RU2421879C1 - Differential amplifier with high-frequency compensation - Google Patents

Differential amplifier with high-frequency compensation Download PDF

Info

Publication number
RU2421879C1
RU2421879C1 RU2010118688/09A RU2010118688A RU2421879C1 RU 2421879 C1 RU2421879 C1 RU 2421879C1 RU 2010118688/09 A RU2010118688/09 A RU 2010118688/09A RU 2010118688 A RU2010118688 A RU 2010118688A RU 2421879 C1 RU2421879 C1 RU 2421879C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
collector
bus
transistor
input
output
Prior art date
Application number
RU2010118688/09A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Петр Сергеевич Будяков (RU)
Петр Сергеевич Будяков
Александр Игоревич Серебряков (RU)
Александр Игоревич Серебряков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2010118688/09A priority Critical patent/RU2421879C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2421879C1 publication Critical patent/RU2421879C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: differential amplifier (DA) includes the first (1) and the second (2) input transistors (T) the emitters of which are connected through the first (3) current-stabilising bipole (CB) to the first (4) bus of power supplies (PS), the first (5) resistor of collector load, the first output of which is connected to output (6) of DA, collector of the second (2) input T and collector of the first (7) auxiliary T, the second (8) CB connected between emitter of the first T (7) and the first (4) bus of PS; at that, collector of the first (1) input T is connected to the second (9) bus of PS. The second output of resistor of collector load (5) is connected to the second (9) bus of PS through the first (10) additional resistor and connected to emitter of the first T (7) through the first (11) balancing capacitor; at that, base of the first T (7) is connected to the first (12) circuit of setup of its static mode. ^ EFFECT: increasing amplification coefficient in the range of medium frequencies till level the possibility of excluding additional cascades of A (amplifier) in some cases, and reducing common energy consumption in comparison to multi-cascade A. ^ 5 cl, 14 dwg

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных и избирательных усилителях и компараторах).The invention relates to the field of radio engineering and communication and can be used as a device for amplifying analog signals in the structure of analog microcircuits for various functional purposes (for example, broadband and selective amplifiers and comparators).

В современной микроэлектронике находят широкое применение классические дифференциальные каскады с резистивной нагрузкой, включенной в коллекторную цепь входного транзистора [1-19].In modern microelectronics, classical differential cascades with a resistive load included in the input transistor collector circuit are widely used [1-19].

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому устройству является ДУ по патенту США №6.825.723, fig.1.The closest in technical essence to the claimed device is the remote control according to US patent No. 6.825.723, fig.1.

Существенный недостаток известного устройства состоит в том, что при любых известных способах высокочастотной коррекции его амплитудно-частотной характеристики коэффициент передачи по напряжению скорректированного ДУ всегда меньше, чем его Ку на постоянном токе, т.е. в области низких частот.A significant drawback of the known device is that for any of the known methods of high frequency correction of its amplitude-frequency characteristics of the transmission coefficient of the corrected control voltage is always less than its K at constant current, i.e., in the field of low frequencies.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента усиления в диапазоне средних частот до уровня

Figure 00000001
, который в 10÷40 раз превышает Ку на постоянном токе. Это позволяет в ряде случаев исключить дополнительные каскада усиления, уменьшить общее энергопотребление в сравнении с многокаскадными усилителями.The main objective of the invention is to increase the gain in the range of medium frequencies to a level
Figure 00000001
, which is 10 ÷ 40 times higher than K at a direct current. This allows in some cases to exclude additional amplification stages, to reduce the overall power consumption in comparison with multistage amplifiers.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых через первый 3 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 4 шиной источников питания, первый 5 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с выходом 6 устройства, коллектором второго 2 входного транзистора и коллектором первого 7 вспомогательного транзистора, второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 7 вспомогательного транзистора и первой 4 шиной источников питания, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 9 шиной источников питания, предусмотрены новые элементы и связи - второй вывод резистора коллекторной нагрузки 5 связан со второй 9 шиной источников питания через первый 10 дополнительный резистор и соединен с эмиттером первого 7 вспомогательного транзистора через первый 11 корректирующий конденсатор, причем база первого 7 вспомогательного транзистора связана с первой 12 цепью установления его статического режима.The problem is solved in that in the differential amplifier of figure 1, containing the first 1 and second 2 input transistors, the emitters of which are connected through the first 3 current-stabilizing two-terminal devices to the first 4 bus of the power supplies, the first 5 collector load resistor, the first output of which is connected to output 6 device, the collector of the second 2 input transistor and the collector of the first 7 auxiliary transistor, the second 8 current-stabilizing two-terminal connected between the emitter of the first 7 auxiliary transistor and oh 4 power supply bus, and the collector of the first 1 input transistor is connected to the second 9 power supply bus, new elements and connections are provided - the second output of the collector load resistor 5 is connected to the second 9 power supply bus through the first 10 additional resistor and connected to the emitter of the first 7 auxiliary transistor through the first 11 correction capacitor, and the base of the first 7 auxiliary transistor is connected to the first 12 circuit establishing its static mode.

Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 формулы изобретения.The amplifier circuit of the prototype is shown in figure 1. Figure 2 presents a diagram of the inventive device in accordance with claim 1 of the claims.

На фиг.3 приведена схема заявляемого ДУ в соответствии с п.2, а на фиг.4 - п.3 формулы изобретения.Figure 3 shows a diagram of the claimed remote control in accordance with paragraph 2, and figure 4 - paragraph 3 of the claims.

На фиг.5 приведена схема заявляемого ДУ в соответствии с п.4, а на фиг.6 - п.5 формулы изобретения.Figure 5 shows a diagram of the claimed remote control in accordance with paragraph 4, and figure 6 - paragraph 5 of the claims.

На фиг.7 показана схема ДУ фиг.5, в которой первый 3 токостабилизирующий двухполюсник реализован на транзисторах 21-22 и резисторах 23-24.Figure 7 shows the remote control diagram of figure 5, in which the first 3 current-stabilizing two-terminal is implemented on transistors 21-22 and resistors 23-24.

На фиг.8 представлен график теоретической амплитудно-частотной характеристики ДУ фиг.2.On Fig presents a graph of the theoretical amplitude-frequency characteristics of the remote control of Fig.2.

На фиг.9 показана схема ДУ-прототипа в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW ФГУП НПП «Пульсар».In Fig.9 shows a diagram of the remote control prototype in a computer simulation environment Cadence on models of integrated transistors HJW FSUE NPP Pulsar.

На фиг.10 показаны амплитудно-частотные характеристики схемы фиг.8 при разных емкостях конденсатора С1=С11.Figure 10 shows the amplitude-frequency characteristics of the circuit of Fig. 8 for different capacitor capacitances C1 = C11.

На фиг.11 показана схема заявляемого устройства фиг.2 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW ФГУП НПП «Пульсар».In Fig.11 shows a diagram of the inventive device of Fig.2 in the computer simulation environment of Cadence on models of integrated transistors HJW FSUE NPP Pulsar.

На фиг.12 приведены амплитудно-частотные характеристики ДУ фиг.11 при разных значениях емкости корректирующего конденсатора Сn=С11.In Fig.12 shows the amplitude-frequency characteristics of the remote control of Fig.11 for different values of the capacitance of the correction capacitor Cn = C11.

На фиг.13 показана схема предлагаемого ДУ фиг.7 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW ФГУП НПП «Пульсар».On Fig shows a diagram of the proposed remote control of Fig.7 in the computer simulation environment Cadence on models of integrated transistors HJW FSUE NPP Pulsar.

На фиг.14 приведены амплитудно-частотные характеристики ДУ фиг.13 при разных значениях емкости корректирующего конденсатора Сn=С11.In Fig.14 shows the amplitude-frequency characteristics of the remote control of Fig.13 for different values of the capacitance of the correction capacitor Cn = C11.

Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, эмиттеры которых через первый 3 токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой 4 шиной источников питания, первый 5 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с выходом 6 устройства, коллектором второго 2 входного транзистора и коллектором первого 7 вспомогательного транзистора, второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого 7 вспомогательного транзистора и первой 4 шиной источников питания, причем коллектор первого 1 входного транзистора связан со второй 9 шиной источников питания. Второй вывод резистора коллекторной нагрузки 5 соединен со второй 9 шиной источников питания через первый 10 дополнительный резистор и соединен с эмиттером первого 7 вспомогательного транзистора через первый 11 корректирующий конденсатор, причем база первого 7 вспомогательного транзистора связана с первой 12 цепью установления его статического режима.The differential amplifier of figure 2 contains the first 1 and second 2 input transistors, the emitters of which are connected through the first 3 current-stabilizing two-terminal circuits to the first 4 bus of power supplies, the first 5 collector load resistor, the first output of which is connected to the output 6 of the device, the collector of the second 2 input transistor and the collector of the first 7 auxiliary transistor, the second 8 current-stabilizing bipolar connected between the emitter of the first 7 auxiliary transistor and the first 4 bus power sources, and 1 Ktorov first input transistor 9 is connected to the second power supply bus. The second output of the collector load resistor 5 is connected to the second 9 bus of power supplies through the first 10 additional resistor and connected to the emitter of the first 7 auxiliary transistor through the first 11 correction capacitor, and the base of the first 7 auxiliary transistor is connected to the first 12 circuit to establish its static mode.

На фиг.3, в соответствии с п.2 формулы изобретения, в качестве первой 12 цепи установления статического режима используется база второго 2 входного транзистора, на которую могут подаваться разные опорные уровни напряжения U12=Uвх.2.3, in accordance with claim 2, as a first circuit 12 establishing static mode uses a base of the second input transistor 2, which may be made different reference voltage levels U = U 12 INP2.

На фиг.4, в соответствии с п.3 формулы изобретения, база второго 2 входного транзистора связана с общей шиной 13 первого 4 и второго 9 источников питания.In Fig. 4, in accordance with claim 3 of the claims, the base of the second 2 input transistor is connected to a common bus 13 of the first 4 and second 9 power sources.

На фиг.5, в соответствии с п.4 формулы изобретения, коллектор первого 1 входного транзистора соединен со второй 9 шиной источников питания через последовательно соединенные второй 14 резистор коллекторной нагрузки и второй 15 дополнительный двухполюсник, общий узел которых через второй 16 корректирующий конденсатор соединен с эмиттером второго 17 вспомогательного транзистора, эмиттер второго 17 вспомогательного транзистора подключен к первой 4 шине источников питания через третий 18 токостабилизирующий двухполюсник, его коллектор соединен с коллектором первого 1 входного транзистора и вторым 19 выходом устройства, а база связана со второй 20 цепью установления статического режима.In Fig. 5, in accordance with claim 4, the collector of the first 1 input transistor is connected to the second 9 bus of power supplies through a second 14 collector load resistor and a second 15 additional two-terminal, the common node of which is connected to the second 16 correction capacitor with the emitter of the second 17 auxiliary transistor, the emitter of the second 17 auxiliary transistor is connected to the first 4 bus of power supplies through the third 18 current-stabilizing two-terminal network, its collector is connected to the collector of the first 1 input transistor and the second 19 output of the device, and the base is connected to the second 20 circuit establishing a static mode.

На фиг.6, в соответствии с п.5 формулы изобретения, в качестве первой 12 цепи установления статического режима используется база второго 2 входного транзистора, а в качестве второй 20 цепи установления статического режима - база первого 1 входного транзистора.In Fig.6, in accordance with paragraph 5 of the claims, the base of the second 2 input transistor is used as the first 12 circuit of the establishment of the static mode, and the base of the first 1 of the input transistor is used as the second 20 circuit of the establishment of the static mode.

Рассмотрим работу ДУ фиг.2.Consider the operation of the remote control of figure 2.

Предельный коэффициент усиления по напряжению дифференциального каскада фиг.1 при емкости конденсатора 11 (С11), равной нулю, определяется сопротивлением первого 5 резистора коллекторной нагрузки R5>>R10:The maximum voltage gain of the differential stage of FIG. 1 with a capacitor 11 (C 11 ) equal to zero is determined by the resistance of the first 5 collector load resistors R5 >> R10:

Figure 00000002
Figure 00000002

где S1-2=(rэ1+rэ2)-1 - крутизна усиления ДУ в режиме короткого замыкания по выходу, зависящая от сопротивлений эмиттерных переходов (rэ1, rэ2) транзисторов 1 и 2.where S 1-2 = (r e1 + r e2 ) -1 is the gain slope of the remote control in the output short circuit, depending on the resistance of the emitter junctions (r e1 , r e2 ) of transistors 1 and 2.

Покажем аналитически, что более высокие значения Ку в диапазоне средних частот реализуются в схеме фиг.2 при С1.Let us show analytically that higher values of K y in the range of medium frequencies are realized in the scheme of figure 2 at C 1 .

Действительно, комплексный коэффициент передачи по напряжению ДУ фиг.2 определяется по формуле:Indeed, the complex voltage transfer coefficient of the remote control of FIG. 2 is determined by the formula:

Figure 00000003
Figure 00000003

где

Figure 00000004
- комплекс эквивалентного выходного импеданса узла «А»;Where
Figure 00000004
- complex equivalent output impedance of the node "A";

Figure 00000005
- комплексная крутизна ДУ в режиме короткого замыкания выхода ДУ.
Figure 00000005
- the integrated slope of the remote control in the short circuit mode of the remote control output.

Для ДУ фиг.2, в котором отсутствует корректирующая емкость 11, при условии, что R5>>R10:For the remote control of figure 2, in which there is no correction capacitance 11, provided that R5 >> R10:

Figure 00000006
Figure 00000006

Комплекс эквивалентной нагрузки можно найти по формуле:The equivalent load complex can be found by the formula:

Figure 00000007
Figure 00000007

где

Figure 00000008
,Where
Figure 00000008
,

Figure 00000009
- комплекс импеданса первого 11 корректирующего конденсатора;
Figure 00000009
- impedance complex of the first 11 correction capacitor;

Figure 00000010
.
Figure 00000010
.

После преобразований последней формулы находим, чтоAfter transformations of the last formula, we find that

Figure 00000011
Figure 00000011

Поэтому коэффициент усиления по напряжению ДУ фиг.2Therefore, the voltage gain of the remote control of FIG. 2

Figure 00000012
Figure 00000012

или при

Figure 00000013
:or at
Figure 00000013
:

Figure 00000014
Figure 00000014

Таким образом, выигрыш по Ку, который дает токовая ВЧ-коррекция в ДУ фиг.2Thus, the gain in K y , which gives the current RF correction in the control of FIG. 2

Figure 00000015
Figure 00000015

Если ω=0, то

Figure 00000016
. В области высоких частот (когда ω→∞)If ω = 0, then
Figure 00000016
. In the high-frequency region (when ω → ∞)

Figure 00000017
Figure 00000017

При этом модуль коэффициента

Figure 00000018
ДУ фиг.1, характеризующего эффективность ВЧ-коррекции:In this case, the coefficient modulus
Figure 00000018
DU figure 1, characterizing the effectiveness of RF correction:

Figure 00000019
Figure 00000019

График функции

Figure 00000020
показан на фиг.8.Function graph
Figure 00000020
shown in FIG.

Начиная с частоты f3, эффективность токовой ВЧ-коррекции уменьшается в связи с влиянием коэффициента

Figure 00000021
, емкости коллектор-база транзисторов 2 и 7 и их емкостей на подложку.Starting from frequency f 3 , the efficiency of the current RF correction decreases due to the influence of the coefficient
Figure 00000021
, collector-base capacitance of transistors 2 and 7 and their capacitance on the substrate.

В схеме ДУ фиг.3 статический режим транзистора 7 устанавливается таким же способом, как и у входного транзистора 2 - источником сигнала Uвх.2-U12.In the remote control circuit of FIG. 3, the static mode of the transistor 7 is set in the same way as that of the input transistor 2 — the signal source U I.2 -U 12 .

В схеме ДУ фиг.4 роль первой 12 цепи установления статического режима выполняет общая шина 13 источников питания.In the remote control circuit of FIG. 4, the role of the first 12 circuit of establishing a static mode is played by a common bus 13 of power supplies.

Схемы фиг.5, фиг.6 и фиг.7 являются дифференциальными усилителями с двумя противофазными выходами, относительно которых обеспечивается предлагаемая ВЧ коррекция.The circuits of FIG. 5, FIG. 6 and FIG. 7 are differential amplifiers with two out-of-phase outputs, with respect to which the proposed RF correction is provided.

Графики фиг.10, фиг.11, фиг.14 соответствуют фиг.8. Они показывают высокое совпадение теоретической (фиг.8) и практических характеристик. При этом выигрыш по Ку в диапазоне средних частот ДУ, зависящем от численных значений емкости коррекции, достигает 18-22 дБ (т.е. более чем в 10 раз).The graphs of FIG. 10, FIG. 11, FIG. 14 correspond to FIG. They show a high agreement between the theoretical (Fig. 8) and practical characteristics. In this case, the gain in K y in the range of medium frequencies of the remote control, depending on the numerical values of the correction capacitance, reaches 18-22 dB (i.e., more than 10 times).

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОКBIBLIOGRAPHIC LIST

1. Патент США №4.027.272, fig.11. US patent No. 4.027.272, fig.1

2. Патент Японии JP 54-1042662. Japan Patent JP 54-104266

3. Патент Японии JP 54-844583. Japan Patent JP 54-84458

4. Патент Японии JP 54-844574. Japanese Patent JP 54-84457

5. Патент Японии JP 54-1042675. Japanese Patent JP 54-104267

6. Патент RU 17486116. Patent RU 1748611

7. Патентная заявка SU №2006/0186965, fig.27. Patent application SU No. 2006/0186965, fig.2

8. Патент Японии JP 54-1029498. Japanese Patent JP 54-102949

9. Патент США №4.536.7179. US Patent No. 4,536.717

10. Патент ES 2329183, fig.410. ES patent 2329183, fig. 4

11. Патент США №4.365.207, fig.211. US patent No. 4.365.207, fig.2

12. Патентная заявка WO/2002/04725712. Patent application WO / 2002/047257

13. Патентная заявка WO/2006/06845513. Patent application WO / 2006/068455

14. Патент Японии JP 51-11225314. Japan patent JP 51-112253

15. Патент США №3.366.889, fig.115. US Patent No. 3,366.889, fig. 1

16. Патентная заявка КР 200500451116. Patent application KR 2005004511

17. Патент США №4.689.579, fig.417. US Patent No. 4,689.579, fig. 4

18. Патент Японии JP 53-1705118. Japan patent JP 53-17051

19. Патент ЕР 2149989, fig.419. Patent EP 2149989, fig. 4

Claims (5)

1. Дифференциальный усилитель с высокочастотной коррекцией, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, эмиттеры которых через первый (3) токостабилизирующий двухполюсник связаны с первой (4) шиной источников питания, первый (5) резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с выходом (6) устройства, коллектором второго (2) входного транзистора и коллектором первого (7) вспомогательного транзистора, второй (8) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером первого (7) вспомогательного транзистора и первой (4) шиной источников питания, причем коллектор первого (1) входного транзистора связан со второй (9) шиной источников питания, отличающийся тем, что второй вывод резистора коллекторной нагрузки (5) соединен со второй (9) шиной источников питания через первый (10) дополнительный резистор и соединен с эмиттером первого (7) вспомогательного транзистора через первый (11) корректирующий конденсатор, причем база первого (7) вспомогательного транзистора связана с первой (12) цепью установления его статического режима.1. A differential amplifier with high-frequency correction, containing the first (1) and second (2) input transistors, the emitters of which are connected through the first (3) current-stabilizing two-terminal device to the first (4) bus of power supplies, the first (5) collector load resistor, the first output which is connected to the output (6) of the device, the collector of the second (2) input transistor and the collector of the first (7) auxiliary transistor, the second (8) current-stabilizing bipolar connected between the emitter of the first (7) auxiliary transistor and the first (4) a power supply bus, and the collector of the first (1) input transistor is connected to the second (9) power supply bus, characterized in that the second output of the collector load resistor (5) is connected to the second (9) power supply bus through the first (10) ) an additional resistor and is connected to the emitter of the first (7) auxiliary transistor through the first (11) correction capacitor, and the base of the first (7) auxiliary transistor is connected to the first (12) circuit to establish its static mode. 2. Дифференциальный усилитель по п.1, отличающийся тем, что в качестве первой (12) цепи установления статического режима используется база второго (2) входного транзистора.2. The differential amplifier according to claim 1, characterized in that the base of the second (2) input transistor is used as the first (12) circuit for establishing the static mode. 3. Дифференциальный усилитель по п.2, отличающийся тем, что база второго (2) входного транзистора связана с общей шиной (13) первого и второго источников питания.3. The differential amplifier according to claim 2, characterized in that the base of the second (2) input transistor is connected to a common bus (13) of the first and second power sources. 4. Дифференциальный усилитель по п.1, отличающийся тем, что коллектор первого (1) входного транзистора соединен со второй (9) шиной источников питания через последовательно соединенные второй (14) резистор коллекторной нагрузки и второй (15) дополнительный двухполюсник, общий узел которых через второй (16) корректирующий конденсатор соединен с эмиттером второго (17) вспомогательного транзистора, эмиттер второго (17) вспомогательного транзистора подключен к первой (4) шине источников питания через третий (18) токостабилизирующий двухполюсник, его коллектор соединен с коллектором первого (1) входного транзистора и вторым (19) выходом устройства, а база связана со второй (20) цепью установления статического режима.4. The differential amplifier according to claim 1, characterized in that the collector of the first (1) input transistor is connected to the second (9) bus of the power sources through the second (14) collector load resistor and the second (15) additional two-terminal, the common node of which is connected in series through the second (16) correction capacitor connected to the emitter of the second (17) auxiliary transistor, the emitter of the second (17) auxiliary transistor is connected to the first (4) bus of power supplies through the third (18) current-stabilizing two-terminal device, its the collector is connected to the collector of the first (1) input transistor and the second (19) output of the device, and the base is connected to the second (20) circuit for establishing a static mode. 5. Дифференциальный усилитель по п.4, отличающийся тем, что в качестве первой (12) цепи установления статического режима используется база второго (2) входного транзистора, а в качестве второй (20) цепи установления статического режима - база первого (1) входного транзистора. 5. The differential amplifier according to claim 4, characterized in that the base of the second (2) input transistor is used as the first (12) circuit of the static mode, and the base of the first (1) input is used as the second (20) circuit of the static mode transistor.
RU2010118688/09A 2010-05-11 2010-05-11 Differential amplifier with high-frequency compensation RU2421879C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010118688/09A RU2421879C1 (en) 2010-05-11 2010-05-11 Differential amplifier with high-frequency compensation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010118688/09A RU2421879C1 (en) 2010-05-11 2010-05-11 Differential amplifier with high-frequency compensation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2421879C1 true RU2421879C1 (en) 2011-06-20

Family

ID=44738187

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010118688/09A RU2421879C1 (en) 2010-05-11 2010-05-11 Differential amplifier with high-frequency compensation

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2421879C1 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2461957C1 (en) * 2011-08-25 2012-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential stage with increased voltage gain
RU2468501C1 (en) * 2011-09-21 2012-11-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2479115C1 (en) * 2012-03-21 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2479112C1 (en) * 2012-03-27 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2480894C1 (en) * 2012-01-25 2013-04-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2487466C1 (en) * 2012-03-01 2013-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier with paraphase output
RU2515544C2 (en) * 2012-07-31 2014-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") LOW CURRENT CONSUMPTION SELECTIVE AMPLIFIER FOR SiGe TECHNOLOGICAL PROCESSES
RU2517681C1 (en) * 2012-12-04 2014-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier with extended frequency band

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2461957C1 (en) * 2011-08-25 2012-09-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Differential stage with increased voltage gain
RU2468501C1 (en) * 2011-09-21 2012-11-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2480894C1 (en) * 2012-01-25 2013-04-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2487466C1 (en) * 2012-03-01 2013-07-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier with paraphase output
RU2479115C1 (en) * 2012-03-21 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2479112C1 (en) * 2012-03-27 2013-04-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier
RU2515544C2 (en) * 2012-07-31 2014-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") LOW CURRENT CONSUMPTION SELECTIVE AMPLIFIER FOR SiGe TECHNOLOGICAL PROCESSES
RU2517681C1 (en) * 2012-12-04 2014-05-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Selective amplifier with extended frequency band

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2421879C1 (en) Differential amplifier with high-frequency compensation
RU2428786C1 (en) Cascode amplifier
RU2419197C1 (en) Differential amplifier with increased amplification factor as to voltage
RU2393627C1 (en) Broadband operational amplifier with differential output
RU2432669C1 (en) Broadband amplifier
RU2421880C1 (en) Broadband amplifier
RU2365969C1 (en) Current mirror
RU2427071C1 (en) Broadband amplifier
RU2421888C1 (en) Differential amplifier
RU2321156C1 (en) Broadband amplifier
RU2416155C1 (en) Differential operating amplifier
RU2423778C1 (en) High-frequency compensation cascode differential amplifier
RU2422981C1 (en) Differential ac amplifier
RU2475942C1 (en) Broadband differential amplifier
RU2460206C1 (en) Cascode microwave amplifier with low supply voltage
RU2432667C1 (en) Differential operational amplifier with low supply voltage
RU2475941C1 (en) Differential amplifier with complementary input cascade
RU2468503C1 (en) Cascode amplifier
RU2411636C1 (en) Cascode differential amplifier with low voltage of zero shift
RU2463703C1 (en) Cascode differential amplifier
RU2421881C1 (en) Differential amplifier
RU2383099C2 (en) Differential amplifier with low-resistance inputs
RU2320078C1 (en) Complementary differential amplifier
RU2459348C1 (en) Operational amplifier having gain adjustment circuit
RU2475946C1 (en) Ac amplifier with antiphased current outputs

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130512