltage, and then it is converted is connected to alternating voltage. It can also be used to absorb or inject reactive power into an ac voltage network.

ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИBACKGROUND OF THE INVENTION

Преобразователь напряжения указанного типа известен, например, из DE 10103031 A1 и WO 2007/023064 A1 и обычно называется многосекционным преобразователем или M2LC. Данные публикации упоминаются при описании функционирования преобразователя указанного типа. Переключающие элементы преобразователя могут отличаться от показанных в публикациях, и, например, возможно, что каждый переключающий элемент имеет более одного запасающего энергию конденсатора, поскольку возможно управление переключением переключающего элемента между двумя состояниями, упомянутыми ранее.A voltage converter of this type is known, for example, from DE 10103031 A1 and WO 2007/023064 A1 and is commonly referred to as a multi-section converter or M2LC. These publications are mentioned in the description of the operation of the converter of the specified type. The switching elements of the converter may differ from those shown in the publications, and, for example, it is possible that each switching element has more than one energy storage capacitor, since it is possible to control the switching of the switching element between the two states mentioned earlier.

Настоящее изобретение главным образом, но не исключительно, относится к таким преобразователям напряжения, сконфигурированным с возможностью передачи больших мощностей, и по этой причине ниже будут описаны в основном случаи передачи больших мощностей с целью разъяснения настоящего изобретения, но никоим образом не его ограничения. При использовании преобразователя напряжения для передачи больших мощностей это также означает, что большие напряжения выдерживаются, а напряжение на стороне постоянного напряжения преобразователя определяется напряжениями на запасающих энергию конденсаторах переключающих элементов и обычно устанавливается на уровне половины суммы этих напряжений. Это означает, что относительно большое число таких переключающих элементов должно подключаться последовательно, либо большое число полупроводниковых устройств, т.е. полупроводниковых чипов, должно подключаться последовательно в каждом переключающем элементе, и преобразователь напряжения такого типа особенно интересен, когда число переключающих элементов на фазовом выводе относительно велико, например, по меньшей мере, 8. Большое число подключенных последовательно переключающих элементов означает, что можно будет управлять этими переключающими элементами для изменения состояния между первым и вторым переключающим состоянием и уже на фазовом выходе получать переменное напряжение, очень близкое к синусоидальному напряжению. Это может быть достигнуто уже посредством существенно более низких частот коммутации, чем обычно используемые в известных преобразователях напряжения показанного на Фиг.1 типа в DE 10103031 A1, имеющих переключающие элементы, по меньшей мере, с одним полупроводниковым устройством запираемого типа и, по меньшей мере, одним обратным диодом, подключенными встречно-параллельно ему. Это позволяет достичь достаточно низких потерь и, кроме того, значительно уменьшить проблемы фильтрации, гармонических токов и радиопомех, вследствие чего оборудование может оказаться дешевле.The present invention mainly, but not exclusively, relates to such voltage converters configured to transmit large powers, and for this reason, mainly high power transmission cases will be described below in order to clarify the present invention, but in no way limitation thereof. When using a voltage converter to transmit large powers, this also means that high voltages are maintained, and the voltage on the DC side of the converter is determined by the voltages at the energy-storage capacitors of the switching elements and is usually set at half the sum of these voltages. This means that a relatively large number of such switching elements must be connected in series, or a large number of semiconductor devices, i.e. semiconductor chips should be connected in series in each switching element, and this type of voltage converter is especially interesting when the number of switching elements on the phase output is relatively large, for example, at least 8. A large number of connected series-switching elements means that you can control these switching elements for changing the state between the first and second switching state and already at the phase output receive an alternating voltage very close sinusoidal voltage. This can be achieved already by means of significantly lower switching frequencies than commonly used in the known voltage converters of the type shown in FIG. 1 in DE 10103031 A1 having switching elements with at least one lockable semiconductor device and at least one reverse diode connected counter-parallel to it. This allows you to achieve sufficiently low losses and, in addition, significantly reduce the problems of filtering, harmonic currents and radio interference, as a result of which the equipment may be cheaper.

Однако большое число подключенных параллельно переключающих элементов и запасающие энергию конденсаторы, относящиеся к этим переключающим элементам, делают преобразователи напряжения такого типа довольно объемистыми, так что, например, в случае подстанции электростанции высокого напряжения на постоянном токе для таких преобразователей должны строиться очень большие вентильные залы.However, a large number of switching elements connected in parallel and energy storage capacitors related to these switching elements make voltage converters of this type rather bulky, so, for example, in the case of a substation of a high voltage direct current power station, very large valve rooms must be built for such converters.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ СУЩЕСТВА ИЗОБРЕТЕНИЯSUMMARY OF THE INVENTION

Задачей настоящего изобретения является создание преобразователя напряжения указанного типа, усовершенствованного, по меньшей мере, по некоторым аспектам по сравнению с уже известными преобразователями напряжения.An object of the present invention is to provide a voltage converter of the indicated type, improved in at least some aspects compared to voltage converters already known.

Указанная задача в соответствии с настоящим изобретением решается созданием такого преобразователя напряжения, в котором полупроводниковые чипы переключающих элементов размещены пакетами, каждый из которых содержит, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа, причем данный преобразователь содержит компоновку, сконфигурированную с возможностью приложения давления к противоположным концам каждого из пакетов для прижатия чипов друг к другу, для получения электрического контакта между полупроводниковыми чипами в пакетах.The specified task in accordance with the present invention is solved by creating such a voltage Converter, in which the semiconductor chips of the switching elements are placed in packets, each of which contains at least two semiconductor chips, and this Converter contains an arrangement configured to apply pressure to the opposite ends of each from packets for pressing chips to each other, to obtain electrical contact between semiconductor chips in packets.

Благодаря использованию так называемого прижимного метода, известного из патента US 5705853, такой тип преобразователей напряжения может быть выполнен более компактным, чем ранее, вследствие чего их размеры могут быть уменьшены, в частности, для зданий в виде вентильных залов для таких преобразователей. Полупроводниковые чипы в преобразователях такого типа до настоящего времени соединялись винтовыми соединениями, которые требуют большего пространства с целью обеспечения доступа к винтам или болтам для их затягивания. Получение электрического контакта между полупроводниковыми чипами путем размещения их пакетом и прижатия друг к другу приводит также к повышению надежности таких соединений по сравнению с известными решениями.Due to the use of the so-called clamping method, known from US Pat. No. 5,705,853, this type of voltage converter can be made more compact than before, as a result of which their dimensions can be reduced, in particular for buildings in the form of valve rooms for such converters. The semiconductor chips in converters of this type have so far been connected by screw connections, which require more space in order to provide access to screws or bolts for tightening them. Obtaining electrical contact between semiconductor chips by placing them in a packet and pressing them against each other also leads to an increase in the reliability of such compounds compared to known solutions.

В соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения компоновка содержит средство, выполненное с возможностью приложения к каждому из пакетов давления нагруженной пружины, подталкивающего два конца пакета друг к другу и в то же время освобождающего потенциальную энергию, запасаемую в элементах средства. Могут использоваться элементы любого типа, запасающие потенциальную энергию при сжатии и в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения являющиеся пружинами, действующими, по меньшей мере, на один конец каждого пакета, причем в качестве пружин могут использоваться механические пружины, а также пружины другого типа, например, газовые пружины. Это означает, что электрический контакт между полупроводниковыми чипами в пакете может быть получен с высокой надежностью независимо от неправильности его размеров, как, например, в случае параллельного соединения полупроводниковых чипов в пакете.According to one embodiment of the present invention, the arrangement comprises means adapted to apply to each of the pressure packets a loaded spring pushing the two ends of the packet against each other and at the same time releasing potential energy stored in the elements of the means. Elements of any type that store potential energy during compression and in accordance with another embodiment of the present invention can be used are springs acting at least on one end of each package, and mechanical springs can be used as springs, as well as springs of another type, for example, gas springs. This means that the electrical contact between the semiconductor chips in the package can be obtained with high reliability, regardless of the incorrectness of its size, as, for example, in the case of parallel connection of semiconductor chips in the package.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения компоновка содержит две торцевые пластины, сконфигурированные с возможностью размещения вблизи противоположных концов пакета, и удлиненные элементы, соединяющие пластины и в то же время определяющие расстояние между ними, причем элементы, запасающие потенциальную энергию, выполнены с возможностью действовать между, по меньшей мере, одной из пластин и соответствующим концом пакета с целью расталкивания этой торцевой пластины и пакета при сжатии пакета. Компоновка может далее содержать средство, сконфигурированное с возможностью обеспечения смещения, по меньшей мере, одной из пластин вдоль соединительных элементов в ее продольном направлении для изменения расстояния и тем самым давления, приложенного к пакету таким образом, что то же самое оборудование в виде компоновки может быть использовано для различных пакетов и приспособлено к ним.According to another embodiment of the present invention, the arrangement comprises two end plates configured to be placed close to opposite ends of the stack and elongated elements connecting the plates and at the same time determining the distance between them, the elements storing potential energy being configured to act between at least one of the plates and the corresponding end of the package to push this end plate and package when the package is compressed. The arrangement may further comprise means configured to allow displacement of at least one of the plates along the connecting elements in its longitudinal direction to change the distance and thereby the pressure applied to the package so that the same equipment in the form of an arrangement can be used for various packages and adapted to them.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения компоновка содержит дополнительную пластину, сконфигурированную с возможностью наложения на один конец пакета и перемещаемую относительно удлиненных элементов в их продольном направлении, причем элементы, запасающие потенциальную энергию, выполнены с возможностью расталкивания дополнительной пластины и расположенной рядом с ней торцевой пластины для сжатия пакета.According to another embodiment of the present invention, the arrangement comprises an additional plate configured to be superimposed on one end of the packet and moved relative to the elongated elements in their longitudinal direction, the elements storing potential energy are configured to push the additional plate and an adjacent end plate plate to compress the package.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения полупроводниковые чипы имеют пластинчатую структуру и расположены таким образом, что их большие стороны направлены в направлении продолжения пакета.In accordance with another embodiment of the present invention, the semiconductor chips have a wafer structure and are arranged so that their large sides are directed in the direction of the continuation of the package.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа относятся к одному и тому же переключающему элементу, а смежные полупроводниковые чипы, относящиеся к одному и тому же переключающему элементу, разделены металлической пластиной, вставленной между ними с целью получения электрического соединения между двумя чипами путем прижатия их к металлической пластине. Это означает, что между полупроводниковыми чипами, относящимися к одному и тому же переключающему элементу, может быть обеспечен надежный и качественный электрический контакт.According to another embodiment of the present invention, at least two semiconductor chips belong to the same switching element, and adjacent semiconductor chips related to the same switching element are separated by a metal plate inserted between them in order to obtain an electrical connections between two chips by pressing them to a metal plate. This means that reliable and high-quality electrical contact can be ensured between semiconductor chips belonging to the same switching element.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения металлические пластины расположены на обеих сторонах каждого полупроводникового чипа, что, в частности, предпочтительно для обеспечения возможности использования таких металлических пластин с целью охлаждения полупроводниковых чипов.According to another embodiment of the present invention, metal plates are located on both sides of each semiconductor chip, which is, in particular, preferable to enable the use of such metal plates to cool the semiconductor chips.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения каждый пакет содержит, по меньшей мере, все полупроводниковые чипы, относящиеся к одному и тому же переключающему элементу.In accordance with another embodiment of the present invention, each packet contains at least all of the semiconductor chips related to the same switching element.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения каждый пакет содержит полупроводниковые чипы из множества переключающих элементов, что делает преобразователь очень компактным.According to another embodiment of the present invention, each packet contains semiconductor chips of a plurality of switching elements, which makes the converter very compact.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения каждый пакет содержит полупроводниковые чипы одного переключающего элемента, размещенные в подпакете, причем все подпакеты, сжимаемые одной и той же компоновкой, расположены друг на друге в одном пакете, причем электроизолирующий слой помещен между такими смежными подпакетами и разделяет их, а проводник размещен для электрического соединения смежных подпакетов и тем самым смежных переключающих элементов в последовательном соединении друг с другом. Такая конструкция пакета позволяет разместить несколько переключающих элементов, и даже все переключающие элементы ветви вентилей, в одном пакете, делая преобразователь очень компактным.In accordance with another embodiment of the present invention, each packet contains semiconductor chips of one switching element located in a subpacket, all subpackets compressed by the same arrangement being arranged on top of each other in the same packet, the electrical insulating layer being placed between such adjacent subpackets and separating them, and the conductor is placed to electrically connect adjacent subpackets and thereby adjacent switching elements in series connection with each other. This package design allows you to place several switching elements, and even all switching elements of the valve branch, in one package, making the converter very compact.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения полупроводниковые чипы, сжимаемые одной и той же компоновкой, расположены, по меньшей мере, в двух параллельных пакетах, причем каждый параллельный пакет содержит множество наложенных переключающих элементов, причем в каждом из них полупроводниковые чипы расположены в подпакете, причем все подпакеты каждого из пакетов размещены друг на друге для формирования одного из параллельных пакетов, при этом электроизолирующий слой помещен между такими смежными подпакетами и разделяет их, причем каждый переключающий элемент подпакета содержит две металлические пластины, разделенные, по меньшей мере, одним полупроводниковым чипом данного переключающего элемента, и параллельные пакеты взаимно смещены в их продольном направлении, так, что для каждого переключающего элемента относящиеся к нему две металлические пластины соединены и объединены с различными смежными переключающими элементами другого параллельного пакета, чтобы получить последовательное соединение двух переключающих элементов, разделенных изолирующим слоем в одном параллельном пакете, при этом переключающий элемент другого параллельного пакета размещен в данном последовательном соединении между двумя переключающими элементами. Такой способ получения последовательного соединения переключающих элементов, или секций, в зигзагообразной структуре позволяет выполнить преобразователь еще более компактным и сократить размеры (длину) вентильных зданий.In accordance with another embodiment of the present invention, semiconductor chips compressed by the same arrangement are arranged in at least two parallel packets, each parallel packet containing a plurality of superimposed switching elements, each of which semiconductor chips are located in a subpacket, moreover, all subpackages of each of the packages are placed on top of each other to form one of the parallel packets, while the electrical insulating layer is placed between such adjacent subpackages and separates them, and each switching element of the subpacket contains two metal plates separated by at least one semiconductor chip of this switching element, and parallel packets are mutually offset in their longitudinal direction, so that for each switching element two metal plates belonging to it connected and combined with various adjacent switching elements of another parallel packet to obtain a series connection of two switching elements, separated x with an insulating layer in one parallel packet, while the switching element of another parallel packet is placed in this serial connection between two switching elements. This method of obtaining a series connection of switching elements, or sections, in a zigzag structure allows the converter to be made even more compact and to reduce the size (length) of the valve buildings.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения металлические пластины оснащены каналами, а преобразователь содержит средство, сконфигурированное с возможностью циркулирования охлаждающей среды по каналам для охлаждения полупроводниковых чипов, смежных с металлическими пластинами, при этом охлаждающей средой в предпочтительном варианте осуществления является вода, хотя возможны и другие типы охлаждающих сред. Использование такого способа охлаждения влечет за собой дополнительное преимущество описанного выше варианта осуществления с параллельными пакетами, поскольку это означает, что число соединений охлаждающей среды с переключающими элементами преобразователя может быть сокращено наполовину от числа, требуемого в том случае, если его переключающие элементы не имеют таких общих металлических пластин.In accordance with another embodiment of the present invention, the metal plates are provided with channels, and the converter comprises means configured to circulate the cooling medium through the channels for cooling semiconductor chips adjacent to the metal plates, while the cooling medium in the preferred embodiment is water, although other types of cooling media. The use of such a cooling method entails an additional advantage of the above-described embodiment with parallel packages, since this means that the number of connections of the cooling medium with the switching elements of the converter can be reduced by half by the number required if its switching elements do not have such common metal plates.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения каждый переключающий элемент содержит более двух полупроводниковых чипов, расположенных в пакете. Преимущество размещения большего числа полупроводниковых чипов в каждом переключающем элементе состоит в том, что можно сократить расходы ввиду меньшего числа соединений, требуемых для переключающих элементов, вследствие меньшего числа переключающих элементов. Однако имеется компромиссный выбор между этим преимуществом и преимуществом лучшего качества переменного напряжения, получаемого на фазовом выходе в случае большего числа переключающих элементов или секций.In accordance with another embodiment of the present invention, each switching element comprises more than two semiconductor chips arranged in a packet. The advantage of placing a larger number of semiconductor chips in each switching element is that it is possible to reduce costs due to the lower number of connections required for the switching elements due to the smaller number of switching elements. However, there is a tradeoff between this advantage and the advantage of better quality AC voltage obtained at the phase output in the case of a larger number of switching elements or sections.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения каждый переключающий элемент имеет 2N полупроводниковых чипов, следующих друг за другом в пакете, при этом N является целым числом ≥ 2.In accordance with another embodiment of the present invention, each switching element has 2N semiconductor chips following each other in a packet, wherein N is an integer ≥ 2.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения число переключающих элементов фазового вывода составляет ≥ 8, 12-32, 16-24 или 50-150. Преобразователь такого типа, как упоминалось выше, особенно интересен, когда число переключающих элементов фазового вывода довольно велико, в результате чего на фазовом выводе можно получить большое число возможных уровней импульсов напряжения.According to another embodiment of the present invention, the number of phase output switching elements is ≥ 8, 12-32, 16-24, or 50-150. A converter of this type, as mentioned above, is especially interesting when the number of switching elements of the phase output is quite large, as a result of which a large number of possible voltage pulse levels can be obtained at the phase output.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения полупроводниковые устройства чипов переключающих элементов являются биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT) или запираемыми тиристорами. Эти полупроводниковые устройства подходят для таких преобразователей, хотя возможны и другие полупроводниковые устройства запираемого типа, такие как запираемые тиристоры с коммутируемым затвором.In accordance with another embodiment of the present invention, the semiconductor devices of the switching element chips are IGBTs or lockable thyristors. These semiconductor devices are suitable for such converters, although other lockable semiconductors are possible, such as lockable thyristors with a switching gate.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения преобразователь сконфигурирован с возможностью подключения стороны постоянного напряжения к сети постоянного напряжения для передачи постоянного тока высокого напряжения и подключение стороны переменного напряжения к линии фазы переменного напряжения, относящейся к сети переменного напряжения. Это связано с тем, что для особенно интересного применения преобразователя данного типа требуется большое число полупроводниковых чипов.According to another embodiment of the present invention, the converter is configured to connect the DC side to a DC voltage network for transmitting high voltage DC and connecting the AC side to an AC voltage phase line related to the AC voltage network. This is due to the fact that for a particularly interesting application of this type of converter, a large number of semiconductor chips are required.

В соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения преобразователь сконфигурирован с возможностью получения постоянного напряжения на двух полюсах величиной 1 кВ - 1200 кВ, 10 кВ - 1200 кВ или 100 кВ - 1200 кВ. Настоящее изобретение тем интереснее, чем выше постоянное напряжение.In accordance with another embodiment of the present invention, the converter is configured to receive a DC voltage at two poles of 1 kV - 1200 kV, 10 kV - 1200 kV, or 100 kV - 1200 kV. The present invention is all the more interesting the higher the DC voltage.

Настоящее изобретение относится также к установке для передачи электроэнергии согласно приведенному с этой целью пункту формулы изобретения. Размер подстанций такой установки может быть уменьшен по сравнению с уже известными установками при использовании преобразователя напряжения описанного во вступлении типа.The present invention also relates to a power transmission apparatus according to the claim. The size of substations of such an installation can be reduced in comparison with the already known installations when using the voltage converter described in the introduction of the type.

Другие преимущества, а также достоинства настоящего изобретения будут ясны из нижеследующего описания.Other advantages as well as advantages of the present invention will be apparent from the following description.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

В дальнейшем изобретение поясняется описанием предпочтительных вариантов воплощения со ссылками на сопроводительные чертежи, на которых:The invention is further explained in the description of the preferred embodiments with reference to the accompanying drawings, in which:

Фиг.1 изображает упрощенный вид преобразователя напряжения типа согласно настоящему изобретению;Figure 1 depicts a simplified view of a voltage converter type according to the present invention;

Фиг.2 и Фиг.3 изображают два различных известных переключающих элемента, которые могут входить в состав преобразователя напряжения в соответствии с настоящим изобретением;Figure 2 and Figure 3 depict two different known switching elements that can be included in the voltage Converter in accordance with the present invention;

Фиг.4 изображает упрощенный вид, очень схематично иллюстрирующий преобразователь напряжения в соответствии с настоящим изобретением;Figure 4 is a simplified view, very schematically illustrating a voltage converter in accordance with the present invention;

Фиг.5 изображает упрощенный вид, иллюстрирующий, как могут накладываться два переключающих элемента в одном пакете в преобразователе в соответствии с первым вариантом осуществления настоящего изобретения;5 is a simplified view illustrating how two switching elements in one package in a converter can be superimposed in accordance with a first embodiment of the present invention;

Фиг.6 изображает упрощенный вид, иллюстрирующий принципы получения и размещения пакетов переключающих элементов типа, показанного на Фиг.5, в преобразователе в соответствии с первым вариантом осуществления настоящего изобретения;6 is a simplified view illustrating the principles of receiving and placing packets of switching elements of the type shown in FIG. 5 in a converter in accordance with a first embodiment of the present invention;

Фиг.7 изображает упрощенный вид, соответствующий Фиг.5, части так называемого параллельного пакета переключающих элементов преобразователя в соответствии со вторым вариантом осуществления настоящего изобретения;Fig.7 depicts a simplified view corresponding to Fig.5, part of the so-called parallel package of switching elements of the Converter in accordance with the second embodiment of the present invention;

Фиг.8 изображает принципиальную схему части параллельного пакета, показанного на Фиг.7;Fig. 8 is a circuit diagram of a portion of the parallel packet shown in Fig. 7;

Фиг.9 изображает принципиальную схему, иллюстрирующую переключающий элемент преобразователя в соответствии с третьим вариантом осуществления настоящего изобретения;Fig. 9 is a circuit diagram illustrating a switching element of a converter according to a third embodiment of the present invention;

Фиг.10 изображает упрощенный вид, иллюстрирующий переключающий элемент в соответствии с Фиг.9;FIG. 10 is a simplified view illustrating a switching element in accordance with FIG. 9;

Фиг.11 изображает упрощенный вид сверху переключающего элемента, показанного на Фиг.10.11 is a simplified top view of the switching element shown in FIG. 10.

ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯDESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS OF THE INVENTION

На Фиг.1 очень схематично показана общая конструкция преобразователя 1 напряжения типа, к которому относится настоящее изобретение. Данный преобразователь имеет три фазовых вывода 2-4, подключенные к противоположным полюсам 5, 6 стороны постоянного напряжения преобразователя, например, к сети постоянного напряжения для передачи постоянного тока высокого напряжения. Каждый фазовый вывод содержит последовательное соединение переключающих элементов 7, обозначенных прямоугольниками, в данном случае в количестве 16, и это последовательное соединение разделено на две одинаковые части - ветвь 8 верхних вентилей и ветвь 9 нижних вентилей, разделенные средней точкой 10-12, которая образует фазовый выход, сконфигурированный с возможностью соединения со стороной переменного напряжения преобразователя. Фазовые выходы 10-12 могут быть подключены, возможно, через трансформатор, к трехфазной сети переменного напряжения, нагрузке и т.д. На стороне переменного напряжения установлено также фильтрующее оборудование для улучшения формы переменного напряжения на стороне переменного напряжения.Figure 1 shows very schematically the general construction of a voltage converter 1 of the type to which the present invention relates. This converter has three phase outputs 2-4 connected to the opposite poles 5, 6 of the DC side of the converter, for example, to a DC voltage network for transmitting high voltage direct current. Each phase output contains a series connection of switching elements 7, indicated by rectangles, in this case, in the amount of 16, and this series connection is divided into two identical parts - branch 8 of the upper valves and branch 9 of the lower valves, separated by a midpoint 10-12, which forms a phase output configured to be connected to the AC side of the converter. Phase outputs 10-12 can be connected, possibly via a transformer, to a three-phase AC voltage network, load, etc. Filtering equipment has also been installed on the AC side to improve the shape of the AC voltage on the AC side.

Компоновка 13 управления выполнена с возможностью управления переключающими элементами 7 и тем самым преобразователем с целью преобразования постоянного напряжения в переменное напряжение, и наоборот.The control arrangement 13 is adapted to control the switching elements 7 and thereby the converter in order to convert the direct voltage to alternating voltage, and vice versa.

Преобразователь напряжения имеет переключающие элементы 7 типа, имеющего, с одной стороны, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа, каждый из которых имеет полупроводниковое устройство запираемого типа и обратный диод, подключенный параллельно ему, а с другой стороны, по меньшей мере, один запасающий энергию конденсатор, причем два примера таких переключающих элементов изображены на Фиг.2 и Фиг.3. Контакты 14, 15 переключающего элемента выполнены с возможностью соединения со смежными переключающими элементами в последовательном соединении переключающих элементов, образующем фазовый вывод. Полупроводниковые устройства 16, 17 в данном случае представляют собой IGBT-транзисторы, подключенные параллельно диодам 18, 19. Запасающий энергию конденсатор 20 подключен параллельно соответствующему последовательному соединению диодов и полупроводниковых устройств. Один контакт 14 соединен со средней точкой между двумя полупроводниковыми устройствами, а также со средней точкой между двумя диодами. Другой контакт 15 соединен с запасающим энергию конденсатором 20, в варианте осуществления, изображенном на Фиг.2, к одной его стороне, а в варианте осуществления, изображенном на Фиг.3, к другой его стороне. Отметим, что каждое полупроводниковое устройство и каждый диод, как показано на Фиг.2 и Фиг.3, может использоваться в количестве больше одного и подключаться последовательно для выдерживания требуемых напряжений, а подключенные таким образом полупроводниковые элементы могут далее управляться одновременно, чтобы действовать как одно полупроводниковое устройство.The voltage converter has type 7 switching elements having, on the one hand, at least two semiconductor chips, each of which has a lockable type semiconductor device and a reverse diode connected in parallel with it, and on the other hand, at least one energy storage a capacitor, two examples of such switching elements being shown in FIG. 2 and FIG. 3. The contacts 14, 15 of the switching element are configured to connect to adjacent switching elements in a series connection of the switching elements forming a phase output. The semiconductor devices 16, 17 in this case are IGBT transistors connected in parallel with the diodes 18, 19. The energy storage capacitor 20 is connected in parallel with the corresponding serial connection of the diodes and semiconductor devices. One pin 14 is connected to a midpoint between two semiconductor devices, as well as to a midpoint between two diodes. Another contact 15 is connected to the energy storage capacitor 20, in the embodiment shown in FIG. 2, to one side thereof, and in the embodiment shown in FIG. 3, to its other side. Note that each semiconductor device and each diode, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, can be used in an amount greater than one and connected in series to withstand the required voltages, and the semiconductor elements so connected can be further controlled simultaneously to act as one semiconductor device.

Показанные на Фиг.2 и Фиг.3 переключающие элементы могут управляться для получения одного из а) первого переключающего состояния и b) второго переключающего состояния, в котором к контактам 14, 15 прикладывается а) напряжение на конденсаторе 20 и b) нулевое напряжение. Для получения первого состояния на Фиг.2 полупроводниковое устройство 16 включается, а полупроводниковое устройство 17 выключается, а в варианте осуществления в соответствии с Фиг.3 полупроводниковое устройство 17 включается, а полупроводниковое устройство 16 выключается. Переключающие элементы переключаются во второе состояние путем изменения состояния полупроводниковых устройств, так, что в варианте осуществления в соответствии с Фиг.2 полупроводниковое устройство 16 выключается, а полупроводниковое устройство 17 включается, а на Фиг.3 полупроводниковое устройство 17 выключается, а полупроводниковое устройство 16 включается.The switching elements shown in FIGS. 2 and 3 can be controlled to obtain one of a) a first switching state and b) a second switching state in which a) voltage across capacitor 20 is applied to terminals 14 and b) zero voltage. To obtain the first state in FIG. 2, the semiconductor device 16 is turned on and the semiconductor device 17 is turned off, and in the embodiment according to FIG. 3, the semiconductor device 17 is turned on and the semiconductor device 16 is turned off. The switching elements are switched to the second state by changing the state of the semiconductor devices, so that in the embodiment according to FIG. 2, the semiconductor device 16 is turned off and the semiconductor device 17 is turned on, and in FIG. 3, the semiconductor device 17 is turned off and the semiconductor device 16 is turned on .

На Фиг.4 несколько более подробно изображено, как фазовый вывод преобразователя в соответствии с Фиг.1 образуется переключающими элементами показанного на Фиг.3 типа, в котором для упрощения чертежа в целом десять переключающих элементов не показано. Компоновка 13 выполнена с возможностью управления переключающими элементами путем управления их полупроводниковыми устройствами, так что они будут передавать либо нулевое напряжение, либо напряжение на конденсаторе, суммируемое с напряжениями других переключающих элементов в последовательном соединении. На данном чертеже обозначены также трансформатор 21 и фильтрующее оборудование 22. Показано, как каждая ветвь вентиля соединяется через фазовый реактор 23, 24 с фазовым выходом 10, и такие фазовые реакторы также должны присутствовать на Фиг.1 для фазовых выходов 10, 11 и 12, но для упрощения иллюстрации они не показаны.Figure 4 shows in somewhat more detail how the phase output of the converter in accordance with Figure 1 is formed by switching elements of the type shown in Figure 3, in which ten switching elements are not shown in general to simplify the drawing. The arrangement 13 is configured to control the switching elements by controlling their semiconductor devices, so that they will transmit either zero voltage or the voltage across the capacitor, summed with the voltages of the other switching elements in series connection. The transformer 21 and filtering equipment 22 are also indicated in this drawing. It is shown how each branch of the valve is connected through a phase reactor 23, 24 to a phase output 10, and such phase reactors should also be present in FIG. 1 for phase outputs 10, 11 and 12, but to simplify the illustration, they are not shown.

На Фиг.5 очень схематично изображена часть пакета в виде двух наложенных переключающих элементов 7' показанного на Фиг.2 типа. Каждый переключающий элемент 7' содержит два полупроводниковых чипа 30, 31, каждый из которых имеет полупроводниковое устройство запираемого типа и обратный диод, подключенный параллельно ему, и имеет пластинчатую структуру, причем на каждой стороне каждого полупроводникового чипа имеется металлическая пластина 32-34 в сформированном таким образом подпакете 35. Показано, как переключающие элементы, следующие друг за другом в пакете, электрически изолированы относительно друг друга с помощью изолирующего слоя 36, разделяющего металлические пластины 34 и 32. Смежные переключающие элементы соединены друг с другом электрическим проводником 37 в виде провода.Figure 5 shows very schematically a part of the packet in the form of two superimposed switching elements 7 'of the type shown in Figure 2. Each switching element 7 'contains two semiconductor chips 30, 31, each of which has a lockable semiconductor device and a reverse diode connected in parallel with it, and has a plate structure, and on each side of each semiconductor chip there is a metal plate 32-34 in such a image of subpacket 35. It is shown how switching elements following each other in a packet are electrically isolated relative to each other by means of an insulating layer 36 separating metal plates 34 and 32. Adjacent switching elements are connected to each other by an electrical conductor 37 in the form of a wire.

Показано, как каналы 38, осуществляющие перенос охлаждающей среды, такой как охлаждающая вода, соединены с каналами в металлических пластинах 32-34 с целью охлаждения полупроводниковых чипов, расположенных между этими металлическими пластинами. В данном случае вода пропускается через пластины 32, 33 и 34 для получения на них охлаждающего эффекта в соотношении 9:10:1, что означает потребность в охлаждении различных металлических пластин. Такое охлаждение, конечно, обеспечивается для всех металлических пластин в переключающих элементах преобразователя, хотя для упрощения чертежа оно показано только для нижнего переключающего элемента на Фиг.5. Разумеется, это справедливо, например, и для запасающего энергию конденсатора 20 и электрического проводника 37, которые показаны только для одного переключающего элемента.It is shown how channels 38 transferring a cooling medium, such as cooling water, are connected to channels in metal plates 32-34 in order to cool semiconductor chips located between these metal plates. In this case, water is passed through the plates 32, 33 and 34 to obtain a cooling effect on them in a ratio of 9: 10: 1, which means the need for cooling various metal plates. Such cooling, of course, is provided for all metal plates in the switching elements of the converter, although to simplify the drawing it is shown only for the lower switching element in FIG. Of course, this is true, for example, for the energy storage capacitor 20 and the electrical conductor 37, which are shown for only one switching element.

На Фиг.6 показано, как четыре таких подпакета 35 переключающих элементов 7' в соответствии с Фиг.5 могут быть размещены в одном пакете и оснащены компоновками 39, сконфигурированными с возможностью приложения давления к противоположным концам 40, 41 пакета S с целью прижатия полупроводниковых чипов 30, 31 к соответствующим металлическим пластинам и друг к другу, чтобы получить электрический контакт между полупроводниковыми чипами в том же подпакете. Эта компоновка 39 содержит средство 42, выполненное с возможностью приложения давления нагруженной пружины к каждому такому пакету. Компоновка имеет две торцевые пластины 43, 44, сконфигурированные с возможностью размещения вблизи противоположных концов пакета, и удлиненные элементы 45 в виде стержней, например, из стекловолокна, соединяющие пластины 43, 44 и в то же время определяющие расстояние между ними. Пластины 43, 44 могут смещаться относительно друг друга путем затягивания или ослабления гаек 46, расположенных на резьбовых концах стержней 45. Дополнительная пластина 47 сконфигурирована с возможностью наложения на один конец пакета и может перемещаться относительно стержней 45 в их продольном направлении. Пружинные элементы 48, запасающие потенциальную энергию, выполнены с возможностью расталкивания дополнительной пластины 47 и расположенной рядом с ней торцевой пластины 44 для сжатия пакета. Благодаря этому обеспечивается очень надежный взаимный контакт полупроводниковых чипов в пакете.Figure 6 shows how four such subpackages 35 of the switching elements 7 'in accordance with Figure 5 can be placed in one package and equipped with arrangements 39 configured to apply pressure to the opposite ends 40, 41 of the package S to compress the semiconductor chips 30, 31 to the respective metal plates and to each other to obtain electrical contact between the semiconductor chips in the same subpacket. This arrangement 39 comprises means 42 adapted to apply the pressure of the loaded spring to each such bag. The arrangement has two end plates 43, 44, configured to be placed near opposite ends of the package, and elongated elements 45 in the form of rods, for example of fiberglass, connecting the plates 43, 44 and at the same time determining the distance between them. The plates 43, 44 can be displaced relative to each other by tightening or loosening the nuts 46 located on the threaded ends of the rods 45. The additional plate 47 is configured to overlap one end of the bag and can move relative to the rods 45 in their longitudinal direction. The spring elements 48 storing potential energy are arranged to push the additional plate 47 and the end plate 44 adjacent to it to compress the bag. This ensures a very reliable mutual contact of the semiconductor chips in the package.

На Фиг.6 показаны только ветвь 8 верхних вентилей преобразователя и фазовый выход 10, и в соответствии с этим данный преобразователь имеет 8 переключающих элементов, последовательно соединенных в каждой ветви вентилей. Конечно, возможно и другое число переключающих элементов, и они могут быть разделены на некоторое число пакетов, которое считается наиболее подходящим для соответствующего применения. Например, все переключающие элементы ветви вентилей можно было бы разместить в одном пакете, удерживаемом одной компоновкой 39. Такой способ размещения переключающих элементов делает компоновку его полупроводниковых чипов очень компактной с возможностью снижения размеров вентильных залов.Figure 6 shows only the branch 8 of the upper valves of the converter and the phase output 10, and in accordance with this, this converter has 8 switching elements connected in series in each branch of the valves. Of course, a different number of switching elements is possible, and they can be divided into a number of packets, which is considered the most suitable for the corresponding application. For example, all the switching elements of the valve branch could be placed in one package held by one arrangement 39. This way of placing the switching elements makes the layout of its semiconductor chips very compact with the possibility of reducing the size of the valve rooms.

В круге 50 справа на Фиг.6 показано, как, например, четыре полупроводниковых чипа 30 могут быть размещены параллельно между каждой металлической пластиной 32-34 переключающего элемента для совместного пропускания тока, который может протекать через них. Таким образом, полупроводниковые чипы 30, 31, изображенные на Фиг.5, а также на Фиг.6 и 7, способны устанавливать такое параллельное соединение множества полупроводниковых чипов.In the circle 50 to the right of FIG. 6, it is shown how, for example, four semiconductor chips 30 can be arranged in parallel between each metal plate 32-34 of the switching element to share the current that can flow through them. Thus, the semiconductor chips 30, 31 shown in FIG. 5, as well as in FIGS. 6 and 7, are capable of establishing such a parallel connection of a plurality of semiconductor chips.

На Фиг.7 схематически показано, как переключающие элементы преобразователя в соответствии со вторым вариантом осуществления настоящего изобретения могут быть размещены в так называемом «двойном» пакете, а его принципиальная схема изображена на Фиг.8. Каждый из двух параллельных пакетов 51, 52 содержит множество наложенных переключающих элементов 7b, 7d и 7a, 7с соответственно, причем в каждом из них его полупроводниковые чипы 30, 31 расположены в подпакете. Электроизолирующий слой 53 помещен между такими смежными подпакетами и разделяет их, при этом подпакеты расположены на стороне коллектора полупроводникового чипа 30. Каждый переключающий элемент подпакета содержит две металлические пластины 54, 55, проходящие к другому подпакету. Параллельные пакеты 51, 52 взаимно смещены в их продольном направлении, так что для каждого переключающего элемента относящиеся к нему две металлические пластины 54, 55 соединены и объединены с различными смежными переключающими элементами другого параллельного пакета, чтобы получить последовательное соединение двух переключающих элементов, разделенных изолирующим слоем 53 в одном параллельном пакете, при этом переключающий элемент другого параллельного пакета размещен в последовательном соединении между двумя переключающими элементами. Это означает, что две металлические пластины 54, 55 переключающего элемента 7b также относятся к переключающим элементам 7а и 7с соответственно. В результате образуется последовательное соединение переключающих элементов в параллельных пакетах в соответствии с зигзагообразной структурой в следующем порядке: 7a, 7b, 7c и 7d.7 schematically shows how the switching elements of the converter in accordance with the second embodiment of the present invention can be placed in the so-called "double" package, and its circuit diagram is shown in Fig. 8. Each of the two parallel packets 51, 52 contains a plurality of superimposed switching elements 7b, 7d and 7a, 7c, respectively, with each of them having its semiconductor chips 30, 31 located in a subpacket. An electrical insulating layer 53 is placed between such adjacent subpackets and separates them, with the subpackets located on the collector side of the semiconductor chip 30. Each switching element of the subpacket contains two metal plates 54, 55 extending to another subpacket. The parallel packets 51, 52 are mutually offset in their longitudinal direction, so that for each switching element, the two metal plates 54, 55 related thereto are connected and combined with various adjacent switching elements of another parallel package to obtain a series connection of two switching elements separated by an insulating layer 53 in one parallel packet, wherein the switching element of the other parallel packet is placed in series connection between the two switching elements and. This means that the two metal plates 54, 55 of the switching element 7b also belong to the switching elements 7a and 7c, respectively. The result is a series connection of the switching elements in parallel packets in accordance with the zigzag structure in the following order: 7a, 7b, 7c and 7d.

Показанные на Фиг.7 параллельные пакеты 51, 52 могут содержать любое целесообразное число наложенных переключающих элементов и удерживаются одной компоновкой показанного на Фиг.6 типа, прижимающей их полупроводниковые чипы к металлическим пластинам. Преимущество такой конструкции по сравнению с конструкцией, изображенной на Фиг.5, состоит в том, что для определенного числа подключенных последовательно переключающих элементов высота пакета может быть уменьшена, и число соединений охлаждающей среды (воды) с металлическими пластинами также будет снижено.The parallel packets 51, 52 shown in FIG. 7 may contain any suitable number of superimposed switching elements and are held by one arrangement of the type shown in FIG. 6, pressing their semiconductor chips to metal plates. The advantage of this design compared to the design shown in Fig. 5 is that for a certain number of series-connected switching elements, the stack height can be reduced, and the number of connections of the cooling medium (water) to the metal plates will also be reduced.

На Фиг.9 схематически показан переключающий элемент в преобразователе в соответствии с третьим вариантом осуществления настоящего изобретения. Данный переключающий элемент имеет в целом 16 полупроводниковых чипов 30, 31, соединенных последовательно. Блоки 60 управления вентилем, используемые для управления соответствующим полупроводниковым устройством полупроводниковых чипов, изображены схематично. Внешний конденсаторный делитель 61 напряжения, в котором используются два резистора 62, 63 делителя напряжения, для измерения полного напряжения на конденсаторах 20+20', а также разности напряжений U20 и U20' на этих конденсаторах, выполнен с возможностью детектирования возможных неисправностей в каком-либо из конденсаторов. Измерение напряжения на конденсаторах используется также при управлении делением напряжения между переключающими элементами в одной и той же ветви.Fig. 9 schematically shows a switching element in a converter according to a third embodiment of the present invention. This switching element has a total of 16 semiconductor chips 30, 31 connected in series. The valve control units 60 used to control the corresponding semiconductor device of the semiconductor chips are shown schematically. An external capacitor voltage divider 61, in which two resistors 62, 63 of the voltage divider are used, for measuring the total voltage on the capacitors 20 + 20 ', as well as the voltage difference U 20 and U 20' on these capacitors, is configured to detect possible malfunctions in which either from capacitors. Capacitor voltage measurement is also used to control voltage division between switching elements in the same branch.

Переключающий элемент, который образован 16 полупроводниковыми чипами, расположенными в одном пакете, с металлическими пластинами, вставленными между ними и удерживаемыми компоновкой 39 описанного выше типа, очень схематично показан на Фиг.10. На Фиг.11 изображен вид сверху переключающего элемента, на котором стрелками 70 схематично показано, как конденсаторы соединяются с полупроводниковыми чипами. В таком переключающем элементе напряжение (U20+U20') на его конденсаторах обычно может составлять порядка 20 кВ.The switching element, which is formed by 16 semiconductor chips located in one package, with metal plates inserted between them and held by an arrangement 39 of the type described above, is shown very schematically in FIG. 10. 11 is a top view of a switching element, in which arrows 70 schematically show how capacitors are connected to semiconductor chips. In such a switching element, the voltage (U 20 + U 20 ′ ) at its capacitors can usually be of the order of 20 kV.

Столь большое число полупроводниковых чипов в одном и том же переключающем элементе или секции приводит к сокращению числа переключающих элементов в преобразователе, вследствие чего расходы в отношении соединений с преобразователем могут быть сокращены. Однако это также означает меньшее число возможных различных уровней для получения импульсов напряжения на фазовом выходе, вследствие чего переменное напряжение, сформированное в результате упомянутого преобразования, будет иметь более низкое качество.Such a large number of semiconductor chips in the same switching element or section reduces the number of switching elements in the converter, as a result of which the costs of connecting to the converter can be reduced. However, this also means a smaller number of different possible levels for receiving voltage pulses at the phase output, as a result of which the alternating voltage generated as a result of said conversion will have lower quality.

Конечно, настоящее изобретение никоим образом не ограничивается вышеописанными вариантами осуществления, но множество возможностей его изменения будут понятны специалисту в пределах основной идеи настоящего изобретения, определенной в прилагаемой формуле изобретения.Of course, the present invention is in no way limited to the above-described embodiments, but many possibilities for changing it will be clear to a person skilled in the art within the framework of the main idea of the present invention defined in the attached claims.

Термин «пластины», используемый в данном описании применительно к элементам устройства, прижимаемым к противоположным концам пакетов, должен толковаться широко и дополнительно распространяется также на прямоугольные элементы и элементы с различного рода углублениями, выемками и т.п.The term "plate" used in this description with respect to the elements of the device pressed against the opposite ends of the bags should be interpreted broadly and additionally also applies to rectangular elements and elements with various kinds of recesses, recesses, etc.

Claims (19)

1. Многосекционный преобразователь напряжения, содержащий, по меньшей мере, один фазовый вывод (2-4), соединенный с противоположными полюсами (5, 6) стороны постоянного напряжения преобразователя и содержащий последовательное соединение переключающих элементов (7), причем каждый переключающий элемент имеет с одной стороны, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа (30, 31), а с другой стороны, по меньшей мере, один запасающий энергию конденсатор (20), при этом средняя точка последовательного соединения образует фазовый выход (10-12), сконфигурированный с возможностью подключения к стороне переменного напряжения преобразователя и разделения фазового вывода на ветвь (8) верхних вентилей и ветвь (9) нижних вентилей, отличающийся тем, что полупроводниковые чипы (30, 31) переключающих элементов размещены пакетами (S, 51, 52), каждый из которых содержит, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа, при этом преобразователь содержит компоновку (39), сконфигурированную с возможностью приложения давления к противоположным концам (40, 41) каждого пакета для прижатия чипов друг к другу для получения электрического контакта между полупроводниковыми чипами в пакете, причем полупроводниковые чипы (30, 31) имеют пластинчатую структуру и расположены таким образом, что их большие стороны направлены в сторону продолжения пакета, по меньшей мере, два полупроводниковых чипа (30, 31) относятся к одному переключающему элементу, а смежные полупроводниковые чипы, относящиеся к одному переключающему элементу, разделены металлической пластиной (32-34, 54, 55), вставленной между ними для получения электрического соединения между двумя чипами путем прижатия их к металлической пластине.1. A multi-section voltage converter containing at least one phase terminal (2-4) connected to opposite poles (5, 6) of the DC side of the converter and comprising a series connection of switching elements (7), each switching element having on the one hand, at least two semiconductor chips (30, 31), and on the other hand, at least one energy storage capacitor (20), while the midpoint of the series connection forms a phase output (10-12), configured with the possibility of connecting the converter to the AC voltage side and dividing the phase output into the branch (8) of the upper valves and the branch (9) of the lower valves, characterized in that the semiconductor chips (30, 31) of the switching elements are placed in packets (S, 51, 52) , each of which contains at least two semiconductor chips, the converter comprising an arrangement (39) configured to apply pressure to the opposite ends (40, 41) of each packet to press the chips against each other to obtain an electric contact between the semiconductor chips in the packet, the semiconductor chips (30, 31) having a plate structure and arranged so that their large sides are directed towards the continuation of the packet, at least two semiconductor chips (30, 31) belong to one switching element, and adjacent semiconductor chips belonging to one switching element are separated by a metal plate (32-34, 54, 55) inserted between them to obtain an electrical connection between the two chips by pressing them to metal plate. 2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что компоновка (39) содержит средство (42), выполненное с возможностью приложения к каждому пакету давления сжатой пружины, подталкивающего два конца (40, 41) пакета друг к другу и, в то же время, высвобождающего потенциальную энергию элементов (48) средства.2. The Converter according to claim 1, characterized in that the arrangement (39) comprises means (42) configured to apply a compressed spring to each packet of pressure, pushing the two ends (40, 41) of the packet towards each other and, at the same time, time releasing the potential energy of the elements (48) of the product. 3. Преобразователь по п.2, отличающийся тем, что указанные элементы представляют собой пружины (48), действующие, по меньшей мере, на один конец каждого пакета.3. The Converter according to claim 2, characterized in that said elements are springs (48) acting on at least one end of each packet. 4. Преобразователь по п.2 или 3, отличающийся тем, что компоновка содержит две торцевые пластины (43, 44), сконфигурированные с возможностью размещения вблизи противоположных концов (40, 41) пакета, и удлиненные элементы (45), соединяющие пластины и в то же время определяющие расстояние между ними, при этом элементы (48), запасающие потенциальную энергию, выполнены с возможностью действовать между, по меньшей мере, одной из пластин и соответствующим концом пакета для побуждения (прижимания) этой торцевой пластины и пакета при сжатии пакета.4. The Converter according to claim 2 or 3, characterized in that the arrangement contains two end plates (43, 44), configured to be placed near the opposite ends (40, 41) of the package, and elongated elements (45) connecting the plates and at the same time, determining the distance between them, while the elements (48) storing potential energy are configured to act between at least one of the plates and the corresponding end of the packet to induce (clamp) this end plate and packet when compressing the packet. 5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что компоновка содержит средство (45, 46), сконфигурированное с возможностью обеспечения смещения, по меньшей мере, одной из пластин вдоль соединительных элементов в ее продольном направлении для изменения расстояния и тем самым давления, приложенного к пакету.5. The Converter according to claim 4, characterized in that the arrangement comprises means (45, 46) configured to provide displacement of at least one of the plates along the connecting elements in its longitudinal direction to change the distance and thereby the pressure applied to the package. 6. Преобразователь по п.5, отличающийся тем, что компоновка содержит дополнительную пластину (47), сконфигурированную с возможностью наложения на один конец пакета и способную перемещаться относительно удлиненных элементов (45) в их продольном направлении, причем элементы (48), запасающие потенциальную энергию, выполнены с возможностью побуждения дополнительной пластины (47) и расположенной рядом с ней торцевой пластины (44) для сжатия пакета.6. The Converter according to claim 5, characterized in that the arrangement comprises an additional plate (47) configured to be superimposed on one end of the packet and able to move relative to the elongated elements (45) in their longitudinal direction, with elements (48) storing potential energy, made with the possibility of inducing an additional plate (47) and an end plate (44) located next to it to compress the package. 7. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что металлические пластины (32-34, 54, 55) расположены на обеих сторонах каждого полупроводникового чипа.7. The Converter according to claim 1, characterized in that the metal plate (32-34, 54, 55) are located on both sides of each semiconductor chip. 8. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что каждый пакет содержит, по меньшей мере, все полупроводниковые чипы (30, 31), относящиеся к одному переключающему элементу (7, 7′).8. The converter according to claim 1, characterized in that each packet contains at least all semiconductor chips (30, 31) related to one switching element (7, 7 ′). 9. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что каждый пакет содержит полупроводниковые чипы (30, 31) из множества переключающих элементов (7′).9. The converter according to claim 1, characterized in that each packet contains semiconductor chips (30, 31) from a plurality of switching elements (7 ′). 10. Преобразователь по любому из пп.8 или 9, отличающийся тем, что каждый пакет содержит полупроводниковые чипы (30, 31) одного переключающего элемента, размещенные в подпакете (35), причем все подпакеты, сжимаемые одной и той же компоновкой, расположены друг на друге в одном пакете, при этом электроизолирующий слой (36) размещен между этими смежными подпакетами и разделяет их, а проводник (37) выполнен с возможностью электрического соединения смежных подпакетов и тем самым смежных переключающих элементов, соединенных последовательно друг с другом.10. A converter according to any one of claims 8 or 9, characterized in that each packet contains semiconductor chips (30, 31) of one switching element located in a subpacket (35), and all subpackets compressed by the same arrangement are located one another on the other in the same package, while the electrical insulating layer (36) is placed between these adjacent subpackets and separates them, and the conductor (37) is made with the possibility of electrical connection of adjacent subpackages and thereby adjacent switching elements connected in series with each other. 11. Преобразователь по п.9, отличающийся тем, что полупроводниковые чипы (30, 31), сжимаемые одной и той же компоновкой (39), расположены, по меньшей мере, в двух параллельных пакетах (51, 52), причем каждый параллельный пакет содержит множество наложенных переключающих элементов, причем каждый из них содержит полупроводниковые чипы, расположенные в подпакете, при этом все подпакеты каждого из параллельных пакетов размещены друг на друге для формирования одного из параллельных пакетов так, что электроизолирующий слой (53) размещен между этими смежными подпакетами и разделяет их, при этом каждый переключающий элемент (7a-7d) подпакета содержит две металлические пластины (54, 55), разделенные, по меньшей мере, одним полупроводниковым чипом (30, 31) данного переключающего элемента, а параллельные пакеты (51, 52) взаимно смещены в их продольном направлении, так что для каждого переключающего элемента относящиеся к нему две металлические пластины соединены и объединены с различными смежными переключающими элементами другого параллельного пакета, чтобы получить последовательное соединение двух переключающих элементов, разделенных изолирующим слоем в одном параллельном пакете, при этом переключающий элемент другого параллельного пакета размещен в этом последовательном соединении между двумя переключающими элементами.11. The Converter according to claim 9, characterized in that the semiconductor chips (30, 31), compressed by the same arrangement (39), are located in at least two parallel packets (51, 52), with each parallel packet contains many superimposed switching elements, each of which contains semiconductor chips located in a subpacket, while all subpackets of each of the parallel packets are placed on top of each other to form one of the parallel packets so that the insulating layer (53) is placed between these adjacent and sub-packets and separates them, with each switching element (7a-7d) of the sub-packet containing two metal plates (54, 55) separated by at least one semiconductor chip (30, 31) of this switching element, and parallel packets (51 , 52) are mutually offset in their longitudinal direction, so that for each switching element, the two metal plates belonging to it are connected and combined with various adjacent switching elements of another parallel stack to obtain a series connection of two ne eklyuchayuschih elements separated by an insulating layer in a parallel batch, the switching element of another parallel packet placed in this series connection between the two switching elements. 12. Преобразователь по любому из пп.7, 8, 9 и 11, отличающийся тем, что металлические пластины (32-34, 54, 55) оснащены каналами, а преобразователь содержит средство (38), сконфигурированное с возможностью циркулирования охлаждающей среды по каналам для охлаждения полупроводниковых чипов (30, 31), смежных с металлическими пластинами.12. A converter according to any one of claims 7, 8, 9 and 11, characterized in that the metal plates (32-34, 54, 55) are equipped with channels, and the converter comprises means (38) configured to circulate the cooling medium through the channels for cooling semiconductor chips (30, 31) adjacent to metal plates. 13. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что каждый переключающий элемент содержит более двух полупроводниковых чипов (30, 31), размещенных в пакете.13. The Converter according to claim 1, characterized in that each switching element contains more than two semiconductor chips (30, 31) located in the package. 14. Преобразователь по п.13, отличающийся тем, что каждый переключающий элемент имеет 2N упомянутых полупроводниковых чипов (30, 31), следующих друг за другом в пакете, при этом N является целым числом >2.14. The converter according to claim 13, wherein each switching element has 2N of said semiconductor chips (30, 31), following each other in a packet, wherein N is an integer> 2. 15. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что число переключающих элементов (7, 7′) фазового вывода составляет >8, 12-32, 16-24 или 50-150.15. The Converter according to claim 1, characterized in that the number of switching elements (7, 7 ′) of the phase output is> 8, 12-32, 16-24 or 50-150. 16. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковыми устройствами (16, 17) чипов переключающих элементов являются биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) или запираемые тиристоры.16. The converter according to claim 1, characterized in that the semiconductor devices (16, 17) of the switching element chips are IGBTs or lockable thyristors. 17. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что он сконфигурирован с возможностью подключения стороны постоянного напряжения к сети постоянного напряжения для передачи постоянного тока высокого напряжения и подключения стороны переменного напряжения к фазовой линии переменного напряжения, относящейся к сети переменного напряжения.17. The Converter according to claim 1, characterized in that it is configured to connect the DC side to a DC voltage network for transmitting high voltage DC and connecting the AC side to an alternating voltage phase line related to an alternating voltage network. 18. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что он сконфигурирован с возможностью получения на двух полюсах постоянного напряжения величиной 1 кВ - 1200 кВ, 10 кВ - 1200 кВ или 100 кВ - 1200 кВ.18. The Converter according to claim 1, characterized in that it is configured to receive at two poles a constant voltage of 1 kV - 1200 kV, 10 kV - 1200 kV or 100 kV - 1200 kV. 19. Установка для передачи электроэнергии, содержащая сеть постоянного напряжения и, по меньшей мере, одну сеть переменного напряжения, соединенную с ней через подстанцию, причем подстанция выполнена с возможностью осуществления передачи электроэнергии между сетью постоянного напряжения и сетью переменного напряжения и содержит, по меньшей мере, один преобразователь напряжения, выполненный с возможностью преобразования постоянного напряжения в переменное напряжение, и наоборот, отличающаяся тем, что подстанция установки содержит преобразователь напряжения по любому из пп.1-18. 19. Installation for transmitting electricity, containing a constant voltage network and at least one AC voltage network connected to it through a substation, and the substation is configured to transmit electricity between the DC voltage network and the AC voltage network and contains at least , one voltage Converter, configured to convert DC voltage to AC voltage, and vice versa, characterized in that the substation installation contains photoelectret voltage according to any one of claims 1-18.
RU2010142907/28A 2008-03-20 2008-03-20 Voltage converter RU2440642C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010142907/28A RU2440642C1 (en) 2008-03-20 2008-03-20 Voltage converter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010142907/28A RU2440642C1 (en) 2008-03-20 2008-03-20 Voltage converter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2440642C1 true RU2440642C1 (en) 2012-01-20

Family

ID=45785794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010142907/28A RU2440642C1 (en) 2008-03-20 2008-03-20 Voltage converter

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2440642C1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101243515B1 (en) A voltage source converter
US9496799B2 (en) Electrical converter system
US9331595B2 (en) Multi-level inverter
KR101473515B1 (en) A voltage source converter
TW201342756A (en) Converter power unit and bus bar thereof
WO2007113979A1 (en) Power converter and its assembling method
KR20120025531A (en) An arrangement for testing a switching cell
EP2755317A1 (en) Voltage source converter comprising a chain-link converter
US20160261178A1 (en) Power conversion circuit and device
JP2016208706A (en) Power conversion device
CN106849717B (en) Striding capacitance tri-level single electrode current module
CN104081649A (en) AC/DC multicell power converter for dual terminal hvdc connection
CN102214644A (en) Power semiconductor device and power conversion system using the device
WO2013149633A1 (en) A power converter
WO2013135277A1 (en) A clamped modular power converter
US10164519B2 (en) Semiconductor stack for converter with snubber capacitors
RU2440642C1 (en) Voltage converter
US9705418B2 (en) Power converter with oil filled reactors
RU2446550C1 (en) Voltage converter
US12003185B2 (en) Modular switching cell
CN201877833U (en) Novel high-frequency multilevel static reactive power generator

Legal Events

Date Code Title Description
PC43 Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions

Effective date: 20180809

PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20220311