RU2319182C1 - Meso-micro-electro-mechanical system with a glass element and method for manufacturing the system - Google Patents

Meso-micro-electro-mechanical system with a glass element and method for manufacturing the system Download PDF

Info

Publication number
RU2319182C1
RU2319182C1 RU2006126666/28A RU2006126666A RU2319182C1 RU 2319182 C1 RU2319182 C1 RU 2319182C1 RU 2006126666/28 A RU2006126666/28 A RU 2006126666/28A RU 2006126666 A RU2006126666 A RU 2006126666A RU 2319182 C1 RU2319182 C1 RU 2319182C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrostatic
configuration
meso
glass
glass element
Prior art date
Application number
RU2006126666/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Джовика СЭЙВИК
Манес ЭЛИЯСИН
Цзюньхуа ЛЮ
Арун В. ТАНГЕЙР
Original Assignee
Моторола, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Моторола, Инк. filed Critical Моторола, Инк.
Application granted granted Critical
Publication of RU2319182C1 publication Critical patent/RU2319182C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

FIELD: meso-micro-electro-mechanical systems.
SUBSTANCE: meso-micro-electro-mechanical system (900, 1100) contains a substrate (215), supporting element (405, 1160), positioned on the surface of the substrate, first electrostatic configuration (205, 1105, 1110, 1115, 1120), positioned on the surface of the substrate, and glass element (810). The glass element (810) has fastened area (820), which is attached to supporting element, and has second electrostatic configuration (815, 1205, 1210, 1215, 1220) on console location of glass element. The second electrostatic configuration practically has same extent and is parallel to the first electrostatic configuration. The second electrostatic configuration is separated by free interval (925) from the first electrostatic configuration, when the first and the second electrostatic configurations are in conditions when excitation is absent. In certain variants of realization, a mirror is formed using electrostatic materials, which constitute the second electrostatic configuration. The glass element may be configured using cleaning by sandblast machine (140).
EFFECT: increased efficiency.
3 cl, 13 dwg

Description

Предшествующий уровень техникиState of the art

Оптические переключатели, основанные на технологии изготовления оптоэлектромеханических, электрооптических или жидкокристаллических приборов, являются коммерчески доступными. Коммерческие оптоэлектромеханические переключатели обычно изготавливают в кремнии, используя методы обработки кремния, и они содержат зеркала микронных размеров, которые можно возбуждать электростатическим способом. Они классифицируются как микроэлектромеханические системы (МЭМС). Стоимость, надежность в эксплуатации и потребление мощности являются основными недостатками этих коммерчески доступных оптических переключателей. С целью улучшения надежности, используют сложные процессы для герметичного уплотнения структур МЭМС, что дополнительно повышает их стоимость.Optical switches based on the manufacturing technology of optoelectromechanical, electro-optical or liquid crystal devices are commercially available. Commercial optoelectromechanical switches are typically fabricated in silicon using silicon processing methods, and they contain micron-sized mirrors that can be electrostatically excited. They are classified as microelectromechanical systems (MEMS). Cost, operational reliability and power consumption are the main disadvantages of these commercially available optical switches. In order to improve reliability, complex processes are used to tightly seal MEMS structures, which further increases their cost.

В другой технологии изготовления МЭМС, называемой технологией мезо-МЭМС, дешевые переключатели изготавливают на полимерной структуре с механическим консольным элементом, который по меньшей мере частично изготовлен из металла - обычно из меди. Они демонстрируют обеспечение полезных функций электрического переключения, таких как функции переключения РЧ (радиочастотного) сигнала.In another MEMS manufacturing technology called meso-MEMS technology, cheap switches are made on a polymer structure with a mechanical cantilever element that is at least partially made of metal — usually copper. They demonstrate providing useful electrical switching functions, such as switching functions of an RF (radio frequency) signal.

Таким образом, необходима более надежная и более дешевая технология изготовления переключателей, которую можно использовать для оптического переключения.Thus, a more reliable and cheaper switch manufacturing technique is needed that can be used for optical switching.

Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings

Настоящее изобретение иллюстрируется посредством примера, а не ограничения, на прилагаемых чертежах, на которых подобные ссылочные позиции указывают аналогичные элементы и на которых:The present invention is illustrated by way of example, and not limitation, in the accompanying drawings, in which like reference numerals indicate like elements and in which:

фиг.1 - блок-схема, которая показывает этапы способа изготовления мезо-микроэлектромеханической системы (мезо-МЭМС) в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения;figure 1 is a flowchart that shows the steps of a method for manufacturing a meso-microelectromechanical system (meso-MEMS) in accordance with embodiments of the present invention;

фиг.2-9 - сборочные чертежи, изображающие виды в перспективе структуры мезо-МЭМС на различных стадиях изготовления, в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения;Figures 2-9 are assembly drawings showing perspective views of a meso-MEMS structure at various stages of manufacture, in accordance with embodiments of the present invention;

фиг.10 - сборочный чертеж, изображающий вид сбоку структуры мезо-МЭМС на поздней стадии изготовления, в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения;10 is an assembly drawing showing a side view of the structure of the meso-MEMS at a late stage of manufacture, in accordance with the variants of implementation of the present invention;

фиг.11 и 12 - сборочные чертежи, изображающие виды в перспективе структуры мезо-МЭМС, в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения; и11 and 12 are assembly drawings showing perspective views of a meso-MEMS structure in accordance with embodiments of the present invention; and

фиг.13 - схематическое представление электрического оборудования, которое включает в себя мезо-МЭМС.13 is a schematic representation of electrical equipment that includes meso-MEMS.

Специалистам в данной области техники должно быть понятно, что элементы на чертежах иллюстрируются для простоты и ясности и не обязательно нарисованы в масштабе. Например, размеры некоторых из элементов на чертежах могут быть преувеличены относительно других элементов, чтобы способствовать улучшению понимания вариантов осуществления настоящего изобретения.Those skilled in the art should understand that the elements in the drawings are illustrated for simplicity and clarity and are not necessarily drawn to scale. For example, the dimensions of some of the elements in the drawings may be exaggerated relative to other elements in order to enhance understanding of embodiments of the present invention.

Подробное описание чертежейDetailed Description of Drawings

Перед подробным описанием конкретной мезо-микроэлектромеханической системы (мезо-МЭМС) в соответствии с настоящим изобретением следует отметить, что настоящее изобретение прежде всего заключается в комбинациях этапов способа и аппаратных компонентов, связанных с микромеханическим переключением. В соответствии с этим, аппаратные компоненты и этапы способа представлены там, где это целесообразно, традиционными обозначениями на чертежах, показывающих только те определенные детали, которые являются подходящими для понимания настоящего изобретения, чтобы не затенять раскрытие подробностями, которые будут очевидны специалистам в данной области техники, получающим пользу от приведенного здесь описания.Before a detailed description of a particular meso-microelectromechanical system (meso-MEMS) in accordance with the present invention, it should be noted that the present invention primarily consists in combinations of method steps and hardware components associated with micromechanical switching. Accordingly, the hardware components and process steps are presented, where appropriate, by the traditional symbols in the drawings, showing only those specific details that are suitable for understanding the present invention, so as not to obscure the disclosure with details that would be obvious to those skilled in the art benefiting from the description here.

Рассмотрим фиг.1, на которой показана блок-схема способа изготовления мезо-МЭМС, в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. На фиг.2-9 представлены изометрические изображения мезо-МЭМС на различных стадиях изготовления в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения.Consider figure 1, which shows a flowchart of a method of manufacturing a meso-MEMS, in accordance with the variants of implementation of the present invention. Figure 2-9 presents isometric images of the meso-MEMS at various stages of manufacture in accordance with the variants of implementation of the present invention.

На этапе 105 (фиг.1) формируют первую электростатическую конфигурацию 205 (см. фиг.2) в пределах области 210 устройства подложки 215 из внутреннего металлического слоя на подложке 215 в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. В некоторых примерах подложка 215 может быть больше, чем устройство 210. В примере, описываемом со ссылкой на фиг.2, область 210 устройства и подложка 215 показаны как имеющие одинаковый размер. Подложку 215 можно изготавливать из любого органического материала печатной платы (ПП), одним примером которого является FR-4, или ее можно изготавливать из материалов, которые являются более дорогостоящими (например, тефлон), или менее дорогостоящими (например, эпоксидная смола без стеклонаполнителя). Подложкой может быть многослойная ПП. Металлическим слоем может быть медное покрытие, имеющее толщину от 2 до 70, и более типично, от 5 микрон до 35 микрон, но им могут быть другие материалы, такие как никель или золото, или многослойные покрытия из металла или сплавов металла. Металл должен быть только способен удерживать и сбрасывать электростатический заряд. Медь является полезной, поскольку она относительно дешевая и используется в большинстве случаев. Первую электростатическую конфигурацию 205 можно изготавливать, используя традиционные методы фотолитографического формирования конфигурации и травления или применяя проводящую пасту посредством трафаретной печати, печати контактных площадок или другого традиционного способа нанесения толстопленочных композиций.At step 105 (FIG. 1), a first electrostatic configuration 205 is formed (see FIG. 2) within the device region 210 of the substrate 215 from the inner metal layer on the substrate 215 in accordance with embodiments of the present invention. In some examples, the substrate 215 may be larger than the device 210. In the example described with reference to FIG. 2, the device region 210 and the substrate 215 are shown as having the same size. Substrate 215 can be made from any organic material of a printed circuit board (PCB), one example of which is FR-4, or it can be made from materials that are more expensive (e.g., Teflon), or less expensive (e.g., epoxy without glass filler) . The substrate may be a multilayer PP. The metal layer may be a copper coating having a thickness of 2 to 70, and more typically 5 microns to 35 microns, but it may be other materials, such as nickel or gold, or multilayer coatings of metal or metal alloys. Metal should only be able to hold and discharge electrostatic charge. Copper is useful because it is relatively cheap and is used in most cases. The first electrostatic configuration 205 can be made using conventional photolithographic configuration and etching methods, or using conductive paste by screen printing, contact pad printing, or another conventional method for applying thick film compositions.

На этапе 110 (фиг.1) защитный фотодиэлектрический слой 305 (см. фиг.3), который является светочувствительным, располагают поверх области 210 устройства (фиг.2) в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Защитный фотодиэлектрический слой 305 предпочтительно является светочувствительной (позитивной или негативной) эпоксидной смолой, которую можно наносить путем нанесения покрытия валиком или поливом, толщиной от 50 до 200 микрон. Примером материала, который можно использовать для защитного фотодиэлектрического слоя 305, является материал фотополимерной смолы Probimer® 7081/82, распространяемый фирмой Huntsman of Basel, Швейцария. Для этого примера материал смолы может быть высушен на воздухе с помощью инфракрасной горизонтальной сушильной печи в течение 30-60 минут при температуре 60-80°C. Защитный фотодиэлектрический слой 305 может иметь толщину от 7 микрон до 200 микрон и более типично от 50 микрон до 125 микрон.At step 110 (FIG. 1), the protective photodielectric layer 305 (see FIG. 3), which is photosensitive, is placed over the area 210 of the device (FIG. 2) in accordance with embodiments of the present invention. The protective photodielectric layer 305 is preferably a photosensitive (positive or negative) epoxy resin, which can be applied by coating with a roller or by irrigation, with a thickness of 50 to 200 microns. An example of a material that can be used for the protective photodielectric layer 305 is Probimer® 7081/82 photopolymer resin material distributed by Huntsman of Basel, Switzerland. For this example, the resin material can be air dried using an infrared horizontal drying oven for 30-60 minutes at a temperature of 60-80 ° C. The protective photodielectric layer 305 may have a thickness of from 7 microns to 200 microns, and more typically from 50 microns to 125 microns.

На этапе 115 (фиг.1) защитный фотодиэлектрический слой 305 экспонируют для образования области 405 скрытого опорного элемента (см. фиг.4) в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. В качестве одного примера, когда защитный фотодиэлектрический слой 305 высушен, используют фотооригинал (пленку), чтобы экспонировать конфигурацию на фотополимер, используя 1500-1700 миллиджоулей ультрафиолетового облучения, создавая одну или более отображенные "в скрытом состоянии" области, которые включают в себя скрытую область 405 опорного элемента. Область 405 скрытого опорного элемента определена ее дифференцированно полимеризованным состоянием по сравнению с окружающим веществом подложки защитного фотодиэлектрического слоя 305. Одна или более экспонированные непроявившиеся области будут действовать как точки закрепления для мезо-МЭМС по настоящему изобретению после завершения ее изготовления. При традиционных условиях изготовления ПП она подвергается тепловому "удару", а затем воздействию растворителя, выполняемому непосредственно после экспонирования УФИ (ультрафиолетовым излучением). В настоящем изобретении неэкспонированные области не подвергаются тепловому удару или не обрабатываются до более позднего этапа. На этой стадии область 210 устройства по существу все еще полностью покрыта защитным фотодиэлектрическим слоем 305, представляя по существу плоскую поверхность.At step 115 (FIG. 1), the protective photodielectric layer 305 is exposed to form an area 405 of the latent support element (see FIG. 4) in accordance with embodiments of the present invention. As one example, when the protective photodielectric layer 305 is dried, a photo-original (film) is used to expose the configuration to the photopolymer using 1500-1700 millijoules of ultraviolet radiation, creating one or more “hidden” areas that include a hidden area 405 support element. The latent support region 405 is defined by its differentially polymerized state compared to the surrounding substrate material of the protective photodielectric layer 305. One or more exposed undeveloped regions will act as attachment points for the meso-MEMS of the present invention after completion of its manufacture. Under traditional conditions for the manufacture of PP, it is subjected to thermal “shock”, and then the solvent, which is performed immediately after exposure to UV radiation (ultraviolet radiation). In the present invention, unexposed areas are not subjected to thermal shock or are not processed until a later stage. At this stage, the device region 210 is still substantially completely covered by the protective photodielectric layer 305, representing a substantially flat surface.

На этапе 120 (фиг.1) первую сторону (верхнюю сторону) стеклянного диэлектрика 505 (см. фиг.5) покрывают электростатическим материалом 510, формируя стеклянный диэлектрик 500 с покрытием в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Следует отметить, что этот этап может происходить перед или после любого из этапов 105, 110 и 115. В вариантах осуществления, для которых необходима отражающая свет поверхность (зеркало) (например, для вариантов осуществления, которые предназначены для оптического переключения светового элемента) и для которых отражающая поверхность (зеркало) должна быть на поверхности стеклянного диэлектрика 505 (в противоположность, например, варианту осуществления, в котором необходима отражающая поверхность, которая находится под некоторым углом к поверхности стеклянного диэлектрика 505), на этом этапе 120 покрытия используются материалы, которые являются и электростатическими, и отражающими свет. Стеклянный диэлектрик 505 можно образовать в форме области 210 устройства (или меньше), и он имеет толщину, которая обычно составляет от 30 до 50 микрон, но которая может быть от 10 микрон и до 75 микрон. Получение покрытия на верхней стороне стеклянного диэлектрика 505 включает накладывание одного или больше металлических слоев, имеющих полную толщину меньше, чем 25 микрон. Вторая сторона (нижняя сторона) стеклянного диэлектрика 505 также может быть покрыта электростатическим материалом 515 во время покрытия первой стороны, или в качестве независимого этапа, или совсем без него. Первый пример электростатического и отражающего свет покрытия представляет собой напыление титана/вольфрама (Ti/W) толщиной приблизительно 500 Ангстрем на обе стороны стеклянного диэлектрика 505, сопровождаемое напылением меди толщиной приблизительно 1000 Ангстрем на обе стороны стеклянного диэлектрика 505. Второй пример покрытия заключается в нанесении испарением хрома толщиной приблизительно 500 Ангстрем, сопровождаемого нанесением 5000 Ангстремов меди на обе поверхности стеклянного диэлектрика 505. Эти электростатические материалы 510, 515 имеют очень хорошие свойства отражения света и очень хорошо совместимы с традиционными технологиями производства ПП. Для электростатических и отражающих свет поверхностей можно использовать другие металлические слои, например хром, хром/золото, Ti/W и Ti/W с медью и тантал, в то же время только для электростатических характеристик можно использовать более широкий диапазон материалов. Только электростатические характеристики полезны для электронных переключателей, таких как радиочастотные (РЧ) переключатели. Другими электростатическими материалами 510, которые можно использовать, являются другие проводящие металлы, такие как чистая медь, никель, серебро, золото или проводящие металлические сплавы в комбинации с другими материалами. Электростатический материал 510, который является допустимым для традиционных способов травления ПП, может быть более полезен, если он совместим с дополнительными этапами изготовления, описанными в данном описании ниже, но его все еще можно использовать для образования уникального аппарата, описанного в данном описании, даже если он не совместим с традиционными способами изготовления ПП.In step 120 (FIG. 1), the first side (upper side) of the glass dielectric 505 (see FIG. 5) is coated with an electrostatic material 510, forming a coated glass dielectric 500 in accordance with embodiments of the present invention. It should be noted that this step may occur before or after any of steps 105, 110 and 115. In embodiments for which a light reflecting surface (mirror) is required (for example, for embodiments that are designed to optically switch the light element) and of which the reflecting surface (mirror) should be on the surface of the glass dielectric 505 (as opposed to, for example, an embodiment in which a reflective surface is needed that is at a certain angle to the surface glass dielectric 505), at this stage 120 of the coating, materials are used that are both electrostatic and reflective. The glass dielectric 505 can be formed in the form of a device region 210 (or less), and it has a thickness that is usually from 30 to 50 microns, but which can be from 10 microns to 75 microns. Obtaining a coating on the upper side of the glass dielectric 505 includes applying one or more metal layers having a total thickness of less than 25 microns. The second side (lower side) of the glass dielectric 505 may also be coated with electrostatic material 515 during the coating of the first side, either as an independent step, or without it at all. A first example of an electrostatic and light reflecting coating is a sputtering of titanium / tungsten (Ti / W) with a thickness of about 500 Angstroms on both sides of a glass dielectric 505, followed by a sputtering of copper with a thickness of about 1000 Angstroms on both sides of a glass dielectric 505. A second example of a coating is by evaporation chromium with a thickness of approximately 500 Angstroms, followed by the deposition of 5000 Angstroms of copper on both surfaces of the glass dielectric 505. These electrostatic materials 510, 515 have They have very good light reflection properties and are very well compatible with traditional PP manufacturing technologies. Other metal layers can be used for electrostatic and light-reflecting surfaces, such as chrome, chrome / gold, Ti / W and Ti / W with copper and tantalum, while at the same time, a wider range of materials can be used only for electrostatic characteristics. Only electrostatic characteristics are useful for electronic switches, such as radio frequency (RF) switches. Other electrostatic materials 510 that can be used are other conductive metals such as pure copper, nickel, silver, gold, or conductive metal alloys in combination with other materials. Electrostatic material 510, which is acceptable for traditional PP etching methods, may be more useful if it is compatible with the additional manufacturing steps described in this description below, but it can still be used to form the unique apparatus described in this description, even if It is not compatible with traditional PP manufacturing methods.

Как заявлено выше, электростатические материалы можно формировать на верхней и нижней поверхностях на том же самом этапе или этапах. Таким образом, зеркальные поверхности также можно формировать на верхней и нижней поверхностях на тех же этапах. В некоторых вариантах осуществления электростатические материалы не формируют на верхней поверхности стекла, но электростатический материал формируют как зеркальный материал на нижней поверхности.As stated above, electrostatic materials can be formed on the upper and lower surfaces at the same step or steps. Thus, mirror surfaces can also be formed on the upper and lower surfaces at the same stages. In some embodiments, electrostatic materials are not formed on the upper surface of the glass, but the electrostatic material is formed as mirror material on the lower surface.

Следует оценить, что в других вариантах осуществления настоящего изобретения зеркало можно формировать на верхней поверхности стеклянного диэлектрика с покрытием в местоположении, отличающемся от первой электростатической конфигурации 205, для которой может требоваться иная форма стеклянного элемента, чем описанная в данном описании ниже.It should be appreciated that in other embodiments of the present invention, a mirror can be formed on the upper surface of the coated glass dielectric at a location different from the first electrostatic configuration 205, which may require a different shape of the glass element than described herein below.

На этапе 125 (фиг.1) ламинируют стеклянный диэлектрик 500 с покрытием на защитный фотодиэлектрический слой 305 (см. фиг.6), формируя многослойный стеклянный диэлектрик 600 в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Защитный фотодиэлектрический слой 305 все еще является "липким", особенно под действием тепла и давления, и действует как "клей" для металлизированного стеклянного диэлектрика. Ламинирование стеклянного диэлектрика 500 с покрытием и защитного диэлектрического слоя 305 было продемонстрировано и в традиционном ламинаторе ПП (пресс для ламинирования Wabash, изготавливаемый на фирме Wabash MPI, Wabash, штат Индиана, США), и в традиционном вакуумном ламинаторе сухой пленки. Важно отметить, что температура ламинирования не должна превышать 80°C в варианте осуществления настоящего изобретения, который использует защитный фотодиэлектрический слой 305 Probimer®. Процесс в варианте осуществления, использующем защитный диэлектрический слой 305 Probimer®, заключается в ламинировании стеклянного диэлектрика 500 с покрытием и защитного фотодиэлектрического слоя 305 в вакуумном ламинаторе в течение приблизительно 10 минут при температуре 65-75°C.At step 125 (FIG. 1), a coated glass dielectric 500 is laminated onto a protective photodielectric layer 305 (see FIG. 6), forming a laminated glass dielectric 600 in accordance with embodiments of the present invention. The protective photodielectric layer 305 is still “sticky”, especially under the influence of heat and pressure, and acts as a “glue” for a metallized glass dielectric. Lamination of coated coated glass insulator 500 and protective dielectric layer 305 was demonstrated both in a traditional PP laminator (Wabash lamination press manufactured by Wabash MPI, Wabash, Indiana, USA) and in a traditional dry film vacuum laminator. It is important to note that the lamination temperature should not exceed 80 ° C in an embodiment of the present invention that uses a Probimer® protective photodielectric layer 305. The process in an embodiment using the Probimer® protective dielectric layer 305 is to laminate the coated glass dielectric 500 and the protective photodielectric layer 305 in a vacuum laminator for about 10 minutes at a temperature of 65-75 ° C.

На этапе 130 (фиг.1) формируют конфигурированный защитный слой на многослойном стеклянном диэлектрике 600, имеющем защитную конфигурацию 710 (фиг.7) стеклянного элемента в требуемой геометрической форме, которая включает в себя вторую электростатическую конфигурацию 715, по существу имеющую одинаковое протяжение с первой электростатической конфигурацией 205 в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Эта конфигурация содержит стандартный временный стойкий к травлению материал, формируемый традиционными способами, некоторыми примерами которых являются снабженный сформированным фотоизображением и обработанный сухой пленочный или жидкий фоторезист; трафаретная печать; и нанесение по трафарету.At step 130 (FIG. 1), a configured protective layer is formed on the laminated glass dielectric 600 having a protective configuration 710 (FIG. 7) of the glass element in the desired geometric shape, which includes a second electrostatic configuration 715, essentially having the same extension with the first electrostatic configuration 205 in accordance with embodiments of the present invention. This configuration comprises a standard temporary etching resistant material formed by conventional methods, some examples of which are provided with a formed photo image and processed dry film or liquid photoresist; screen printing; and stenciling.

На этапе 135 (фиг.1) удаляют часть электростатического материала 510 сверху стеклянного диэлектрика 500 с покрытием, который не находится в пределах второй электростатической конфигурации 715 в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Удаление части электростатического материала 510 содержит применение средства для травления электростатического материала. Когда электростатический материал 510 содержит верхний слой из меди, используют традиционный химический состав для травления меди (перекись/серная кислота, хлорид меди, хлористый аммоний и т.д.). Этот этап может включать в себя травление с помощью дополнительных растворов, когда электростатический материал 510 содержит множество слоев. В примере слоя Ti/W под медным покрытием слой Ti/W вне требуемой конфигурации, который был расположен непосредственно под медным слоем, может быть подходящим образом вытравлен теплым (50° по шкале Цельсия) раствором перекиси водорода. В альтернативном варианте осуществления коммерчески доступный материал, распространяемый фирмой Shipley Company, L.L.C., Marlborough (Марлборо), штат Массачусетс, США, который обозначается как средство для травления 746 W, которое обычно используется для травления меди ПП, также демонстрирует способность эффективно удалять слой Ti/W. Когда в качестве части электростатического материала 510 используется хром, тогда хром можно вытравливать в растворе нитрата аммония (доступном, как традиционное средство для травления хрома "Chrome Etchant 1020", распространяемое фирмой Transene Company, Inc., Danvers, штат Массачусетс, США), сопровождаемом традиционным травлением медного покрытия, как описано выше.At step 135 (FIG. 1), a portion of the electrostatic material 510 is removed on top of the coated glass dielectric 500 that is not within the second electrostatic configuration 715 in accordance with embodiments of the present invention. Removing a portion of the electrostatic material 510 comprises the use of a means for etching electrostatic material. When the electrostatic material 510 contains a top layer of copper, a traditional chemical etching composition of copper (peroxide / sulfuric acid, copper chloride, ammonium chloride, etc.) is used. This step may include etching with additional solutions when the electrostatic material 510 contains many layers. In the example of a Ti / W layer under a copper coating, a Ti / W layer outside the desired configuration, which was located directly below the copper layer, can be suitably etched with a warm (50 ° Celsius) hydrogen peroxide solution. In an alternate embodiment, a commercially available material distributed by Shipley Company, LLC, Marlborough, Marlborough, Mass., USA, which is referred to as 746 W etching agent, which is commonly used for etching copper PP, also shows the ability to effectively remove the Ti / W. When chromium is used as part of the electrostatic material 510, then chromium can be etched in an ammonium nitrate solution (available as the traditional Chrome Etchant 1020 chromium etchant, available from Transene Company, Inc., Danvers, Mass., USA), followed by traditional etching of the copper coating as described above.

На этапе 140 (фиг.1) удаляют стекло, находящееся за пределами конфигурации стеклянного элемента. Конфигурированный защитный слой 710, который применяли для предохранения в течение этапа 135 травления металла/зеркала, и остальной конфигурированный электростатический материал 510, который остался, действуют, как внутренний стойкий к травлению слой в течение всего процесса удаления стекла. В одном варианте осуществления стекло протравливают в 25% растворе флорида водорода (HF) в течение приблизительно 25 минут. В качестве альтернативы стекло можно травить в растворе бифторида аммония, в забуференном окисном растворе для травления (ВОЕ) или в растворе кремнефтористоводородной кислоты. В другом варианте осуществления стекло может быть удалено механическим способом, а именно с помощью очистки пескоструйным аппаратом. Например, горизонтальную очистку пескоструйным аппаратом можно выполнять, используя частицы окиси алюминия величиной 27 микрон при давлении 80 фунтов на квадратный дюйм (552 килопаскаля), выбрасываемые из насадки, имеющей диаметр 0,035 дюйма (0,88 мм), на расстоянии от подложки 215, составляющем 2 дюйма (5,08 см), и со скоростью перемещения 4 дюйма (10,16 см) в минуту. Когда используют очистку пескоструйным аппаратом, конфигурированный защитный слой 710 можно применять с большей толщиной, чем обычно, например, толщиной от 50 до 100 микрон.In step 140 (FIG. 1), glass outside the configuration of the glass element is removed. The configured protective layer 710 that was used to protect during the metal / mirror etching step 135, and the rest of the configured electrostatic material 510 that remained, act as an internal etching resistant layer throughout the entire glass removal process. In one embodiment, glass is etched in a 25% hydrogen fluoride (HF) solution for approximately 25 minutes. Alternatively, glass can be etched in a solution of ammonium bifluoride, in a buffered etching solution for etching (BOE), or in a solution of hydrofluoric acid. In another embodiment, the glass can be removed mechanically, namely by sandblasting. For example, horizontal sandblasting can be performed using alumina particles of 27 microns at a pressure of 80 psi (552 kilopascals) ejected from a nozzle having a diameter of 0.035 inches (0.88 mm) at a distance from substrate 215 of 2 inches (5.08 cm), and with a travel speed of 4 inches (10.16 cm) per minute. When sandblasting is used, the configured backing layer 710 can be applied with a thicker thickness than usual, for example, between 50 and 100 microns thick.

На этапе 145 (фиг.1) часть электростатического материала 515, который был на нижней части стеклянного диэлектрика 505 с покрытием, удаляют с поверхности защитного фотодиэлектрического слоя 305, в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Электростатический материал 515 (например, Ti/W-медь или хром/медь), который был на нижней части удаленного стекла, должен быть удален с экспонированной поверхности защитного фотодиэлектрического слоя 305. Электростатический материал 515 (например, Ti/W-медь или хром/медь) удаляют, еще раз подвергая структуру 800 мезо-МЭМС воздействию подходящих растворов для травления, таких как теплая перекись (или средство для травления хрома) и стандартные растворы для травления меди. Может быть важно иметь этот второй слой Ti/W-меди или хрома-меди во время удаления стекла, потому что он предохраняет эпоксидную смолу от агента удаления стекла, в частности, в течение химического травления. Смола по существу является устойчивой к HF, но воздействие в течение длительного срока может ослаблять светочувствительные свойства материала. Когда для удаления стекла используется очистка пескоструйным аппаратом, она также может использоваться для удаления части электростатического материала 515 вместо травления электростатического материала.In step 145 (FIG. 1), a portion of the electrostatic material 515 that was on the bottom of the coated glass dielectric 505 is removed from the surface of the protective photodielectric layer 305, in accordance with embodiments of the present invention. Electrostatic material 515 (eg, Ti / W-copper or chrome / copper) that was on the bottom of the removed glass must be removed from the exposed surface of the photodielectric layer 305. Electrostatic material 515 (eg, Ti / W-copper or chrome / copper) is removed by once again exposing the 800 meso-MEMS structure to suitable etching solutions such as warm peroxide (or chromium etching agent) and standard copper etching solutions. It may be important to have this second layer of Ti / W-copper or chromium-copper during glass removal because it protects the epoxy from the glass removal agent, in particular during chemical etching. The resin is essentially HF resistant, but exposure for a long time can weaken the photosensitive properties of the material. When sandblasting is used to remove glass, it can also be used to remove part of the electrostatic material 515 instead of etching the electrostatic material.

На этапе 150, после того как удалена часть электростатического материала 515, который был на нижней части стеклянного диэлектрика 505 с покрытием, остающуюся часть конфигурированного защитного слоя 710 удаляют с верхней поверхности стекла с покрытием, оставляя стеклянный элемент, имеющий электростатический материал 510 на верхней поверхности стеклянного элемента, и открывая отражающую поверхность второй электростатической конфигурации 815 (фиг.8). Этот этап можно выполнять либо до, либо после этапа 155. Используется растворитель, такой как раствор на водной основе гидроокиси натрия, который растворяет защитный слой 705 по существу без нанесения ущерба другим участкам структуры 800 мезо-МЭМС (фиг.8).In step 150, after the portion of the electrostatic material 515 that was on the bottom of the coated glass dielectric 505 is removed, the remaining portion of the configured protective layer 710 is removed from the top surface of the coated glass, leaving the glass member having the electrostatic material 510 on the top surface of the glass element, and opening the reflective surface of the second electrostatic configuration 815 (Fig.8). This step can be performed either before or after step 155. A solvent is used, such as an aqueous solution of sodium hydroxide, which dissolves the protective layer 705 substantially without affecting other parts of the meso-MEMS structure 800 (FIG. 8).

Рассмотрим фиг.8, на которой показан вид в перспективе структуры 800 мезо-МЭМС на этой стадии изготовления в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Оставшееся стекло с покрытием теперь находится в конфигурации, имеющей форму стеклянного элемента, который был определен защитной конфигурацией 710. Структура 800 мезо-МЭМС имеет стеклянный элемент 810 со второй электростатической конфигурацией 815, которая по существу имеет одинаковое протяжение с первой электростатической конфигурацией 205 и которая находится на консольном участке стеклянного элемента 810, и которая также представляет собой зеркальную поверхность в этом варианте осуществления. Когда электростатический материал формируют и сверху, и снизу стеклянного материала 505, тогда электростатическая конфигурация 815 находится и сверху, и снизу стеклянного элемента 810, и зеркальная поверхность может быть с обеих сторон, в зависимости от материалов, используемых для электростатических конфигураций 815. С другой стороны, электростатический материал можно формировать только сверху или только снизу стеклянного элемента 810.Refer to FIG. 8, which is a perspective view of a meso-MEMS structure 800 at this manufacturing stage in accordance with embodiments of the present invention. The remaining coated glass is now in a configuration having the form of a glass element, which was defined by the protective configuration 710. The meso-MEMS structure 800 has a glass element 810 with a second electrostatic configuration 815, which essentially has the same extension with the first electrostatic configuration 205, and which is located on the cantilever portion of the glass element 810, and which also represents a mirror surface in this embodiment. When the electrostatic material is formed both above and below the glass material 505, then the electrostatic configuration 815 is located both above and below the glass element 810, and the mirror surface may be on both sides, depending on the materials used for the electrostatic configurations 815. On the other hand , the electrostatic material can be formed only at the top or only at the bottom of the glass element 810.

На этапе 155 (фиг.1) удаляют защитный фотодиэлектрический слой 305, отличающийся от области поперечного опорного элемента. На первом подэтапе защитный фотодиэлектрический слой 305 подвергают тепловому удару в течение 60 минут при температуре 110-130°С либо в загрузочной воздушной конвекционной печи, либо в горизонтальном пневматическом инфракрасном сушильном шкафу, чтобы завершить фотохимическую реакцию, инициированную на первой стадии построения структуры мезо-МЭМС, на этапах 110, 115. После теплового удара на втором подэтапе защитный фотодиэлектрический слой обрабатывают растворителем, например, используя гамма-бутиролактон (GBL), в течение 20 минут с ультразвуковым перемешиванием. GBL проникает под стеклянный элемент 810, удаляя весь неполимеризированный материал. Материал, который был экспонирован - область 405 скрытого опорного элемента - остается в виде опорного элемента 905, в то время как весь другой защитный диэлектрический материал будет удален. Как только весь этот защитный диэлектрический материал удален, стеклянный элемент 810 будет иметь воздушное пространство под ним, обеспечивая ему свободу для изменения местоположения в соответствии с электростатическим приведением в действие. Следует оценить, что в некоторых вариантах осуществления имеется множество опорных элементов, и стеклянный элемент может быть по существу более сложным, чем показанный на фиг.2-10. Дополнительно следует оценить, что в структуре мезо-МЭМС одновременно можно изготавливать больше, чем один стеклянный элемент способами, описанными в данном описании.At step 155 (FIG. 1), the protective photodielectric layer 305 that is different from the region of the transverse support member is removed. In the first sub-step, the protective photodielectric layer 305 is subjected to thermal shock for 60 minutes at a temperature of 110-130 ° C either in a loading air convection oven or in a horizontal pneumatic infrared drying oven to complete the photochemical reaction initiated in the first stage of constructing the meso-MEMS structure , at steps 110, 115. After the heat stroke in the second sub-step, the protective photodielectric layer is treated with a solvent, for example using gamma-butyrolactone (GBL), for 20 minutes with ultrasound th stirring. GBL penetrates under the glass element 810, removing all unpolymerized material. The material that was exposed — the region 405 of the hidden support member — remains as the support member 905, while all other protective dielectric material will be removed. Once all this protective dielectric material has been removed, the glass element 810 will have an air space beneath it, giving it freedom to change location in accordance with electrostatic actuation. It should be appreciated that in some embodiments, there are many support elements, and the glass element can be substantially more complex than that shown in FIGS. 2-10. Additionally, it should be appreciated that in the structure of meso-MEMS at the same time, more than one glass element can be produced by the methods described in this description.

Рассмотрим фиг.9 и 10, на которых показаны вид в перспективе и вид сбоку структуры 900 мезо-МЭМС в соответствии с вариантами осуществления настоящего изобретения. Структура 900 мезо-МЭМС была изготовлена на этапах 105-155. Стеклянный элемент 810 имеет закрепленную область 920, которая прикреплена к области 405 опорного элемента, и имеет свободный интервал 925 между первой и второй электростатическими конфигурациями 205, 815, который может составлять от 5 до 200 микрон, когда между ними не имеется никакого электрического потенциала (то есть они находятся в состоянии отсутствия возбуждения). (Свободный интервал в значительной степени определяется толщиной защитного фотодиэлектрического слоя 305.) Вторая электростатическая конфигурация 815 по существу параллельна первой электростатической конфигурации, когда они находятся в состоянии отсутствия возбуждения. Приблизительный размер структуры мезо-МЭМС, которая была изготовлена с использованием этапов описанного выше процесса, составляет 3,5 мм в длину с шириной электростатической конфигурации, составляющей приблизительно 1,5 мм. Структуры мезо-МЭМС, такие как мезо-МЭМС 900, можно использовать, например, в качестве оптического переключателя и их можно изготавливать более экономно, чем, например, основанный на кремнии электрооптический-механический переключатель.Referring to FIGS. 9 and 10, a perspective and side view of a meso-MEMS structure 900 are shown in accordance with embodiments of the present invention. The 900 meso-MEMS structure 900 was fabricated at steps 105-155. The glass element 810 has a fixed region 920, which is attached to the region 405 of the support element, and has a free interval 925 between the first and second electrostatic configurations 205, 815, which can be from 5 to 200 microns when there is no electric potential between them ( they are in a state of lack of excitement). (The free spacing is largely determined by the thickness of the protective photodielectric layer 305.) The second electrostatic configuration 815 is substantially parallel to the first electrostatic configuration when they are in a non-excited state. The approximate size of the meso-MEMS structure that was fabricated using the steps of the process described above is 3.5 mm in length with an electrostatic configuration width of approximately 1.5 mm. Meso-MEMS structures, such as the Meso-MEMS 900, can be used, for example, as an optical switch and can be made more economically than, for example, a silicon-based electro-optical-mechanical switch.

На этапе 160 формируют электрическое соединение со второй электростатической конфигурацией 815 на участке стеклянного элемента 810, ламинированном к области 405 опорного элемента или около него. Его можно выполнять любым надежным способом, таким как пайка или проводное соединение провода с электростатическим материалом 510 на верхней и/или нижних поверхностях (в зависимости от того, находится ли электростатическая конфигурация сверху или снизу, или на обеих поверхностях) закрепленной области стеклянного элемента 810, или посредством придавливания проводящего материала к электростатическому материалу 510 около закрепленной области 920 стеклянного элемента 810. Электрическое соединение с первой электростатической конфигурацией 205 можно подходящим образом обеспечить, нанося традиционным образом печатный проводник, который подсоединен к первой электростатической конфигурации 205 и к контактной площадке на подложке 215, которая предназначена для электрического соединителя, или которая соединена с электронным компонентом, таким как присоединительный зажим интегральной схемы. Следует оценить, что при нанесении электростатического материала только на одну поверхность стеклянного материала 505 и использовании электростатических материалов, которые формируют хорошее зеркало, получающееся в результате зеркало может быть зеркалом передней поверхности или задней поверхности для света, который падает на верхнюю поверхность стеклянного элемента 810, что предлагает выбор конструкции, которая может быть выгодной. Также следует оценить, что в вариантах осуществления настоящего изобретения силу электростатического поля можно прикладывать к электростатической конфигурации 815 либо на верхней поверхности, либо на нижней поверхности, либо на обеих поверхностях стеклянного элемента 810, предлагая другие выборы конструкции, которые могут быть выгодны.At 160, an electrical connection is formed with a second electrostatic configuration 815 on a portion of the glass member 810 laminated to or near the support member region 405. It can be performed in any reliable way, such as soldering or wiring the wire with the electrostatic material 510 on the upper and / or lower surfaces (depending on whether the electrostatic configuration is on top or bottom, or on both surfaces) of the fixed area of the glass element 810, or by pressing a conductive material to an electrostatic material 510 near a fixed region 920 of a glass element 810. An electrical connection with a first electrostatic configuration of 205 m zhno suitably provide, in conventional manner causing the printed conductor which is connected to a first Electrostatic configuration 205 and a contact pad on the substrate 215, which is designed for an electrical connector, or which is connected with an electronic component such as an integrated circuit mounting clamp. It should be appreciated that when applying electrostatic material to only one surface of the glass material 505 and using electrostatic materials that form a good mirror, the resulting mirror can be a mirror of the front surface or back surface for light that falls on the upper surface of the glass element 810, which offers a choice of designs that can be beneficial. It should also be appreciated that in embodiments of the present invention, the electrostatic field strength can be applied to the electrostatic configuration 815 either on the upper surface, or on the lower surface, or on both surfaces of the glass element 810, offering other design choices that may be beneficial.

Следует оценить, что примеры, описанные со ссылкой на фиг.1-10, связаны со структурой мезо-МЭМС, имеющей стеклянный элемент с прямым гибким плечом, который обеспечивает возможность перемещения по существу вдоль одной оси от свободной позиции и имеет зеркало, которое перемещается благодаря перемещению плеча. В этом примере вторая электростатическая конфигурация 205 и зеркало (отражающая поверхность) находятся в одном том же местоположении на стеклянном элементе 810, консольном местоположении (то есть местоположении около конца стеклянного элемента 810, который является самым дальним от закрепленной области 920 стеклянного элемента 810). Это представляет собой простую и весьма полезную МЭМС, которая может обеспечивать функции оптического переключения или модуляции, но имеется много разновидностей настоящего изобретения, которые могут обеспечивать другие полезные функции. Например, зеркало может быть расположено около, но не в консольном местоположении второй электростатической конфигурации 205. В качестве другого примера может быть изготовлена противостоящая пара электрических контактов, один на конце 1005 стеклянного элемента 810, а другой на подложке 215 в противостоящем местоположении 1010, и может не быть никакого зеркала. Этот пример электрической переключающей мезо-МЭМС не обязательно должен иметь множество металлических проводников, формирующих электростатические конфигурации 205, 815, и может функционировать как РЧ переключатель. Такие электрические контакты в качестве альтернативы могут быть расположены ближе к области 405 опорного элемента, чем ко второй электростатической конфигурации 205. В качестве другого примера там может быть направляющее свет устройство, прикрепленное к стеклянному элементу 810 около консольного местоположения или на нем, вместо зеркала (или, возможно, в дополнение к нему), на верхней или нижней поверхности стеклянного элемента 810. Направляющим свет устройством может быть плоское зеркало или шторка (неотражающая, непрозрачная плоскость), установленная под некоторым плоским углом относительно верхней поверхности стеклянного элемента 810, или объект некоторой другой формы, такой как стержень, который является треугольным в поперечном сечении, с двумя зеркальными поверхностями, установленными на стеклянном элементе 810 около консольного местоположения.It should be appreciated that the examples described with reference to FIGS. 1-10 are associated with a meso-MEMS structure having a glass element with a straight flexible arm that allows movement substantially along one axis from a free position and has a mirror that moves due to shoulder movement. In this example, the second electrostatic configuration 205 and the mirror (reflective surface) are at the same location on the glass element 810, a cantilever location (i.e., the location near the end of the glass element 810 that is farthest from the fixed region 920 of the glass element 810). This is a simple and very useful MEMS that can provide optical switching or modulation functions, but there are many variations of the present invention that can provide other useful functions. For example, the mirror may be located near, but not in the cantilever location of, the second electrostatic configuration 205. As another example, an opposing pair of electrical contacts, one at the end 1005 of the glass member 810 and the other on the substrate 215 at the opposing location 1010, can be made, and may there is no mirror. This example of an electric switching meso-MEMS does not have to have many metal conductors forming electrostatic configurations 205, 815, and can function as an RF switch. Alternatively, such electrical contacts may be located closer to the support member region 405 than to the second electrostatic configuration 205. As another example, there may be a light guide device attached to or on a glass member 810 near a cantilever location instead of a mirror (or possibly in addition to it), on the upper or lower surface of the glass element 810. The light guiding device may be a flat mirror or a curtain (non-reflective, opaque plane), set Installed at a certain flat angle relative to the upper surface of the glass element 810, or an object of some other shape, such as a rod that is triangular in cross section, with two mirror surfaces mounted on the glass element 810 near a cantilever location.

Обращаясь теперь к фиг.11 и 12, отметим, что на них показаны перспективные чертежи другого примера структуры 1100 оптической мезо-МЭМС в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Структура 1100 мезо-МЭМС изготовлена с использованием по существу тех же этапов, которые были описаны выше для структуры 900 мезо-МЭМС. Фиг.12 изображает структуру 900 мезо-МЭМС после завершения этапов 105-155, тогда как фиг.11 показывает нижний участок структуры 900 мезо-МЭМС (и не касается определенного этапа изготовления). На фиг.11 и 12 можно заметить, что имеются четыре пары электростатических конфигураций, содержащих электростатические конфигурации 1105, 1205, электростатические конфигурации 1110, 1210, электростатические конфигурации 1115, 1215 и электростатические конфигурации 1120, 1220. Электростатические конфигурации 1105, 1110, 1115, 1120 сформированы на подложке 1150. Электростатические конфигурации 1215, 1220 расположены в консольных местоположениях для гибких участков 1240, 1245 луча, а электростатические конфигурации 1205, 1210 расположены в консольных местоположениях гибких участков 1250, 1255 стеклянного элемента, содержащего гибкие участки 1205, 1210, 1240, 1245 и электростатические конфигурации 1205, 1210, 1215, 1220. Для каждой электростатической пары (1105, 1205), (1110, 1210), (1115, 1215) и (1120, 1220) электростатические конфигурации по существу имеют одинаковое протяжение и параллельны друг другу, когда мезо-МЭМС не возбуждена. Электростатические конфигурации 1205, 1210 электрически соединены и также формируют зеркало, которое используется для перемещения светового луча, который нацелен на зеркало, но электростатические конфигурации 1205, 1210 можно рассматривать для целей электростатического возбуждения как две конфигурации, разделенные (воображаемой) линией 1208. Электростатические конфигурации 1205, 1210 электрически соединены друг с другом (и с электростатическими конфигурациями 1215, 1220, но могут рассматриваться для целей электростатического возбуждения как две электростатические конфигурации. К четырем электростатическим конфигурациям 1205, 1210, 1215, 1220 можно прикладывать общий электрический потенциал, и перемещение зеркала определяется по существу независимыми электрическими потенциалами, которые можно прикладывать к электростатическим конфигурациям 1105, 1110, 1115, 1120. Можно заметить, что две пары электростатических конфигураций (1105, 1205) и (1110, 1210) находятся в консольных местоположениях по первой оси свободы перемещения зеркала, которая предоставляется гибкими плечами 1240, 1245 стеклянных элементов, и что другие две пары электростатических конфигураций (1105, 1205) и (1110, 1210) находятся в консольных местоположениях на второй оси свободы перемещения зеркала, предоставляемой гибкими плечами 1250, 1255 стеклянных элементов, которая является перпендикулярной первой оси. Таким образом, при соответствующем приложении разностей потенциалов зеркало может перемещаться по двум осям, в пределах углового смещения, накладываемых по меньшей мере размерами мезо-МЭМС 1100. Устройство, такое как мезо-МЭМС 1100, можно использовать, например, для развертки светового луча, чтобы создавать изображение. В связанном варианте осуществления может быть сконструирована единственная ось мезо-МЭМС с использованием только двух пар электростатических конфигураций на общей оси, таких как электростатические конфигурации (1115, 1215) и (1120, 1220) на фиг.12, в варианте осуществления, подобном показанному на фиг.12 но с полной областью, которая включает в себя электростатические конфигурации 1215, 1220, лучи 1250, 1255 и электростатические конфигурации 1210, 1205, являющейся одним сплошным листом. Устройство этого типа можно использовать, например, для смещения светового луча вдоль оси, под которой перемещается светочувствительная бумага, чтобы записывать напряжения как для электрокардиограммы.Turning now to FIGS. 11 and 12, it is noted that they are perspective drawings of another example of an optical meso-MEMS structure 1100 in accordance with an embodiment of the present invention. The Meso-MEMS structure 1100 is fabricated using essentially the same steps as described above for the Meso-MEMS structure 900. FIG. 12 shows the meso-MEMS structure 900 after completing steps 105-155, while FIG. 11 shows the lower portion of the meso-MEMS structure 900 (and does not apply to a particular manufacturing step). 11 and 12, it can be seen that there are four pairs of electrostatic configurations containing electrostatic configurations 1105, 1205, electrostatic configurations 1110, 1210, electrostatic configurations 1115, 1215, and electrostatic configurations 1120, 1220. Electrostatic configurations 1105, 1110, 1115, 1120 formed on the substrate 1150. The electrostatic configurations 1215, 1220 are located in cantilever locations for the flexible beam sections 1240, 1245, and the electrostatic configurations 1205, 1210 are located in the cantilever locations of the flexible sections for a glass element 1250, 1255 containing flexible sections 1205, 1210, 1240, 1245 and electrostatic configurations 1205, 1210, 1215, 1220. For each electrostatic pair (1105, 1205), (1110, 1210), (1115, 1215) and (1120, 1220) electrostatic configurations essentially have the same extension and parallel to each other when the meso-MEMS is not excited. The electrostatic configurations 1205, 1210 are electrically connected and also form a mirror that is used to move the light beam that is aimed at the mirror, but the electrostatic configurations 1205, 1210 can be considered for electrostatic excitation purposes as two configurations separated by an (imaginary) line 1208. Electrostatic configurations 1205 , 1210 are electrically connected to each other (and to the electrostatic configurations 1215, 1220, but can be considered for two electrostatic excitation purposes Rostatic configurations. The common electrical potential can be applied to the four electrostatic configurations 1205, 1210, 1215, 1220, and the movement of the mirror is determined by essentially independent electrical potentials, which can be applied to the electrostatic configurations 1105, 1110, 1115, 1120. It can be noted that two pairs electrostatic configurations (1105, 1205) and (1110, 1210) are in cantilever locations along the first axis of freedom of movement of the mirror, which is provided by flexible shoulders 1240, 1245 of glass elements, and that O ther two pairs of electrostatic configurations (1105, 1205) and (1110, 1210) are cantilevered locations on a second axis of mirror movement freedom provided by flexible arms 1250, 1255 of the glass elements, which is perpendicular to the first axis. Thus, with the appropriate application of potential differences, the mirror can move along two axes, within the angular displacement imposed by at least the dimensions of the meso-MEMS 1100. A device, such as the meso-MEMS 1100, can be used, for example, to scan a light beam so that create an image. In a related embodiment, a single Meso-MEMS axis can be constructed using only two pairs of electrostatic configurations on a common axis, such as electrostatic configurations (1115, 1215) and (1120, 1220) in FIG. 12, in an embodiment similar to that shown in 12 but with a complete region that includes electrostatic configurations 1215, 1220, beams 1250, 1255, and electrostatic configurations 1210, 1205, which is one continuous sheet. A device of this type can be used, for example, to shift the light beam along the axis under which the photosensitive paper moves in order to record stresses as for an electrocardiogram.

Рассмотрим фиг.13, на которой показаны схематическое изображение и блок-схема примера электронного оборудования, которое включает в себя по меньшей мере одну структуру мезо-МЭМС, в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Оптическая переключающая сеть включает в себя группу волоконно-оптических переключателей 1305, 1306, каждый из которых имеет один волоконно-оптический ввод 1350 и два волоконно-оптических вывода 1365, 1367. Один волоконно-оптический ввод 1350 может переключаться на любой один из двух волоконно-оптических выводов 1365, 1367, как определено контроллером 1320, который подсоединен к электростатическому устройству 1310 сопряжения. Каждый переключатель 1305 содержит направляющее устройство 1353 для волоконно-оптического ввода 1350, который направляет оптический входной сигнал к зеркальной поверхности 1385 на стеклянном элементе по настоящему изобретению. Когда контроллер 1320 определяет, что устройство мезо-МЭМС не должно быть переключено, как в случае волоконно-оптического переключателя 1305, электростатическое устройство 1310 сопряжения удаляет по существу всю разность электростатического заряда между электростатическими конфигурациями 1385, 1383, стеклянный элемент принимает свободное положение. В результате, оптический входной сигнал отражается 1357 от зеркала 1385 к первому направляющему устройству волоконно-оптического вывода и усилителю 1359 и направляется из оптического волокна 1365, соединенного с переключателем 1305, а оптическое волокно 1367, соединенное с переключателем 1305, не имеет никакого сигнала. Когда контроллер 1320 определяет, что устройство мезо-МЭМС должно быть переключено, как в случае волоконно-оптического переключателя 1306, электростатическое устройство 1310 сопряжения помещает разность электростатического заряда на электростатические конфигурации 1385, 1383. В результате, стеклянный элемент принимает возбужденное, отклоненное положение, и оптический входной сигнал отражается 1393 от зеркала 1385 ко второму направляющему устройству волоконно-оптического вывода и усилителю 1367 и направляется из оптического волокна 1367, соединенного с переключателем 1306, а оптическое волокно 1365, соединенное с переключателем 1306, не имеет сигнала.Refer to FIG. 13, which shows a schematic and block diagram of an example of electronic equipment that includes at least one meso-MEMS structure, in accordance with an embodiment of the present invention. The optical switching network includes a group of fiber optic switches 1305, 1306, each of which has one fiber optic input 1350 and two fiber optic outputs 1365, 1367. One fiber optic input 1350 can switch to any one of two fiber optical leads 1365, 1367, as determined by a controller 1320, which is connected to an electrostatic coupler 1310. Each switch 1305 includes a guide device 1353 for fiber optic input 1350, which directs the optical input signal to the mirror surface 1385 on the glass element of the present invention. When the controller 1320 determines that the meso-MEMS device should not be switched, as in the case of the fiber optic switch 1305, the electrostatic coupler 1310 removes essentially the entire difference of the electrostatic charge between the electrostatic configurations 1385, 1383, the glass element assumes a free position. As a result, the optical input signal is reflected 1357 from the mirror 1385 to the first fiber optic output guide device and amplifier 1359 and is routed from the optical fiber 1365 connected to the switch 1305, and the optical fiber 1367 connected to the switch 1305 has no signal. When the controller 1320 determines that the meso-MEMS device should be switched, as in the case of the fiber optic switch 1306, the electrostatic coupler 1310 places the difference in electrostatic charge on the electrostatic configurations 1385, 1383. As a result, the glass element assumes an excited, deflected position, and the optical input signal is reflected 1393 from the mirror 1385 to the second guide device of the optical fiber output and amplifier 1367 and is routed from the optical fiber 1367 connected with switch 1306 and the optical fiber 1365 connected to switch 1306 has no signal.

Структуры мезо-МЭМС, сформированные в соответствии с настоящим изобретением, можно объединять с кремниевыми устройствами и другими электронными компонентами, использующими технологию ПП. Сформированные таким образом оптико-электронные схемы (то есть схемы, включающие в себя либо электронные, либо световые схемы, или и те, и другие) могут быть сложными системами, которые включают в себя, например, по существу законченный приемник, передатчик или преобразователь оптического излучения, и могут быть включены в любой из очень большого разнообразия оптико-электронных компоновочных узлов (то есть включающих в себя либо электронные, либо световые схемы, или и те, и другие), включая пассивные оптические сети и потребительские товары, такие как проекционные дисплеи и световоды, проведенные к домашним компьютерным приставкам к телевизору.Meso-MEMS structures formed in accordance with the present invention can be combined with silicon devices and other electronic components using PP technology. The optoelectronic circuits thus formed (i.e., circuits including either electronic or light circuits, or both) can be complex systems that include, for example, a substantially complete receiver, transmitter or optical converter radiation, and can be included in any of a very wide variety of optoelectronic assemblies (that is, including either electronic or light circuits, or both), including passive optical networks and consumer goods such as projection displays and light guides to home television set-top boxes.

В вышеизложенном описании были описаны изобретение и его выгоды и преимущества со ссылкой на определенные варианты осуществления. Однако специалистам в данной области техники должно быть понятно, что можно выполнять различные модификации и видоизменения, не выходя при этом за рамки объема настоящего изобретения, сформулированные в приведенной ниже формуле изобретения. Соответственно, описание и чертежи следует расценивать скорее в иллюстративном, чем в ограничительном смысле, и все такие модификации предназначены для включения в объем настоящего изобретения. Выгоды, преимущества, решения проблем и любой элемент (элементы), которые могут приводить к каким-либо выгодам, преимуществам или решениям, которые происходят или становятся более явными, должны рассматриваться как критические, требуемые или существенные признаки или элементы какого-либо или всех пунктов формулы изобретения.In the foregoing description, the invention and its advantages and advantages have been described with reference to certain embodiments. However, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and modifications can be made without departing from the scope of the present invention as set forth in the claims below. Accordingly, the description and drawings should be regarded in an illustrative rather than a restrictive sense, and all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention. The benefits, advantages, solutions to problems and any element (s) that may lead to any benefits, advantages or solutions that occur or become more pronounced should be considered as critical, required or significant signs or elements of any or all of the points claims

Использующиеся в данном описании термины "содержит", "содержащий" или любая другая их разновидность предназначены для охвата неисключительного включения, такого как процесс, способ, изделие или аппарат, который содержит перечень элементов, включающий в себя не только эти элементы, но может включать в себя другие элементы, не перечисленные явно или присущие такому процессу, способу, изделию или аппарату.As used herein, the terms “comprises,” “comprising,” or any other variation thereof are intended to encompass a non-exclusive inclusion, such as a process, method, product, or apparatus that includes a list of elements including not only these elements, but may include other elements that are not explicitly listed or inherent in such a process, method, product or apparatus.

Термин "другой", использующийся в данном описании, определяется как по меньшей мере "второй" или больше. Толкование "либо... либо" является эквивалентным булеву исключению или утверждению. Термины "включающий в себя" и/или "имеющий", использующийся в данном описании, определены как "содержащий". Термин "связанный", использующмйсяется здесь со ссылкой на электрооптическое техническое решение, определяется как "подсоединенный", хотя не обязательно непосредственно, и не обязательно механически.The term “other” as used herein is defined as at least “second” or more. The interpretation of “either ... or” is equivalent to a Boolean exception or statement. The terms “including” and / or “having,” as used herein, are defined as “comprising”. The term “coupled”, as used herein with reference to an electro-optical technical solution, is defined as “connected”, although not necessarily directly, and not necessarily mechanically.

Claims (10)

1. Мезо-электромеханическая система, содержащая подложку, по меньшей мере один опорный элемент, расположенный на поверхности подложки, первую электростатическую конфигурацию, расположенную на поверхности подложки, и стеклянный элемент, имеющий закрепленную область, прикрепленную по меньшей мере к одному опорному элементу, имеющий вторую электростатическую конфигурацию на консольном местоположении стеклянного элемента, причем вторая электростатическая конфигурация по существу имеет одинаковое протяжение и параллельна первой электростатической конфигурации, и вторая электростатическая конфигурация отделена свободным интервалом от первой электростатической конфигурации, когда первая и вторая электростатические конфигурации находятся в состоянии отсутствия возбуждения.1. Meso-electromechanical system containing a substrate, at least one supporting element located on the surface of the substrate, a first electrostatic configuration located on the surface of the substrate, and a glass element having a fixed region attached to at least one supporting element having a second an electrostatic configuration at a cantilever location of the glass element, the second electrostatic configuration being substantially uniform in length and parallel to the first electron residual configuration, and the second electrostatic configuration is separated by a free interval from the first electrostatic configuration when the first and second electrostatic configurations are in a state of no excitation. 2. Мезо-электромеханическая система по п.1, в которой стеклянный элемент имеет толщину от 10 до 75 мкм.2. Meso-electromechanical system according to claim 1, in which the glass element has a thickness of from 10 to 75 microns. 3. Мезо-электромеханическая система по п.1, в которой вторая электростатическая конфигурация представляет собой проводящий металл, который сконфигурирован так, чтобы включать в себя электрическую контактную площадку в закрепленной области стеклянного элемента.3. The meso-electromechanical system according to claim 1, in which the second electrostatic configuration is a conductive metal that is configured to include an electrical contact pad in a fixed region of the glass element. 4. Мезо-электромеханическая система по п.1, в которой стеклянный элемент дополнительно содержит зеркало, которое находится около консольного местоположения.4. Meso-electromechanical system according to claim 1, in which the glass element further comprises a mirror, which is located near the console location. 5. Мезо-электромеханическая система по п.4, в которой направляющее свет устройство прикреплено к стеклянному элементу около консольного местоположения.5. Meso-electromechanical system according to claim 4, in which the light-guiding device is attached to the glass element near the cantilever location. 6. Мезо-электромеханическая система по п.1, в которой зеркало сформировано с помощью второй электростатической конфигурации.6. Meso-electromechanical system according to claim 1, in which the mirror is formed using a second electrostatic configuration. 7. Мезо-электромеханическая система по п.1, в которой первая и вторая электростатические конфигурации содержат первую пару электростатических конфигураций, дополнительно содержащую по меньшей мере одну дополнительную пару электростатических конфигураций, в которой каждая из по меньшей мере одной дополнительной пары содержит7. The meso-electromechanical system according to claim 1, in which the first and second electrostatic configurations comprise a first pair of electrostatic configurations, further comprising at least one additional pair of electrostatic configurations, in which each of at least one additional pair contains первую электростатическую конфигурацию, расположенную на поверхности подложки,the first electrostatic configuration located on the surface of the substrate, вторую электростатическую конфигурацию на консольном местоположении стеклянного элемента, в которой вторая электростатическая конфигурация по существу имеет одинаковое протяжение и параллельна первой электростатической конфигурации, когда мезо-электромеханическая система не возбуждена.the second electrostatic configuration at the cantilever location of the glass element, in which the second electrostatic configuration is essentially the same extension and parallel to the first electrostatic configuration when the meso-electromechanical system is not excited. 8. Способ изготовления мезо-электромеханической системы, содержащий8. A method of manufacturing a meso-electromechanical system, comprising формирование первой электростатической конфигурации в пределах области устройства подложки из металлического слоя на подложке,forming a first electrostatic configuration within the region of the substrate device from a metal layer on the substrate, расположение защитного фотодиэлектрического слоя поверх области устройства,the location of the protective photodielectric layer on top of the device area, экспонирование защитного фотодиэлектрического слоя для формирования по меньшей мере одной области скрытого опорного элемента,exposure of the protective photodielectric layer to form at least one area of the hidden support element, покрытие верхней и нижней поверхностей стеклянного диэлектрика электростатическим материалом,coating the upper and lower surfaces of the glass dielectric with an electrostatic material, ламинирование стеклянного диэлектрика с покрытием к защитному фотодиэлектрическому слою,lamination of a glass dielectric coated with a protective photodielectric layer, формирование конфигурированного защитного слоя на стеклянном диэлектрике с покрытием, имеющем конфигурацию стеклянного элемента, который включает в себя вторую электростатическую конфигурацию, по существу имеющую одинаковое протяжение с первой электростатической конфигурацией,forming a configured protective layer on a coated glass dielectric having a glass element configuration that includes a second electrostatic configuration substantially the same extent as the first electrostatic configuration, удаление стекла и электростатического материала, находящихся не в пределах конфигурации стеклянного элемента, иremoving glass and electrostatic material that are not within the configuration of the glass element, and удаление участков защитного фотодиэлектрического слоя, отличающихся по меньшей мере от одной области скрытого опорного элемента, таким образом формируя по меньшей мере один опорный элемент.removing portions of the protective photodielectric layer that differ from at least one region of the hidden support element, thereby forming at least one support element. 9. Способ по п.8, в котором формирование конфигурированного защитного слоя включает наложение светочувствительного стойкого к травлению слоя толщиной по меньшей мере 50 мкн на верхнюю поверхность стеклянного диэлектрика, и экспонирование светочувствительного стойкого к травлению слоя с использованием конфигурации, и в котором удаление стекла и электростатического материала, находящихся не в пределах конфигурации стеклянного элемента, включает очистку пескоструйным аппаратом.9. The method of claim 8, in which the formation of the configured protective layer includes applying a photosensitive etch resistant layer with a thickness of at least 50 microns to the upper surface of the glass dielectric, and exposing the photosensitive etch resistant layer using a configuration, and in which the glass is removed and electrostatic material that is not within the configuration of the glass element includes sandblasting. 10. Электронное оборудование, содержащее мезо-электромеханическую систему, содержащую подложку, по меньшей мере один опорный элемент, расположенный на поверхности подложки, первую электростатическую конфигурацию, расположенную на поверхности подложки, и стеклянный элемент, имеющий закрепленную область, прикрепленную по меньшей мере к одному опорному элементу, имеющий вторую электростатическую конфигурацию на консольном местоположении стеклянного элемента, причем вторая электростатическая конфигурация по существу имеет одинаковое протяжение и параллельна первой электростатической конфигурации, и вторая электростатическая конфигурация отделена первым свободным интервалом от первой электростатической конфигурации, когда первая и вторая электростатические конфигурации находятся в состоянии отсутствия возбуждения, и контроллер, соединенный с первой и второй электростатическими конфигурациями, который управляет перемещением стеклянного элемента посредством возбуждения электростатических конфигураций.10. Electronic equipment comprising a meso-electromechanical system containing a substrate, at least one supporting element located on the surface of the substrate, a first electrostatic configuration located on the surface of the substrate, and a glass element having a fixed region attached to at least one supporting an element having a second electrostatic configuration at a cantilever location of the glass element, the second electrostatic configuration being essentially the same rotational and parallel to the first electrostatic configuration, and the second electrostatic configuration is separated by the first free interval from the first electrostatic configuration when the first and second electrostatic configurations are in a state of no excitation, and a controller connected to the first and second electrostatic configurations that controls the movement of the glass element by means of excitation electrostatic configurations.
RU2006126666/28A 2003-12-23 2004-12-22 Meso-micro-electro-mechanical system with a glass element and method for manufacturing the system RU2319182C1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53196103P 2003-12-23 2003-12-23
US60/531,961 2003-12-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2319182C1 true RU2319182C1 (en) 2008-03-10

Family

ID=37610249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006126666/28A RU2319182C1 (en) 2003-12-23 2004-12-22 Meso-micro-electro-mechanical system with a glass element and method for manufacturing the system

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN1898854A (en)
RU (1) RU2319182C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2502099C2 (en) * 2008-07-11 2013-12-20 Таль Device for correcting optical defects of telescope mirror

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106458573B (en) * 2014-04-14 2019-08-30 天工方案公司 Mems device with discharge circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2502099C2 (en) * 2008-07-11 2013-12-20 Таль Device for correcting optical defects of telescope mirror

Also Published As

Publication number Publication date
CN1898854A (en) 2007-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101043460B1 (en) Mems device and method of forming mems device
US7217369B2 (en) Meso-microelectromechanical system having a glass beam and method for its fabrication
US6741383B2 (en) Deflectable micromirrors with stopping mechanisms
EP1524545A2 (en) MEMS device and method of forming MEMS device
US20050176212A1 (en) MEMS device and method of forming MEMS device
US20090101383A1 (en) Micromechanical device and method of manufacturing micromechanical device
JP2013231983A (en) Method of manufacturing micro-electro-mechanical system micro mirror
US20080313883A1 (en) Method of Minimizing Inter-Element Signals for Transducers
US6891654B2 (en) Light modulator and method of manufacturing the same
RU2319182C1 (en) Meso-micro-electro-mechanical system with a glass element and method for manufacturing the system
US5677785A (en) Method for forming an array of thin film actuated mirrors
WO2011080883A1 (en) Electro-mechanical converter, spatial optical modulator, exposure device, and methods for manufacturing them
US7348535B2 (en) Metal line structure of optical scanner and method of fabricating the same
JPH1090612A (en) Mxn array of thin film actuated mirror and its production
JP5276036B2 (en) MEMS device and manufacturing method thereof
JPH07301755A (en) M x n pieces of thin-film actuated mirror array and manufacture thereof
JP2010256452A (en) Method of manufacturing micro mechanical structure
KR100600248B1 (en) Digital micro-mirror device, and manufacturing method of the same
JP3869438B2 (en) MEMS device, manufacturing method thereof, and optical device
KR100647316B1 (en) Metal line structure of optical scanner and method of fabricating the same
KR100965319B1 (en) Manufacturing method of printed circuit board for camera module and camera module for preventing foreign substance
KR100258118B1 (en) Improved actuated mirror arrays and a method fabricating method thereof
JP2006148603A (en) Manufacturing method of vibrator, vibrator and electronic equipment
KR19980046412A (en) Thin film type optical path adjusting device and its manufacturing method which can improve the light efficiency

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20091223